CS222836B1 - Způsob oxidace vrstev CdSe tvořících jednu ze složek targetu elektronek vidikonového typu s heterogenním přechodem - Google Patents
Způsob oxidace vrstev CdSe tvořících jednu ze složek targetu elektronek vidikonového typu s heterogenním přechodem Download PDFInfo
- Publication number
- CS222836B1 CS222836B1 CS769881A CS769881A CS222836B1 CS 222836 B1 CS222836 B1 CS 222836B1 CS 769881 A CS769881 A CS 769881A CS 769881 A CS769881 A CS 769881A CS 222836 B1 CS222836 B1 CS 222836B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layers
- oxidation
- transition
- forming
- elctrone
- Prior art date
Links
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 title 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical group O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu oxidace vrstev CdSe tvořících jednu ze složek targetu elektronek vidlkonového typu s heterogenním přechodem a nanesených na skleněném kotouči.
Součástí snímacích elektronek vidikonového typu s heterogenním přechodem je rozkladová elektroda — target. Je tvořen skleněnou deskou se signální elektrodou z kysličníku cínu, tzv. nesa vrstvou, na níž je speciálním způsobem vytvořena vrstva selenidu kadmia CdSe. Tato vrstva musí být zoxidována, aby vznikla tenká vrstva kysličníků o pravděpodobném složení CdSeO3. . CdO. Napařením vrstvy chalkogenního skla o složení například AsžSe3 je skončena příprava targetu. Na target jsou v elektronce kladeny vysoké nároky a závisí od jeho kvality jakost celé elektronky. Jednou z velmi choulostivých a náročných operací je právě vytvoření tenké oxidové vrstvy. Při dosavdních způsobech výroby oxidu, kdy se prováděla oxidace na jednotlivých kotoučích umístěných v peci, docházelo k nestejnoměrné oxidaci vrstev a zejména k odpařování selénu či kadmia z vrstev. Byly hledány různé způsoby jak vyřešit rovnovážný stav jednotlivých složek vrstvy při její rovnoměrné oxidaci, byla zkoušena různá doba oxidace v závislosti na výši teploty, různé úpravy držáků skleněných kotoučů, ale žádný z uvedených způsobů neřešil zásadně problém rovnoměrnosti oxidace při zachování konečných kladných parametrů.
Problém řeší způsob oxidace podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že skleněné kotouče s CdSe vrstvou se uloží do držáku po dvojicích vždy vrstvou proti sobě tak, že mezi vrstvami se vytvoří mezera 1 až 3 mm, načež se držák umístí do pece a provede se oxidace vrstev při teplotě 180 až 400 °C po dobu 10 až 40 minut.
Vyšší účinek vynálezu se projevuje v tom, že odstraňuje dřívější odpařování komponent. vlivem nasycené tenze par, oxidace probíhá rovnoměrně, je možné zvýšit počet současně oxidovaných vrstev a snížit dobu po kterou probíhá oxidace. Výtěžnost elektronek se podstatně zvyšuje, neboť u dosavadních způsobů, poškození vrstev při oxidaci bylo možno zjistit teprve při měření kompletní elektronky.
Příklad využití způsobu podle vynálezu:
Skleněné kotouče s nesa vrstvou a vrstvou CdSe se vloží po vyjmutí z krytů po dvojicích vždy vrstvou proti sobě do speciálního držáku. Mezi vrstvami musí být vzdálenost cca 1,5 mm, přičemž vzdálenosti jednotlivých párů mezi sehou nejsou kritické, je však dobré je volit minimální. Držáky se poté vloží do křemenné pece vyhřáté na teplotu 380 °C. Nastaví se teplotní automatický regulátor současně s časovým spínacím relé. Oxiduje se po dobu 30 minut, načež se kotouče vyjmou z pece a připraví k další operaci, tj. napaření chalkogenního skla.
Claims (1)
- Způsob oxidace vrstev CdSe tvořících jednu ze složek targetu elektronek vidikonového typu s heterogenním přechodem a nanesených na skleněném kotouči, vyznačující se tím, že skleněné kotouče s CdSe vrstvou se uloží do držáku po dvojicích vždyYNALEZU vrstvou proti sobě tak, že mezi vrstvami se vytvoří mezera 1 až 3 mm, načež se držák umístí do pece a provede se oxidace vrstev při teplotě 180 až 400 °C po dobu 10 až 40 minut.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS769881A CS222836B1 (cs) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | Způsob oxidace vrstev CdSe tvořících jednu ze složek targetu elektronek vidikonového typu s heterogenním přechodem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS769881A CS222836B1 (cs) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | Způsob oxidace vrstev CdSe tvořících jednu ze složek targetu elektronek vidikonového typu s heterogenním přechodem |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS222836B1 true CS222836B1 (cs) | 1983-07-29 |
Family
ID=5426570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS769881A CS222836B1 (cs) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | Způsob oxidace vrstev CdSe tvořících jednu ze složek targetu elektronek vidikonového typu s heterogenním přechodem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS222836B1 (cs) |
-
1981
- 1981-10-20 CS CS769881A patent/CS222836B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2984759A (en) | Photoconductive pick-up tube and method of manufacture | |
| US2629093A (en) | Multiseal envelope and the method of making | |
| US3069487A (en) | Miniature photocells and method of making the same | |
| CS222836B1 (cs) | Způsob oxidace vrstev CdSe tvořících jednu ze složek targetu elektronek vidikonového typu s heterogenním přechodem | |
| US2574356A (en) | Process of making photoelectric cathodes | |
| US2739084A (en) | Secondary electron emitting coatings and method for producing same | |
| US2431401A (en) | Method of manufacturing photoelectric tubes | |
| US2868736A (en) | Preparation of photosensitive crystals | |
| US2448517A (en) | Photocell | |
| IE52616B1 (en) | Quartz tube for thermal processing of semiconductor substrates | |
| US2825184A (en) | Method of making cathode ray tube screen | |
| US2244720A (en) | Photocathode | |
| US2414233A (en) | Photoelectric cell | |
| US3177576A (en) | Method of photocell manufacture by simultaneously sintering the photosensitive material and sealing the cell | |
| US2423626A (en) | Method of manufacturing screens in cathode-ray tubes | |
| US3006786A (en) | Photo-emissive surfaces | |
| US2874077A (en) | Thermionic cathodes | |
| JPS5846195B2 (ja) | 密着形イメ−ジセンサの製造方法 | |
| US3928160A (en) | Colour pickup tubes and method of manufacturing the same | |
| US2795840A (en) | Memory tube | |
| US3226253A (en) | Method of producing photosensitive layers of lead selenide | |
| US4305972A (en) | Method for expeditiously processing a sodium-potassium-cesium-antimony photocathode | |
| US2131187A (en) | Method of producing finely divided metallic layers | |
| US2439647A (en) | Photoelectric tube and method of manufacturing same | |
| US2190020A (en) | Mosaic screen |