CS227162B1 - Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode - Google Patents

Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode Download PDF

Info

Publication number
CS227162B1
CS227162B1 CS788681A CS788681A CS227162B1 CS 227162 B1 CS227162 B1 CS 227162B1 CS 788681 A CS788681 A CS 788681A CS 788681 A CS788681 A CS 788681A CS 227162 B1 CS227162 B1 CS 227162B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
photodiode
transistor
optoelectronic receiver
base
inlet circuit
Prior art date
Application number
CS788681A
Other languages
Czech (cs)
Slovak (sk)
Inventor
Vladimir Ing Mraz
Original Assignee
Mraz Vladimir
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mraz Vladimir filed Critical Mraz Vladimir
Priority to CS788681A priority Critical patent/CS227162B1/en
Publication of CS227162B1 publication Critical patent/CS227162B1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

POPIS VYNÁLEZUDESCRIPTION OF THE INVENTION

K AUTORSKÉMU OSVEDČENIUTO THE COPYRIGHT CERTIFICATE

ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁCZECHOSLOVAK SOCIALISTIC

REPUBLIKA (1B) 227162 (11) (Bl)REPUBLIC (1B) 227162 (11) (B1)

ORAD PRO VYNÁLEZYA OBJEVY (22) Přihlášené 28 10 81(21) (PV 7886-81) (40) Zverejnené 26 08 83 (45) Vydané 15 06 86 (51) Int. Cl.3H 01 J 37/153 (75)ORAD FOR INVENTIONS DISCOVERY (22) Entries 28 10 81 (21) (PV 7886-81) (40) Published 26 08 83 (45) Published 15 06 86 (51) Int. Cl.3H 01 J 37/153 (75)

Autor vynálezu MRÁZ VLADIMÍR ing., KOSICE (54) Vstupný obvod optoelektronického prijímača s fotodiódouAuthor of the invention MRÁZ VLADIMÍR ing., KOSICE (54) Input circuit of optoelectronic receiver with photodiode

Vynález sa týká vstupného obvodu opto-e elektronického prijímača s fotodiódou, kto- rý je určený na příjem modulovaného žia-renia v podmienkach přítomnosti nežiadú- ceho parazitného žiarenia.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a photodiode opto-opto input circuit of an opto-receiver, which is intended to receive modulated radiation in the presence of undesirable parasitic radiation.

Doteraz riešené obvody na příjem modu-lovaného žiarenia majú nevýhodu v tom, žebuď citlivost diody sa mění v dosledku pří-tomnosti silného okolitého žiarenia alebosú v konečnom dósledku velmi zložité.So far, modulated radiation receiving circuits have the disadvantage that the sensitivity of the diode varies greatly due to the presence of strong ambient radiation of the orbosos.

Vyššie uvedené nedostatky sú odstránenévstupným obvodom optoelektronického pri-jímača s fotodiódou podl'a vynálezu tým, žefotodióda je svojím prvým koncom zapoje-ná na prvý koniec odporu, ktorého druhýkoniec je zapojený na prvý pól napájania.Súčasne je prvý koniec fotodiódy zapojenýna emitor prvého tranzistora, ktorého ko-lektor je spojený s druhým polom napájaniaa báza s druhým koncom fotodiódy. Súčas-ne je na tento druhý koniec diody zapojenýprvý koniec bázového odporu, ktorého dru-hý koniec je spojený s bázou druhého tran-zistora, ktorého kolektor je spojený s uzlomtvořeným: bázou prvého tranzistora, druhýmkoncom fotodiódy a prvým koncom. bázové-ho odporu. Emitor druhého tranzistora jespojený s druhým polom napájenia, pričombáza druhého tranzistora je súčasne zapo-jená na prvý koniec kondenzátora, ktorého 227162 2 druhý koniec je spojený s druhým polomnapájania. Výstupom obvodu sa považujeemitor prvého tranzistora.The above-mentioned drawbacks are eliminated by the input circuit of the optoelectronic receiver with the photodiode according to the invention in that the first end of the photodiode is connected to the first end of the resistor, the second end of which is connected to the first pole of the power supply. whose co-connector is connected to a second power supply field and a base with a second end of the photodiode. At the same time, the first end of the base resistor is connected to this second end of the diode, the other end of which is connected to the base of the second transistor, the collector of which is connected to the nodal base of the first transistor, the second end of the photodiode and the first end. base resistance. The emitter of the second transistor coupled to the second power supply field is connected simultaneously to the first end of the capacitor, the second end of which is connected to the second power supply. The circuit output is considered to be the first transistor emitter.

