CS205171B1 - Plant for anodic oxidation of semi-conducting material in the elektrolyte,sutable for forming of thin layers of silicon dioxide - Google Patents
Plant for anodic oxidation of semi-conducting material in the elektrolyte,sutable for forming of thin layers of silicon dioxide Download PDFInfo
- Publication number
- CS205171B1 CS205171B1 CS257779A CS257779A CS205171B1 CS 205171 B1 CS205171 B1 CS 205171B1 CS 257779 A CS257779 A CS 257779A CS 257779 A CS257779 A CS 257779A CS 205171 B1 CS205171 B1 CS 205171B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- semiconductor material
- electrolyte
- sample
- anodic oxidation
- thin layers
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
popis vynálezu
REPUBLIKA
<1” K AUTORSKÉMU OSVEDČENIU
(61) (23) Výstavná priorita (22) Přihlášené 17 04 78 (21) FV 2577-79 205 171 (Π) (Bl) (Sl)IntCL C 25 0 11/02
ÚŘAD PRO VYNÁLEZY
A OBJEVY (40) Zverejnené 30 05 80 (45) Vydané 01 07 83 (75)
Autor vynálezu KINDER RUDOLF in£« á CSABAY DTTO doc«ín££«CSc$,BRATISLAVA (54) Zariadenie na anodickú oxidáciu polovodičového materiálu v elektrolyte, vhodné na vytváranie tenkých vrstiev oxidukremíka
Vynález se týká zariadenia na anodickú oxidáciu polovodičového materiálu v elektro-lyte, vhodného na rovnoměrné a reprodukovateínévytváranie tenkých vrstiev oxidu kromiks.Ide o jednu z operácií při zistfovaní rozloženia příměsí v polovodičových materiálech. V súčasnej době zariadenia na anodickú oxidáciu polovodičového materiálu nerieáiakomplexně otázku vplyvov, ktoré sposobujú nerovnoměrnost a nereprodukcvatelnost^ hrůbkyvytvářených oxidovaných vrstiev. Sú to změna složehia elektrolytu po niekoíkonásobnejoxidácií vzorky polovodičového materiálu,nedostatečné zabezpečenie odvedu tepla r,o vzor»ky a nutnosť vyberat* vzorku po každej oxidácii z držiaka.
Uvedené nevýhody odstraňuje zariadenie podlá vynálezu,, ktorého podstata spočíváv tom, že pozostáva zo sklenenej nádoby tvaru valca s dvojitou stěnou, ktorej vonkajšiačasť je opatřená prítokom a odtokom kvapaliny z termostatu, vnútorné část* jednak katodo-vou elektrodou, dalej vtokom a výtokom, ktoré sú připojené na uzatvorený vankajéí okruh,cirkulujúceho elektrolytu, tvořený v podstatě pomocnou nádobou, jednak držiakom,vzorkypolovodičového materiálu, v ktorom je upravená plastová skrutka, kontakt tvaru dutéhovalca, vzorky polovodičového materiálu, elektricky spojený s anodovým přívodem a opatře-ný chladiacemi vývodmi, pričom držiak,vzorky polovodičového materiálu je opatřený prvýmtěsněním a vzorka polovodičového materiálu je opatřená druhým těsněním .
Cirkuláciou elektrolytu v uzavretom vonkajšom okruhu, ktorého objem je podstatnévačší, ako objem cirkulujúceho elektrolytu v pracovnej časti zariadenia, sa vyrieSilproblém změny zloženia elektrolytu po niekoťkonásobnej oxidácii. Zariadením podlá vy-nálezu sa konstrukčně vyriesilo chladenie vzorky polovodičového materiálu a uťahčllasa manipulácia so vzorkou, ktorú netřeba zakaždým vyberat' z držiaka, ak sa napr.zisťuje 205171 2 205 171 celý prefil přinesl polovodičového materiálu ponocou viacnásobnej oxidácie a leptaniaoxidu.
Na připojeném výkrese je schematicky znázorněný příklad vyhotovenia zariadenia podťavynálezu so znázorněným elektrických okruhov.
