CS219658B1 - Elektretová elektroda pre elektronické súčiastky - Google Patents

Elektretová elektroda pre elektronické súčiastky Download PDF

Info

Publication number
CS219658B1
CS219658B1 CS725680A CS725680A CS219658B1 CS 219658 B1 CS219658 B1 CS 219658B1 CS 725680 A CS725680 A CS 725680A CS 725680 A CS725680 A CS 725680A CS 219658 B1 CS219658 B1 CS 219658B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
electrode
electret
electronic components
metal
properties
Prior art date
Application number
CS725680A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Inventor
Jan Cervenak
Original Assignee
Jan Cervenak
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jan Cervenak filed Critical Jan Cervenak
Priority to CS725680A priority Critical patent/CS219658B1/cs
Publication of CS219658B1 publication Critical patent/CS219658B1/cs

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Vynález sa týká elektretovej elektródy pre elektronické súčiastky na reguláciu ich vlastností.
Doteraz známe elektronické súčiastky, vyhotovované z tuhých látok a ich štruktúr, resp. využívajúce vakuum, uplatňuji! ako elektródy kovy, resp. silno dotované n+, resp. p+ polovodiče. Niektoré elektronické súčiastky využívajú kovové, príp. ; polovodičové materiály pre vytvorenie ohmických alebo blokujúcich kontaktov. Je známa generácia elektronických súčiastok, napr. diody, tranzistory a pod., ktoré využívajú na zlepšenie vlastností bariery na p-n priechode, heteropriechode, na rozhraní polovodič — izolant tzv. MIS štruktúry a ďalšie objemové javy. Súčasná prax vyžaduje elektronické súčiastky, ktoré by účinnejšie reagovali na vonkajšie vplyvy, napr. světlo, žiarenie, elektrické a magnetické pole, resp. teplo a v dósledku toho dosahovali vyššie technické parametre.
Uvedené požiadavky zabezpečuje elektretová elektroda pre elektronické súčiastky podía vynálezu, ktorého podstata spočívá v tom, že aspoň jedna elektroda elektronickej súčiastky pozostáva z elektretovej štruktúry typu kov — elektret — kov.
Vynález elektretovej elektródy pre elektronické súčiastky umožňuje dosahovat1 vo vztahu k vonkajším vplyvom vyššie technické účinky elektronických súčiastok. Příklad elektretovej elektródy pre elektronické súčiastky je znázorněný na obr. 1. Na obr. 2 je uvedená závislost’ kapacity na napatí pri MIS štruktúre. 219658
Elektretová elektróda pre elektronické súčiastky je vyhotovená z kremíkovej podložky 1, ktorej jedna strana je připojená pomocou elektródy 6 na vonkajší zdroj napátia a na druhej straně kremíkovej podložky 1 je nanesená vrstva izolantu 2. Izolant 2 móže byť vyhotovený z kysličníka křemičitého alebo nitridu kremíka. Elektretová štruktúra, vytvořená podía vynálezu AO čís. 169 942, na izolante 2 reaguje na změny intenzity osvetlenia t a je vyhotovená z kovověj vrstvy 3 kadmium — telurovej vrstvy 4 a ďalšej kovověj vrstvy 5. Vlastňosťou tejto elektretovej štruktúry je to, že na jednej elektróde nazhromažďuje kladný a na druhej elektróde záporný náboj, pričom pri osvětlovaní cez priehíadnú kovovú elektrodu 5 v smere šípky L x sa vefkosť a polarita náboja mění. Kovová , vrstva 3 je připojená na elektrodu 7. Intenzitou osvetlenia sa na rozhraní kremíkovej podložky 1 a izolantu 2 ovplyvňuje polarita a vefkosť náboja a tým aj výsledná závislost’ kapacity C na napatí U, Na obr. 2 je závislost’ kapacity C na napatí U. pri MIS štruktúre označená plnou čiarou a interval regulovánia C — U závislosti štruktúry podía vynálezu přerušovanými čiarami v závislosti na osvětlení Lx.
Vynález možno využiť na reguláciu vlastností ; elektronických súčiastok, napr. tranzistorov, typu Λ FET, MESFET, tenkpvrstvových tranzistorov, magnetodiód, Schotthyho diód, fotovoltaických článkov, Hallových a magnetoodporových sondách apod.

Claims (2)

  1. PREDMET Elektretová elektroda pre elektronické súčiastky vyznačujúca sa tým, že aspoň jedna elektróda elektronickej súčiastky pozostáva z elektretovej štruktúry typu kov (3) elektret (4) a kov (5).
  2. 2 výkresy
    obr. 1 ,2/q 6SS
    obr. 2
CS725680A 1980-10-27 1980-10-27 Elektretová elektroda pre elektronické súčiastky CS219658B1 (sk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS725680A CS219658B1 (sk) 1980-10-27 1980-10-27 Elektretová elektroda pre elektronické súčiastky

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS725680A CS219658B1 (sk) 1980-10-27 1980-10-27 Elektretová elektroda pre elektronické súčiastky

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS219658B1 true CS219658B1 (sk) 1983-03-25

Family

ID=5421380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS725680A CS219658B1 (sk) 1980-10-27 1980-10-27 Elektretová elektroda pre elektronické súčiastky

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS219658B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2736822A (en) Hall effect apparatus
JPS61120466A (ja) 半導体光検出素子
KR850005737A (ko) 광기전련 릴레이
US4326210A (en) Light-responsive field effect mode semiconductor devices
US3868718A (en) Field effect transistor having a pair of gate regions
CS219658B1 (sk) Elektretová elektroda pre elektronické súčiastky
US4266237A (en) Semiconductor apparatus
US2613301A (en) Process of manufacturing photoelectric cells
JPS6145393B2 (cs)
GB1083287A (en) Solid state photosensitive device
JPS623987B2 (cs)
EP0276683A2 (en) Photoelectric conversion device
JPS5539636A (en) Composite semiconductor
JPS57103355A (en) Mos semiconductor device
GB2070330A (en) Thyristor elements
JPS5586273A (en) Solid-state pickup unit
JPS5527772A (en) Solid state pickup device
Etman et al. Critical analysis of electrical contacts to layered semiconductors for use in (photo) electrochemical studies
US3710208A (en) Semiconductor oscillating element and control circuit therefor
RU2309487C2 (ru) Фотоприемник с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры
JPS57187976A (en) Semiconductor photoelectric converter
SU1248017A1 (ru) Оптоэлектронный преобразователь переменного напр жени в посто нное
JPS5541141A (en) Semiconductor rectification circuit
JPS5282088A (en) Semiconductor photoelectric converting element
JPS5748260A (en) Interline ccd sensor and driving method thereof