CS205948B1 - Způsob výroby tlustovrstvých resistorů z kademnatého skla a kysličníku kademnatého - Google Patents
Způsob výroby tlustovrstvých resistorů z kademnatého skla a kysličníku kademnatého Download PDFInfo
- Publication number
- CS205948B1 CS205948B1 CS345779A CS345779A CS205948B1 CS 205948 B1 CS205948 B1 CS 205948B1 CS 345779 A CS345779 A CS 345779A CS 345779 A CS345779 A CS 345779A CS 205948 B1 CS205948 B1 CS 205948B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- oxide
- cadmium
- weight
- glass
- traces
- Prior art date
Links
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 15
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 14
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 title claims description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 9
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010970 precious metal Chemical class 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJNWFXHIJHRCDT-UHFFFAOYSA-N OS(O)=O.OS(=O)OS(O)=O Chemical compound OS(O)=O.OS(=O)OS(O)=O HJNWFXHIJHRCDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- ITLSAFKGEXPVLB-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[Cd++].[Cd++] ITLSAFKGEXPVLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- -1 di-lead di-lead (II) Chemical compound 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- CSABAZBYIWDIDE-UHFFFAOYSA-N sulfino hydrogen sulfite Chemical compound OS(=O)OS(O)=O CSABAZBYIWDIDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu výroby tlustovrstvých resistorů z kademnatého skla a kysličníku kademnatého.
Stabilní tlustovrstvé resistory pro mikroelektroniku se vyrábějí většinou z jemně mletých složek obsahujících olovnatá skla s vysokým obsahem kysličníku olovnatého a sloučenin drahých kovů: platiny, paladia, ruthenia, zlata apod. Vlastnosti takto připravených resistorů plně vyhovují pro hromadné použití pro mikroelektroniku, avšak vlastní směs pro sítotiskovou pastu je velmi drahá s ohledem na obsah drahých kovů. Dosud nebyla plně vyřešena výroba tlustovrstvých resistorů na bázi levných kovů nebo polovodičů, případně při použití minimálního přídavku drahých kovů. Při hromadném použití levných kovů jsou předpoklady podstatně snížit jak cenu potřebných sítotiskových past, tak i ušetřit drahé kovy. Základním problémem, kíterý nebyl dosud uspokojivě vyřešen, je výběr a příprava vhodného skla a polovodivé sloučeniny. Dále je nutno vyřešit vhodný způsob výroby levného tlustovrstvé205948 ho resistorů pro hromadnou výrobu hybridních integrovaných obvodů pro mikroelektroniku.
Tuto problematiku řeší podle vynálezu způsob výroby tlustovrstvých resistorů z kademnatého skla a kysličníku kademnatého. Jeho podstata spočívá v tom, že se odporová pasta, jejíž pevná složka, tvořící 30 až 95 % hmotnosti této pasty, je tvořena směsí, obsahující 30 až 98 % hmotnosti jemně rozemletého skla, smíšeného v molárnim poměru z 5 až 60 °/o kysličníku olovnatého PbO, 1 až 50 % kysličníku boritého B2O3, 2 až 60 % kysličníku kademnatého CdO, 1 až 50 % kysličníku barnetého BaO a stopového množství až 5 % kysličníku měďnatého CuO a/nebo stopového množství až 10 % kysličníku hlinitého A12O3 a/nebo stopového množství až 10 % kysličníku sodného Na2O a/nebo stopového množství až 10 % kysličníku vizmutitého Bi2O3 a/nebo stopového množství až 10 % kysličníku křemičitého SiO2, a dále 1 až 60 % hmotnosti práškového kysličníku kademnatého CdO, a jejíž zbytek, tj. 5 až 70 % celkové hmotnosti i pasty, tvoří vhodné sítotiskové médium, naj nese sítotiskovou technikou na podložku a po vysušení při teplotě 20 až 200 °C se vypálí při teplotě v oblasti 500 až 850 °C. Dále je možno do pevné složky odporové pasty přidat alespoň jednu sloučeninu ruthenia ve formě jemného prášku v množství 0,1, až 15 % · celkově hmotnosti pevné složky odporové pasty. Podle dalšího význaků je možno zhotovené tlustovrstvé resistory ještě dodatečně zahřívat při teplotě 160 až 450 °C po dobu 5 minut až 30 hodin. Konečně podle posledního význaků vynálezu je možno sklo před smíšením s práškovým kysličníkem kademnatým CdO a alespoň jednou sloučeninou ruthenia ve formě jemného prášku přetavit při teplotě od 550 do 680 °C a ve vakuu.
