CS233476B1 - Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece - Google Patents

Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece Download PDF

Info

Publication number
CS233476B1
CS233476B1 CS1000482A CS1000482A CS233476B1 CS 233476 B1 CS233476 B1 CS 233476B1 CS 1000482 A CS1000482 A CS 1000482A CS 1000482 A CS1000482 A CS 1000482A CS 233476 B1 CS233476 B1 CS 233476B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
layer
annealing
diffusion
superconductors
blocks
Prior art date
Application number
CS1000482A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Inventor
Jaroslav Potocek
Jozef Jirman
Marcel Zitnansky
Ludek Hamacek
Jiri Dohnal
Original Assignee
Jaroslav Potocek
Jozef Jirman
Marcel Zitnansky
Ludek Hamacek
Jiri Dohnal
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jaroslav Potocek, Jozef Jirman, Marcel Zitnansky, Ludek Hamacek, Jiri Dohnal filed Critical Jaroslav Potocek
Priority to CS1000482A priority Critical patent/CS233476B1/cs
Publication of CS233476B1 publication Critical patent/CS233476B1/cs

Links

Landscapes

  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

233473 2
Vynález ea týká spĎeobu zvýšenia parametrov supravodičov z lntermetallckej zlúčeninyNb^Sn, připravovaných metodou difúzie z kvapalnej fázy a určených hlavně na použitia v supra-'vodivých kábloch. *
Jeden zo spísobov výroby difúznych Nb^Sn supravodičov a vysokými kritickými prúdala prúdovými hustotami je založený na difúzii cínu z kvapalnej fázy do podložky zo zliatinyniobu a zirkónia, ktorej povrchová vrstva je presýtená kysllkom. Uvedený spOsob výrobyzahrnuje následovně technologické operácle: povrchová oxidécla, dlsoelačná žíhaní·, poko-veni e podložky cínom alebo zllatlnou cínu a následné dlfúzne žíhánie. Přitom dlsoelačnážíhanie a pokovenie je možné uskutečnit oddelene alebo spojit' do jednej operácie. Přivhodné zvolených parametrech procesev povrchovéj oxidácie a*disociačného žíhania vznikána povrchu podložky vrstva nióbovej matrice presýtená kyslíkom, ktorá má pozitivny vplyvna tvorbu Nb^Sn a spolu s částicemi kysličníku zirkoničitého ZrOg zabezpečuje doalahnutlovysokého kritického prúdu supravodiče. U takto připravených supravodičov dosahuje vrstvaNb-jSn v závislosti od podmienok difúzneho žíhania hrůbku 1,5 až 5 /jm a kritická prúdovúhustotu do 2.10^® A.m-2 v kolmom magnetickom poli B»5T při teplote 4,2 K, čo u supra-vodivej NbjSn pásky Sirokej 10 mm představuje v rosmakých podmienkách kritický prúd 600 Aaž 1 400 A.
