CS214435B1 - Způsob výroby série difrakčníoh mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry - Google Patents
Způsob výroby série difrakčníoh mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry Download PDFInfo
- Publication number
- CS214435B1 CS214435B1 CS66481A CS66481A CS214435B1 CS 214435 B1 CS214435 B1 CS 214435B1 CS 66481 A CS66481 A CS 66481A CS 66481 A CS66481 A CS 66481A CS 214435 B1 CS214435 B1 CS 214435B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- series
- diffraction gratings
- relief
- parameters
- photoresist
- Prior art date
Links
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
Vynález se týká způsobu výroby serie difrakčníoh mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry. Mřížky vyrobené podle tohoto způsobu mají parametry v žádoucích tolerancích pro využití i ve spektroskopických aplika- ‘ cích. Geometrický rozměr mřížky může být až několik desítek cm^. Maximální hodnota difrakční účinnosti 30 až 33 %.
Description
Vynález ee týká způsobu výroby serie dufrakčníeh mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry.
Velmi kvalitní difrakční mřížky jsou nejen žádoucí ve spektroskopických aplikacích, ale i voptoelektronioe, v řídící, měřící a automatizační technice.
Velká přesnost difrakčních mřížek spočívá na výrobě replik z prvního zhotoveného vzorku mřížky, ať již mechanicky rytého na rycím stroji nebo realizovaného záznamem interferenčních proužků ve světlocitlivé vrstvě. Repliky se dělají v želatinové vrstvě. Nevýhoda replik vytvořených v želatinové vrstvě je poměrně nízká časová stabilita těchto mřížek, vlivem dehydratace dochází k smršťování vrstvy a tím ke změně důležitých parametrů mřížky.
Protože u difrakčních mřížek především pro spektroskopické aplikace a v optoelektronice je perioda řádu mikrometru nebo několikrát ještě nižší, je technologický proces replik značně náročný, mají-li být dodrženy parametry v požadovaných tolerancích (prostorová frekvence, difrakční účinnost, nízký rozptyl).
Výroba ryté difrakční mřížky o ploše několika desítek plošných centimetrů s periodou okolo 1 /am trvá až týden a proto se hledají a zkoumají nové hmoty a technologické způsoby pro výrobu replik z prvního rytého vzorku.
Nové možnosti se naskýtají při realizaci difrakčních mřížek záznamem interferenčních proužků do fotorezistů. Doba potřebná k výrobě mřížek je řádově jen několik desítek minut a co je nejpodstatnější, není tato doba závislá na velikosti a periodě mřížky.
Každá mřížka je originální. To však znamená, že podstatné parametry vyrobených mřížek (geometrický rozměr, prostorové frekvence, rozptyl, difrakční účinnost) musí být reprodukovatelné v požadovaných tolerancích. Největší potíže jsou s dodržením maximální hodnoty difrakční účinnosti, u které je přípustná maximální změna do 10 %. Tento náročný parametr je prakticky nemožná dodržet u všech vyrobených mřížek, nebot existuje v složitém technologickém procesu mnoho jevů, které ovlivňují amplitudu sinusového reliéfu a tedy i difrakční účinnost. Působí zde především historie fotorezistové vrstvy, kolísání výkonu laseru při expozici, změna teploty vývojky a nepřesnost v dodržení doby vyvolání vzorku ve vývojce.
Výše uvedené nevýhody nemá způsob výroby serie difrakčních mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se vytvoří amplituda sinusového reliéfu nejvýše o 50 % větší než optimální, určí se skutečná amplituda z měření difrakční účinnosti v závislosti na vlnové délce a pak se stanoví pro mřížku režim tepelného zpracování v rozmezí 20 až 130 °C a době- zkracování do 60 minut, s výhodou 30 minut, ke zmenšení amplitudy reliéfu na optimální hodnotu.
Výhodou tohoto způsobu je, že každá vyrobená mřížka má reprodukovatelné parametry, geometrický rozměr, prostorovou frekvenci, nízký rozptyl, ale i difrakční účinnost, a to maximální hodnotu 30 % až 33 %.
