CS219636B1 - A method of cleaning a sealing surface on a metal portion of a vacuum tube - Google Patents
A method of cleaning a sealing surface on a metal portion of a vacuum tube Download PDFInfo
- Publication number
- CS219636B1 CS219636B1 CS872680A CS872680A CS219636B1 CS 219636 B1 CS219636 B1 CS 219636B1 CS 872680 A CS872680 A CS 872680A CS 872680 A CS872680 A CS 872680A CS 219636 B1 CS219636 B1 CS 219636B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- sealing surface
- cleaning
- vacuum tube
- metal
- metal portion
- Prior art date
Links
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
Způsob čištění těsnicí plochy na kovové části baňky elektronky určené pro slisování s čelní deskou pomocí indiového těsnění. Způsobu lze využiti při spojování dvou nebo více částí baňky elektronky, z nichž alespoň některá je kovová. Čištění kovové těsnicí plochy se provádí pomocí elektrického- výboje za normálního tlaku.Method for cleaning the sealing surface on a metal part of a tube bulb intended for pressing with a faceplate using an indium seal. The method can be used when joining two or more parts of a tube bulb, at least some of which are metal. Cleaning of the metal sealing surface is carried out using an electric discharge at normal pressure.
Description
Vynález se týká způsobu čištění těsnicí plochy na kovové části baňky elektronky určené pro slisování s čelní deskou pomocí indiového těsnění.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method of cleaning a sealing surface on a metal portion of a vacuum tube for crimping with a faceplate using an indium seal.
Jedním z nejdůležitějších požadavků na těsnicí plochu spoje kov — indium při výrobě elektronek, zejména kamerových, speciálních fotonásobičů apod., je dokonalá čistota této plochy. Především látky organického původu, jako stopy tuků a olejů, způsobují nedokonalou adhesi india ke kovu a tím vznikají vakuové netěsnosti ve spoji. Těsnicí plochu lze vyčistit mnoha způsoby, například působením rozpouštědel organických látek, alkalických čisticích roztoků s detergenty, leptacími lázněmi, působením elektrochemických procesů apod. Společnou nevýhodou všech těchto způsobů je to, že celá součástka se dostane do styku s poměrně agresivními látkami. Vyčištění těsnicí plochy na samostatné součásti elektronky je dobře realizovatelné a účinné, ale během kompletace podsestav dochází k novému znečištění těsnicí plochy, například adsorpcí par organických látek běžně se vyskytujících v laboratorní atmosféře.One of the most important requirements for the sealing surface of the metal - indium connection in the production of tubes, especially camera, special photomultipliers, etc., is the perfect cleanliness of this surface. In particular, substances of organic origin, such as traces of fats and oils, cause incomplete adhesion of indium to the metal and thus create vacuum leaks in the joint. The sealing surface can be cleaned in many ways, for example by treatment with organic solvents, alkaline cleaning solutions with detergents, etching baths, electrochemical processes, etc. The common disadvantage of all these methods is that the whole component comes into contact with relatively aggressive substances. Cleaning of the sealing surface on separate tube components is well feasible and efficient, but during assembly of the subassemblies, the sealing surface is contaminated again, for example by adsorption of organic vapors commonly found in the laboratory atmosphere.
Všechny tyto nevýhody odstraňuje způsob čištění těsnicí plochy na kovové části baňky elektronky, jehož podstata spočívá v tom, že na těsnicí plochu se působí elektrickým výbojem za normálního tlaku při současném axiálním otáčení kovové části baňky elektronky tak, že zdroj vysokého napětí se připojí jedním pólem na elektrodu umístěnou nad těsnicí plochou a druhým pólem ke kovové části baňky elektronky, přičemž jiskrový výboj působí postupně na celou těsnicí plochu.All of these disadvantages are overcome by the method of cleaning the sealing surface on the metal portion of the vacuum tube, which is based on the fact that the sealing surface is subjected to an electrical discharge at normal pressure while simultaneously axially rotating the metal portion of the vacuum tube. an electrode positioned above the sealing surface and the second pole to the metal portion of the tube of the vacuum tube, the spark discharge gradually acting over the entire sealing surface.
Vyšší účinek vynálezu se projevuje zejména v tom, že je možno rychle, bez máčení a bez použití složitějšího zařízení dokonale odstranit vrstvičku organických sloučenin 'z těsnicí plochy budoucího spoje kov — indium a tím zajistit vakuově těsné spojení kovové části baňky elektronky s čelní deskou.The greater effect of the present invention is particularly evident in that it is possible to remove the organic compound layer from the sealing surface of the future metal-indium joint quickly, without soaking and without using a more complex device, thereby ensuring a vacuum-tight connection of the metal portion of the vacuum tube to the faceplate.
