CS226118B1 - High-frequenoy voltage etalon - Google Patents

Description

ČESKOSLOVENSKA I SOCiALJSTiCKÁ R E ř ϋ B L S K S(19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVEDÍENIU 226118(11) (Bl) (22) Přihlášené 04 02 82(21) (PV 774-82) (51) Int. Cl.1 * 3 G 01 R 23/04 - . (40) Zverejnené 29 07 83 OlAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY (45) Vydané 15 04 86 (75) _ ,

Autor vynálezu GRŇO LADISLAV ing. CSc., BUBLIAK PETER ing., JANOSTAK VINCENTing., BRATISLAVA (54) Etalon vysokofrekvenčného napatia 1

Vynález sa týká etalonu vysokofrekvenč-ného napatia vhodného pře oblast frekven-cii do 1,5 GHz.

Doteraz používané etalony vysokofrek-venčného napatia sú založené na principemerania vysokofrekvenčného výkonu na zná-me) impedancii. Existujú dva sposoby reaii-zácie etalónov vysokofrekvenčného napatia,a to pasivný, alebo aktívny etalón. Pasivnéetalony vyžadujú zdroj vysokofrekvenčné-ho napatia, z ktorého sa pomocou vhodné-ho spojovacieho člena alebo viacnásobnýmmeraním prenesie hodnota na kalibrovanývoltmeter. Hodnota napatia přenesená nakalibrovaný voltmeter je zatažená chybouvnesenou buď spojovacím členom, alebo viac-násobným prenosom meranej hodnoty. Zná-me aktivně etalony vysokofrekvenčného na-patia umožňujú bezprostředný přenos ni-mi udávanej hodnoty na připojený voltme-ter. Aktivně etalony vysokofrekvenčného na-patia najčastejšie využívajú ako snímačevysokofrekvenčného výkonu teplotně závis-lé rezislory udržiavané jednosměrným prú-dom na. konštantnom pracovnom odpore, zná-me tiež ako bolometrické efalóny. Impe-dančně vlastnosti týchto rezistorov sa sta-novujú ich analýzou. Snímač bolometrické-ho etalonu bývá zložeiný z jedného alebodvoch teplotně závislých rezistorov. Snímač 2 prvého typu má rezistor zapojený priamoalebo neprtamo cez kondenzátor medzi von-kajší a vnútorný vodič koaxiálneho vede-nia.

Tento teplotně· závislý rezistor je v pod-statě rovnako zapojený pre vysokofrekvenč-ný aj pre jednosměrný prúd. U snímača dru-hého typu sú obidva rezistory priamo spo-jené so středným vodičom koaxiálneho ve-deme a druhé konce týchto rezistorov ne-priamo cez kondenzátory k vonkajšiemu vo-dičů koaxiálneho vedenia. Teplotně závislérezistory tohoto snímača sú pre vysokofrek-venčný prúd zapojené paralelné a pre jed-nosměrný prúd do série. Kondenzátory vsnímačoch oddelujú jednosměrné budenieteplotně závislých rezistorov od vysokofrek-venčného budenia a zabráňujú toku jedno-směrného prúdu do vysokofrekvenčnéhovoltmetra připojeného k etalonu vysoko-frekvenčného napatia. Spoločnou nevýhodousnímačov obsahujúcich kondenzátory je ichvplyvom vnesená nepřesnost do analýzy vy-sokoďrekvenčných vlastnosti snímača.

Nevýhodou snímača tvořeného jedným tep-lotně závislým rezistorom priamo připoje-ným medzi vonkajší a vnútorný vodič ko-axiálneho vedenia je, že nie je oddělenéjednosměrné a vysokofrekvenčně budenieteplotně závislého rezistora a tým nie je za- 226118

Claims (1)