Způsob podle vynálezu umožňuje vhodný způsob výroby levného tlustovrstvého resistoru pro hromadnou výrobu zejména tím, ! že při vlastním stavování uvedených směsí na podložce dochází k částečnému rozpouštění vodivých částeček — kysličníku kademj natého — v kademnatém skle á tím i k jejich lepšímu propojování do elektricky vodivých řetězců. Rovněž příměsi sloučenin ruthenia přispívají u některých odporových hmot k tvorbě výhodných vodivých oblastí v tlustovrstvých resistorech.
Způsob podle vynálezu je dále blíže popsán na několika příkladech provedení.
! Příklad 1
Skleněná frita o molárním složení 30 % kysličníku olovnatého PbO, 15,5 % kysličníku barnatého BaO, 26 % kysličníku kademnatého CdO, 23 % kysličníku boritého B2O3, 5 % kysličníku sodného Na2O a 0,5 % kysličníku vizmutitého Bi2O3 se rozdrtí a rozemele na částice o rozměru pod 10 μπι. Tento i prášek se smísí s práškovým kysličníkem ka-. demnatým CdO o rozměrech částic pod 5 μΐη. Hmotnostní poměr obou složek je 70 % mletého skla a 30 % kysličníku kademnatého CdO.
Připravená směs obou prášků se dobře ? smísí se sítotiskovým mediem, které obsahuje 10 % hmotnosti ethylcelulosy a 90 % hmotnosti terpineolu na odporovou pastu obsahující 70 % hmotnosti práškové směsi a 30 % hmotnosti media.
Odporová pasta se nanese na keramické
2Π5 948 korundové destičky, opatřené stříbrnými nebo zlatými elektrodami. Nanášení se provádí sítotiskovou technikou. Nanesené vrstvy na keramické destičce se po vysušení na teplotě 150 °C po dobu 5 až 10 minut vypálí na teplotě 700 °C po dobu 10 minut. Vypálené odporové vrstvy o rozměrech 4X2 mm a tloušťce kolem 10 μΐη mají elektrický odpor kň ± 10 %. Pro zvýšení teplotní stability odporu se vrstvy dodatečně temperují při teplotě 220 °C po dobu 2 až 5 hodin. Teplotní součinitel odporu vrstev je —500 · 10-6 “C-1 a změna odporu za dobu 1000 hodin při teplotě 120 °C je+0,5 %.
[ Příklad 2
Skleněná frita o molárním složení 20 % kysličníku olovnatého PbO, 25 % kysličníku boritého B2O3, 35 °/o kysličníku kademnatého CdO, 16,5 % kysličníku barnetého BaO, 0,5 % kysličníku vizmutitého Bi2O3, 1,5 % kysličníku křemičitého SiO2, 1,5 % kysličníku hlinitého A12O3 se rozdrtí a umele na částice o rozměrech pod 10 μηι. Tato skleněná frita se smísí s práškovým kysličníkem kademnatým CdO o rozměrech částic pod μΐη a s práškovým dirutheničitanem diolovnatým Pb2Ru2O6 o rozměrech částic pod 1 μΐη. Hmotnostní poměr uvedených složek je 80 % mletého skla, 16 °/o kysličníku kademnatého CdO a 4 % dirutheničitanu dioolovnatého Pb2Ru2O6.
Připravená směs těchto prášků se dobře smísí se sítotiskovým mediem, které obsahuje 10 % hmotnosti ethylcelulosy a 90 % hmotnosti terpineolu, na odporovou pastu obsahující 66 % hmotnosti práškové směsi a 34 % hmotnosti media. Odporová pasta se nanese na keramické korundové destičky opatřené stříbrnými nebo zlatými elektrodami. Nanášení se provádí sítotiskovou technikou. Nanesené vrstvy na keramických destičkách se po vysušení na teplotě 150 °C po dobu 5 až 10 minut vypálí na teplotě 700 °C po dobu 15 minut. Vypálené vrstvy o rozměrech 4X2 mm a tloušťce 10 μπι mají hodnotu elektrického odporu 20 kQ ±10 °/o, teplotní součinitel odporu je —4 · 10_G °C_1.