Aplikáciou uvedeného obvodu sa dosiah-ne to, že citlivost optoelektronického prijí-mača s fotodiódou bude v širokých me-dziach nezávislá od úrovně ožiarenia para-zitným zdrojom žiarenia ako slnko, osvetle-nie miestnosti apod. Obvod potláča aj mo-dulované parazitně žiarenie, pokiaí je pe-rioda harmonického modulačného signálumenšia ako časová konstanta vstupného ob-vodu, a to tým viac, čím je tento odstupvačší. Časová konstanta obvodu je orientač-ně daná súčinom vstupného odporu druhé-ho tranzistora a kondenzátora. Výhodouvstupného obvodu je vysoká citlivost', pre-tože fotodióda pracuje do vysokoohmovejzáťaže. Napriek tomu sa však kapacita fo-todiódy výrazné neprejavulje, lebo je zapo-jená medzi bázu a emitor prvého tranzisto-ra. Tým je dosiahnuté to, že na fotodióde jeomnoho menší rozkmit napatia ako rozkmitnapatia na výstupe. Tým je dosiahnutý efektpotlačemia kapacity fotodiódy. Zapojenievyniká malým výstupným odporom, ktoréhohodnota je vždy menšia ako hodnota prvé-ho· odporu.By applying said circuit, it is achieved that the sensitivity of the photodiode optoelectronic receiver will be broadly independent of the radiation level of the radiation source such as the sun, room lighting, etc. The circuit also suppresses modulated parasitic radiation, as long as the harmonic modulation signal is less than the time constant of the input circuit, the more it is. The circuit time constant is given by the product of the input resistance of the second transistor and the capacitor. The advantage of the input circuit is high sensitivity, since the photodiode operates in a high ohmic load. However, the capacitance of the photodiode does not appear to be significant since it is connected between the base and the emitter of the first transistor. As a result, at the photodiode, less amplitude of the voltage than the amplitude of the output. This achieves the effect of photodiode capacity suppression. It incorporates a small output resistance, whose value is always less than the value of the first-resistance.

Na pripojenom obrázku je zapojenie po-dlá vynálezu, kde je fotodióda 2 prvým kon-In the accompanying drawing, there is an embodiment of the invention where the photodiode 2 is the first

Claims (4)

Vstupný obvod optoelektronického prijímača s fotodiódou je význačný tým, že fotodióda (2) je prvým koncom· zapojená na prvý koniec odporu (lj, ktorého druhý koniec je připojený na prvý pól napájania (7) a súčasne je prvý koniec fotodiódy (2) zapojený na emitor prvého tranzistor a (4), ktorého· kolektor je spojený s druhým pólom napájania (8) a báza s druhým koncom fotodiódy (2) a súčasne s prvým koncom bázového odporu (3), ktorého druhý koniec vyná L e z u je spojený s bázou druhého tranzistora (5), ktorého kolektor je spojený na uzol tvořený bázou prvého tranzistora (4), druhým koncom fotodiódy (2) a prvými koncom bázového odporu (3j a emitor je spojený s druhým pólom· napájania (8), pričom báza druhého tranzistora (5) je súčasne zapojená na prvý koniec kondenzátora (6), ktorého druhý koniec je spojený s druhým pólom napájania (8), priCoro výstup obvodu tvoří emitor prvého tranzistora (4).The input circuit of the optoelectronic receiver with the photodiode is characterized in that the photodiode (2) is connected by a first end to the first end of the resistor (1j, the second end of which is connected to the first power pole (7)). an emitter of the first transistor a (4) whose collector is connected to the second power pole (8) and the base to the second end of the photodiode (2) and simultaneously to the first end of the base resistor (3) a second transistor (5), the collector of which is connected to the base node of the first transistor (4), the second end of the photodiode (2) and the first end of the base resistor (3j), and the emitter is connected to the second power pole (8); (5) is simultaneously connected to the first end of the capacitor (6), the second end of which is connected to the second power pole (8), the core output being the emitter of the first transistor (4).
CS788681A 1981-10-28 1981-10-28 Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode CS227162B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS788681A CS227162B1 (en) 1981-10-28 1981-10-28 Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS788681A CS227162B1 (en) 1981-10-28 1981-10-28 Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS227162B1 true CS227162B1 (en) 1984-04-16

Family

ID=5428770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS788681A CS227162B1 (en) 1981-10-28 1981-10-28 Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS227162B1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE7908475L (en) ELECTRIC CIRCUIT FOR GENERATING A DIFFERENTIAL OUTPUT SIGNAL FROM AN INPUT SIGNAL
JPS57173220A (en) Comparator circuit
JPS6024410B2 (en) Photoelectric conversion circuit
CS227162B1 (en) Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode
NL8302902A (en) TRANSISTOR PROTECTION CIRCUIT.
US4761549A (en) A linear photo-responsive circuit
SU720570A1 (en) Photoreceptor
JP2577929B2 (en) Optical signal detection circuit
SU1015498A1 (en) Optronic change-over switch
SU649123A1 (en) Dc small signal modulator
JPS54125958A (en) Ttl circuit
SU552630A1 (en) Device for fire alarm
JPS609707Y2 (en) Photoelectric conversion circuit
JPS54149501A (en) Photoelectric converter circuit
JPS5534794A (en) Constant voltage circuit
SU715944A1 (en) Photoelectronic device
EP0340725A3 (en) Ecl-ttl level converting circuit
SU478440A1 (en) Trigger Turchenkova VI
SU1554121A1 (en) Sawtooth voltage generator
SU630733A1 (en) Optoelectronic multivibrator
SU834837A2 (en) Photoconverter
SU830640A1 (en) Triangular shape voltage generator
JPS6020652A (en) Photoelectric conversion circuit
SU1589374A1 (en) Low frequency power amlifyer
SU531258A1 (en) Photosensor