CS214911B1 - Sposob zviditelnenia akustického pořa v polovodičochpomocou luminiscencie - Google Patents

Sposob zviditelnenia akustického pořa v polovodičochpomocou luminiscencie Download PDF

Info

Publication number
CS214911B1
CS214911B1 CS419779A CS419779A CS214911B1 CS 214911 B1 CS214911 B1 CS 214911B1 CS 419779 A CS419779 A CS 419779A CS 419779 A CS419779 A CS 419779A CS 214911 B1 CS214911 B1 CS 214911B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
acoustic
carriers
luminescence
concentration
field
Prior art date
Application number
CS419779A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Inventor
Ivan Turek
Stanislav Kolnik
Original Assignee
Ivan Turek
Stanislav Kolnik
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ivan Turek, Stanislav Kolnik filed Critical Ivan Turek
Priority to CS419779A priority Critical patent/CS214911B1/cs
Publication of CS214911B1 publication Critical patent/CS214911B1/cs

Links

Landscapes

  • Holo Graphy (AREA)

Description

Vynález sa týká spósobu zviditelneniaakustického póla v polovodičoch pomocouluminiscencie.
Elektrické pole akustickéj vlny v materiá-loch s nenulovým koeficientom elektrome-chanickej vazby vytvára priestorovo-časovérozloženle náboja. Ak je elektrická vodivostmateriálu, v ktorom sa šíři akustická vlnačasové modulovaná synchronně s akustic-kou vlnou, vytvára sa také rozloženie nosi-čov elektrického náboja, že jeho střednáhodnota v čase jednej periody bude závisieťod súradnice, sledujúc priestorovú závislostdeformácie akustickej vlny. Takéto rozlože-nie nosičov náboja bolo navrhnuté použitna vytvorenie záznamu akustickej vlny spó-sobom, ktorý sa dá použit v materiálochs vysokým koeficientom elektrooptickéhojavu a umožňuje optické „čítanie“ záznamuakustickej vlny.
Priestorové rozloženie konceptrácie. nosi-čov náboja vytvořené naznačeným sposo-bom móže byť využité i na zviditelňovanieakustického pol'a s využitím žiarivej rekom-binácie nosičov náboja.
Podstata spósobu zviditefnenia akustické-ho pol'a v polovodičoch pomocou luminis-cencie spočívá v tom, že sa akusto-elektric-ký aktívnou vlnou vo vodivoih maťeriálipriestorove moduluje koncentrácia nosičovnáboja, čím sa pri nerovnovážnej koncen-trácii nosičov náboja zapříčiní priestorovámodulácia žiarivej rekombinácie nosičovnábojae podl'a rozloženia akustického póla. Předpokládejme, že v uvažovanom mate-riáli je elektrická vodivost spósobená dvo-rní druhmi nosičov náboja a že je možnénezávisle regulovat elektrická vodivostsprostredkovanú jedným druhom nosičovnáboja, napr. elektrónmi, nezávisle od vo-divosti spósobenej druhým druhom nosičov,napr. dier, alebo, že je aspoň možné regu-lovat poměr týchto vodivostí. V takom pří-pade je možné napr. vhodnou moduláciouosvetlenia, dosiahnúť toho, že akustickávlna prostredníctvom elektrického pol'a,ktoré vytvoří, vyvolá prúd nosičov, ktoréhodivergencia stredovaná po dobu jednej pe-riody bude funkciou súradnice. To zname-ná, že koncentrácia nosičov nezostane vša-de rovnaká — nosiče náboja sa budú hro-madit v, miestach, v ktorých je rovnaká fá-za časovej deformácie akustickej vlny vočičasovej závislosti modulácie elektrickej vo-divosti. Pokial' dierová vodivost nebude mo-dulovaná, alebo bude modulovaná výraznémenej ako vodivost elektrónová, bude am-plituda priestorového rozloženia koncentrá-cie dier vyvolaná akustickou vlnou analo-gickým sposobom značné menšia ako ampli-túda rozloženia elektrónov.
