CS233476B1 - Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece - Google Patents
Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece Download PDFInfo
- Publication number
- CS233476B1 CS233476B1 CS1000482A CS1000482A CS233476B1 CS 233476 B1 CS233476 B1 CS 233476B1 CS 1000482 A CS1000482 A CS 1000482A CS 1000482 A CS1000482 A CS 1000482A CS 233476 B1 CS233476 B1 CS 233476B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- annealing
- diffusion
- superconductors
- blocks
- Prior art date
Links
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
233473 2
Vynález ea týká spĎeobu zvýšenia parametrov supravodičov z lntermetallckej zlúčeninyNb^Sn, připravovaných metodou difúzie z kvapalnej fázy a určených hlavně na použitia v supra-'vodivých kábloch. *
Jeden zo spísobov výroby difúznych Nb^Sn supravodičov a vysokými kritickými prúdala prúdovými hustotami je založený na difúzii cínu z kvapalnej fázy do podložky zo zliatinyniobu a zirkónia, ktorej povrchová vrstva je presýtená kysllkom. Uvedený spOsob výrobyzahrnuje následovně technologické operácle: povrchová oxidécla, dlsoelačná žíhaní·, poko-veni e podložky cínom alebo zllatlnou cínu a následné dlfúzne žíhánie. Přitom dlsoelačnážíhanie a pokovenie je možné uskutečnit oddelene alebo spojit' do jednej operácie. Přivhodné zvolených parametrech procesev povrchovéj oxidácie a*disociačného žíhania vznikána povrchu podložky vrstva nióbovej matrice presýtená kyslíkom, ktorá má pozitivny vplyvna tvorbu Nb^Sn a spolu s částicemi kysličníku zirkoničitého ZrOg zabezpečuje doalahnutlovysokého kritického prúdu supravodiče. U takto připravených supravodičov dosahuje vrstvaNb-jSn v závislosti od podmienok difúzneho žíhania hrůbku 1,5 až 5 /jm a kritická prúdovúhustotu do 2.10^® A.m-2 v kolmom magnetickom poli B»5T při teplote 4,2 K, čo u supra-vodivej NbjSn pásky Sirokej 10 mm představuje v rosmakých podmienkách kritický prúd 600 Aaž 1 400 A.
Uvedený spňsob výroby Nb^Sn supravodičov má z hradiska požiadavlek, ktoré sú kladenéns supravodiče určené pre splikáciu v supravodivých kábloch závažný nedostatok v tom, žev takto připravených supravodičoch dochádza k vysokým stratám prenááanej elektrlckej energie v důsledku drsného povrchu vrstvy Nb,Sn. Tieto straty u supravodivých pésok dosahujú hodnoty2 0,1 až 1 W na 1 m plochy supravodiče pri trensportnom prúde 50 A na 1 mm Sirky supravodivejpásky. Pri zohl*adnení geometrie supravodiče a závislosti strát na teplote vychádza, že přitrensportnom prúde 50 A/1 mm by straty v Nb,Sn páskách určených pre supravodivý kábel nemalíbyt vačšie ako 0,1 W/1 m pri teplote 4,2 K. Vzhladom na to, že velkost strát je okrem obje-mového pinningu fluxoidov silné závislá aj na stave povrchu Nb-jSn, jf možné straty výrazné znížit odstránením drshého a pórovitého povrchu vrstvy Nb^Sn. Existujú tri možnosti ako vyhladilpovrch Nb^Sn: chemickým oleptáním, elektrolytickým alebo mechaniakým leštěním, pričomk zaí-žaniu strát o 1 až 2 rády na hodnoty menSie ako cča 0,05 W/m2 pri tpansportnom prúde 50 A/mma teplote 4,2 K je potřebné odstrániť povrchová vrstvu Nb^Sn o hrúbke minimálně 1 až 2/m. Při hrúbke vrstvy Nb^Sn 1,5 až 5 <um však odstránenie povrchového sloja o hrúbke 1 až 2 pamá za náeledok výrazné zníženie hodnoty kritického prúdu a uvedená hrúbka Nb^Sn neposkytujezáruku, že v ddsledku náhddných fluktuácií parametrov procesu vyhladzovania nedčjde k lo-kálnemu preruSeniu vrstvy Nb^Sn.
