CS232182B1 - Výkonová polovodiěová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí - Google Patents
Výkonová polovodiěová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí Download PDFInfo
- Publication number
- CS232182B1 CS232182B1 CS834588A CS458883A CS232182B1 CS 232182 B1 CS232182 B1 CS 232182B1 CS 834588 A CS834588 A CS 834588A CS 458883 A CS458883 A CS 458883A CS 232182 B1 CS232182 B1 CS 232182B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- depth
- stage
- power semiconductor
- junction
- voltage
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
Vynález es týká výkonová polovodičová
součástky pro vysoká závěrná a blokovací
napětí, ve které je vysokonapěiový
přeohod PN vytvořen ve dvou stupníeh.
První je umístěn v hloubce větfil než
30 um uvnitř ploehy polovodiěová součástky.
Druhý stupen přechodu PN jo umístěn
na obvodu v okrajová části plochy polovodiěová
součástky v hlouboo 5 až 20 um.
Povrohová koncentrace mělkých příměsí vo
druhém stupni js nižáí než 2.10^® atomů
dm"3
Description
Vynález se týká výkonové polovodičové součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětío
Zvýšení průrazného napětí v povrchové části přechodu PN se nejčastěji řeší zmenšením úhlu mezi rovinou vysokonapěťového přechodu PN a rovinou povrchu v obvodové části systému.
Zkosení okrajových částí je však možné provádět jen složitým technologickým postupem, obsahujícím řadu mechanických operací, jako např. dělení desek, broušení nebo pískování fázky s dvojitým úhlem zkosení, přičemž okraj polovodičové desky má tvar břitu, který je z mechanického hlediska velmi nevýhodný.
Podobně je to s řešením vysokonapěťových přechodů pian ární technologií, s pomocnými obvodovými přechody ve tvaru prstenců.
U vysokonapěťových přechodů je hloubka přechodu větší, nebo srovnatelná s velikostí mezery mezi jednotlivými prstencovítými přechody PN.
Uvedené nevýhody odstraňuje řešení výkonové polovodičové součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětí podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že vysokonapěťový přechod PN je vytvořen ve dvou stupních, z nichž první je umístěn v hloubce větší než 30^Aun uvnitř plochy polovodičové součástky a druhý stupeň přechodu PN je umístěn na obvodu v okrajové části plochy polovodičové součástky v hloubce 5 až 20 um, přičemž povrcho4» vá koncentrace mělkých příměsí ve druhém stupni je nižší než 2.10^ atomů οβΓ\
232 182
Alternativně je ve druhém stupni přechodu PN v obvodové části polovodičové součástky vytvořena alespoň jedna drážka s hloubkou rovnající se 0,5 až 1,5 násobku hloubky přechodu EU ve druhém stupni.
Výkonová polovodičová součástka podle vynálezu přináší podstatné zjednodušení technologického postupu. Odstraňuje problémy s mechanickým členěním jednotlivých struktur vykruzovaných z polovodičových desek velkých průměrů např. ultrazvukem, laserem nebo pískováním a tuto náročnou techniku nahrazuje běžnou a levnou technikou řezání a lámání bez velkého nároku na kvalitu lomu. Dále vypouští technologii broušení fázky a problémy spojené s mechanickým poškozením okrajů desek, broušených do břitů.
Na přiloženém výkresu jsou znázorněny tři příklady provedení výkonové polovodičové součástky podle vynálezu.
Na obr.1 je polovodičová součástka s dvoustupňovým vysokonapěťovým přechodem PN, na obr. 2 je shodná součástka navíc se dvěma drážkami v obvodové části a na obr. 3 je součástka se dvěma vysokonapěťovými přechody PN.
První stupeň 1 obr.1 vysokonapěťového přechodu PN £ je vytvořen v objemu polovodičové součástky v hloubce větší než 30^um a druhý stupeň 2 přechodu PN je umístěn na obvodu v okrajové části plochý polovodičové součástky v hloubce 5 až 20^um. Oblast prostorového náboje 4 vystupuje na povrch v okrajové části druhého stupně 2 přechodu PN. Průrazné napětí je v těch- 1 to místech, kde PN přechod vystupuje na povrch součástky vyšší než je průrazné napětí objemu.
