CS227162B1 - Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode - Google Patents
Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode Download PDFInfo
- Publication number
- CS227162B1 CS227162B1 CS788681A CS788681A CS227162B1 CS 227162 B1 CS227162 B1 CS 227162B1 CS 788681 A CS788681 A CS 788681A CS 788681 A CS788681 A CS 788681A CS 227162 B1 CS227162 B1 CS 227162B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- photodiode
- transistor
- optoelectronic receiver
- base
- inlet circuit
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
POPIS VYNÁLEZUDESCRIPTION OF THE INVENTION
K AUTORSKÉMU OSVEDČENIUTO THE COPYRIGHT CERTIFICATE
ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁCZECHOSLOVAK SOCIALISTIC
REPUBLIKA (1B) 227162 (11) (Bl)REPUBLIC (1B) 227162 (11) (B1)
ORAD PRO VYNÁLEZYA OBJEVY (22) Přihlášené 28 10 81(21) (PV 7886-81) (40) Zverejnené 26 08 83 (45) Vydané 15 06 86 (51) Int. Cl.3H 01 J 37/153 (75)ORAD FOR INVENTIONS DISCOVERY (22) Entries 28 10 81 (21) (PV 7886-81) (40) Published 26 08 83 (45) Published 15 06 86 (51) Int. Cl.3H 01 J 37/153 (75)
Autor vynálezu MRÁZ VLADIMÍR ing., KOSICE (54) Vstupný obvod optoelektronického prijímača s fotodiódouAuthor of the invention MRÁZ VLADIMÍR ing., KOSICE (54) Input circuit of optoelectronic receiver with photodiode
Vynález sa týká vstupného obvodu opto-e elektronického prijímača s fotodiódou, kto- rý je určený na příjem modulovaného žia-renia v podmienkach přítomnosti nežiadú- ceho parazitného žiarenia.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a photodiode opto-opto input circuit of an opto-receiver, which is intended to receive modulated radiation in the presence of undesirable parasitic radiation.
Doteraz riešené obvody na příjem modu-lovaného žiarenia majú nevýhodu v tom, žebuď citlivost diody sa mění v dosledku pří-tomnosti silného okolitého žiarenia alebosú v konečnom dósledku velmi zložité.So far, modulated radiation receiving circuits have the disadvantage that the sensitivity of the diode varies greatly due to the presence of strong ambient radiation of the orbosos.
Vyššie uvedené nedostatky sú odstránenévstupným obvodom optoelektronického pri-jímača s fotodiódou podl'a vynálezu tým, žefotodióda je svojím prvým koncom zapoje-ná na prvý koniec odporu, ktorého druhýkoniec je zapojený na prvý pól napájania.Súčasne je prvý koniec fotodiódy zapojenýna emitor prvého tranzistora, ktorého ko-lektor je spojený s druhým polom napájaniaa báza s druhým koncom fotodiódy. Súčas-ne je na tento druhý koniec diody zapojenýprvý koniec bázového odporu, ktorého dru-hý koniec je spojený s bázou druhého tran-zistora, ktorého kolektor je spojený s uzlomtvořeným: bázou prvého tranzistora, druhýmkoncom fotodiódy a prvým koncom. bázové-ho odporu. Emitor druhého tranzistora jespojený s druhým polom napájenia, pričombáza druhého tranzistora je súčasne zapo-jená na prvý koniec kondenzátora, ktorého 227162 2 druhý koniec je spojený s druhým polomnapájania. Výstupom obvodu sa považujeemitor prvého tranzistora.The above-mentioned drawbacks are eliminated by the input circuit of the optoelectronic receiver with the photodiode according to the invention in that the first end of the photodiode is connected to the first end of the resistor, the second end of which is connected to the first pole of the power supply. whose co-connector is connected to a second power supply field and a base with a second end of the photodiode. At the same time, the first end of the base resistor is connected to this second end of the diode, the other end of which is connected to the base of the second transistor, the collector of which is connected to the nodal base of the first transistor, the second end of the photodiode and the first end. base resistance. The emitter of the second transistor coupled to the second power supply field is connected simultaneously to the first end of the capacitor, the second end of which is connected to the second power supply. The circuit output is considered to be the first transistor emitter.