Příklad 3
Skleněná frita o složení uvedeném v příkladu 2 se smísí s práškovým kysličníkem kademnatým CdO o rozměrech částic pod μηι a s práškovým kysličníkem rutheniči; tým RuO2 o rozměrech částic pod 0,2 μπι. i Hmotnostní poměr uvedených složek je ί 80 % mletého skla, 15 °/o kysličníku kai demnatého CdO a 5 % kysličníku rutheni; čitého RuO2. Příprava odporové pasty a naí tištění odporových vrstev se provede stejným způsobem jako v příkladě 2. Vysůšené vrstvy še vypálí na teplotě 720 °C po dobu 15 minut. Vypálené vrstvy o rozměrech 4X2 mm a tloušťce 10 μπι mají hodnotu elektrického odporu 500 Ω ± 10 %, teplotní součinitel odporu je +40 · 10~6 °C_1.
Příklad 4
Skleněná frita o molárnim složení 20 % kysličníku olovnatého PbO, 25 % kysličníku boritého B2O3, 35 % kysličníku kademnatého CdO, 16,5 % kysličníku barnatého BaO, 3 % kysličníku sodného Na2 O a 0,5 % kysličníku vizmutitého Bi2O3 se rozdrtí a umele na částice o rozměru pod 10 μηι. Toto umleté sklo se smísí s práškovým kysličníkem kademnatým CdO o rozměrech částic pod 5 pm a práškovým dirutheničitanem divizmutitým Bi2Ru2O7 o rozměrech částic pod 0,2 μηι. Hmotnostní poměr uvedených složek je 80 % mletého skla, 15,4 % kysličníku kademnatého CdO a 4,6 % dirutheničitanu divizmutitého Bi2Ru2O7. Příprava odporové pasty a odporových vrstev se provede způsobem popsaným v příkladě 2. Vysušené vrstvy se vypálí při teplotě 730 °C po dobu 15 minut. Vypálené vrstvy o rozměrech 4X2 mm a tloušťce 10 μιη mají hodnotu elektrického odporu 5 kQ ± 10 %, teplotní součinitel odporu je —50 · 10-6 °C“1, změna odporu při teplotě 120 °C za dobu 1000 hodin je to +50 °/o.
Příklad 5
Skleněná frita o složení uvedeném v příkladu 2 se přetaví při teplotě 600 °C a ve vakuu při tlaku zbytkových plynů 1,3 Pa po dobu 15 minut. Po rozemletí přetaveného skla na částice o rozměrech pod 10 μπι se připraví odporová pasta s poměrem jednotlivých složek podle příkladu 1. Nanesené a vysušené vrstvy se vypálí při teplotě 700 °C po dobu 10 minut Vypálené odporové vrstvy o rozměrech 4X2 milimetry a tloušťce kolem 10 μπι mají elektric2Π5 948 ký odpor 20 ΚΩ ± 10 % a teplotní součinitel -500 · 10“6 “C1.
Takto připravené resistory jsou stabilní až do teplot nejméně 640 °C.
Claims (4)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU1. Způsob výroby tlustovrstvých resistorů z kademnatého skla a kysličníku kademnatého vyznačený tím, že se odporová pasta, jejíž pevná složka, tvořící 30 až 95 % hmotnosti této pasty, je tvořena směsí, obsahující 30 až 98 % hmotnosti jemně rozemletého skla, zahrnujícího v molární koncentraci 5 až 60 % kysličníku olovnatého PbO, 1 až 50 % kysličníku boritého B2O3, 2 až 60 % kysličníku kademnatého CdO, 1 až 50 % kysličníku barnatého BaO a alespoň jeden ze skupiny kysličníků zahrnující kysličník měďnatý, hlinitý, sodný, vizmutitý a křemičitý v molární koncentraci stopy až 5 % kysličníku měďnatého CuO, stopy až 10 % kysličníku hlinitého A12O3, stopy až 10 % kysličníku sodného Na2O, stopy až 10 % kysličníku vizmutitého Bi2O3 a stopy až 10 % kysličníku křemičitého SiO2, a dále obsahující 1 až 60 % hmotnosti práškového kysličníku kademnatého CdO, a jejíž zbytek, tj. 5 až 70 % hmotnosti pasty, tvoří sítotiskové me; dium, nanese sítotiskovou technikou na podložku a po vysušení při teplotě 20 až 200 °C se vypálí při teplotě v oblasti 500 až 850 °C.
