CS217241B1 - Způsob výroby anorganické amorfní nebo polykrystalické tenké vrstvy - Google Patents
Způsob výroby anorganické amorfní nebo polykrystalické tenké vrstvy Download PDFInfo
- Publication number
- CS217241B1 CS217241B1 CS451681A CS451681A CS217241B1 CS 217241 B1 CS217241 B1 CS 217241B1 CS 451681 A CS451681 A CS 451681A CS 451681 A CS451681 A CS 451681A CS 217241 B1 CS217241 B1 CS 217241B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- general formula
- range
- amorphous
- nitrogen
- fluorine
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052801 chlorine Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Chemical group 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical group [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical group [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical group [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical group [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Chemical group 0.000 claims description 3
- DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N uranium Chemical group [U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U] DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical group [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004016 SiF2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PTPDWOFGGFBTFH-UHFFFAOYSA-N [O].[Ne] Chemical compound [O].[Ne] PTPDWOFGGFBTFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002140 antimony alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- MGNHOGAVECORPT-UHFFFAOYSA-N difluorosilicon Chemical compound F[Si]F MGNHOGAVECORPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- LDMJFDJYOVHUMJ-UHFFFAOYSA-N stibanylidynesilicon Chemical compound [Sb]#[Si] LDMJFDJYOVHUMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu výroby anorganické tenké amorfní nebo polykrystalické vrstvy nebo soustavy takových vrstev.
V současné svštové technice se při výrobě tenkých anorganických vrstev používá různých postupů, například napařování pevných látek za sníženého tlaku, dále naprašování, s výhodou naprašováni v reaktivní atmosféře, teplotního rozkladu plynných sloučenin a dalších způsobů práce. Nevýhodou takových method je bu3 energetická náročnost nebo/a nutnost práce za vysokých teplot, anebo skutečnost že se jimi získávají jen vrstvy, které mají podřadné fyzikální vlastnosti a nevyhovují kladeným požadavkům. Jsou také známy způsoby výroby hetero—9 přechodů, při kterých se na výchozí látky v uzavřeném prostoru za sníženého tlaku 10 až
300 Pa působí doutnavým výbojem například o frekvenci 13,56 MHz. Tato metoda však bjrla vyřešena a je používána jen pro některé speciální účely.
V současné době se ukázalo jako výhodné a potřebné, aby byl vyřešen způsob výroby tenkých vrstev, které proti známému stavu světové techniky (Sborník 4. Mezinárodního symposia o chemii plasmatu Zurich 1979, Ed. S, Vepřek a J. Hertz) budou mít zlepšené fyzikální vlast nosti, zejména u niohž bude možno měnit hodnoty elektrické vodivosti v širokém rozmezí od hodnot typických pro isolanty až do hodnot odpovídajících supravodičům. Dále jsou potřebné vrstvy, které budou mít požadovanou polohu hrany optické absorbce, popřípadě budou vykazovat vysokou tvrdost a význačnou vzdornost vůči otěru; jsou také zapotřebí látky, kterých bude možno použít jako difusních barier zabraňujících vzájemné difusi materiálů oddělených touto barierou.
Uvedený cíl je splněn vynálezem způsobu výroby anorganické amorfní nebo polykrystalické tenké vrstvy o tloušlce 0,001 až 50 mikrometrů nebo soustavy takových vrstev, působením doutnavého výboje v uzavřeném prostoru za sníženého tlaku na plynné nebo kapalné výchozí látky. Podstatou vynálezu je pracovní postup, při kterém na výchozí látku obecného složeni A + B, A + C nebo A + B + C v němž symbol A představuje látku obecného vzorce XYm kde symbol X značí atom antimonu, molybdenu, niobu, tantalu, thalia, uranu, vanadu, vizmutu nebo wolframu a Y znamená atom fluoru nebo chloru přičemž m je přirozené číslo celé o hodnotě v rozmezí 3 až 6, dále kde symbol B představuje látku obecného vzorce z(KnLQ) v němž K značí atom arsenu, boru, dusíku, fosforu, germania, křemíku, selenu, síry, teluru nebo uhlíku, L znamená atom fluoru, chlor nebo vodík, z, n a o jsou přirozená čísla celá přičemž z má hodnotu v rozmezí 1 až 10, n je rovné 1 až 2 a o se rovná 1 až 4 přičemž skupiny z(KnL0) kde z se rovná 2 až 10 se liSí chemickým složením, dále kde symbol C značí argon, dusík, kyslík neon, vodík nebo směs dvou až pěti těchto látek, se za tlaku 10^ až 500 Pa působí doutnavým výbojem o frekvenci v rozmezí 0 až 10^® Hz.
