CS204387B1 - Process for preparing ruby with increased content of anionic lattice vacancies - Google Patents

Process for preparing ruby with increased content of anionic lattice vacancies Download PDF

Info

Publication number
CS204387B1
CS204387B1 CS769078A CS769078A CS204387B1 CS 204387 B1 CS204387 B1 CS 204387B1 CS 769078 A CS769078 A CS 769078A CS 769078 A CS769078 A CS 769078A CS 204387 B1 CS204387 B1 CS 204387B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
volume
ruby
increased content
hydrogen
weight
Prior art date
Application number
CS769078A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Inventor
Jiri Kvapil
Josef Kvapil
Bohumil Perner
Vaclav Smisek
Zdenek Vitamvas
Original Assignee
Jiri Kvapil
Josef Kvapil
Bohumil Perner
Vaclav Smisek
Zdenek Vitamvas
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Kvapil, Josef Kvapil, Bohumil Perner, Vaclav Smisek, Zdenek Vitamvas filed Critical Jiri Kvapil
Priority to CS769078A priority Critical patent/CS204387B1/cs
Publication of CS204387B1 publication Critical patent/CS204387B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu přípravy rubínů s význačnými fyzikálními vlastnostmi při zvýšeném obsahu aniontových vakancí, vhodného pro některé běžně užívané druhy detekce ionizujícího záření.
Interakce záření s pevnými’ látkami lze využívat k detekci tohoto záření. V mnohá případech se jedná o vznik barevných center, vyvolaných přechodem elektronu z iontů do aniontové vakance, případně na redukovatelný iont. Změna absorpce vyvolaná přítomností elektronu na příklad v místě vakance je úměrná pohlcené dávce záření a může být využita k měření této dávky. Vedle prostého měření absorpce ozářené látky lze využít také obráceného přechodu elektronu na iont, kde byl původně vázán. Elektron uvolněný zahřátím nebo světlem o vlnové délce odpovídající absorpčním pásům látky přitom přechází vodivostním pásem, takže se na přechodnou dobu zvýší elektrická vodivost látky. Této tzv. fotovodivosti lze využít k měření absorbované dávky záření. Konečně při přechodu elektronu z vpdivostního pásu zpět na don orový iont, nejlépe barevný kationt, se část energie vyzáří jiako luminiscenční záření charakteristické pro tento kationt. Jeho množství je opět úměrné absorbované dávce záření. Uvolnění elektronu z místa, na které přešel při ozáření, Se provádí zahřátím. Tento termoluminiscenční jev je pro jednoduchost jedním z nejdůležitějších způsobů detekce ionizujícího záření. Mezi pevnými látkami, vhodnými pro detekci záření, zaujímá významné místo korund s příměsí ohromu, tedy rubín a to proto, že jde o látku s vysokým bodem tání, která teprve při teplotách nad 900 °C projevuje prvé známky plastické deformace a tím i nežádoucí nereprodukovatelné změny dozimetričkých vlastností. Jako donor elektronu při ozáření slouží v tomto případě ionty chrómu, respektive kyslíkový aniont z jejich blízkosti a dále ionty chrómu vykazují silnou luminiscenci, takže mohou být využity pro luminiscenční dozimetrii. V rubínu připravovaném běžnými způsoby je však relativně nízká koncentrace aniontových vakancí, takže elektron přecházející z donoru se zachycuje buď na méně vhodném akčeptoru nebo jen v omezené míře, což Způsobuje obtížnost vyhodnocování á maloucitlivost dozimetru. ·
Tyto nedostatky lze odstranit způsobem přípravy rubínu se zvýšeným obsahem aniontovýčh vakancí podle tohoto vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že korundu s příměsí 0,001 až 0,5 % hmotnostních iontů chrómu a případně další příměsí 0,001 až 0,3 % hmotnostních iontů alkalického kovu nebo/a ele204387 mentární nebo ve sloučeninách vázané síry, krystalizuje z taveniny, která je ve styku s atmosférou obsahující 2 až 98 % objemových vodní páry, 98 ~až 2.% objemová volného kyslíku a případně 1 až 75 % objemových vzácného plynu jako argonu, načež se zahřívá v atmosféře obsahující 25 až 100 % objemových vodíku po dobu čtvrt až 30 hodin při teplotě 1100 až 2000 °C.