Aplikáciou uvedeného obvodu sa dosiah-ne to, že citlivost optoelektronického prijí-mača s fotodiódou bude v širokých me-dziach nezávislá od úrovně ožiarenia para-zitným zdrojom žiarenia ako slnko, osvetle-nie miestnosti apod. Obvod potláča aj mo-dulované parazitně žiarenie, pokiaí je pe-rioda harmonického modulačného signálumenšia ako časová konstanta vstupného ob-vodu, a to tým viac, čím je tento odstupvačší. Časová konstanta obvodu je orientač-ně daná súčinom vstupného odporu druhé-ho tranzistora a kondenzátora. Výhodouvstupného obvodu je vysoká citlivost', pre-tože fotodióda pracuje do vysokoohmovejzáťaže. Napriek tomu sa však kapacita fo-todiódy výrazné neprejavulje, lebo je zapo-jená medzi bázu a emitor prvého tranzisto-ra. Tým je dosiahnuté to, že na fotodióde jeomnoho menší rozkmit napatia ako rozkmitnapatia na výstupe. Tým je dosiahnutý efektpotlačemia kapacity fotodiódy. Zapojenievyniká malým výstupným odporom, ktoréhohodnota je vždy menšia ako hodnota prvé-ho· odporu.By applying said circuit, it is achieved that the sensitivity of the photodiode optoelectronic receiver will be broadly independent of the radiation level of the radiation source such as the sun, room lighting, etc. The circuit also suppresses modulated parasitic radiation, as long as the harmonic modulation signal is less than the time constant of the input circuit, the more it is. The circuit time constant is given by the product of the input resistance of the second transistor and the capacitor. The advantage of the input circuit is high sensitivity, since the photodiode operates in a high ohmic load. However, the capacitance of the photodiode does not appear to be significant since it is connected between the base and the emitter of the first transistor. As a result, at the photodiode, less amplitude of the voltage than the amplitude of the output. This achieves the effect of photodiode capacity suppression. It incorporates a small output resistance, whose value is always less than the value of the first-resistance.
Na pripojenom obrázku je zapojenie po-dlá vynálezu, kde je fotodióda 2 prvým kon-In the accompanying drawing, there is an embodiment of the invention where the photodiode 2 is the first
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS788681A CS227162B1 (en) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS788681A CS227162B1 (en) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS227162B1 true CS227162B1 (en) | 1984-04-16 |
Family
ID=5428770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS788681A CS227162B1 (en) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS227162B1 (en) |
-
1981
- 1981-10-28 CS CS788681A patent/CS227162B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE7908475L (en) | ELECTRIC CIRCUIT FOR GENERATING A DIFFERENTIAL OUTPUT SIGNAL FROM AN INPUT SIGNAL | |
| JPS57173220A (en) | Comparator circuit | |
| JPS6024410B2 (en) | Photoelectric conversion circuit | |
| CS227162B1 (en) | Inlet circuit of optoelectronic receiver with photodiode | |
| NL8302902A (en) | TRANSISTOR PROTECTION CIRCUIT. | |
| US4761549A (en) | A linear photo-responsive circuit | |
| SU720570A1 (en) | Photoreceptor | |
| JP2577929B2 (en) | Optical signal detection circuit | |
| SU1015498A1 (en) | Optronic change-over switch | |
| SU649123A1 (en) | Dc small signal modulator | |
| JPS54125958A (en) | Ttl circuit | |
| SU552630A1 (en) | Device for fire alarm | |
| JPS609707Y2 (en) | Photoelectric conversion circuit | |
| JPS54149501A (en) | Photoelectric converter circuit | |
| JPS5534794A (en) | Constant voltage circuit | |
| SU715944A1 (en) | Photoelectronic device | |
| EP0340725A3 (en) | Ecl-ttl level converting circuit | |
| SU478440A1 (en) | Trigger Turchenkova VI | |
| SU1554121A1 (en) | Sawtooth voltage generator | |
| SU630733A1 (en) | Optoelectronic multivibrator | |
| SU834837A2 (en) | Photoconverter | |
| SU830640A1 (en) | Triangular shape voltage generator | |
| JPS6020652A (en) | Photoelectric conversion circuit | |
| SU1589374A1 (en) | Low frequency power amlifyer | |
| SU531258A1 (en) | Photosensor |