Zariadenia podťa vynálezu pozostáva ze sklenenej nádoby 2 tvaru valca s dvojitou stě-nou. Venkajšia časť nádoby 1 je opatřená přítokem 15 a odtokem 16 kvapaliny z termostatulP.Vnútorná časť nádoby 1 je opatřená katodovou elektrodou 8 a dálej vtokom 10 a výtokem11 cirkulujúceho elektrolytu 14, ktorý cirkuluje v uzatvorenom vonkajšom okruhu tvorenomv podstatě pomocnou nádobou 17, v ktorej je umiestnené i čerpadlo 18. Vo vnútornej časti,nádoby 1 je umiestnený aj držiak 2 vzorky 5 polovodičového materiálu, v ktorom je uprave-ná plastová skrutka 3 a kontakt 4 tvoru dutého valca vzorky 5 polovodičového materiálu,ktorý je elektricky spojený o' anodovým privodom 9 a opatřený chladiacimi vývodmi 12, 13.Držiak 2 vzorky 5 polovodičávého materiálu je opatřený prvým lesnením 6 a samotná vzorka5 polovodičového materiálu je opatřená druhým těsněním 7.
Na katédovú elektrodu 8 a anodový přívod 8 sa pripája zdroj 21 konštantného jednosmo-rového prúdu cez napitový kompgrátor 22. ktorým sa nastaví veťkosf napatla medzi katodovouelektrodou 8 a anodovým přívodem 9, meraná připojeným voltmetrom 23. židdaná hrúbka oxi-dové j vrstvy na vzerke 5 polovodičového materiálu sa odčítá z kalibračnej křivky zariade-nia, která pre dané zariadenia, zloženie a teplotu elektrolytu 14, ako aj osvetlenie vzor-ky 5 polovodičového materiálu, slúžiaoe na generáciu dier u polovodičových materiálov ty-pu N, udává roláciu medzi hrúbkeu vytvořeného oxidu a velkosťou nastaveného napitia.
Konštantná teplota elektrolytu 14 sa zabezpečuje dvojitou.stěnou nádoby 1 a uzatvo-reným vomkajiim okruhem tvořeným v podstatě pomocnou nádobou 17 s cirkulujúcim elektro-lytem 14, který sa temperuje kvapalinou z termostatu 19. Elektrolyt 14 sa přečerpává vuzatvorenom venkajiem okruhu tvorenom v podstatě pomocnou nádobou 17, čerpadlom 18.
Odvádzanie tepla, které vzniká pri tvoření oxidu na vzorke 5 polovodičového materiá-lu, z^bezpečujú chladiace vývody 12, 13 kontaktu 4 , spojené se zdrojem chladiacej kvapa-liny.
Oxidovaná plocha vzorky 5 polovodičového materiálu je vymedzená druhým těsněním 7.
Zariadenia pedťa vynálezu konstrukčně vyriešilo otázku manipulácie vzorkou 5 polo-vodičového materiálu, ktorú netřeba vyberať z držiaka 2, ak ju chceme niekoíkokrát oxi-dovat a leptat', napr. pri zisťovaní celého profilu příměsí polovodičového materiálu.
Vzorka 5 polovodičového materiálu nože byt* opatřená elektrickými meracími kontaktmi 20,na meranie měrného elektrického odporu materiálu.
Zariadenia podťa vynálezu sa dá využiť ako kontrolná metoda v proseno výroby polovo-dičových súčiastok a integrovaných obvodov. S výhodou sa dá uplatnit* pri zisťování rozlo-ženi a primasi implantovyných vrstiev v kromíku, protože umožňuje reprodukovatelne získat'velmi tenké oxidové vrstvy.