Krystalizaci pod atmosférou obsahující volný kyslík a vodní páru se jednak některé znečišťující ionty převádějí alespoň přechodně do vyššího mocenství a část kyslíkových aniontů je nahrazena ionty hydroxilovými. Při následujícím působení vodíku se hydroxilové ionty odstraní a příměsi, pokud jsou v méně stabilním vyšším mocenství, redukují a to za dalšího úbytku kyslíkových aniontů O2' případně hydroxilových iontů OH-. Tím se vytvoří zvýšená koncentrace aniontových vakancí, přičemž tento stav je stabilizován neutrálním vodíkem, který pravděpodobně obsahuje volné kationtové vakance. Tvorba hydroxilových iontů OH a následná tvorba aniontových vakancí se zvýší, probíhá-li krystalizace v prostředí, kde přenos elektrického náboje je usnadněn přítomností snadno ionizovatelných příměsí, například 0,001 až 0,3 % hmotnostních alkalického- kovu ve výchozím kysličníku hlinitém, případně 1 až 75 % objemovými vzácného plynu v použité atmosféře, která je ve styku s krystalizující taveninou. Rovněž přídavek 0,001 až 0,3 % hmotnostních elementární nebo ve sloučeninách vázané síry ve výchozí surovině působí příznivě, protože se její část váže v rubínovém krystalu jako kationt, načež zahříváním ve vodíku se tato síra odstraní jako sirovodík H2S, přičemž se odstraní i příslušný počet kyslíkových aniontů za vzniku vakancí.
Monokrystaly rubínu připravené způsobem podle tohoto vynálezu obsahují zvýšené množství aniontových vakancí, což představuje značnou kapacitu pro zachycování elektronů, které se vhodným ozářením krystalu dostanou do jeho vodivostního pásu. To umožňuje využít uvedených krystalů nejen v dozimetrii, ale i v jiných odvětvích. Například monokrystaly laserového rubínu, připravené způsobem podle vynálezu, vynikají mimořádnou odolností vůči poškození v klíčovaném provozu laseru, kde za vlastní příčinu poškození se považuje přechod elektronů iontů ohromu vlivem vícefoitonové absorpce laserového záření do vodivostního pásu. Vodivostní pás se tím rozšiřuje, čímž dochází k dalšímu zvýšení absorpce světla a následnému zahřátí absorbujících oblastí, které může vyvolat jejich porušení. V monokrystalech připravených způsobem podle vynálezu se prvé elektrohy převedené do vodivostního pásu přechodně zachycují v ahiontovýc-h vákancích, takže během krátkých světlených pulzů typických pro klíčovaný provoz se vodivostní pás nerozšíří a krystal se neporuší.
Příklady
1. Vemeuilovou metodou byly připraveny monokrystaly rubínu, obsahující 0,035 % hmotnostních chrómu. Hořák použité pece sestával z vnitřní trubice pro přívod kyslíku s výchozí práškovou surovinou, vnější mezikruží sloužilo pro přívod vodíku. Objemový poměr kyslíku a vodíku pro spalování 'činil 2:5. Při daném průtoku plynů byla ve vzdálenosti 5 cm od hořáku zjištěna v osové části pece atmosféra, sestávající z 50 až 60 % objemových kyslíku a 40 až 50 % objemových vodní páry, kdežto ve vzdálenosti 7 cm byla zjištěna atmosféra obsahující 90 % objemových vodní páry a 10% objemových vodíku. Plynné vzorky byly z těchto části pece odebírány pro analytické účely trubicí ze slinutého kysličníku zirkoničitého. Krystaly rubínu o 0 18 mm a délce 70 mm byly pěstovány tak, aby vrchol krystalu, nesoucího vrstvičku taveniny byl ve vzdálenosti buďto 5 nebo 7 cm od hořáku. Část krystalů od každého typu, tj. pěstovaných 5 nebo 7 cm od hořáku, byla poté zahřívána ve vodíkové atmosféře na teplotu 1800 °C po dobu 8 hodin. Ze všech krystalů byly