214 435
Na obr. 1 je uvedena závislost relativního zmenšení amplitudy sinusového reliéfu mřížek na teplotě tepelného zpracování, přičemž doba tepelného zpracování je 30 minut.
Předmět vynálezu byl ověřen na dvou sériích difrakčních mřížek v pozitivním fotorezistu SCR 11 a prostorovou frekvencí 600 Sář/mm.
Na obr. 2 jsou graficky zobrazeny difrakční účinnosti pro vlnovou délku 254 nm na teplotě při tepelném zpracování pro různé výchozí, počáteční amplitudy sinusového reliéfu. Z obr. 2 je zřejmé, že lze zmenšit amplitudu reliéfu až 6 50 %, a to na konkrétním případu z 54 nm na 36 nm, pro kterou pak difrakční účinnost nabývá maximální hodnotu 33 %.
Claims (1)
- Způsob výroby serie difrakčních mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry vyznačující se tím, že se vytvoří amplituda sinusového reliéfu nejvýše o 50 % větší než optimální, určí ae skutečná amplituda z měření difrakční účinnosti v závislosti na vlnové délce a pak se stanoví pro mřížku režim tepelného zpracování v rozmezí 20 až 130 °C a době zpracování do 60 minut, s výhodou 30 minut, ke zmenšení amplitudy reliéfu na optimální hodnotu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS66481A CS214435B1 (cs) | 1981-01-30 | 1981-01-30 | Způsob výroby série difrakčníoh mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS66481A CS214435B1 (cs) | 1981-01-30 | 1981-01-30 | Způsob výroby série difrakčníoh mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS214435B1 true CS214435B1 (cs) | 1982-04-09 |
Family
ID=5339179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS66481A CS214435B1 (cs) | 1981-01-30 | 1981-01-30 | Způsob výroby série difrakčníoh mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS214435B1 (cs) |
-
1981
- 1981-01-30 CS CS66481A patent/CS214435B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4402571A (en) | Method for producing a surface relief pattern | |
| CA2227493C (en) | Writing gratings | |
| Dockney et al. | Fibre Bragg gratings fabricated using a wavelength tuneable laser source and a phase mask based interferometer | |
| EP0271002A2 (en) | Transmittance modulation photomask, process for producing the same and process for producing diffraction grating | |
| EP2383589B1 (en) | Optical component | |
| CN111781672B (zh) | 一种二维单芯光纤光栅及其刻写方法 | |
| WO2025091809A1 (zh) | 折射率调制的多级相移光栅结构、制备方法及光耦合器 | |
| Marotz | Holographic storage in sensitized polymethyl methacrylate blocks | |
| CS214435B1 (cs) | Způsob výroby série difrakčníoh mřížek se sinusovým reliéfem v pozitivním fotorezistu SCR 11 s reprodukovatelnými parametry | |
| US4208637A (en) | Tunable optical device | |
| GB2079536A (en) | Process for producing an optical network | |
| RU2084010C1 (ru) | Способ изготовления дифракционного оптического элемента | |
| JPH03238454A (ja) | 干渉露光用マスクの製造方法 | |
| JPH0456284B2 (cs) | ||
| RU2137163C1 (ru) | Светофильтр оптического излучения переменной плотности | |
| JPS5633621A (en) | Directional high cut space frequency filter | |
| KR100392054B1 (ko) | 대면적의 홀로그래픽 확산판 제조 방법 | |
| CN111999888B (zh) | 一种基于光致聚合物浓度扩散模型优化材料折射率调制度和衍射效率的方法 | |
| ATE326020T1 (de) | Verfahren zur ausnutzung scheibenförmigen ausgangsmaterials bei der herstellung optoelektronischer bauelemente mit gittern variabler gitterperiode | |
| CN114994937B (zh) | 一种全息防伪图制作装置及制作方法 | |
| JPS6338106A (ja) | モアレ格子製作法 | |
| Ginesu et al. | Improvements in moiré-holographic gratings for structural analysis | |
| GILBREATH-FRANDSEN et al. | Method for holographic correction of beams of coherent light(Patent) | |
| Stepanov et al. | Method for preparing photoresist grating masks | |
| JPS63217249A (ja) | モアレ格子製作法 |