CS207285B1 - Method of making the polycrystallic scintillator - Google Patents
Method of making the polycrystallic scintillator Download PDFInfo
- Publication number
- CS207285B1 CS207285B1 CS384779A CS384779A CS207285B1 CS 207285 B1 CS207285 B1 CS 207285B1 CS 384779 A CS384779 A CS 384779A CS 384779 A CS384779 A CS 384779A CS 207285 B1 CS207285 B1 CS 207285B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- temperature
- cylinder
- polycrystalline
- scintillator
- blank
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000012364 cultivation method Methods 0.000 description 1
- 238000012258 culturing Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu výroby polykrystalického scintilátoru pomocí programovaného tepelného zpracování, které následuje po plastické deformaci monokrystalu.The invention relates to a process for the production of a polycrystalline scintillator by means of a programmed heat treatment following a plastic deformation of the single crystal.
Jsou známy způsoby kultivace scintilačních krystalů alkalických halogenidů tažením na zárodku nebo kelímkovými metodami. Při těchto způsobech se vychází z orientovaného zárodku a požadovaným výsledkem je poměrně homogenní monokrystal. Metody kultivace jsou zvláště u velkorozměrových krystalů náročné časově i pokud jde o technické vybavení. Největší dosažitelné rozměry takto získaných scintilačních krystalů jsou omezeny rozměry kelímků a pecí a ztráty materiálu při obrábění na požadovaný tvar jsou značné. Monokrystalické velkorozměrové scintilátory jsou kromě toho velmi citlivé na mechanické i tepelné rázy a snadno praskají podle ploch dokonalé štěpnosti.Methods for culturing alkali halide scintillation crystals by seed-drawing or crucible methods are known. These methods start from an oriented nucleation and the desired result is a relatively homogeneous single crystal. The cultivation methods are particularly time-consuming and technical in particular for large-size crystals. The largest achievable dimensions of the scintillation crystals thus obtained are limited to the dimensions of the crucibles and furnaces and the material loss during machining to the desired shape is considerable. In addition, monocrystalline large-scale scintillators are very sensitive to mechanical and thermal shocks and easily crack according to areas of perfect cleavage.
Je však známo, že vyhovující optické vlastnosti má i polykrystalický materiál složený z množství náhodně krystalograficky orientovaných bloků, při zachování dokonalého optického kontaktu mezi jednotlivými bloky, pokud jde o látku opticky izotropní.However, it is known that polycrystalline material composed of a plurality of randomly crystallographically oriented blocks has satisfactory optical properties, while maintaining perfect optical contact between the individual blocks with respect to the optically isotropic substance.
Krystaly alkalických halogenidů po ohřevu na teplotu blízkou bodu tání lze plasticky deformovat. Po ochlazení však takto deformované krystaly v důsledku značného mechanického pnutí zpravidla praskají, eventuálně se rozpadnou na jednotlivé části. Luminiscenční vlastnosti scintilačních krystalů alkalických halogenidů se již po mírné plastické deformaci prudce zhoršují.The alkali halide crystals can be plastically deformed after heating to a temperature near the melting point. After cooling, however, such deformed crystals usually burst due to considerable mechanical stress or eventually disintegrate into individual parts. The luminescence properties of alkali halide scintillation crystals deteriorate sharply after slight plastic deformation.
Tyto nedostatky odstraňuje způsob výroby polykrystalického scintilátoru podle vynálezu. Výchozím scintilačním materiálem rozumíme aktivovaný alkalický halogeňid, který byl získán krystalizací z taveniny ve formě libovolného geometrického tvaru — ingotu — s vnitřní monokrystalickou nebo polykrystalickou texturou. Tento ingot je plasticky deformován. Podstatou vynálezu je způsob převedení výchozího plasticky deformovaného polotovaru programovým tepelným zpracováním na polykrystalický agregát zhruba izometrických, angulámích krystalových bloků, které spolu těsně souvisejí. Plasticky deformovaný polotovar se žíhá při konstantní teplotě nižší než je bod tání a vyšší než je teplota tváření daného materiálu, přičemž dochází v objemu plasticky přetvořeného polotovaru k rekrystalizaci a rovnoměrnému uvolnění mechanického pnutí. Následuje postupné pozvolné snižování teploty vyžíhaného polotovaru. Původně homogenní materiál se přemění na soudržný agregát i náhodně orientovaných, vzájemně těsně souvisejících bloků. Velikost těchto bloků a tím i vlastnosti scintilátoru lze přitom ovlivňovat dobou trváníThese drawbacks are overcome by the process for producing the polycrystalline scintillator according to the invention. By starting scintillation material we mean activated alkali halide, which was obtained by melt crystallization in the form of any geometric shape - ingot - with internal monocrystalline or polycrystalline texture. This ingot is plastically deformed. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method for converting a preformed plastically deformed blank by programmatic heat treatment into a polycrystalline aggregate of approximately isometric, angular crystal blocks that are closely related. The plastically deformed blank is annealed at a constant temperature below the melting point and above the forming temperature of the material, recrystallizing and uniformly releasing the mechanical stress in the volume of the plastically deformed blank. The temperature of the annealed blank gradually decreases gradually. Originally homogeneous material is transformed into a cohesive aggregate of randomly oriented, closely related blocks. The size of these blocks and hence the properties of the scintillator can be influenced by the duration
ného tepelného zpracování.heat treatment.