Na obr. 2 je znázorněna shodná polovodičová součástka jako na obr. 1 avšak v obvodové části druhého stupně 2 přechodu PN 2 jsou navíc vytvořeny drážky 2 např. leptáním. Hloubka drážek se rovná 0,5 až 1,5 násobku hloubky přechodu PN ve druhém stupni 2. Vytvoření drážek umožňuje další zvýšení závěrného a blokovacího napětí součástky.
Na obr. 3 je příklad provedení výkonové polovodičové součástky podle vynálezu, ve které jsou vytvořeny dva vysokonapěťové přechody PN ve dvou stupních, umístěné z obou stran polovodičového systému.
232 182
Vynález nalezne uplatnění při výrobě výkonových polovodičových diod a tyristorů, vhodných zejména pro výkonové polovodičové moduly·
Claims (2)
- Předmět vynálezu1« Výkonová polovodičová součástka pro vysoká závěrná a bloko_ vací napětí obsahující alespoň jeden vysokonapěíový přechod PN, vyznačená tím , že vysokonapěíový přechod PN /5/ je vytvořen ve dvou stupních, z nichž první /1/ je umístěn v hloubce větší než 30 ^um uvnitř plochy polovodičové součástky a druhý stupeň /2/ přechodu PŇ /5/ je umístěn na obvodu v okrajové části plochy polovodičové součástky v hloub ce 5 až 20 yum , přičemž povrchová koncentrace mělkých příměsí ve druhém stupni je nižší než 2·10 3 atomů cm ,
- 2· Výkonová polovodičová součástka podle bodu lv, vyznačená tím, že ve druhém stupni /2/ přechodu PN /5/ je v obvodové části polovodičové součástky vytvořena alespoň jedna drážka /3/ s hloubkou rovnající se 0,5 až1,5 násobku hloubky přechodu PN /5/ ve druhém stupni /2/·
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS834588A CS232182B1 (cs) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Výkonová polovodiěová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS834588A CS232182B1 (cs) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Výkonová polovodiěová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS458883A1 CS458883A1 (en) | 1984-05-14 |
| CS232182B1 true CS232182B1 (cs) | 1985-01-16 |
Family
ID=5388999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS834588A CS232182B1 (cs) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Výkonová polovodiěová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS232182B1 (cs) |
-
1983
- 1983-06-22 CS CS834588A patent/CS232182B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS458883A1 (en) | 1984-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5597766A (en) | Method for detaching chips from a wafer | |
| US7183137B2 (en) | Method for dicing semiconductor wafers | |
| US6074286A (en) | Wafer processing apparatus and method of processing a wafer utilizing a processing slurry | |
| TWI640036B (zh) | 晶圓之加工方法 | |
| CN105448797A (zh) | 晶片装置和用于加工晶片的方法 | |
| CN1255237A (zh) | 受控切分处理 | |
| CN101673679A (zh) | 薄型半导体晶片和减薄半导体晶片的方法 | |
| CN108682648B (zh) | 切割晶圆的方法及半导体芯片 | |
| KR102392426B1 (ko) | 기판 제조 방법 및 기판 제조 시스템 | |
| US4822757A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| KR20190004225A (ko) | 기판의 가공 방법 | |
| US10840107B2 (en) | Method for forming a cavity and a component having a cavity | |
| CN103707177A (zh) | 用于晶圆边缘修整的研磨轮 | |
| CN104465513A (zh) | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 | |
| US3838501A (en) | Method in microcircuit package assembly providing nonabrasive, electrically passive edges on integrated circuit chips | |
| CN103117218A (zh) | 一种晶圆背面减薄方法 | |
| CS232182B1 (cs) | Výkonová polovodiěová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí | |
| CN102083598A (zh) | 铸块切片用柱条、贴附有该柱条的铸块以及利用该柱条的铸块切断方法 | |
| US5003368A (en) | Turn-off thyristor | |
| CN106711018B (zh) | 半导体晶圆表面加工方法 | |
| US7956441B2 (en) | Method of increasing the area of a useful layer of material transferred onto a support | |
| CN110253421A (zh) | Iii-v族半导体晶圆的减薄方法 | |
| CN210817819U (zh) | 一种晶圆减薄装置 | |
| EP3361839A1 (en) | Multiple substrate and method for its fabrication | |
| US11626371B2 (en) | Semiconductor structure with one or more support structures |