Spomlnáné problémy, ktoré vznikajú pri vyhlerizovaní povrchu Nb^Sn, je možné odstrániťzvačSéním hrábky vrstvy Nb^Sn pri súčasnom zachovaní jej kritickej prúdovej hustoty.Experimentálně sa zlatilo, že pre rčzne teploty je-hrúbka vrstvy Nb^Sn úměrná t11, kde t jedoba difúzle a exponent m charakterizuje podmienky přípravy Nb^Sn. Keň že pri difúzii cínuz kvapalnej fázy bývá m menšie ako 0,5, je neefektívne v podmienkách kontinuálnej výroby .NbjSn supravodičov zvačšovsť hrůbku vrstvy Nb^Sn prostým predlžovaním doby difúzneho ží-hania. Podstatné vačSí přínos je možné očekávat od změny exponente m, t.j. od ovplyneniapodmienok přípravy vrstvy Kb^Sn.
Uvedená problematiku rleži navrhovaný spOsob zvýšenia parametrov Nb^Sn supravodičov,ktorý umožňuje pri rovnakýeh podmienkách difúzneho žíhania vytvárať vrstvu Nb^Sn o vňčšejhrúbke. Podstata vynálezu spočívá v tom, že podložka zo zliatiny niobu a zirkónia, ktorejpovrchová vrstva je presýtená kyslíkom, sa v Intervale medzl technologickými operáciaml diso-clačného a difúzneho žíhania podrobí tepelnému spracovanlu vo vákuu alebo 1 inertnej atmosfé-ře, počas ktorého sa vo vrstvě podložky presýtenej kyslíkom vytvára'jú částice suboxidu niobuNb^O. Pomocou selekčnej elektrónovej difrakcie a elektronového rastrovaoieho mikroskopusa zlatilo, že suboxid Nb^O má kubická mriežku s parametrem a 0,69 nm a plošná hustotajeho častíc, ktoré majú priemsr 0,1 až 0,4 μα, dosahuje hodnoty 10? častíc na 1 mm2.
Keóže difúzia po hranlciach zrn a fáz vyžaduje podstatné nlžšlu aktlvačnú energiu jako di-fúzia objemová, vytvárajú tieto částice nové vysokodifúzne dráhy, v dOsledku čoho sa vytvá-
Claims (1)
- 3 233473 rajú hrubě ie vrstvy Nb^Sn a supravodič má vySSí kritický prúd. Ak sa dlsoclačné žíhanie a pokovenie uskutočnujú oddálená, je možné uvedené tepelné spracovanie urobit před alebo po pokovení. V případe, ie dlsoclačné žíhanie a pokovenie sa realizujú v jednej technologickej operácii, robí sa tepelné spracovanie po tejto operácii. Příklad, Podložka zo zliatiny niobu s 1,5 hmotnostným % zirkónia v tvare pásky Sirokej 10 mmbola po povrchovej oxidácii na vzduchu, počas ktorej vzrástol obsah kyslíka v podložke o0,34 hmotnostného %, podrobená disociačnému žíhaniu vo vákuu 5.10'^ Pa pri teplote Tg » » 900 °C po dobu tg “ 4 minúty. Následovně tepelné spracovanie sa robilo vo vákuu 5.10“* Papri teplote T^ 400 °C po dobu t^ · 5 hodin. Vo vákuu 5.10 Fa bola podložka pokovenáponořením do kúpeTa z roztavenej zliatiny cínu 26 hmotnostným! % médi pri teploteTp 700 °0 po dobu tp * 40 s a difúzne Žíhaná pri teplote Tg 900 °C po dobu tg 20 ml-nút. Vrstva Nb^Sn sa skladala z povrchového sloja hrubého 1 až 2 /um, zloženého z izolova-ných zrn o rozmeroch 1 až 2 /um a z vnútorného sloja hrubého 6 /um, zloženého z tesne uspo- riadaných zrn o priemere 0,2 /um. Kritický prúd takto priprsvenej supravodivej pásky bol10 —2 1 655 A a kritická prúdová hustota dosiahla hodnotu 1,4.10 A.m v kolmom magnetickompoli B = 5 T při teplote 4,2 K. Příklad 2 Podložka zo zliatiny niobu s 1,5 hmotnostným % zirkónia v tvare pásky Sirokej 10 mm .mala po povrchovej oxidácii realizovanej zahriatím na vzduchu obsah kyslíka zvýSený o 0,34hmotnostného %- Disoclačné žíhanie 1 pokovenie sa uskutečnilo v jednej technologickej ope-rácii vo vákuu 5.10“* Pa pri teplote Tg = Tp = 800 °C po dobu tg = tp = 40 s a bol použitýkúpeT zo zliatiny cínu s 26 hmotnostným! % médi. Po tejto operácii následovalo tepelné spracovanie vo vákuu 5.10“* Pa pri teplote T, = 400 °C po dobu t, = 5 hodin. Difúzne žíhanie••A ** π * sa robilo vo vákuu 5.10 Pa při teplote Tg 880 C po dobu tg “ 11 minút. SupravodiSpřipravený uvedeným