Vynález je založen na poznatku, že podle zvolených pracovních podmínek mohou být při velmi malé spotřebě elektrické energie libovolně vyrobeny bu3 amorfní nebo polykrystalioké slitiny nebo sloučeniny nekovů s antimonem, molybdenem, niobem, tantalem, thaliem, uranem, vanadem, vizmutem nebo wolframem. Uvedenými kovy mohou být nekovy nebo jejich slitiny také dotovány.
Výhodou postupu je i skutečnost, že ve srovnání s dosud používanými plynným fosforovodíkem PH^ nebo borovodíkem B2 H6 Jsou látky obecného vzorce XYm bezpečnější, a z pracovního hlediska i výhodnější.
Ochranné povlaky mohou být naneseny i na podložky o složitých konstrukčních tvarech, což dosud známými metodami jako například napařováním za sníženého tlaku nebo naprašováním nebylo možno docílit. Ve srovnání s postupem na basi teplotního rozkladu, který byl až dosud používán, má tato metoda výhodu v tom, že je možno použít podložek o podstatně nižší teplotě například 20 a 3°0 °C, což je mnohem méně nežli dřívější teploty ve výši 600 až 1 .000 °C.
Výhody tohoto řešení jsou zřejmé z následujících příkladů provedení, které objasňují podstatu vynálezu, aniž by ho jakýmkoliv způsobem omezovaly.
Příklad 1
Pracuje se v reakčním prostoru o sníženém tlaku, ve kterém se na jedné elektrodě s výhodou na horní neuzemněné anodě o průměru 8 1/2 cm umístí podložky ze skla či kovu, a asi 1 cm pod anodou se umístí druhá elektroda - katoda - o průměru 8 cm. Do reakčního prostoru se přivede směs plynů obsahující silan SiH^ a fluorid antimoničný SbF^ v objemovém poměru SiH^: SbFj rovném 2 až 30, při průtoku udržovaném soustavou čerpadel na hodnotě 1 až 100 stand.cm^/min. s výhodou na hodnotě 2 SCCM. Na katodu se přivede vysokofrekvenční energie o frekvenci 1 až 20 MHz při příkonu 0,5 W/cm . Před zapálením výboje je tlak plynů v reaktoru 10 Pa, při zapálení výboje tlak v reekčním prostoru vzroste asi na 40 Pa. Během reakce se teplota podložek udržuje na teplotě 300 °C, přičemž amorfní slitina křemík-antimon roste rychlostí asi 1,3 mikrony/hod.
Složení vznikající slitiny se řídí poměrem SiH^: SbF^. Po skončení práce se reakční prostor několikrát propláchne argonem a prostor znovu se vyčerpá.
Hodnota elektrické vodivosti slitiny při normální teplotě místnosti a za tmy se mění v rozmezí 10“11 až 10”2 ohmů-1, cm-'’ odpor slitiny je citlivý na světlo, poloha absorpční hrany se posouvá od 650 do 1.200 nanometrů, věe v závislosti na poměru SiH^ ku SbF^.
Příklad 2
Pracuje se stejně jako je uvedeno v příkladu 1, avšak s tou změnou, že namísto-silanu se použije směsi (SiH^ + SiF^) při objemovém poměru SiH^: SiF^ rovném 0,01 až 10. Touto úpravou se usnadní tvorba slitiny a zvýší se účinnost dotování.
Příklad 3
Postupuje se stejně jako v příkladu 1, avšak s tím rozdílem, že namísto silanu a fluoridu antimoničného se použije směsi methanu a fluoridu wolframového WFg. Podložky mají teplotu v rozmezí 0 až 800 °C. Vzniklá slitina obecného vzorce W C o proměnlivých .hodnotách x y x a y se vyznačuje vysokou tvrdostí a vzdorností vůči otěru.
Příklad 4
Za stejných pracovních podmínek jako je uvedeno v příkladu 1 se do reakčního prostoru přivede směs amoniaku, fluoridu niobičného NbF^ a dusíku. Vznikne supravodič NbxNy o proměnlivých hodnotách x a y.
Příklad 5
Za stejných pracovních podmínek jako je uvedeno v příkladu 1 se do reakčního prostoru přivede směs silanu SiH^ a fluoridu niobičného NbF^. Vznikne supravodič Nb^Si.