Ak sa akustická vlna bude šířit v mate-riáli s monopolárnou vodivosťou, tiež zapří-činí rozloženie nosičov náboja. Dosiahne sa přitom také amplitúda rozloženia nosičov,pri ktorej elektrický prúd, vyvolaný elek-trickým polom od náboja vytvořeného pře-rozdělením koncentrácie nosičov a difúznyelektrický prúd, zamedzia další rast ampli-túdy koncentrácie nosičov náboja.
Ak sa akustická vlna bude šířit materiá-lom s dvojnosičovou vodivosťou a časovémodulovaná bude iba elektrická vodivostzapříčiněná jedným druhom nosičov, napr.elektrónmi, akustická vlna bude priamo vy-volávat iba priestorové rozloženie tohtodruhu nosičov náboja. Avšak elektrické polevytvořené rozložením týchto nosičov, ktorév případe monopolárnej vodivosti zastavilodalší rast priestorového rozloženia nosičov,bude rovnako pósobiť na oba druhy nosičovnáboja. V takej miere ako elektrické polerastie a zmenšuje „distribučně“ účinkyakustickej vlny na nosiče, ktorých koncen-< trácia je modulovaná, bude toto pole vy-tvárať prúd druhého druhu nosičov, napr.dier. Tento prúd vytvoří také rozloženiedier, aby sa kompenzovali účinky pofa vy-tvořeného rozložením prvého druhu nosi-čov, t. j. elektrónov. V dósledku toho sa „vy-pne“ mechanizmus obmedzovania rasturozloženia nosičov elektrickým polom. Akomechanizmus obmedzenia rastu bude účin-kovat difúzia nosičov náboja, ktorá pri niepříliš vysokých frekvenciách dovolí značnévyššie amplitúdy rozloženia koncentrácie nosičov náboja.
Ak uvedené rozloženie nosičov nábojavytvoříme v materiáli.v ktorom sú přítomnézáchytné centrá pře elektrony a tiež i zá-chytné centra pre diery, důjde k obsadeniutýchto centier v závislosti od rozloženiakoncentrácie volných elektrónov a dier.Koncentrácia nosičov na týchto centrách jev ustálenom stave úměrná koncentráciivolných nosičov s konstantou úměrnosti zá-vislou od hlbky týchto centier. Velkost tejtokonštanty je tým váčšia, čím váčšia je ča-sová konstanta dosahovania rovnovážnéhoobsadenia týchto centier a móže nadobúdaťhodnoty 104 až 105 pri časovej konstantěrádu milisekúnd.
Akumulácia nosičov náboja zhromažďova-ných akustickou vlnou neprispieva sicek celkovému počtu párov rekombinovanýchza jednotku času, ale umožňuje zvýšit po-diel párov rekombinovaných žiarivo. Zvýše-nie podielu žiarivej rekombinácie je možnépreto, že rýchlym vyprázdněním týchto cen-tier sa na dobu odpovedajúcu době životaprebytočných nosičov, t. j. dobu potrebnú narekombináciu, o niekolko rádov zvýši kon-centrácia volných nosičov. Pri takejto zvý-šenej koncentrácii sa podiel žiarivých pre-chodov móže značné zvýšit až blízko kuhodnotě, ktorá sa dosahuje napr. v luminis-cenčných diodách.

Claims (1)

