CS220839B1 - Zalévací hmota pro pouzdrem mikrovlnných polovodičových součástek - Google Patents

Zalévací hmota pro pouzdrem mikrovlnných polovodičových součástek Download PDF

Info

Publication number
CS220839B1
CS220839B1 CS484181A CS484181A CS220839B1 CS 220839 B1 CS220839 B1 CS 220839B1 CS 484181 A CS484181 A CS 484181A CS 484181 A CS484181 A CS 484181A CS 220839 B1 CS220839 B1 CS 220839B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
microwave semiconductor
semiconductor devices
cycloaliphatic
semiconductor components
resin
Prior art date
Application number
CS484181A
Other languages
English (en)
Inventor
Jana Bartova
Milos Rothbauer
Miloslav Lidarik
Original Assignee
Jana Bartova
Milos Rothbauer
Miloslav Lidarik
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jana Bartova, Milos Rothbauer, Miloslav Lidarik filed Critical Jana Bartova
Priority to CS484181A priority Critical patent/CS220839B1/cs
Publication of CS220839B1 publication Critical patent/CS220839B1/cs

Links

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Vynález se týká přípravy zalévací látky pro částečné nebo kompletní pouzdření mikrovlnných polovodičových součástek pracujících v GHz kmitočtové oblasti. Pryskyřičným základem je cýkloalifatická epoxidová /pryskyřice, která obsahuje vysoké objemové procento anorganických plniv zba- *· venýoh iontových nečistot. Tvrdidlem jsou anhydridy dikarboxylových .nebo polykarboxylovýcb kyselin s cykloalifaticikou struktuv rou. Zalévací epoxidová látka podle vynálezu má nové specifické vlastnosti, které se při pouzdření mikrovlnných polovodičových součástek pozitivně uplatňují.

Description

Vynález se týká přípravy zalévací látky pro částečné nebo kompletní pouzdření mikrovlnných polovodičových součástek pracujících v GHz kmitočtové oblasti. Pryskyřičným základem je cýkloalifatická epoxidová /pryskyřice, která obsahuje vysoké objemové procento anorganických plniv zba*· venýoh iontových nečistot. Tvrdidlem jsou anhydridy dikarboxylových .nebo polykarboxylovýcb kyselin s cykloalifaticikou struktuv rou. Zalévací epoxidová látka podle vynálezu má nové specifické vlastnosti, které se při pouzdření mikrovlnných polovodičových součástek pozitivně uplatňují.
Vynález se týká zalévací látky pro částečné inebo kompletní pouzdření mikrovlnných polovodičových součástek pracujících v GHz kmitočtové oblasti.
Mikrovlnné polovodičové součástky jsou tvořeny čipem zhotoveným z galiuímarsenidu nebo epitaxního křemíku, který je vodivě připojen k nosníku slabými drátky nebo pásky. Průřez drátků je kruhový nebo obdélníkový, průměr event. rozměry jsou v rozsahu 5 až 400 μ, podle charakteru součástky. Nosníky se zhotovují z kovaru nebo pozlacené mědi. Součástky se zpevňují podložkou nebo pouzdrem, které jsou z korundu inebo mědi. Jednotlivé dílce se spojují termokompresí, ultrazvukovým svarem nebo speciálními lepidly. Protože funkční systém (součástky — polovodič a kontaktní propojení — je velmi malý a křehký, není možné použít při technologii pouzdření zvýšených tlaků.
Pouzdro ochraňuje mikrovlnné polovodičové součástky před mechanickým poškozením, nepříznivými klimatickými vlivy a zabezpečuje tak bezporuchovou funkci. Způsob provedení je podobný pouzdření jiných elektronických součástek, odlišnost v provedení ochrany v případě mikrovlnných polovodičových součástek souvisí s jejich specifickými, materiálovými, konstrukčními a funkčními znaky.
Společnými znaky pouzdřících látek jsou teplotní odolnost v rozmezí teplot —50 až +150°, krátkodobá tepelná odolnost 200° (pro pájení do mikrovlnných integrovaných obvodů], neprůsvitnost hmoty, hermetičnost zapouzdření, potřebná míra flexibility pro vyrovnání pnutí a dilatací různých materiálů, vhodné technologické vlastnosti.
Specifické vlastnosti pouzdřících látek jsou nízké dielektrické ztráty v GHz kmitočtové oblasti a lepivost ke kovům a keramice.
Uvedeným požadavkům vyhovují takové látky, které jsou za normálních podmínek 'tekuté a vytvrzovací reakcí přecházejí v látky pevné.
Tyto nároky splňují epoxidové pryskyřice, které se v elektronice významně uplatňují. Licí kompozice odvozené od epoxidových pryskyřic dianovéiho typu mají pro pouzdření mikrovlnných polovodičových součástek Ipracujícíóh v GHz oblasti řadu nedostatků. Jsou to především tvrdost a křehkolst vytvrzeného produktu, což se nepříznivě projevuje zejména při minusových hodnotách teplot, ale i při vyšších teplotách, kdy dochází v zapouzdřené součástce k tlakům a pnutím vyvolaných dilatacemi různorodých materiálů; poměrně vysoká viskozita, která nezaručuje technologií zaléváním dokonalé vyplnění všech prostor určených k zapouzdření; nízká odolnost proti plazivým proudům, v některých případech nevyhovující dielektrické vlastnosti a jejich tepelná závislost.
Výše uvedené nedostatky se odstraňují zalévací hmotou podle vynálezu.
Podstata zalévací hmoty pro pouzdření mikrovlnných polovodičových 'součástek, podle vynálezu spočívá v tom, že pryskyřičným základem je cýkloalifatická epoxidová pryskyřice, která obsahuje 70 až 150 dílů na 100 dílů pryskyřice anorganických plniv zbavených iontových nečistot, přičemž tvrdidlem jsou anhydridy dikarboxylových nebo polykarboxylovýoh kyselin s cykloalifatickou strukturou.
Výhodou zalévací hmoty pro pouzdření mikrovlnných polovodičových součástek pracujících v GHz kmitočtové oblasti podle vynálezu je:
— nízká viskozita zalévací látky (2000 až 2500 m Pa . s při 20 °Cj zaručují dokonalé zapouzdření miniaturní součástky zaléváním nebo zakapáváním.
— mechanické vlastnosti vytvrzené pryskyřice, zejména houževnatost a flexabillta v rozmezí teplot —50 +150 °C, kteréžto vlastnosti jsou nutné ipro rušení tlaků a pnutí vznikajících rozdílnými tepelnými dilatacemi přítomných materiálů, — spojením cykloalifatické pryskyřice s iontově čistými plnivy vzniká elektricky kvalitní zalévací látka s nízkými hodnotami dielektriokých parametrů v kmitočtové oblasti 109 Hz ε = 3,0, tgi = 0,017], odolnější účinkům ultrafialového záření, plazivým proudům a elektrickému oblouku, — stálost mechanických, imechanicko-fyzlkálně a elektrických vlastností v závislosti na čase a teplotě.
Typickým příkladem pouzdřicí látky Is nízkými hodnotami poměrné permitivity a ztrátového činitele tgi při f = 109 Hz, teplotní odolností, vhodnými technologickými a mechanickými vlastnostmi je dici kompozice následujícího složení:
a) cýkloalifatická epoxydová pryskyřice
GE 16 100 him. d.
mletý tavený křemen 30 hm. d.
kysličník hlinitý — trihydrát 60 hm. d.
nitrosinová čerň 0,5 hm. d.
urychlovač benzyldimethylamin 1 hm. d.
tvrdidlo imetyl-himicanhydrid 90 hm. d.
mletý tavený křemen 30 hm. d.
kysličník hlinitý — trihydrát 50 hm. d.
Obě části se smíchají a při zvýšené teplotě (asi 60 °C) se dokonale promísí. Připravenou kompozicí se předem vysušené součástky zakapávají. Doporučené vytvrzovací podmínky: 3 hod. při 120 °C nebo 2 bod. při 140 °C.
'Zalévací epoxidová látka (podle uvedené8 ho postppu imá nové specifické vlastnosti, které se při pouzdření mikrovlnných polovodičových součástek pozitivně uplatňují.