spdsobom mal kritický prúd 1 445 A v kolmom magnetickom poli B => 5 Tpri 4,2 K. Uvedený spdsob zvýSenia parametrov Nb^Sn supravodičov je možné využit pri výroběsupravodičov z podložiek rdznych tvarov, ako aj aplikovat ho pri várobe Nb^Sn supravodičovurčených pre použitie v supravodivých magnetických systémoch. PREDMET VYNÁLEZU Spdsob zvýSenia parametrov supravodičov z intermetalickej zlúčeniny Nb^Sn, připra-vovaných metodou difúzie z kvapalnej fézy, spočívajúci v povrchovej oxidácii podložky zozliatiny niobu a zirkónia, disociačnom žíhaní, pokovení podložky cínom alebo zliatinou cínu anáslednou, difúznom žíhaní vyznačujúci ss tým, že podložke se po disociačnom žíhaní, alebopřed difúznym žíháním podrobí tepelnému spracovaniu vo vákuu ΙΟ-2 až 10-4 Pa alebo v inertnejatmosféře pri teplote 250 až 550 °C po dobu 1 až 20 hodin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS1000482A CS233476B1 (sk) | 1982-12-30 | 1982-12-30 | Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS1000482A CS233476B1 (sk) | 1982-12-30 | 1982-12-30 | Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS233476B1 true CS233476B1 (sk) | 1985-03-14 |
Family
ID=5447540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS1000482A CS233476B1 (sk) | 1982-12-30 | 1982-12-30 | Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS233476B1 (cs) |
-
1982
- 1982-12-30 CS CS1000482A patent/CS233476B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Theuerer | Removal of boron from silicon by hydrogen water vapor treatment | |
| Laakmann et al. | Solubility of helium in gold | |
| Pawel et al. | Oxide platelet formation in tantalum single crystals | |
| Luo et al. | Phase chemistry and microstructure evolution in silver-clad (Bi/sub 2-x/Pb/sub x/) Sr/sub 2/Ca/sub 2/Cu/sub 3/O/sub y/wires | |
| Rolland et al. | Vapour deposition of lead on Ag (111) and equilibrium surface segregation from Ag Pb (111) solid solutions: A leed-aes comparative study | |
| Dolbak et al. | The initial stages of NiSi2 epitaxy on clean Si (111), Si (100) and Si (110) surfaces | |
| CS233476B1 (sk) | Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece | |
| Blakeslee et al. | Electrochemistry and staging in La 2 CuO 4+ δ | |
| Holesinger et al. | Solidification of Bi2Sr2CaCu2Oy and Bi2Sr1. 75Ca0. 25CuOy | |
| US5116808A (en) | Tape based on a superconducting oxide, and method of manufacture | |
| IL106189A (en) | Etching a diamond body with a molten or partially molten metal | |
| Roy et al. | Preparation and superconducting properties of Lithium Titanate | |
| Buta et al. | Phase stability at high temperatures in the Nb-Al system | |
| JPH05208898A (ja) | 高温超伝導部材の製造方法 | |
| Whitman et al. | Zone melting of uranium | |
| Takeuchi et al. | Microstructures and superconducting properties of in situ V3Ga composite prepared by external diffusion process | |
| Hammond et al. | Studies of electron beam coevaporated Nb 3 Sn composites: Critical current and microstructure | |
| Sarma et al. | The influence of defects on the structure of the intermediate state in superconductive lead | |
| Mroczkowski et al. | Effects of Back‐Melting on the Dislocation Density in Single Crystals: GaSb | |
| US3761254A (en) | Alloy for superconductive magnet | |
| Tom | Application of Powder Metallurgy Process in the Formation of Nb3Al Superconductor | |
| Dou et al. | Critical current density and pinning energy in Ag-clad BPSCCO tapes | |
| Risch et al. | Infrared-lamp zone melting on the 31 Å BSCCO phase | |
| Vetrano et al. | Superconductivity Critical Current Densities in Ti–V Alloys | |
| Saka | Weak-beam electron microscopy of radiation-induced segregation |