CS214982B1 - Scintilační detektor - Google Patents

Scintilační detektor Download PDF

Info

Publication number
CS214982B1
CS214982B1 CS751980A CS751980A CS214982B1 CS 214982 B1 CS214982 B1 CS 214982B1 CS 751980 A CS751980 A CS 751980A CS 751980 A CS751980 A CS 751980A CS 214982 B1 CS214982 B1 CS 214982B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
scintillation detector
yttrium aluminum
scanning electron
trivalent cerium
electron microscope
Prior art date
Application number
CS751980A
Other languages
English (en)
Inventor
Rudolf Autrata
Petr Schauer
Josef Kvapil
Jiri Kvapil
Original Assignee
Rudolf Autrata
Petr Schauer
Josef Kvapil
Jiri Kvapil
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rudolf Autrata, Petr Schauer, Josef Kvapil, Jiri Kvapil filed Critical Rudolf Autrata
Priority to CS751980A priority Critical patent/CS214982B1/cs
Publication of CS214982B1 publication Critical patent/CS214982B1/cs

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

Vynález se týká scintilačního detektoru zpětně odražených, sekundárních a Augerových elektronů, zejména v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Scintilační detektor sestává z monokrystalické desky spojené přes světlovod s fotonásobičem. Podstatou vynálezu je monokrystalická deska tvořená z ytrium hliníkového perovskitu, obsahujícího 0,1 až 10 % atomů trojmocného céru, popřípadě ytrium hliníkového granátu, obsahujícího 0,1 až 10 % atomů trojmocného céru. Scintilační detektor je určen zejména pro rastrovací elektronové mikroskopy.

