CS214261B1 - Keramický substrát pro mikrovlnné integrované obvody - Google Patents

Keramický substrát pro mikrovlnné integrované obvody Download PDF

Info

Publication number
CS214261B1
CS214261B1 CS628380A CS628380A CS214261B1 CS 214261 B1 CS214261 B1 CS 214261B1 CS 628380 A CS628380 A CS 628380A CS 628380 A CS628380 A CS 628380A CS 214261 B1 CS214261 B1 CS 214261B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
crystals
integrated circuits
alumina
substrate
ceramic substrate
Prior art date
Application number
CS628380A
Other languages
English (en)
Inventor
Stanislav Chylek
Milan Drevikovsky
Zdenek Hanzlicek
Vlastimil Koukal
Hilda Sudova
Original Assignee
Stanislav Chylek
Milan Drevikovsky
Zdenek Hanzlicek
Vlastimil Koukal
Hilda Sudova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanislav Chylek, Milan Drevikovsky, Zdenek Hanzlicek, Vlastimil Koukal, Hilda Sudova filed Critical Stanislav Chylek
Priority to CS628380A priority Critical patent/CS214261B1/cs
Publication of CS214261B1 publication Critical patent/CS214261B1/cs

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

Vynález se týká oboru elektrotechnické keramiky a řeší problém výroby keramického substrátu,,tj. deskové podložky používané přo mikrovlnné integrované obvody, pracujících při mikrovlnných frekvencích. Keramický substrát podle vynálezu sestává z izometrických krystalů alfaoxidu hlinitého obsahujících alespoň 99,4 % kysličníku hlinitého a obsahuje 0,5 až 2,5 obj. % uzavřené porozity, přičemž krystaly, které vytváří jednu plochu funkční substrátu mají střední velikost nejvýše 1 /im a výškový rtel.iéf této plochy je tvořen přirozenými krystalovými plochami zmíněných krystalů.· tak, že střední hodnota Ra, kterou je střední aritmetická*odchylka od střední čáry reliéfu, je nejvýše 0,05 ^m. Vynálezu může být využito pro zhotovování mikrovlnných integrovaných obvodů, používaných v miniaturních mikrovlnných zařízeních .

Description

Vynález se týká keramického substrátu,'deskovíté podložky, pro integrované obvody, pracující při mikrovlnných frekvencích.
Integrované obvody, pracující při mikrovlnných frekvencích se mohou vyrábět na podložkách ze speciálních skel, z monokrystalu safíru, případně z jiných materiálů. V poslední době se pokládají ze nejvýhodnější slinuté keramické substráty ze zcela bezporézního průsvitného polykrystalického korundu, zhotovované keramickou technologií. Tyto substráty se dokončují vysokoteplotním výpalem ve vodíkové atmosféře, což má za následek, že korundové krystaly, které vytvá řeji slinutou hmotu sbustrátu narůstají ďo rozměrů několika desítekyirn. Takto vzniklý přirozený povrch substrátu je v podstatě nerovný, což je dáno velikosti povrchových krystalů a jejich reliéfem. Proto je třeba tyto sbustráty dokončovat obroušením a pečlivým vyleštěním povrchové vrstvy. Broušení a leštěni tvrdého korundového materiálu je obtížné a enormně nákladné, takže tyto podložky, substráty, jsou velmi drahé, a proto jejich použití je omezeno jen na mimořádně náročné případy, kdy cena obvodu není významná. Dále je přirozenou vlastností všech keramických materiálů, že obsahují byt i malý podíl uzavřených pórů, které se obroušením povrchové vrstvy odkrývají a vytvářej i vady na obroušeném povrchu, které vážně komplikují vytváření jemných funkčních motivů na povrchu substrátů a vážně snižuje výtěžnost při výrobě obvodů.
Jsou též známy keramické substráty na bázi oxidu hlinitého s přirozeným povrchem a menší velikostí zrna, nežli výše uvedené průsvitné leštěné substráty, ale tyto substráty mají buďto nižší obsah oxidu hlinitého a nepřijatelně vysoké dielektrické ztráty, anebo nejkvalitnější z nich nemají dostatečně hladký.a kvalitní funkční povrch a navíc obsah uzavřených pórů je natolik proměnný, že z toho vyplývající rozptyl dielektrických parametrů je velký a zejména rozptyl permitivity neumožňuje vytváření dostatečně jakostních mikrovlnných integrovaných obvodů.
Uvedené nedostatky odstraňuje keramický substrát pro mikrovlnné integrované obvody podle vynálezu, jehož podstatá spočívá v tom, že sestává z izometrických krystalů alfa - oxidu hlinitého obsahujících alespoň 99,4 % kysličníku zlinitého a obsahuje 0,5 až 2,5 objemového % uzavřené porozity, přičemž krystaly vytvářející jednu funkční plochu substrátu mají střední velikost nejvýše 1yum a výškový reliéf této plochy je tvořen přirozenými krystalovými plochami zmíněných krystalů tak, že střední hodnota Ra, jíž je střední aritmetická odchylka od střední čáry profilu, je nejvýše 0,05/im.
Výhodou substrátu podle vynálezu je zejména hladký, uniformní, jemně krystalický povrch bez prohlubní, důlů a dírek, který umožňuje zhotovení obvodů s celistvými liniemi, bez přerušení a poškození obvodu, způsobených zpravidla dírkami a dalšími poruchami povrchu. Další výhodou tohoto substrátu je velmi malý rozptyl permitivity, související s malým vymezeným podílem uzavřené porozitosti. Dalšími výhodami jsou velká mechanická pevnost související s jemnozrniiou strukturou substrátu, malé dielektrické ztráty. Konečně další výhodou předmětného substrátu jsou oproti dosavadním substrátům z oxidu hlinitého významně nižší výrobní náklady, ježto zcela odpadá nutnost brousit a leštit funkční povrch substrátu.
Příklad
Z práškové keramické hmoty, sestávající z 99,0 % kysličníku hlinitého, 0,12 % kysličníku ho214261 řečnatého a 0,08 % kysličníku chromitého byly keramickými výrobními postupy zhotoveny substrá ty o rozměru 50 x 50 x 0,63 mm. Substráty byly vypáleny při relativně nízké teplotě 1 490 °C a po výpalu byl přirozený povrch těchto substrátů ponechán bez dalších úprav, takže sestával z přirozených krystalových ploch krystalů alfa - oxidu hlinitého. Měřením bylo zjištěno, že substráty mají objemovou hmotnost 3,94 g/cm a že tato hodnota se u jednotlivých substrátů ne 3 liší a to o více jak plus nebo minus 0,01 g/cm , takže substráty mají uzavřenou porozitu přibližně 0,75 až 1,25 objemových %. Dále strukturní měření prokázala, že obě funkční plochy substrátu sestávají z izometrických krystalů alfa - oxidu hlinitého o střední velikosti 0,77 jam. Hladkost povrchu byla změřena dotykovým měřičem drsnosti s diamantovým hrotem typ Hommletester T 100 a nalezená hodnota Ra = 0,03/Um· b° hodnoty drsnosti jsou zahrnuty nerovnosti o maximální délce vlny 0,025 mm. Při frekvenci 10 GHz byla zjištěna relativní permitivita
9,80 a odchylky u jednotlivých substrátů představovaly nejvýše plus nebo minus 1,45 této - -4 hodnoty. Ztrátový činitel tg delta byl při stejne frekvenci 1,3.10 . Funkční povrchy substra tú byly bez viditelných dírek, prohlubní a jiných vad zasahujících pod ideální rovinu povrchu. Na těchto substrátech byly zhotoveny vzorky integrovaných obvodů, pracujících při mikrovlnných frekvencích, Výtěžnost při zhotovení obvodů byla vyšší nežli u srovnávací serie dosavadních substrátů z oxidu hlinitého s leštěným povrchem, přičemž funkční vlastnosti obvodů by ly zcela srovnatelné.
Keramické substráty podle vynálezu jsou vhodné a výhodné pro zhotovování mikrovlnných integrovaných obvodů, používaných v miniaturních mikrovlnných zařízení.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Keramický substrát pro mikrovlnné integrované obvody na bázi oxidu hlinitého vyznačený tím, že sestává z izometrických krystalů alfa - oxidu hlinitého obsahujících alespoň 99,4 % kysličníku hlinitého a obsahuje 0,5 až 2,5 obj. % uzavřené porozity, přičemž krystaly vytvářející alespoň jednu funkční plochu substrátu mají střední velikost nejvýše 1 um a výškový reliéf této plochy je tvořen přirozenými krystalovými plochami zmíněných krystalů tak, že střední hodnota Ra, jíž je střední aritmetická odchylka od střední čáry profilu, je nejvýše 0,05 /im.
CS628380A 1980-09-17 1980-09-17 Keramický substrát pro mikrovlnné integrované obvody CS214261B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS628380A CS214261B1 (cs) 1980-09-17 1980-09-17 Keramický substrát pro mikrovlnné integrované obvody