Uvedený spňsob výroby Nb^Sn supravodičov má z hradiska požiadavlek, ktoré sú kladenéns supravodiče určené pre splikáciu v supravodivých kábloch závažný nedostatok v tom, žev takto připravených supravodičoch dochádza k vysokým stratám prenááanej elektrlckej energie v důsledku drsného povrchu vrstvy Nb,Sn. Tieto straty u supravodivých pésok dosahujú hodnoty2 0,1 až 1 W na 1 m plochy supravodiče pri trensportnom prúde 50 A na 1 mm Sirky supravodivejpásky. Pri zohl*adnení geometrie supravodiče a závislosti strát na teplote vychádza, že přitrensportnom prúde 50 A/1 mm by straty v Nb,Sn páskách určených pre supravodivý kábel nemalíbyt vačšie ako 0,1 W/1 m pri teplote 4,2 K. Vzhladom na to, že velkost strát je okrem obje-mového pinningu fluxoidov silné závislá aj na stave povrchu Nb-jSn, jf možné straty výrazné znížit odstránením drshého a pórovitého povrchu vrstvy Nb^Sn. Existujú tri možnosti ako vyhladilpovrch Nb^Sn: chemickým oleptáním, elektrolytickým alebo mechaniakým leštěním, pričomk zaí-žaniu strát o 1 až 2 rády na hodnoty menSie ako cča 0,05 W/m2 pri tpansportnom prúde 50 A/mma teplote 4,2 K je potřebné odstrániť povrchová vrstvu Nb^Sn o hrúbke minimálně 1 až 2/m. Při hrúbke vrstvy Nb^Sn 1,5 až 5 <um však odstránenie povrchového sloja o hrúbke 1 až 2 pamá za náeledok výrazné zníženie hodnoty kritického prúdu a uvedená hrúbka Nb^Sn neposkytujezáruku, že v ddsledku náhddných fluktuácií parametrov procesu vyhladzovania nedčjde k lo-kálnemu preruSeniu vrstvy Nb^Sn.
Spomlnáné problémy, ktoré vznikajú pri vyhlerizovaní povrchu Nb^Sn, je možné odstrániťzvačSéním hrábky vrstvy Nb^Sn pri súčasnom zachovaní jej kritickej prúdovej hustoty.Experimentálně sa zlatilo, že pre rčzne teploty je-hrúbka vrstvy Nb^Sn úměrná t11, kde t jedoba difúzle a exponent m charakterizuje podmienky přípravy Nb^Sn. Keň že pri difúzii cínuz kvapalnej fázy bývá m menšie ako 0,5, je neefektívne v podmienkách kontinuálnej výroby .NbjSn supravodičov zvačšovsť hrůbku vrstvy Nb^Sn prostým predlžovaním doby difúzneho ží-hania. Podstatné vačSí přínos je možné očekávat od změny exponente m, t.j. od ovplyneniapodmienok přípravy vrstvy Kb^Sn.
Uvedená problematiku rleži navrhovaný spOsob zvýšenia parametrov Nb^Sn supravodičov,ktorý umožňuje pri rovnakýeh podmienkách difúzneho žíhania vytvárať vrstvu Nb^Sn o vňčšejhrúbke. Podstata vynálezu spočívá v tom, že podložka zo zliatiny niobu a zirkónia, ktorejpovrchová vrstva je presýtená kyslíkom, sa v Intervale medzl technologickými operáciaml diso-clačného a difúzneho žíhania podrobí tepelnému spracovanlu vo vákuu alebo 1 inertnej atmosfé-ře, počas ktorého sa vo vrstvě podložky presýtenej kyslíkom vytvára'jú částice suboxidu niobuNb^O. Pomocou selekčnej elektrónovej difrakcie a elektronového rastrovaoieho mikroskopusa zlatilo, že suboxid Nb^O má kubická mriežku s parametrem a 0,69 nm a plošná hustotajeho častíc, ktoré majú priemsr 0,1 až 0,4 μα, dosahuje hodnoty 10? častíc na 1 mm2.
Keóže difúzia po hranlciach zrn a fáz vyžaduje podstatné nlžšlu aktlvačnú energiu jako di-fúzia objemová, vytvárajú tieto částice nové vysokodifúzne dráhy, v dOsledku čoho sa vytvá-