  1. 3 Pře využitie popísaného javu na zviditel-něme akustického póla pomocou žiarivejrekombinácie může byť dQležité, že maxi-mum koncentrácií oboch druhov nosičov jev tomže mieste. Nastane to vtedy, ked nábo-je jednotlivých druhov nosičov majú opačnéznamienka. Je tomu tak preto, že elektricképolia vytvořené týmito nosičmi sa kompen-zujú tak, že celkové pole je blízké nule. Pre-tože elementárne náboje nosičov sú opačné,musí byť celková koncentrácia jednýchblízka koncentrácií druhých. Keď je elek-trická vodivost spůsobená komplementárny-mi nosičmi, ktoré mQžu navzájom rekombi-novať, pravděpodobnost rekombinácie budeúměrná súčinu koncentrácií oboch druhov nosičov, takže jej maximum musí byť v mies- te spoločného maxima koncentrácií nosičov. O praktickej použitelnosti uvedeného javurozhoduje absolútna hodnota luminiscenč-nej svietivosti pri použitelných podmien-kach a hodnota kontrastu zobrazenia akus-tickej vlny t. j. poměr rozdielu svietivostiv maximě a minime svietivosti a strednejhodnoty svietivosti pri jednotkovej hodnotěamplitúdy akustickej vlny. Uvedenu moduláciu luminiscencie je mož-né použit na zviditeínenie akustického pó-la, čo může mať značný význam pre akus-tická defektoskopiu, resp. akustická holo-grafiu. PREDMET Spósob zviditeínenia akustického pol'av polovodičoch pomocou luminiscencie, vy-značujúcí sa tým, že sa akustoelektricky ak-tívnou vlnou vo vodivom materiáli priesto-rove moduluje koncentrácia nosičov náboja, YNÁLEZU čím sa při nerovnovážnej koncentrácií no-sičov náboja zapříčiní priestorová modulá-cia žiarivej rekombinácie nosičov nábojapodlá rozloženia akustického pol’a.
CS419779A 1979-06-19 1979-06-19 Sposob zviditelnenia akustického pořa v polovodičochpomocou luminiscencie CS214911B1 (sk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS419779A CS214911B1 (sk) 1979-06-19 1979-06-19 Sposob zviditelnenia akustického pořa v polovodičochpomocou luminiscencie

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS419779A CS214911B1 (sk) 1979-06-19 1979-06-19 Sposob zviditelnenia akustického pořa v polovodičochpomocou luminiscencie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS214911B1 true CS214911B1 (sk) 1982-06-25

Family

ID=5384157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS419779A CS214911B1 (sk) 1979-06-19 1979-06-19 Sposob zviditelnenia akustického pořa v polovodičochpomocou luminiscencie

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS214911B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Valentini Non-local correlations in quantum electrodynamics
Fu et al. Cuprophilic interactions in luminescent copper (I) clusters with bridging bis (dicyclohexylphosphino) methane and iodide ligands: spectroscopic and structural investigations
Von der Linde et al. Picosecond correlation effects in the hot luminescence of GaAs
DE69635822D1 (de) Beobachtung von verbindungen mittels elektrochemilumineszenz
US4378496A (en) Current measuring apparatus using light-emitting devices
JPS593360A (ja) 光フアイバ測定装置
DE69712614D1 (de) Magnetische partikel, substrat solche partikel enthaltend, sicherheitsdokument und methode zur erfassung solcher partikel
US2815487A (en) Signal converter
Johnson et al. The discovery of a 3p Rydberg state in benzene by three-photon resonant multiphoton ionization spectroscopy
CS214911B1 (sk) Sposob zviditelnenia akustického pořa v polovodičochpomocou luminiscencie
Henry et al. Resonant Interactions between Localized LO Phonons and Continuum States of Donors in CdS and CdSe
Agarwal et al. Ramsey spectroscopy with nonclassical light sources
Pobedimsky et al. Kinetics of chemical polarisation of 31P nuclei in the reactions of phosphites
JPS57196465A (en) Scanning electron microscope
Padhye et al. A METHOD OF ASSIGNING THE VIBRATION BANDS BY PROGRESSIVE ISOTOPE EXCHANGE
Bolleter et al. Noise correlation and noise reduction in GaAs light-emitting diodes
Janacek Chief parameters of GaP and GaAsP luminescent diodes and survey of methods for measuring them
Kislitsyn et al. ON THE NATURE OF 1IF NOISE IN SEMICONDUCTORS AT HIGH ELECTRIC FIELDS
JPS5525277A (en) Speaker
Freund Thermoluminescence Measurements of Electroluminescent ZnS: Mn Films
Champagnon et al. Addendum Emission spectrum of V3+-αAl2O3
Schwantes Flicker noise in pentodes flicker partition noise
SU660065A1 (ru) Оптоэлектронное множительно-делительное устройство
Bromley Line Interactions in Saturated Masers
GB1319687A (en) Light collecting and detecting apparatus