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS628380A CS214261B1 (cs) 1980-09-17 1980-09-17 Keramický substrát pro mikrovlnné integrované obvody

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS214261B1 true CS214261B1 (cs) 1982-04-09

Family

ID=5409520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS628380A CS214261B1 (cs) 1980-09-17 1980-09-17 Keramický substrát pro mikrovlnné integrované obvody

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS214261B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0857702B1 (en) Method for producing ceramic substrate
EP0495536B1 (en) Vitrified grinding wheel
KR101168863B1 (ko) 착색 세라믹 진공 척 및 그 제조 방법
CZ285488B6 (cs) Brusný kotouč na bázi sol-gel alumina se zlepšenou odolností hran
US4660114A (en) Thin film magnetic heads and substrates therefore
KR100961629B1 (ko) 세라믹 및 이의 제조방법
EP2930751B1 (en) Handle substrate for compound substrate for use with semiconductor
CZ295464B6 (cs) Abrazivní brusný kotouč a keramické pojivo
CN109415266B (zh) 一种介质陶瓷材料及其制备方法
US4678762A (en) Very smooth and flat polycrystalline alumina substrates from direct firing
Brandon et al. Control of texture in monolithic alumina
JP3394251B2 (ja) 平滑な表面を有するセラミックを製造する方法
US5108958A (en) Ceramic composite for electronic applications
JP3256112B2 (ja) セラミックスグリーンシートおよびそれを用いたセラミックス基板の製造方法
CS214261B1 (cs) Keramický substrát pro mikrovlnné integrované obvody
KR20110133120A (ko) 이층기공구조를 가지는 진공척용 다공성 세라믹 소재 및 이의 제조방법
Salzman et al. Magnetorheological finishing with chemically modified fluids for studying material removal of single-crystal ZnS
JP4934695B2 (ja) コージェライト成形体及びその製造方法
Jyomura et al. Effects of the lapped surface layers on the dielectric properties of ferroelectric ceramics
US5213878A (en) Ceramic composite for electronic applications
CN115745577B (zh) 一种超薄低温烧结陶瓷基板的制备方法
JPH11130545A (ja) 機能性セラミック部品の焼成用治具及びその製造方法
JPH11130546A (ja) 機能性セラミック部品の焼成用治具及びその製造方法
Laguna A production polishing process for thin PLZT wafers
Kulkarni et al. Preparation and Properties of Alumina Substrates for Electronic Applications