Claims (1)

  1. 3 233473 rajú hrubě ie vrstvy Nb^Sn a supravodič má vySSí kritický prúd. Ak sa dlsoclačné žíhanie a pokovenie uskutočnujú oddálená, je možné uvedené tepelné spracovanie urobit před alebo po pokovení. V případe, ie dlsoclačné žíhanie a pokovenie sa realizujú v jednej technologickej operácii, robí sa tepelné spracovanie po tejto operácii. Příklad, Podložka zo zliatiny niobu s 1,5 hmotnostným % zirkónia v tvare pásky Sirokej 10 mmbola po povrchovej oxidácii na vzduchu, počas ktorej vzrástol obsah kyslíka v podložke o0,34 hmotnostného %, podrobená disociačnému žíhaniu vo vákuu 5.10'^ Pa pri teplote Tg » » 900 °C po dobu tg “ 4 minúty. Následovně tepelné spracovanie sa robilo vo vákuu 5.10“* Papri teplote T^ 400 °C po dobu t^ · 5 hodin. Vo vákuu 5.10 Fa bola podložka pokovenáponořením do kúpeTa z roztavenej zliatiny cínu 26 hmotnostným! % médi pri teploteTp 700 °0 po dobu tp * 40 s a difúzne Žíhaná pri teplote Tg 900 °C po dobu tg 20 ml-nút. Vrstva Nb^Sn sa skladala z povrchového sloja hrubého 1 až 2 /um, zloženého z izolova-ných zrn o rozmeroch 1 až 2 /um a z vnútorného sloja hrubého 6 /um, zloženého z tesne uspo- riadaných zrn o priemere 0,2 /um. Kritický prúd takto priprsvenej supravodivej pásky bol10 —2 1 655 A a kritická prúdová hustota dosiahla hodnotu 1,4.10 A.m v kolmom magnetickompoli B = 5 T při teplote 4,2 K. Příklad 2 Podložka zo zliatiny niobu s 1,5 hmotnostným % zirkónia v tvare pásky Sirokej 10 mm .mala po povrchovej oxidácii realizovanej zahriatím na vzduchu obsah kyslíka zvýSený o 0,34hmotnostného %- Disoclačné žíhanie 1 pokovenie sa uskutečnilo v jednej technologickej ope-rácii vo vákuu 5.10“* Pa pri teplote Tg = Tp = 800 °C po dobu tg = tp = 40 s a bol použitýkúpeT zo zliatiny cínu s 26 hmotnostným! % médi. Po tejto operácii následovalo tepelné spracovanie vo vákuu 5.10“* Pa pri teplote T, = 400 °C po dobu t, = 5 hodin. Difúzne žíhanie••A ** π * sa robilo vo vákuu 5.10 Pa při teplote Tg 880 C po dobu tg “ 11 minút. SupravodiSpřipravený uvedeným spdsobom mal kritický prúd 1 445 A v kolmom magnetickom poli B => 5 Tpri 4,2 K. Uvedený spdsob zvýSenia parametrov Nb^Sn supravodičov je možné využit pri výroběsupravodičov z podložiek rdznych tvarov, ako aj aplikovat ho pri várobe Nb^Sn supravodičovurčených pre použitie v supravodivých magnetických systémoch. PREDMET VYNÁLEZU Spdsob zvýSenia parametrov supravodičov z intermetalickej zlúčeniny Nb^Sn, připra-vovaných metodou difúzie z kvapalnej fézy, spočívajúci v povrchovej oxidácii podložky zozliatiny niobu a zirkónia, disociačnom žíhaní, pokovení podložky cínom alebo zliatinou cínu anáslednou, difúznom žíhaní vyznačujúci ss tým, že podložke se po disociačnom žíhaní, alebopřed difúznym žíháním podrobí tepelnému spracovaniu vo vákuu ΙΟ-2 až 10-4 Pa alebo v inertnejatmosféře pri teplote 250 až 550 °C po dobu 1 až 20 hodin.
CS1000482A 1982-12-30 1982-12-30 Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece CS233476B1 (sk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS1000482A CS233476B1 (sk) 1982-12-30 1982-12-30 Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS1000482A CS233476B1 (sk) 1982-12-30 1982-12-30 Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS233476B1 true CS233476B1 (sk) 1985-03-14

Family

ID=5447540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS1000482A CS233476B1 (sk) 1982-12-30 1982-12-30 Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS233476B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Theuerer Removal of boron from silicon by hydrogen water vapor treatment
Laakmann et al. Solubility of helium in gold
Pawel et al. Oxide platelet formation in tantalum single crystals
Luo et al. Phase chemistry and microstructure evolution in silver-clad (Bi/sub 2-x/Pb/sub x/) Sr/sub 2/Ca/sub 2/Cu/sub 3/O/sub y/wires
Rolland et al. Vapour deposition of lead on Ag (111) and equilibrium surface segregation from Ag Pb (111) solid solutions: A leed-aes comparative study
Dolbak et al. The initial stages of NiSi2 epitaxy on clean Si (111), Si (100) and Si (110) surfaces
CS233476B1 (sk) Vsádzkový stolík vákuovej vyparovacej pece
Blakeslee et al. Electrochemistry and staging in La 2 CuO 4+ δ
Holesinger et al. Solidification of Bi2Sr2CaCu2Oy and Bi2Sr1. 75Ca0. 25CuOy
US5116808A (en) Tape based on a superconducting oxide, and method of manufacture
IL106189A (en) Etching a diamond body with a molten or partially molten metal
Roy et al. Preparation and superconducting properties of Lithium Titanate
Buta et al. Phase stability at high temperatures in the Nb-Al system
JPH05208898A (ja) 高温超伝導部材の製造方法
Whitman et al. Zone melting of uranium
Takeuchi et al. Microstructures and superconducting properties of in situ V3Ga composite prepared by external diffusion process
Hammond et al. Studies of electron beam coevaporated Nb 3 Sn composites: Critical current and microstructure
Sarma et al. The influence of defects on the structure of the intermediate state in superconductive lead
Mroczkowski et al. Effects of Back‐Melting on the Dislocation Density in Single Crystals: GaSb
US3761254A (en) Alloy for superconductive magnet
Tom Application of Powder Metallurgy Process in the Formation of Nb3Al Superconductor
Dou et al. Critical current density and pinning energy in Ag-clad BPSCCO tapes
Risch et al. Infrared-lamp zone melting on the 31 Å BSCCO phase
Vetrano et al. Superconductivity Critical Current Densities in Ti–V Alloys
Saka Weak-beam electron microscopy of radiation-induced segregation