Takto vzniklý polykrystalický agregát je opticky t.j. ekvivalentní monokrystalu, má srovnatelné scintilační vlastnosti a předčí monokrystal odolností proti nárazům, vibracím a tepelným šokům.The polycrystalline aggregate thus formed is optically i.e. equivalent to a single crystal, has comparable scintillation properties, and surpasses the single crystal with shock, vibration and thermal shock resistance.
Způsob výroby polykrystalického scintilátoru podle vynálezu umožňuje s výhodou vyrobit polykrystalické scintilátory v podobě desek, tyčí i jiných libovolných geometrických tvarů, jejichž rozměry přesahují rozměry krystalů připravovaných ostatními známými metodami. Zároveň při tomto způsobu výroby jsou podstatně menší ztráty materiálu při opracování, protože při tváření lze polotovar zhotovit přesně podle požadovaných rozměrů s minimálním přídavkem na obrobení.The process for producing a polycrystalline scintillator according to the invention makes it possible advantageously to produce polycrystalline scintillators in the form of plates, rods and other arbitrary geometric shapes whose dimensions exceed those of the crystals prepared by other known methods. At the same time, in this method of manufacture, the material loss during machining is considerably reduced, since during forming the blank can be manufactured exactly to the desired dimensions with a minimum machining allowance.
Luminiscenční vlastnosti scintilátorů tvořených polykrystalickým agregátem jsou stejné nebo lepší než u výchozího scintilaěního materiálu.The luminescent properties of the polycrystalline aggregate scintillators are equal to or better than the starting scintillation material.
Způsob výroby polykrystalického scintilátoruProcess for producing a polycrystalline scintillator
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS384779A CS207285B1 (en) | 1979-06-04 | 1979-06-04 | Method of making the polycrystallic scintillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS384779A CS207285B1 (en) | 1979-06-04 | 1979-06-04 | Method of making the polycrystallic scintillator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS207285B1 true CS207285B1 (en) | 1981-07-31 |
Family
ID=5379771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS384779A CS207285B1 (en) | 1979-06-04 | 1979-06-04 | Method of making the polycrystallic scintillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS207285B1 (en) |
-
1979
- 1979-06-04 CS CS384779A patent/CS207285B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5633732B2 (en) | Sapphire single crystal manufacturing method and sapphire single crystal manufacturing apparatus | |
| US20090120351A1 (en) | Method for Growing Single Crystals of Metals | |
| CN103952759B (en) | The built-in Bridgman-Stockbarger method of calandria is prepared method and the device of calcium fluoride crystal | |
| US4096025A (en) | Method of orienting seed crystals in a melt, and product obtained thereby | |
| US4840699A (en) | Gallium arsenide crystal growth | |
| JP2016121264A (en) | Phosphor and method for producing the same | |
| CS207285B1 (en) | Method of making the polycrystallic scintillator | |
| CN110453283A (en) | Mould and method for growing and sealing sapphire tube by capping-type seeding guided mode method | |
| US5322591A (en) | Hydrothermal growth on non-linear optical crystals | |
| KR101530349B1 (en) | The insulation structure for a sapphire single crystal growth | |
| CN209890761U (en) | Preparation device of cerium-doped lanthanum bromide | |
| CN1283852C (en) | Method for growing gadolinium silicate scintillation crystal | |
| CN110468451A (en) | A kind of mold and method for EFG technique growth end seal sapphire pipe | |
| JP3128173B2 (en) | Method and apparatus for producing bismuth germanate single crystal | |
| CN106757353A (en) | The growing method of bismuth germanate single crystal | |
| CN101377014A (en) | Method for preparing large size lithium tetraborate piezoelectric crystal | |
| RU168533U1 (en) | INSTALLATION FOR GROWING SINGLE CRYSTALS | |
| CN111549376A (en) | Cerium-doped lanthanum bromide scintillation crystal and growth method thereof | |
| KR20190075411A (en) | Crucible Member Capable of Removing Lineage Defect, Apparatus and Method for Growing Sapphire Single Crystal of High Quality Using the Same | |
| RU1503355C (en) | Stepanov's method of seeding in profile corundum monocrystal growing | |
| RU2555901C1 (en) | Method of obtaining scintillation monocrystals based on lanthanum bromide | |
| CN101831712A (en) | Crystal annealing device in growth furnace | |
| CN110685013A (en) | Antimonide crystal growth device and method | |
| RU2791643C1 (en) | Method for growing germanium or silicon single crystals and a device for its implementation | |
| Jin et al. | Growth of undoped GaAs single crystal by pulling-down method |