CS215835B1 - Zapojeni taktovacího obvodu - Google Patents

Abstract

Vynález se týká zapojení taktovacího obvodu s krystalem pracujícím v sériové rezonanci, ze jména pro opakovače systémů s pulsně kódovou modulací — PCM. Pří přenosu PCM signálu dochází k jeho zkreslení, které se projevuje změnou tvaru, amplitudy a časovou nestabilitou přenášených impulsů. Taktovací obvod umožňuje obnovení časové po loby pomocí krystalu, který je buzen sinusovým signálem, vznikajícím v paralelním rezonančním obvodu, buzeným tvarově obnovenými impulsy. Vysoký činitel jakosti krystalu je snížen na požadovanou hodnotu impedancí paralelního rezonančního obvodu přes laděný transformátor, připojený na jeden vývod krystalu a odporem připojeným na druhý vývod krystalu. Amplituda vybuzených tlumených kmitů není závislá na husto tě přicházejícího kódu.

Description

Vynález se týká zapojení taktovaclho obvodu s krystalem pracujícím v sériové rezonanci, zejména pro opakovače systémů s pulsně kódovou modulací.

Při přenosu pulsně kódovou modulací signálu dochází vlivem přenosového prostředí a rušení ke zkreslení přenášeného signálu. Zkreslení se projevuje změnou tvaru, amplitudy a časovou nestabilitou přenášených impulsů. Úkolem opakovače je provést obnovu zkreslených impulsů. Časová poloha impulsů se obnovuje pomocí taktovacího signálu. K jeho získání se používá pasivního paralelního rezonančního obvodu, naladěného na bitovou frekvenci přenášených impulsů, buzeného dvoucestně usměrněnými Impulsy z výstupu korekčních obvodů, které obnovují tvar přicházejících impulsů. Amplituda vybuzených tlumených kmitů na výstupu rezonančního obvodu však kolísá s hustotou přicházejícího kódu. K omezení nežádoucího kolísání je třeba, aby činitel jakosti rezonančního obvodu dosahoval vysokých hodnot, např. v systémech s pulsně kódovou modulací druhého řádu Q 1000.

Známé zapojení s požadovaným činitelem ja kosti využívá k získání taktavacího signálu krystalu, pracujícího v sériové rezonancí, buzeného emitorovým sledovačem dvoucestně usměrněnými impulsy. Vysoký činitel jakosti krystalu Q 100 000 je snížen na požadovanou hodnotu odporem zapojeným do série s krystalem. Nevýhoda je však v tom, že parazitní rezonance, které vykazuje každý krystal, vzrostou ve stejném poměru, jakým byl snížen činitel jakosti krystalu. To je v tomto spojení zvláště nepříznivé, protože impulsní signál budící krystal se skládá z velkého počtu harmonických složek, z nichž některé mohou mít shodnou frekvenci s frekvencí parazitních kmitů krystalu. To má za následek, že napětí na výstupu krystalu má časově proměnné fázové skoky. Navíc se nevhodně uplatňuje jalová složka výstupní impedance tranzistoru budicího krystal, která způsobuje rozladění krystalu tím větší, čím bude nižší mezní kmitočet tran zistoru.

Účelem vynálezu je odstranit uvedené nevýhody. Podstata zapojení takto,vaeího obvodu s krystalem pracujícím v sériové rezonanci podle vynálezu spočívá v tom, že paralelní rezonanční obvod, tvořený kondenzátorem a primárním vinutím laděného transformátoru, je jedním koncem připojen ke kladné svorce zdroje a druhým koncem ke zdroji budicích Impulsů. Jeden konec sekundárního vinutí laděného transformátoru je připojen k zemi a druhý konec je připojen k prvnímu vývodu krystalu. Druhý vývod krystalu je připojen ke vstupu lineárního zesilovače a přes odpor k zemi.

V zapojení taktovaclho obvodu podle vynálezu je krystal buzen sinusovým signálem, což účinně přispívá k potlačení parazitních kmitů krystalu.

Příklad zapojení podle vynálezu je dále popsán pomocí výkresu. Výstup zdroje 1 budicích Impulsů je připojen k primárnímu vinutí Ll laděného transformátoru TR, které s kondenzátorem C tvoří paralelní obvod, naladěný na bito vou frekvenci přenášených Impulsů. Druhý konec paralelního rezonančního obvodu Ll, C je připojen na kladnou svorku +U zdroje. Sekundární vinutí L2 laděného transformátoru TR je připojeno k prvnímu vývodu krystalu X, jehož druhý vývod je připojen ke vstupu lineárního zesilovače 2. Vstup lineárního zesilovače 2 je připojen k zemi přes odpor R.

Impulsy ze zdroje 1 budicích impulsů jsou přivedeny na paralelní rezonanční obvod Ll, C, na kterém vzniká sinusové napětí o frekvenci rovné bitové frekvenci přenášených impulsů. St nusové napětí je přes laděný transformátor TR přivedeno na krystal X, z kterého je přivedeno na vstup lineárního zesilovače 2 s velkou vstupní impedancí. Vstup lineárního zesilovače 2 je uzemněn přes odpor R, jehož velikost se volí tak, aby byl potlačen vliv jalové složky vstupní Impedance lineárního zesilovače 2. Odpor R sníží činitel jakosti krystalu X na hodnotu Q 10 000. Další snížení činitele jakosti je dosaženo impedancí paralelního rezonančního obvodu Ll, C, transformovanou do série s krystalem X ladě ným transformátorem TR. Volbou transformačního převodu, popřípadě změnou činitele jakosti paralelního rezonančního obvodu Ll, C, lze nastavit požadovanou hodnotu činitele jakosti krystalu X. Vzhledem k průběhu impedance paralelního rezonančního obvodu Ll, C, která je v rezonanci maximální, je činitel jakosti krystalu X snížen na požadovanou hodnotu pouze na rezonanční frekvenci. Na ostatních frekvencích včetně parazitních rezonancí je činitel jakosti snížen podstatně méně. Tím se dosáhne, že odstup parazitních kmitů od kmitů hlavní rezonance není snížen, jak je tomu pří snižování činitele jakosti krystalu pouze sériovým odporem. Protože impedance paralelního rezonančního obvodu Ll, C je v rezonanci reálná, nedochází k rozladění rystalu X. .

Claims (1)

1. Zapojeni taktovacího obvodu s krystalem pracujícím v sériové rezonanci, zejména pro opakovače systémů s pulsně kódovou modulací druhého řádu, vyznačené tím, že paralelní rezonanční obvod, tvořený kondenzátorem (C) a primárním vinutím (LI) laděného transformátoru (TRj, je jedním koncem připojen ke kladné svorce (+U) zdroje a druhým koncem ke zdroji (lj

   VYNÁLEZU budicích impulsů, zatímco jeden konec sekundárního vinutí (L2) laděného transformátoru (TR) je připojen k zemi a druhý konec sekundárního vinutí (L2) je připojen k prvnímu vývodu krystalu (Xj, jehož druhý vývod je připojen ke vstupu lineárního zesilovače (2) a přes odpor (R] k zemi.