CS232182B1 - Power semiconductor element for high close and block voltages - Google Patents
Power semiconductor element for high close and block voltages Download PDFInfo
- Publication number
- CS232182B1 CS232182B1 CS834588A CS458883A CS232182B1 CS 232182 B1 CS232182 B1 CS 232182B1 CS 834588 A CS834588 A CS 834588A CS 458883 A CS458883 A CS 458883A CS 232182 B1 CS232182 B1 CS 232182B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- depth
- stage
- power semiconductor
- junction
- voltage
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
Vynález es týká výkonová polovodičová součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětí, ve které je vysokonapěiový přeohod PN vytvořen ve dvou stupníeh. První je umístěn v hloubce větfil než 30 um uvnitř ploehy polovodiěová součástky. Druhý stupen přechodu PN jo umístěn na obvodu v okrajová části plochy polovodiěová součástky v hlouboo 5 až 20 um. Povrohová koncentrace mělkých příměsí vo druhém stupni js nižáí než 2.10^® atomů dm"3The invention of es relates to power semiconductor parts for high locking and locking the voltage at which it is high-voltage PN overhang created in two stages. The first one is placed deep in the depth than 30 µm inside the platform semiconductor component. The second stage of the PN junction is located on the perimeter at the edge of the semiconductor surface components in the depth of 5 to 20 µm. The shallow concentration of shallow impurities in the second degree is lower than 2.10 ^ ® atoms dm "3
Description
Vynález se týká výkonové polovodičové součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětíoThe invention relates to a power semiconductor component for high closing and blocking voltages
Zvýšení průrazného napětí v povrchové části přechodu PN se nejčastěji řeší zmenšením úhlu mezi rovinou vysokonapěťového přechodu PN a rovinou povrchu v obvodové části systému.Increasing the breakdown voltage in the surface portion of the PN junction is most often solved by reducing the angle between the plane of the high voltage junction PN and the plane of the surface in the peripheral part of the system.
Zkosení okrajových částí je však možné provádět jen složitým technologickým postupem, obsahujícím řadu mechanických operací, jako např. dělení desek, broušení nebo pískování fázky s dvojitým úhlem zkosení, přičemž okraj polovodičové desky má tvar břitu, který je z mechanického hlediska velmi nevýhodný.However, the chamfering of the edge portions can only be carried out by a complex technological process involving a number of mechanical operations, such as cutting, grinding or sand blasting of a phase with a double bevel angle, the edge of the semiconductor plate having a blade shape which is very disadvantageous from a mechanical point of view.
Podobně je to s řešením vysokonapěťových přechodů pian ární technologií, s pomocnými obvodovými přechody ve tvaru prstenců.Similarly, with high-voltage pian- tary transitions, ring-shaped auxiliary transitions.
U vysokonapěťových přechodů je hloubka přechodu větší, nebo srovnatelná s velikostí mezery mezi jednotlivými prstencovítými přechody PN.For high-voltage transitions, the transition depth is greater or comparable to the gap size between the individual annular PN transitions.
Uvedené nevýhody odstraňuje řešení výkonové polovodičové součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětí podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že vysokonapěťový přechod PN je vytvořen ve dvou stupních, z nichž první je umístěn v hloubce větší než 30^Aun uvnitř plochy polovodičové součástky a druhý stupeň přechodu PN je umístěn na obvodu v okrajové části plochy polovodičové součástky v hloubce 5 až 20 um, přičemž povrcho4» vá koncentrace mělkých příměsí ve druhém stupni je nižší než 2.10^ atomů οβΓ\The above-mentioned disadvantages are overcome by the solution of the power semiconductor component for high closing and blocking voltages according to the invention, which consists in that the high-voltage junction PN is formed in two stages, the first located at a depth greater than 30 µm inside the surface of the semiconductor component. the PN transition degree is located at the periphery of the peripheral surface of the semiconductor device at a depth of 5 to 20 µm, the surface concentration of shallow impurities in the second stage being less than 2.10 ^ atoms οβΓ \
232 182232 182
Alternativně je ve druhém stupni přechodu PN v obvodové části polovodičové součástky vytvořena alespoň jedna drážka s hloubkou rovnající se 0,5 až 1,5 násobku hloubky přechodu EU ve druhém stupni.Alternatively, in the second stage of the PN junction, at least one groove is formed in the peripheral portion of the semiconductor component with a depth equal to 0.5 to 1.5 times the depth of the EU junction in the second stage.
Výkonová polovodičová součástka podle vynálezu přináší podstatné zjednodušení technologického postupu. Odstraňuje problémy s mechanickým členěním jednotlivých struktur vykruzovaných z polovodičových desek velkých průměrů např. ultrazvukem, laserem nebo pískováním a tuto náročnou techniku nahrazuje běžnou a levnou technikou řezání a lámání bez velkého nároku na kvalitu lomu. Dále vypouští technologii broušení fázky a problémy spojené s mechanickým poškozením okrajů desek, broušených do břitů.The power semiconductor device according to the invention brings a considerable simplification of the technological process. It eliminates the problems of mechanical breakdown of individual structures rounded from large diameter semiconductor plates, eg by ultrasound, laser or sandblasting, and replaces this sophisticated technique with a conventional and inexpensive cutting and breaking technique without much demand for fracture quality. Furthermore, it eliminates the phase grinding technology and the problems associated with mechanical damage to the edges of the cutting edges.
