CS219446B1 - Projekční soustava elektronového litograřu - Google Patents
Projekční soustava elektronového litograřu Download PDFInfo
- Publication number
- CS219446B1 CS219446B1 CS709281A CS709281A CS219446B1 CS 219446 B1 CS219446 B1 CS 219446B1 CS 709281 A CS709281 A CS 709281A CS 709281 A CS709281 A CS 709281A CS 219446 B1 CS219446 B1 CS 219446B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- electron beam
- projection system
- electron
- molding
- lithograph
- Prior art date
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
Vynález se týká projekční soustavy elektronového litografu určené k formování tvaru elektronového svazku emitovaného autoemisní katodou.
Jedním ze základních typů uspořádání projekčního systému elektronových litografů je takové, které umožňuje v požadovaném sledu formovat tvar elektronového svazku, vycházejícího z elektronové trysky. Systém umožňující formování obrazce je konstrukčně závislý na typu použitého zdroje elektronů. Doposud používaná úspořádání pracují se zdroji termoemisními, které pracují se dvěma tvarovanými clonami, mezi kterými je umístěna čočka zobrazující rovinu horní formovací clony do roviny clony spodní a dále vychylovací ústrojí, které odkláněním svazku mezi clonami dosahuje vytvoření elektronového svazku požadovaného tvaru v úrovni spodní formovací clony. Tato rovina je potom zmenšeně zobrazována další elektronově optickou soustavou na povrch substrátu. Takto vytvořená soustava nedosahuje dostatečně velké proudové hustoty ve formovaném svazku. Dále je tato soustava relativně složitá a málo variabilní. Seřízení soustavy je komplikované vzhledem ke stáčení obrazu v závislosti na buzení přenášecí čočky. Přenášecí čočka pracuje v pevném režimu daném vzdáleností obou clon, což komplikuje situaci, protože je třeba zároveň splnit požadavek, aby křižiště této čočky leželo přesně ve středu vychylovacího systému, aby poloha spodní clony byla fixní. Tato okolnost vyžaduje další seřizovači prvek. Systémy pracující s termoemisní katodou bez přenášecí čočky využívají také jistým způsobem bodové projekce, ale na úkor velkého rozostření zobrazení hran, protože osvětlovací zdroj je relativně veliký. Tyto systémy mají jen velice malý rozsah rozměrů tvarování svazku. Oba uvedené systémy potřebují pro posouzení seřízení systému clon vybavení přístroje dalším pozorovacím zařízením, většinou elektronově optického typu, které znovu zmenšenou projekci zvětší na pozorovatelnou velikost a umožní zásahy do seřízení.
Tyto dosavadní nevýhody odstraňuje projekční soustava elektronového litografu určená k formování tvaru elektronového svazku, emitovaného autoemisní katodou, jejíž podstatou je, že střed formovacího systému, který sestává z vychylovacího ústrojí pro vychylování elektronového svazku, který je umístěn mezi dvěma navzájem stavitelnými formovacími clonami, je určen křižištěm čočky, uspořádané v ose elektronového svazku pod emisní katodou.
Předností projekční soustavy je využití autoemisní katody k získání bodové projekce, která zaručuje, že do roviny spodní formovací clony je přenesen obraz horní formovací clony prakticky zostřený, protože rozostření je úměrné pouze velikostí křižiště mezi oběma clonami a poloviční vzdáleností clon. Autoemisní zdroj elektronů je zanedbatelně malý a dovoluje při využití bodové projekce konstrukci formovacího zařízení bez přenášecí čočky a zjednodušení vychylovacího ústrojí. Bodové projekce lze současně využít k přímému mnohonásobně zvětšenému zobrazení tvarovaného svazku. Systém clon lze tímto způsobem snadno seřídit za přímého optického pozorování optickou lupou a tím odstranit nutnost dalšího přídavného zařízení ke zvětšování původně zmenšených struktur při seřizování formovaných obrazců.
Vynález blíže objasní přiložený výkres, kde je znázorněno optické schéma základního uspořádání projekční soustavy.
