CS216131B1 - Způsob výroby hybridních integrovaných obvodů s vodivý·! drahami o vysoké vodivosti - Google Patents
Způsob výroby hybridních integrovaných obvodů s vodivý·! drahami o vysoké vodivosti Download PDFInfo
- Publication number
- CS216131B1 CS216131B1 CS781680A CS781680A CS216131B1 CS 216131 B1 CS216131 B1 CS 216131B1 CS 781680 A CS781680 A CS 781680A CS 781680 A CS781680 A CS 781680A CS 216131 B1 CS216131 B1 CS 216131B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- integrated circuits
- hybrid integrated
- conductive
- high conductivity
- titanium
- Prior art date
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Vynález se týká hybridních integrovaných obvodů s vodivými drahami o vysoké vodivosti. Dráhy jsou vytvořeny následujícím způsobem: ne zpracovaný substrát se nanese kovová titanová vrstva, na níž se obnaží fotolltograficky místa vodivých drah, na které se nanese cínovací pájka, načež se titanová manka selektivně odleptá leptadlem o složení 35 % čpavku, 35 % peroxidu vodíku a 30 % vody
Description
Vynález se týká hybridních integrovaných obvodů s vodivými drahami o vysoká vodivosti.
Dráhy jsou vytvořeny odleptáním titanové masky selektivním leptadlem na titan.
Při dosavadním způsobu výroby tenkovrstvých hybridních integrovaných obvodů je nutné u některých obvodů vytvářet vodivé dráhy o vysoké vodivosti. Tohoto způsobu se dociluje tím, že se na vodivou dráhu selektivně galvanicky nanáěí vrstva zlata o síla 2 až 15/i, nebo se používá měděný drátek, který se připájí na kontakty a je veden po druhé straně nosné podložky, která není funkční.
Zmíněná první metoda Je vzhledem k ceně zlata velmi nákladná. Druhá metoda s měděným drátkem je lacinější, ale velmi pracná a zdlouhavá.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje metoda selektivního cínování vodivých drah a pájených kontaktů podle vynálezu, jejíž podstata spočívá v tom, že se na zpracovaný substrát nanese kovová titanová vrstva, na níž se obnaží fotolitograficky místa vodivých drah, na které se nanese cínové pájka, načež se titanová maska selektivně odleptá leptadlem o složení 35 % čpavku, 35 % peroxidu vodíku a 30 % vody.
Vyšší účinek, jehož se použitím předmětu vynálezu docílí, je spatřován ve snížení pracnosti, zrychlení výroby hybridních integrovaných obvodů.
Způsob výroby bude dále podrobněji popsáni Na běžně zpracovaný substrát, který je již i fotolitograficky zpracován, se sendvičem odporových a vodivých materiálů v napařovacím vakuovém zařízení nanese kovová titanová vrstva o síle zhruba 1 000 X. Fotolitografickým způ sobem se obnaží místa vodivých drah, u kterých chceme zvýšit vodivost a zároveň obnažíme i místa pájených kontaktů. Všude na obnažených místech pro cínování bude tenké napařené zlato. Tato místa se obnaží pomocí vyleptání kovové vrstvy titanu jen na žádoucích místech určených fotolitografií. Leptadlo, které odleptává titanovou vrstvu musí být selektivní, aby nedošlo k narušeni zlaté vodivé dráhy, která má být pocínována. Takto připravené substráty se vloží do zásobníku a smočí se ve vaničce s aktivační lázní, kterou je bu5 glykol nebo slabý chlorid železitý. Desky (podložky) se odtud vyjímají a smáčí se v roztavené pájecí lázni asi 5 sekund, kde se na obnažená místa nanese na slabou vrstvičku zlata cínovací pájka.
Po vychladnutí pájky na vodivých drahách se podložky opláchnou v teplé destilované vodě a lihové lázni, čímž se dobře očisti. Po tomto procesu následuje odleptání titanové masky z míst, kde jsou již z předešlých fotolitografických operací zhotoveny vodivé dráhy a odpory. Odleptání musí probíhat v takové lázni, která nám zaručí nepoškození ostatních prvků v pasivní síti. Používá se selektivního leptadla na titan o složení 35 % čpavku, 35 % peroxidu vodíku a 30 % vody.
Claims (1)
- Způsob výroby hybridních integrovaných obvodů s vodivými drahami o vysoké vodivosti, vyznačený tím, že na zpracovaný substrát se nanese kovová titanová vrstva, na níž se obnaží fotolitograficky místa vodivých drah, na které ae nanese cínovací péjke, načež se titanová maska selektivně odleptá leptadlem o složení 35 % čpavku, 35 % peroxidu vodíku a 30 % vody.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS781680A CS216131B1 (cs) | 1980-11-18 | 1980-11-18 | Způsob výroby hybridních integrovaných obvodů s vodivý·! drahami o vysoké vodivosti |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS781680A CS216131B1 (cs) | 1980-11-18 | 1980-11-18 | Způsob výroby hybridních integrovaných obvodů s vodivý·! drahami o vysoké vodivosti |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS216131B1 true CS216131B1 (cs) | 1982-10-29 |
Family
ID=5427985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS781680A CS216131B1 (cs) | 1980-11-18 | 1980-11-18 | Způsob výroby hybridních integrovaných obvodů s vodivý·! drahami o vysoké vodivosti |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS216131B1 (cs) |
-
1980
- 1980-11-18 CS CS781680A patent/CS216131B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3761309A (en) | Ctor components into housings method of producing soft solderable contacts for installing semicondu | |
| US3786172A (en) | Printed circuit board method and apparatus | |
| US3760238A (en) | Fabrication of beam leads | |
| DE19581952B4 (de) | Verfahren zum Entfernen von Metallschichten von einer Pb/Sn-Lötbumps aufweisenden Substratoberfläche | |
| EP0004289B1 (de) | Verfahren zum Verbinden einer ersten integrierten Schaltungsvorrichtung mit einer Anzahl von Verbindungspunkten mit einer zweiten integrierten Schaltungsvorrichtung | |
| CA1042557A (en) | Conduction system for thin film and hybrid integrated circuits | |
| US3997963A (en) | Novel beam-lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam-leads with corresponding dielectric substrate leads | |
| US4032058A (en) | Beam-lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam-leads with corresponding dielectric substrate leads | |
| US4054484A (en) | Method of forming crossover connections | |
| US3625837A (en) | Electroplating solder-bump connectors on microcircuits | |
| EP0176746A1 (de) | Erzeugung von Kupferhöckern für integrierte Schaltungen | |
| JPS63115397A (ja) | 集積回路の修理方法 | |
| US4861640A (en) | Molded circuit board and manufacturing method therefor | |
| JPH069299B2 (ja) | プリント配線板の加工方法 | |
| JPS6255706B2 (cs) | ||
| US3893156A (en) | Novel beam lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam leads with corresponding dielectric substrate leads | |
| US3574012A (en) | Trimetallic masks and method | |
| US3926747A (en) | Selective electrodeposition of gold on electronic devices | |
| US3850711A (en) | Method of forming printed circuit | |
| US3669734A (en) | Method of making electrical connections to a glass-encapsulated semiconductor device | |
| US3883947A (en) | Method of making a thin film electronic circuit unit | |
| CS216131B1 (cs) | Způsob výroby hybridních integrovaných obvodů s vodivý·! drahami o vysoké vodivosti | |
| US4011144A (en) | Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices | |
| US5472735A (en) | Method for forming electrical connection to the inner layers of a multilayer circuit board | |
| JPS6112047A (ja) | 半導体装置の製造方法 |