- 2. Způsob výroby tlustovrstvých resistorů podle bodu 1 vyznačený tím, že se ke směsi rozemletého skla a kysličníku kademnatého CdO přidá alespoň jedna sloučenina ruthenia ve formě jemného prášku v množství 0,1 až 15 % celkové hmotnosti pevné složky odporové pasty.
- 3. Způsob výroby tlustovrstvých resistorů podle bodu 1 vyznačený tím, že se zhotovené tlustovrstvé resistory ještě dodatečně zahřívají při teplotě 160 až 450 °C po dobu 5 minut až 30 hodin.
- 4. Způsob výroby tlustovrstvých resistorů podle bodů 1 a 2 vyznačený tím, že se sklo před smíšením s práškovým kysličníkem kademnatým CdO a alespoň jednou sloučeninou ruthenia ve formě jemného prášku přetaví při teplotě od 550 do 680 °C a ve vakuu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS345779A CS205948B1 (cs) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Způsob výroby tlustovrstvých resistorů z kademnatého skla a kysličníku kademnatého |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS345779A CS205948B1 (cs) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Způsob výroby tlustovrstvých resistorů z kademnatého skla a kysličníku kademnatého |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS205948B1 true CS205948B1 (cs) | 1981-05-29 |
Family
ID=5374686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS345779A CS205948B1 (cs) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Způsob výroby tlustovrstvých resistorů z kademnatého skla a kysličníku kademnatého |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS205948B1 (cs) |
-
1979
- 1979-05-18 CS CS345779A patent/CS205948B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970008549B1 (ko) | 높은 열 사이클 접착력 및 노화 접착력을 위한 은 풍부 전도체 조성물 | |
| US3682840A (en) | Electrical resistor containing lead ruthenate | |
| JPH0728128B2 (ja) | セラミック多層配線基板とその製造方法 | |
| EP0304309A1 (en) | Thick film copper conductor inks | |
| US4160227A (en) | Thermistor composition and thick film thermistor | |
| JPS6038802B2 (ja) | 電気抵抗器およびその製造 | |
| US4316920A (en) | Thick film resistor circuits | |
| US5637261A (en) | Aluminum nitride-compatible thick-film binder glass and thick-film paste composition | |
| US4587040A (en) | Thick film thermistor composition | |
| EP1377986B1 (en) | The use of conductor compositions in electronic circuits | |
| US4481261A (en) | Blister-resistant dielectric | |
| US3951672A (en) | Glass frit containing lead ruthenate or lead iridate in relatively uniform dispersion and method to produce same | |
| US6037045A (en) | Thick-film paste and ceramic circuit substrate using the same | |
| CS205948B1 (cs) | Způsob výroby tlustovrstvých resistorů z kademnatého skla a kysličníku kademnatého | |
| KR100668548B1 (ko) | 전도체 조성물 및 그의 용도 | |
| US5120473A (en) | Metallizing composition for use with ceramics | |
| KR100535851B1 (ko) | 전도체 조성물 | |
| US5011530A (en) | Metallizing composition for use with ceramics | |
| RU2052850C1 (ru) | Диэлектрическая паста | |
| JPH1083717A (ja) | 導電性組成物 | |
| JP2004006846A (ja) | セラミック基板、およびその製造方法 | |
| JPH0534311B2 (cs) | ||
| JPH0346706A (ja) | 銅ペースト | |
| JPH0368485B2 (cs) | ||
| PL160358B1 (pl) | Sposób wytwarzania lutownych kontaktowych warstw metalicznych Sn-Pb-Ag na ceramicznych krawedziach rezystorów warstwowych strukturowych sluzacych zwlaszcza do montazu powierzchniowego PL |