Příkladě
Pracuje se stejně jako je uvedeno v příkladu 1 s tou změnou, že do reakčního prostoru se přivede směs fluoridu niobičného NbF^ a kyslíku. Vznikne dielektrícká vrstva NbgOj.
Claims (1)
- Způsob výroby anorganické amorfní nebo polykrystalické tenké vrstvy o tloušťce 0,001 až 50 mikrometrů nebo soustavy takových vrstev působením doutnavého výboje v uzavřeném prostoru za sníženého tlaku na plynné nebo kapalné výchozí látky vyznačující se tím, že na výchozí látku obecného složení A + B, A + C nebo A + B + C, v němž symbol A představuje látku obecného vzorce 2Ym kde symbol X značí atom antimonu, molybdenu, niobu, tantalu, thalia, uranu, vanadu, vizmutu nebo wolframu a Y znamená atom fluoru nebo chloru, přičemž m je přirozené číslo celé o hodnotě v rozmezí 3 až 6, dále kde symbol B představuje látku obecného vzorce z(KnL0) v němž K značí atom arsenu, boru, dusíku, fosforu, germania, křemíku, selenu, síry, teluru nebo uhlíku, L znamená atom fluoru, chlor nebo vodík, z, n a o jsou přirozená čísla celá kde z má hodnotu v rozmezí 1 až 10, n je rovné 1 až 2 a o se rovná 1 až 4, přičemž látky obecného vzorce z(K L ) kde z má hodnotu v rozmezí 2 až 10 se od sebe liší chemickým složením, dále kde symbol C značí argon, dusík, kyslík, neon, vodík nebo směs dvou až pěti těchto látek, se za tlaku 10“® až 500 Pa působí doutnavým výbojem o frekvenci v rozmezí 0 až 1θ’° Hz.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS451681A CS217241B1 (cs) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Způsob výroby anorganické amorfní nebo polykrystalické tenké vrstvy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS451681A CS217241B1 (cs) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Způsob výroby anorganické amorfní nebo polykrystalické tenké vrstvy |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS217241B1 true CS217241B1 (cs) | 1982-12-31 |
Family
ID=5388056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS451681A CS217241B1 (cs) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Způsob výroby anorganické amorfní nebo polykrystalické tenké vrstvy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS217241B1 (cs) |
-
1981
- 1981-06-17 CS CS451681A patent/CS217241B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4663183A (en) | Glow discharge method of applying a carbon coating onto a substrate | |
| US4564533A (en) | Method for depositing silicon carbide non-single crystal semiconductor films | |
| US4720395A (en) | Low temperature silicon nitride CVD process | |
| US6518087B1 (en) | Method for manufacturing solar battery | |
| DE3644652C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur | |
| SE457125B (sv) | Fotocellsdon och saett att framstaella detsamma | |
| US4770940A (en) | Glow discharge method of applying a carbon coating onto a substrate and coating applied thereby | |
| IE811099L (en) | Making a photovoltaic panel | |
| JPS5939381B2 (ja) | 透明電導皮膜の形成方法 | |
| EP0230788A1 (en) | Method for preparation of multi-layer structure film | |
| DE69318350T2 (de) | Verfahren zur Herstellung amorpher hydrogenisierter Silikonfilme | |
| KR910000509B1 (ko) | 증진된 증착 속도로의 산화물 층의 광화학적 증착 방법 | |
| KR840002468B1 (ko) | 실리콘 함유층의 제조 공정 | |
| US5492142A (en) | Polycrystalline silicon photovoltaic device | |
| RU2258764C1 (ru) | Способ и устройство для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку | |
| CS217241B1 (cs) | Způsob výroby anorganické amorfní nebo polykrystalické tenké vrstvy | |
| US5221643A (en) | Method for producing polycrystalline semiconductor material by plasma-induced vapor phase deposition using activated hydrogen | |
| US5358755A (en) | Amorphous hydrogenated silicon-carbon alloys and solar cells and other semiconductor devices produced therefrom | |
| Mathur et al. | Vapor deposition of parylene-F using hydrogen as carrier gas | |
| US4609772A (en) | Photovoltaic products and processes | |
| US3194701A (en) | Method for forming p-n junctions on semiconductors | |
| JP2853125B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0267719A (ja) | シリコンカーバイド微結晶薄膜の形成法 | |
| Levy et al. | Growth kinetics and properties of dielectric films synthesized by low pressure chemical vapor deposition from diethylsilane | |
| Heben et al. | Photoluminescence properties of porous silicon |