Description

(54) Scintilační detektor
Vynález se týká scintilačního detektoru zpětně odražených, sekundárních a Augerových elektronů, zejména v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Scintilační detektor sestává z monokrystalické desky spojené přes světlovod s fotonásobičem. Podstatou vynálezu je monokrystalická deska tvořená z ytrium hliníkového perovskitu, obsahujícího 0,1 až 10 % atomů trojmocného céru, popřípadě ytrium hliníkového granátu, obsahujícího 0,1 až 10 % atomů trojmocného céru. Scintilační detektor je určen zejména pro rastrovací elektronové mikroskopy.
Vynález se týká scintilačního detektoru zpětně odražených, sekundárních a Augerových elektronů zejména v rastrovacím elektronovém mikroskopu.
V rastrovacím elektronovém mikroskopu se v současné době používá řada scintilátorů, například plastické scintilátory, scintilační skla, drobné monokrystaly pentafosfátu céru, anorganické práškové katodolumlnofory jako křemičitan ytritý aktivovaný cérem, ytrium hliníkový granát aktivovaný cérem apod., které ovšem nesplňují všechny požadavky kladené na detekci signálních elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Plastické scintilátory se vyznačují krátkou životností a nevhodností jejich použití v ultravakuu, scintilační skla mají nízkou radiační účinnost, monokrystal fluoridu vápenatého dlouhou dobu doznívání, monokrystaly pentafosfátu céru jsou dosud velmi malého rozměru a jejich zpracování se přibližuje práškové technologii, anorganické práškové katodoluminofory v současné době nejrozšířenější mají nevýhodu v nižší životnosti, neboť povrch sedimentovaného prášku musí být opatřen organickou blanou pokovenou hliníkem, která při střídání prostředí vakuum-vzduch se mechanicky poškozuje a navíc nepříznivě ovlivňuje čerpací rychlost dosažení ultravakuového prostředí mikroskopu. Ostatní známé scintilátory, zde již dále nejmenované, se pro činnost detektoru v rastrovacím elektronovém mikroskopu nehodí a nepoužívají. Nejrozšířenějším scintilátorem v rastrovacím elektronovém mikroskopu je v současné době prášek křemičitanu ytritého — luminofor P47, používá se i prášek ytrium hliníkového granátu — luminofor P46. Přesto, že oba prášky mají poměrně dobrou radiační účinnost (ηΡ47 = 8; ηΡ46 = 4) a uspokojivé ostatní fyzikální parametry s dobou doznívání luminiscence pod 100 ns, jejich největší nevýhodou je nutnost organické blány na povrchu prášku a s tím spojená menší mechanická odolnost a nižší životnost.
Tyto dosavadní nevýhody odstraňuje scintilační detektor zpětně odražených, sekundárních a Augerových elektronů, jehož podstatou je monokrystalická deska vytvořená z ytrium hliníkového perovskitu, obsahující 0,1 až 10 % atomů trojmocného céru, popřípadě ytrium hliníkového granátu, obsahující 0,1 až 10 % atomů trojmocného céru, která je na vstupním čele opatřena hliníkovou vrstvou a na výstupním čele matově zabroušena.
Hlavní předností je, a vyšší účinek detektoru podle vynálezu spočívá v tom, že dosahuje prakticky maximální životnosti při komplexním zachováni všech požadovaných parametrů při současném zvýšení radiační účinnosti.
Vynález blíže objasní výkres, na kterém je v osovém fezu naznačen sestavený scintilační detektor se světlovodem a fotonásobičem.
Monokrystalická deska 3 rej výhodně ji kruhového tvaru o tloušťce 0,2 až 5 mm a o průměru 0,1 až 25 mm je na vstupním čele 2 pro signální elektrony 10 vyleštěna a opatřena hliníkovou vrstvou 1 o tloušťce 300 až 700 A. Výstupní čelo 4 je matově zabroušeno a je spojeno se světlovodem 5, který je utěsněn kroužkovým těsněním 8 s vakuovou průchodkou 7 a spojen s fotonásobičem 9 pomocí imerzní kapaliny 8. Fotony 11 emitované po dopadu signálních elektronů 10 jsou odráženy hliníkovou vrstvou 1 přeš světlovod 5 směrem k fotonásobičii 9, k němuž směřují fotony 11. Monokrystalická deska 3, tvořená ytriem hliníkového granátu nebo ytriem hliníkového perovskitu, tvoří kompaktní a homogenní materiál, který je možno dále zpracovávat broušením, leštěním do libovolného tvaru. Vstupní čelo 2 se opatří hliníkovou vrstvou 1 napařením ve vakuu. Sestavená monokrystalická deska 3 je netečná vůči jakémukoliv chemickému prostředí a je vhodná pro použití v ultravakuu. Je rovněž určena ve větších tloušťkách pro detekci vysokoenergetických elektronů bez snížení životnosti a bez světelných ztrát vznikajících samoabsorpcí. Její životnost se nesnižuje ani při dopadu elektronů o extrémně vysokých proudových hustotách. Při případné kontaminaci vlivem dopadu elektronů na jeho povrch při zhoršeném vakuu je monokrystalická deska 3 chemicky očištěna, na vstupní čelo 2 napařena nová hliníková vrstva 1 a je znovu zabudována do detektoru. Radiační účinnost η ytrium hliníkového granátu a ytrium hliníkového perovskitu je závislá na technologii přípravy, v níž hraje důležitou roli koncentrace céru a dosahuje obvykle těchto hodnot:
u ytria hliníkového granátu — ηΥΑ0 = 4, u ytria hliníkového perovskitu — ηΥΑΡ = 7, přičemž doby doznívání τ vyhovují televizním frekvencím — tyag = 70 ns — τΥΑΡ = 30 ns
Matované výstupní čelo 4 monokrystallcké desky 3 položené bez optického pojidla na světlovod 5 zlepšuje přestup světla do světlo vodu 5, snižuje světelné ztráty a je výhodné zvláště při použití do ultravakua.
Vzhledem k rozdílné vlnové délce u ytrium hliníkového granátu a ytrium hliníkového perovskitu — 2 yag = 550 nm; λ yap = 370 nm, je nutné přizpůsobit citlivost fotonásohlče 9 podle jeho spektrálního maxima.
Scintilační detektor podle vynálezu je určen zejména pro detekci elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu a v těch zařízeních, v nichž se zachycují informace zprostředkované elektronovým zařízením.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT
    Scintilační detektor zpětně odražených, sekundárních a Augerových elektronů, zejména v rastrovacím elektronovém mikroskopu, tvořený scintilátorem napojeným přes světlovod na fotonásobič, přičemž tento scintilátor sestává z monokrystalické desky na vstupním čele opatřené hliníkovou vrstvou a na výVYNÁLEZU stupním čele matově zabroušené, vyznačený tím, že monokrystalická deska (3) je vytvořena z ytrium hliníkového perovskitu obsahující 0,1 až 10 % atomů trojmocného céru, popřípadě ytrium hliníkového granátu obsahující 0,1 až 10 % atomů trojmocného céru.
CS751980A 1980-11-06 1980-11-06 Scintilační detektor CS214982B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS751980A CS214982B1 (cs) 1980-11-06 1980-11-06 Scintilační detektor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS751980A CS214982B1 (cs) 1980-11-06 1980-11-06 Scintilační detektor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS214982B1 true CS214982B1 (cs) 1982-06-25