1. 3 4 226118 bráněné toku jednosměrného prúdu do vy-sokofrekvenčného voltmetra, připojeného ketalonu vysokofrekvenčného napatia. Uvedené nevýhody v podstatnej miere od-stráňuje etalon vysokofrekvenčného napa-tia pozostávajúci z dvoch bolometrickýchvoltmetrov, z ktorých jedein bolometrickývoltmeter má bolometrický snímač tvořenýjedným teplotně závislým rezistorom pria-mo spojeným s vonkajším a vnútorným vo-dičom koaxiálneho vedenia a druhý bolome-trický voltmeter má bolometrický snímačtvořený dvomi teplotně závislými rezistor-mi, pričom každý z nich je prvým vývodomspojený s vnútorným vodičom koaxiálnehovedenia a ich druhé vývody sú cez prvý adruhý kondenzátor připojené k vonkajšiemuvodičů koaxiálneho vedenia podlá vynálezu,ktorého podstata spočívá v tom, že prvý tep-lotně závislý rezistor prvého bolometrické-ho snímača a druhý a třetí teplotně závislýrezistor druhého bolometrického snímača súumiestnené v tej istej transverzálnej roviněkoaxiálneho vedenia. Hlavnou výhodou etalonu vysokofrek-venčného napatia podlá vynálezu je, že u-možňuje realizoval a preniesť hodnotu vy-sokofrekvenčného napatia s presnosťou zod-povedajúcou možnostiam analýzy snímačatvořeného jedným ku koaxiálnemu vedeniupriamo připojeným teplotně závislým rezis-torom bez přenosu jednosměrného prúdu ka-librovaného voltmetra. Na pripojenom výkrese je schematickyznázorněný etalon vysokofrekvenčného na-patia. Etalón vysokofrekvenčného napatia po-zostáva z jedného snímača tvořeného prvýmteplotně závislým rezistorom Ri priamo při-pojeným k vonkajsiemu vodičů lak vnú-tornému vodičů 2 koaxiálneho vedenia. Ten-to snímač je cez oddělovací člen napr. LC--filter připojený k prvému automatickémubolometrickému mostíku. Druhý snímač jetvořený z druhého a trotieho teplotně zá-vislých rezistorov R2 a R3 je kapacitně od-dělený prvým a druhým kondenzátoroma C2 od vonikajšieho vodiča 1 koaxiálnehovedenia. Pre rozině hodnoty jednosměrného odpo-ru prvého teplotně závislého odporu Rt sazmeria poměr udávaných obidvoma snímač-mi. Z funkčnej závislosti hodnoty poměruna hodnotě jednosměrného pracovného odpo-ru sa určí kalibračný koeficient pre druhýsnímač. Pri přenose hodnoty vysokofrek-venčného napatia z etalonu sa využívá dru-hý snímač už týmto sposobom vopred oka-librovaný, pričom prvý snímač inie je jed-nosměrně budený. Z hladiska možnosti zís-kania dalších informácií o parametroch tep-Jotne závislého rezistora je výhodné pripo-jenie prvého teplotně závislého rezistora Rtk vonkajšiemu 1 a vnútornému 2 vodičů ko-axiálneho vedenia rozoberatefným spojenímnapr. pomocou konektorov. Etalon vysokofrekvenčného napatia móženájsť široké praktické využitie v oblasti vy-sokofrekvenčnej meracej techniky. PREDMET Etalon vysokofrekvenčného napatia po-zostávajúci z dvoch bolometrických voltme-trov, z ktorých jeden bolometrický voltme-ter má bolometrický snímač tvořený jed-ným teplotně závislým rezistorom priamospojeným s vonkajším a vnútorným vodičomkoaxiálneho vedenia a druhý bolometrickývoltmeter má bolometrický snímač tvořenýdvomi teplotně závislými rezistormi, pri-čom každý z nich je prvým vývodom spo- VYNALEZU jený s vnútorným vodičom koaxiálneho ve-denia a ich druhé vývody sú cez prvý a dru-hý kondenzátor připojené k vonkajšiemu vo-dičů koaxiálneho vedenia, vyznačujúci satým, že prvý teplotně závislý rezistor (Rý)prvého bolometrického snímača a druhý atřetí teplotně závislý rezistor (R2 a R3j dru-hého bolometrického snímača sú umiestne-né v tej istej transverzálnej rovině koaxiál-neho vedenia. 1 list výkrestov