Claims (1)

  1. Zalévací hmota pro pouzdření mikrovlnných polovodičových součástek, vyznačená tím, že pryskyřičným základem je cykloalifatická epoxidová pryskyřice, která obsahuje 70 až 150 dílů na 100 dílů pryskyřice anvynalezu organických plniv zbavených iontových nečistot, přičemž tvrdidlem jsou ainhydridy dikarboxylovýdh nebo polylkarboxyjlových kyselin s cykloalifaticikou strukturou.
CS484181A 1981-06-25 1981-06-25 Zalévací hmota pro pouzdrem mikrovlnných polovodičových součástek CS220839B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS484181A CS220839B1 (cs) 1981-06-25 1981-06-25 Zalévací hmota pro pouzdrem mikrovlnných polovodičových součástek

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS484181A CS220839B1 (cs) 1981-06-25 1981-06-25 Zalévací hmota pro pouzdrem mikrovlnných polovodičových součástek

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS220839B1 true CS220839B1 (cs) 1983-04-29

Family

ID=5392066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS484181A CS220839B1 (cs) 1981-06-25 1981-06-25 Zalévací hmota pro pouzdrem mikrovlnných polovodičových součástek

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS220839B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5430330A (en) Semiconductor device, resin for sealing same and method of fabricating same
US5863970A (en) Epoxy resin composition with cycloaliphatic epoxy-functional siloxane
KR20110066929A (ko) 반도체 장치
EP0780435A1 (en) Flexible epoxy adhesives with low bleeding tendency
KR20000071704A (ko) 에폭시수지조성물 및 전자장치
US5132778A (en) Transfer molding compound
US4665111A (en) Casting compound for electrical and electronic components and modules
US5576362A (en) Insulating material and a circuit substrate in use thereof
US7768139B2 (en) Power semiconductor module
CS220839B1 (cs) Zalévací hmota pro pouzdrem mikrovlnných polovodičových součástek
JPH0841168A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR980012311A (ko) 반도체 캡슐화용 에폭시 수지액상 조성물
JP2000204140A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JPH0782343A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0733429B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH09143345A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH1135797A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2591365B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR950011903B1 (ko) 에폭시수지 조성물과 그 조성물로 밀봉된 수지밀봉형 반도체 장치
KR100215026B1 (ko) 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 반도체 장치
KR100785572B1 (ko) 에폭시수지조성물 및 전자장치
JP7078218B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法および樹脂成形体
JP3235799B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH07335791A (ja) 半導体装置
JPH0346389A (ja) 混成集積回路装置