Na přiloženém výkresu je schematicky znázorněno* uspořádání k provádění způsobu podle vynálezu. Baňka 1 budoucí elektronky, vakuově spojená kovovou částí 2 je pro spojení s čelní deskou pomocí india opatřena na konci kovové části 2 těsnicí plochou 3. Nad těsnicí plochou 3 je ve vzdálenosti několika milimetrů umístěna elektroda 4 připojená k jednomu pólu zdroje 5 vysokého napětí, jehož druhý pól je připojen ke kovové části 2 baňky 1, Axiálním otáčením baňky 1 dopadá jiskra elektrického výboje postupně na celou čištěnou těsnicí plochu 3.The attached drawing schematically shows an arrangement for carrying out the method according to the invention. Flask 1 of the future tube, vacuum-coupled to the metal part 2, is provided with a sealing surface 3 at the end of the metal part 2 for connection to the end plate by indium. Above the sealing surface 3 is located a few millimeters electrode 4 connected to one pole the second pole is connected to the metal part 2 of the flask 1. By rotating the flask 1 axially, the spark of the electric discharge gradually strikes the entire cleaned sealing surface 3.
Způsobu podle vynálezu lze využít zejména při kompletaci elektrovakuových prvků, u nichž je použito lisovaného spoje s indiovým těsněním, ke spojení dvou nebo více částí baňky, z nichž alespoň některá je kovová.In particular, the method of the invention can be used in assembling electro-vacuum elements in which an indium seal press fit is used to connect two or more flask parts, at least some of which are metallic.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS872680A CS219636B1 (en) | 1980-12-11 | 1980-12-11 | A method of cleaning a sealing surface on a metal portion of a vacuum tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS872680A CS219636B1 (en) | 1980-12-11 | 1980-12-11 | A method of cleaning a sealing surface on a metal portion of a vacuum tube |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS219636B1 true CS219636B1 (en) | 1983-03-25 |
Family
ID=5438234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS872680A CS219636B1 (en) | 1980-12-11 | 1980-12-11 | A method of cleaning a sealing surface on a metal portion of a vacuum tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS219636B1 (en) |
-
1980
- 1980-12-11 CS CS872680A patent/CS219636B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4534921A (en) | Method and apparatus for mold cleaning by reverse sputtering | |
| EP0546443B1 (en) | Soldering by conduction of heat from a plasma | |
| JPS6056431B2 (en) | plasma etching equipment | |
| US3879836A (en) | Printed circuit card component removal method | |
| CS219636B1 (en) | A method of cleaning a sealing surface on a metal portion of a vacuum tube | |
| JP2006203174A5 (en) | ||
| US4063991A (en) | Method of increasing voltage withstanding capability of vacuum interrupters | |
| US3834605A (en) | Printed circuit card component removal apparatus | |
| JPH07106307A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| DE59202882D1 (en) | GALVANIZING DEVICE FOR PANEL-SHAPED WORKPIECES, ESPECIALLY PCB. | |
| DE3508005A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR CLEANING THE PINS OF A "DUAL-IN-LINE" SEMICONDUCTOR PACK BEFORE SOLDERING | |
| DE102020208909A1 (en) | PROCESSING PROCESS FOR A WAFER | |
| JP2002076569A (en) | Inspection device for printed board | |
| CN214763592U (en) | PCB basicity etching nitric acid system moves back tin waste liquid and uses preliminary filter equipment | |
| US20250166950A1 (en) | Direct current contactors with improved evacuation air pathways | |
| KR950004432A (en) | Method of removing wafer contaminants by sputter cleaning | |
| RU1776153C (en) | Equipment for vacuum processing of electronic devices | |
| DE102007034751B3 (en) | Plastic component plasma treatment in vacuum chamber involves holding back organic gas release resulted during plasma treatment as condensate by condensate trap, which is arranged in suction line | |
| JPH08161959A (en) | Switch and manufacturing method thereof | |
| JP2002216631A (en) | Method and apparatus for cleaning the inside of a cathode ray tube | |
| FR2560797A1 (en) | Process and apparatus for cleaning connection leads and the like, using vacuum reverse sputtering, before soldering operations | |
| JPH09248617A (en) | Vacuum arc descaling local processor | |
| JPS60215788A (en) | Plating chamber of high-speed plating device | |
| JPS6336138B2 (en) | ||
| KR970052632A (en) | Particle removal device in semiconductor device manufacturing process |