Na přiloženém výkresu jsou znázorněny tři příklady provedení výkonové polovodičové součástky podle vynálezu.Three exemplary embodiments of a power semiconductor component according to the invention are shown in the attached drawing.
Na obr.1 je polovodičová součástka s dvoustupňovým vysokonapěťovým přechodem PN, na obr. 2 je shodná součástka navíc se dvěma drážkami v obvodové části a na obr. 3 je součástka se dvěma vysokonapěťovými přechody PN.Fig. 1 shows a semiconductor component with a two-stage high-voltage PN junction, Fig. 2 shows an identical component with two grooves in the peripheral part, and Fig. 3 shows a component with two high-voltage junction PNs.
První stupeň 1 obr.1 vysokonapěťového přechodu PN £ je vytvořen v objemu polovodičové součástky v hloubce větší než 30^um a druhý stupeň 2 přechodu PN je umístěn na obvodu v okrajové části plochý polovodičové součástky v hloubce 5 až 20^um. Oblast prostorového náboje 4 vystupuje na povrch v okrajové části druhého stupně 2 přechodu PN. Průrazné napětí je v těch- 1 to místech, kde PN přechod vystupuje na povrch součástky vyšší než je průrazné napětí objemu.The first stage 1 of the high voltage transition PN 6 is formed in a volume of the semiconductor component at a depth greater than 30 µm and the second stage 2 of the PN transition is located on the periphery in the peripheral part of the flat semiconductor component at a depth of 5-20 µm. The space charge region 4 projects to the surface in the edge portion of the second stage 2 of the PN junction. The breakdown voltage in this product is the one where PN junction extending to a surface component is higher than the breakdown voltage of volume.
Na obr. 2 je znázorněna shodná polovodičová součástka jako na obr. 1 avšak v obvodové části druhého stupně 2 přechodu PN 2 jsou navíc vytvořeny drážky 2 např. leptáním. Hloubka drážek se rovná 0,5 až 1,5 násobku hloubky přechodu PN ve druhém stupni 2. Vytvoření drážek umožňuje další zvýšení závěrného a blokovacího napětí součástky.FIG. 2 shows the same semiconductor component as in FIG. 1, but grooves 2 are also formed in the peripheral part of the second stage 2 of the PN 2 transition, for example by etching. The groove depth is equal to 0.5 to 1.5 times the depth of the PN junction in the second stage 2. The groove design allows further increase of the closing and blocking voltage of the component.
Na obr. 3 je příklad provedení výkonové polovodičové součástky podle vynálezu, ve které jsou vytvořeny dva vysokonapěťové přechody PN ve dvou stupních, umístěné z obou stran polovodičového systému.Fig. 3 shows an exemplary embodiment of a power semiconductor component according to the invention in which two high-voltage PN jumps are provided in two stages located on both sides of the semiconductor system.
232 182232 182
Vynález nalezne uplatnění při výrobě výkonových polovodičových diod a tyristorů, vhodných zejména pro výkonové polovodičové moduly·The invention will find application in the production of power semiconductor diodes and thyristors, particularly suitable for power semiconductor modules.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS834588A CS232182B1 (en) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Power semiconductor element for high close and block voltages |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS834588A CS232182B1 (en) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Power semiconductor element for high close and block voltages |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS458883A1 CS458883A1 (en) | 1984-05-14 |
CS232182B1 true CS232182B1 (en) | 1985-01-16 |
Family
ID=5388999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS834588A CS232182B1 (en) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Power semiconductor element for high close and block voltages |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS232182B1 (en) |
-
1983
- 1983-06-22 CS CS834588A patent/CS232182B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS458883A1 (en) | 1984-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5597766A (en) | Method for detaching chips from a wafer | |
US11682551B2 (en) | Wafer structure and trimming method thereof | |
US5923053A (en) | Light-emitting diode having a curved side surface for coupling out light | |
US6074286A (en) | Wafer processing apparatus and method of processing a wafer utilizing a processing slurry | |
TWI640036B (en) | Processing method of wafer | |
CN105448797A (en) | Wafer arrangement and method for processing a wafer | |
JP2005167190A (en) | Method of dicing semiconductor wafer | |
CN1255237A (en) | Controlled cleavage process | |
CN101673679A (en) | Thinned semiconductor wafer and method of thinning a semiconductor wafer | |
CN108682648B (en) | Method for cutting wafer and semiconductor chip | |
EP0396326B1 (en) | Method of processing substrate for semiconductor device | |
US4822757A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
GB993822A (en) | Manufacture of semiconductive bodies | |
KR102392426B1 (en) | Method of producing a substrate and system for producing a substrate | |
CN103707177A (en) | Grinding wheel for wafer edge trimming | |
US4097310A (en) | Method of forming silicon solar energy cells | |
KR20190004225A (en) | Substrate processing method | |
CN104465513A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device | |
CN103117218A (en) | Wafer back face thinning method | |
CS232182B1 (en) | Power semiconductor element for high close and block voltages | |
US5003368A (en) | Turn-off thyristor | |
JP2012064656A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
CN110253421A (en) | The thining method of Group III-V semiconductor wafer | |
US20080006909A1 (en) | Method of increasing the area of a useful layer of material transferred onto a support | |
CN210817819U (en) | Wafer thinning device |