Family

ID=5424481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS751980A CS214982B1 (cs) 1980-11-06 1980-11-06 Scintilační detektor

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS214982B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Derenzo et al. Prospects for new inorganic scintillators
US6391434B1 (en) Composite scintillator material and method of manufacture
CN1034101C (zh) 计算机x射线断层照相机
JP4705709B2 (ja) 透明な固体シンチレータ材料
US5360557A (en) Hole-trap-compensated scintillator for computed tomography machine
Martin et al. Scintillator materials for x-ray detectors and beam monitors
Prusa et al. Composition tailoring in Ce-doped multicomponent garnet epitaxial film scintillators
GB2045795A (en) Scintillator and method of producing same
Mori et al. Scintillation and optical properties of Ce-doped YAGG transparent ceramics
US3068359A (en) Scintillator component
JP2016136094A (ja) シンチレータパネル及び放射線検出器
EP0350391A1 (fr) Monocristaux de silicates de lanthanides utilisables comme scintillateurs pour la détection des rayonnements X et gamma
CS214982B1 (cs) Scintilační detektor
JPH04218588A (ja) 単結晶シンチレータ及びそれを用いた地下層探査装置
Martin et al. New High Stopping Power Thin Scintillators Based on ${\rm Lu} _ {2}{\rm O} _ {3} $ and ${\rm Lu} _ {3}{\rm Ga} _ {5-{\rm x}}{\rm In} _ {\rm x}{\rm O} _ {12} $ for High Resolution X-ray Imaging
Kling et al. Scintillation properties of cerium-doped gadolinium-scandium-aluminum garnets
Kamada et al. 2-inch size crystal growth of Ce: Gd 3 Al 2 Ga 3 O 12 with various Ce concentration and their scintillation properties
Philipp et al. Photoelectric Emission from Single-Crystal KI
Graafsma et al. Detectors for synchrotron tomography
Krus et al. Precision linear and two-dimensional scintillation crystal arrays for X-ray and gamma-ray imaging applications
US4246043A (en) Yttrium oxide antireflective coating for solar cells
RU2328755C1 (ru) Способ получения прозрачной керамики и сцинтиллятор на основе этой керамики
Tojo et al. Preparation of thermal neutron scintillators based on a mixture of ZnS (Ag), 6LiF and polyethylene
Kasimova et al. Effect of Ca2+ and Zr4+ co-doping on the optical properties of Gd3Al2Ga3O12: Ce single crystals
Cannell et al. A photomultiplier tube assembly for the detection of low light levels