Patents

Search tools Text Classification Chemistry Measure Numbers Full documents Title Abstract Claims All Any Exact Not Add AND condition These CPCs and their children These exact CPCs Add AND condition
Exact Exact Batch Similar Substructure Substructure (SMARTS) Full documents Claims only Add AND condition
Add AND condition
Application Numbers Publication Numbers Either Add AND condition

Výkonová polovodiěová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí

Abstract

Vynález es týká výkonová polovodičová součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětí, ve které je vysokonapěiový přeohod PN vytvořen ve dvou stupníeh. První je umístěn v hloubce větfil než 30 um uvnitř ploehy polovodiěová součástky. Druhý stupen přechodu PN jo umístěn na obvodu v okrajová části plochy polovodiěová součástky v hlouboo 5 až 20 um. Povrohová koncentrace mělkých příměsí vo druhém stupni js nižáí než 2.10^® atomů dm"3

Landscapes

Show more

CS232182B1

Czechoslovakia

Other languages
English
Inventor
Boumil Pina
Pavel Pojman
Ilja Mueller
Jaroslav Homola
Jan Hartman
Vaclav Skolnik

Worldwide applications
1983 CS

Application CS834588A events

Description

Vynález se týká výkonové polovodičové součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětío
Zvýšení průrazného napětí v povrchové části přechodu PN se nejčastěji řeší zmenšením úhlu mezi rovinou vysokonapěťového přechodu PN a rovinou povrchu v obvodové části systému.
Zkosení okrajových částí je však možné provádět jen složitým technologickým postupem, obsahujícím řadu mechanických operací, jako např. dělení desek, broušení nebo pískování fázky s dvojitým úhlem zkosení, přičemž okraj polovodičové desky má tvar břitu, který je z mechanického hlediska velmi nevýhodný.
Podobně je to s řešením vysokonapěťových přechodů pian ární technologií, s pomocnými obvodovými přechody ve tvaru prstenců.
U vysokonapěťových přechodů je hloubka přechodu větší, nebo srovnatelná s velikostí mezery mezi jednotlivými prstencovítými přechody PN.
Uvedené nevýhody odstraňuje řešení výkonové polovodičové součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětí podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že vysokonapěťový přechod PN je vytvořen ve dvou stupních, z nichž první je umístěn v hloubce větší než 30^Aun uvnitř plochy polovodičové součástky a druhý stupeň přechodu PN je umístěn na obvodu v okrajové části plochy polovodičové součástky v hloubce 5 až 20 um, přičemž povrcho4» vá koncentrace mělkých příměsí ve druhém stupni je nižší než 2.10^ atomů οβΓ\
232 182
Alternativně je ve druhém stupni přechodu PN v obvodové části polovodičové součástky vytvořena alespoň jedna drážka s hloubkou rovnající se 0,5 až 1,5 násobku hloubky přechodu EU ve druhém stupni.
Výkonová polovodičová součástka podle vynálezu přináší podstatné zjednodušení technologického postupu. Odstraňuje problémy s mechanickým členěním jednotlivých struktur vykruzovaných z polovodičových desek velkých průměrů např. ultrazvukem, laserem nebo pískováním a tuto náročnou techniku nahrazuje běžnou a levnou technikou řezání a lámání bez velkého nároku na kvalitu lomu. Dále vypouští technologii broušení fázky a problémy spojené s mechanickým poškozením okrajů desek, broušených do břitů.
Na přiloženém výkresu jsou znázorněny tři příklady provedení výkonové polovodičové součástky podle vynálezu.
Na obr.1 je polovodičová součástka s dvoustupňovým vysokonapěťovým přechodem PN, na obr. 2 je shodná součástka navíc se dvěma drážkami v obvodové části a na obr. 3 je součástka se dvěma vysokonapěťovými přechody PN.
První stupeň 1 obr.1 vysokonapěťového přechodu PN £ je vytvořen v objemu polovodičové součástky v hloubce větší než 30^um a druhý stupeň 2 přechodu PN je umístěn na obvodu v okrajové části plochý polovodičové součástky v hloubce 5 až 20^um. Oblast prostorového náboje 4 vystupuje na povrch v okrajové části druhého stupně 2 přechodu PN. Průrazné napětí je v těch- 1 to místech, kde PN přechod vystupuje na povrch součástky vyšší než je průrazné napětí objemu.
Na obr. 2 je znázorněna shodná polovodičová součástka jako na obr. 1 avšak v obvodové části druhého stupně 2 přechodu PN 2 jsou navíc vytvořeny drážky 2 např. leptáním. Hloubka drážek se rovná 0,5 až 1,5 násobku hloubky přechodu PN ve druhém stupni 2. Vytvoření drážek umožňuje další zvýšení závěrného a blokovacího napětí součástky.
Na obr. 3 je příklad provedení výkonové polovodičové součástky podle vynálezu, ve které jsou vytvořeny dva vysokonapěťové přechody PN ve dvou stupních, umístěné z obou stran polovodičového systému.
232 182
Vynález nalezne uplatnění při výrobě výkonových polovodičových diod a tyristorů, vhodných zejména pro výkonové polovodičové moduly·

Claims (2)
Hide Dependent

  1. Předmět vynálezu
    1« Výkonová polovodičová součástka pro vysoká závěrná a bloko_ vací napětí obsahující alespoň jeden vysokonapěíový přechod PN, vyznačená tím , že vysokonapěíový přechod PN /5/ je vytvořen ve dvou stupních, z nichž první /1/ je umístěn v hloubce větší než 30 ^um uvnitř plochy polovodičové součástky a druhý stupeň /2/ přechodu PŇ /5/ je umístěn na obvodu v okrajové části plochy polovodičové součástky v hloub ce 5 až 20 yum , přičemž povrchová koncentrace mělkých příměsí ve druhém stupni je nižší než 2·10 3 atomů cm ,
  2. 2· Výkonová polovodičová součástka podle bodu lv, vyznačená tím, že ve druhém stupni /2/ přechodu PN /5/ je v obvodové části polovodičové součástky vytvořena alespoň jedna drážka /3/ s hloubkou rovnající se 0,5 až
    1,5 násobku hloubky přechodu PN /5/ ve druhém stupni /2/·