Projekční soustava naznačená na přiloženém obrázku sestává z autoemisní katody 1, přičemž v ose elektronového svazku je pod ní umístěna čočka 2 vytvářející křižiště 3, které tvoří střední a osový bod formovacího systému. Formovací systém tvoří vychylovací ústrojí 5 pro vychylování elektronového svazku, které je uspořádáno mezi horní stavitelnou formací clonou 6 a spodní formovací clonou 7. Elektronový svazek emitovaný autoemisní katodou 1 vychází prakticky z bodového zdroje elektronů, jehož rozměr je řádově desítky Á. Této výhodné vlastnosti autoemisní katody 1 se využívá v projekční soustavě, kde pomocí čočky 2 se přenáší bodový svazek emitovaný autóemisní katodou 1 do místa daného křižištěm 3, kde s minimálními vadami zobrazuje fiktivní elektronový zdroj do místa, které je prakticky středem formovacího systému. Požadovaný obrazec se potom vytvoří pomocí horní a spodní formovací clony 6 a 7. Posuv obrazce kolem optické osy je vyvoláván vychylovacím ústrojím 5, které je řízeno povely z řídicího počítače. Obrazec je zpracován další optickou soustavou a promítán na povrch substrátu.
Projekční soustava je určena zejména pro elektronově optické litografy a jim podobné elektronově optické přístroje.
Claims (1)
- Projekční soustava elektronového litografu určená k formování tvaru elektronového svazku emitovaného autoemisní katodou, vyznačená tím, že střed formovacího systému, který sestává z vychylovacího ústrojí (5) pro vychylování elektronového svazku, vynalezu které je umístěné mezi dvěma navzájem stavitelnými formovacími clonami (6, 7] je určen křižištěm (3) čočky (2), uspořádané v ose elektronového svazku pod autoemisní katodou (1).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS709281A CS219446B1 (cs) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | Projekční soustava elektronového litograřu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS709281A CS219446B1 (cs) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | Projekční soustava elektronového litograřu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS219446B1 true CS219446B1 (cs) | 1983-03-25 |
Family
ID=5419396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS709281A CS219446B1 (cs) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | Projekční soustava elektronového litograřu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS219446B1 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556702B1 (en) | 1999-01-06 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus that determines charged particle beam shape codes |
-
1981
- 1981-09-28 CS CS709281A patent/CS219446B1/cs unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556702B1 (en) | 1999-01-06 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus that determines charged particle beam shape codes |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4426584A (en) | Method of compensating the proximity effect in electron beam projection systems | |
| US4140913A (en) | Charged-particle beam optical apparatus for the reduction imaging of a mask on a specimen | |
| CN101446773A (zh) | 无掩膜光子电子点格栅阵列光刻机 | |
| US4199689A (en) | Electron beam exposing method and electron beam apparatus | |
| US4504558A (en) | Method of compensating the proximity effect in electron beam projection systems | |
| DE102014203189A1 (de) | Spiegel-Array | |
| JPS60105229A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| US6232040B1 (en) | Method of electron beam exposure utilizing emitter with conductive mesh grid | |
| US4469949A (en) | Electron beam pattern transfer device and method for aligning mask and semiconductor wafer | |
| JPS59184524A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| DE102014203188A1 (de) | Verfahren zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage | |
| US5742062A (en) | Arrangement for masked beam lithography by means of electrically charged particles | |
| US4227090A (en) | Electron beam microfabrication apparatus and method | |
| CS219446B1 (cs) | Projekční soustava elektronového litograřu | |
| US6207962B1 (en) | Charged-particle-beam microlithography apparatus and methods exhibiting reduced thermal deformation of mark-defining member | |
| US20040051055A1 (en) | Adjustment in a MAPPER system | |
| US5650628A (en) | Simultaneous deflections in charged-particle beams | |
| JPH11195590A (ja) | マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 | |
| JPH11195589A (ja) | マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 | |
| JP3126716B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP3218468B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPH09129166A (ja) | 電子銃 | |
| JPH06291025A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPS63197333A (ja) | パタ−ン形成方法及び装置 | |
| KR940007789B1 (ko) | 마스크 제조용 노출 장치 |