Claims (4)
- 3 20S 171 PREDMET VYNÁLEZU1. Zariadenie na anodická oxdáciu polovodičového materiálu v elektrolyte, vhodné na vytváranie tenkých vrstiev oxidu kremlka, s nútenou cirkuláciou a vyhrievaním elektro-lytu pomocou kvapalinového termostatu a možnostou osvetlenia polovodičového materiálu,vyznačujúce sa tým, že pozostáva zo sklenenej nádoby (1) tvaru valea s dvojitou stěnou,ktorej vonkajšia časť je opatřená prltokom (15) a odtokom (16) kvapaliny z termostatu (19), vnútorná časť jednak katodovou elektrodou (8), ďalej vtokom (16) a výtokom (11),ktoré sú připojené na uzatvorený vonkajftl okruh cirkulujúceho elektrolytu (14), tvořenýv podstatě pomocnou nádobou (17), jednak držiakom (2) vzorky (5) polovodičového materiá-lu, v ktorom je upravená plastová skrutka (3), kontakt (4), tvaru dutého valea vzorky (5),polovodičového materiálu, elektricky spojený s anodovým prívodom (9) a opatřený chladiace-mi vývodmi (12, 13), pričom držiak (2) vzorky (5) polovodičového materiálu je opatřenýprvým těsněním (6) a vzorka (5) polovodičového materiálu je opatřená druhým těsněním (7),
- 2. Zariadenie podlá bodu 1 vyznačujúce sa tým, že objem olrkulujúceho elektrolytu(14) v uzatvorenom vonkajšom okruhu tvorenom v podstatě pomocnou nádobou (17) je podstat-né vačéí, ako objem cirkulujúceho elektrolytu (14) vo vnútornej časti sklenenej nádoby (1)
- 3. Zariadenie podl'a bodu 1 vyznačujúce sa tým, že vzorka (5) polovodičového materiá-lu je opatřená elektrickými meracimi kontaktmi (20).
- 4. Zariadenie podlá bodu 1 vyznačujúce sa tým, že katodová elektroda (8) a anodovýprivod (9) sú spojené jednak so zdrojom (21) konštatntného jednosměrného prúdu cez na-pSťový komparátor (22), jednak s voltmetrom (23). 1 výkres
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS257779A CS205171B1 (en) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | Plant for anodic oxidation of semi-conducting material in the elektrolyte,sutable for forming of thin layers of silicon dioxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS257779A CS205171B1 (en) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | Plant for anodic oxidation of semi-conducting material in the elektrolyte,sutable for forming of thin layers of silicon dioxide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS205171B1 true CS205171B1 (en) | 1981-05-29 |
Family
ID=5363289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS257779A CS205171B1 (en) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | Plant for anodic oxidation of semi-conducting material in the elektrolyte,sutable for forming of thin layers of silicon dioxide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS205171B1 (cs) |
-
1979
- 1979-04-17 CS CS257779A patent/CS205171B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Darling | Conductivity of sulfuric acid solutions. | |
| US4338157A (en) | Method for forming electrical connecting lines by monitoring the etch rate during wet etching | |
| Davis et al. | Spatially resolved temperature measurements in electrophoresis capillaries by Raman thermometry | |
| US5728289A (en) | Sensor cell holder for gas analyzer | |
| US3471390A (en) | Alumina concentration meter | |
| CS205171B1 (en) | Plant for anodic oxidation of semi-conducting material in the elektrolyte,sutable for forming of thin layers of silicon dioxide | |
| Bello et al. | Prediction of current—voltage dependence and electrochemical calibration for capillary zone electrophoresis | |
| KR900002112B1 (ko) | 열처리제의 냉각성능의 평가방법 및 평가장치 | |
| US4865461A (en) | Apparatus for use in determining a thermal characteristic of a specimen | |
| US3262051A (en) | Method and apparatus for determining and controlling the concentration of nitric acidin a solution containing the same | |
| CN210269702U (zh) | 一种可控温的电化学测试电解池 | |
| SU1006987A1 (ru) | Ячейка дл измерени удельного электросопротивлени расплавов | |
| JPH0567063B2 (cs) | ||
| US3106085A (en) | Measurement of thermal conductivity | |
| SE7706789L (sv) | Forfarande och anordning for bestemning av kritiska temperaturer for korrosion | |
| US6620309B2 (en) | Method for monitoring aluminum electrolytic cells | |
| JPS57206839A (en) | Measuring apparatus for heat capacity | |
| KR100378869B1 (ko) | 자동화된 고온 전기전도도/산소분압 측정장치 | |
| SU1189888A1 (ru) | Способ определени момента прогрева твердого тела | |
| SU1420548A1 (ru) | Способ измерени удельного сопротивлени | |
| SU620879A1 (ru) | Способ определени энергии активации полимерных превращений в металлах | |
| KR19990041116A (ko) | 반도체 웨이퍼의 면저항 측정 수단을 갖는 어닐링 장비 | |
| Marshall | An apparatus for measuring the coefficient of thermal conductivity of solids and liquids | |
| KR920000153Y1 (ko) | 수용액의 전도도 측정구 | |
| Nakafuku et al. | New pressure calibration technique of manganin gauge by microthermal analysis of mercury |