zhotoveny destičky o 0 20 mm a síle 3 mm. Destičky vyrobené z krystalů, jejichž vrchol při pěstování byl od hořáku vzdálen 5 cm, tj. ty, které rostly v atmosféře obsahující 50 až 60 % objemových kyslíku a 40 až 50 % objemových vodní páry, a poté zahřívané ve vodíku, vykazovaly vysokou citlivost na ozáření neutronovým zářením, zatímco· z krystalů připravených jiným způsobem, například pěstováním ve vzdálenosti 7 cm od hořáku, tj. v atmosféře obsahující 90 % objemových vodní páry a 10 % objemových vodíku, nebo bez temperace ve vodíku, vykazovaly citlivost osmkráte menší. Zatímco prvé při termoluminiscenčni. analýze vykazovaly jediné teplotní maximum při 350 °C, druhé vykazovaly několik nevýrazných teplotních maxim. Krystaly pěstované jinak za stejných podmínek, ale s přídavkem 0,2 % hmotnostních uhličitanu draselného ve výchozí surovině, vykazovaly výsledky ještě výhodnější a to 1,4 krátě vyšší citlivost. Podobné výsledky vykazovaly i krystaly pěstované s přídavkem 0,08 % hmotnostních síry ve výchozí surovině. Laserové tyče, vyrobené z takto připravených krystalů vykazovaly práh porušení až 1 GW při pulsech o trvání 20 ns.
2. Elektrotermickým způsobem, tj. zahříváním pomocí elektrického oblouku mezi grafitovými elektrodami byl taven kysličník hlinitý s příměsí 0,1 % hmotnostních chrómu. Po roztavení byla tavenina rozprašována směsí, tvořenou 1/3 kyslíku, 1/3 vodní páry a 1/3 argonu, přičemž tavenina tuhla. Zachycené pevné částice byly poté zahřívány při teplotě 1350 °C po dobu 15 hodin, a to ve vodíkové atmosféře. Takto temperované částice byly využity k přípravě dozimetru ionizujícího záření s využitím termoluminiscence.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Způsob přípravy rubínu se'zvýšeným obsahem aniontových vakancí, vyznačený tím/ že korund s příměsí 0,001 až 0,5 % hmotnostních iontů chrómu a případně další příměsi 0,001 až 0,3 % hmotnostních iontů alkalického kovu a/nebo elementární nebo ve sloučeninách vázané síry, krystalizuje z taveniny, které je ve styku s atmosférou obsahující 2 až 98 % objemových vodní páry, 98 až 2 % objemová volného kyslíku a případně 1 až 75 % objemových vzácného plynu jako je argon, načež se krystal zahřívá v atmosféře obsahující 25 až 100 % objemových vodíku po dobu čtvrt až 30 hodin při teplotě 1100 až 2000 °C.
CS769078A 1978-11-23 1978-11-23 Process for preparing ruby with increased content of anionic lattice vacancies CS204387B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS769078A CS204387B1 (en) 1978-11-23 1978-11-23 Process for preparing ruby with increased content of anionic lattice vacancies

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS769078A CS204387B1 (en) 1978-11-23 1978-11-23 Process for preparing ruby with increased content of anionic lattice vacancies

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS204387B1 true CS204387B1 (en) 1981-04-30

Family

ID=5426480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS769078A CS204387B1 (en) 1978-11-23 1978-11-23 Process for preparing ruby with increased content of anionic lattice vacancies

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS204387B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Summers et al. Radiation damage in Mg Al 2 O 4
Kuczynski et al. Light-induced plasticity in semiconductors
US4101781A (en) Stable fiber optic scintillative x-ray screen and method of production
García-Cabaes et al. Influence of stoichiometry on defect-related phenomena in LiNbO 3
Rubenstein et al. Color centers in cadmium fluoride
DE1290261B (de) Szintillationskristall aus einem mit Europium aktivierten Erdalkalijodid
Fong et al. Crystal Growth and Color Centers of Alkaline‐Earth Halides
CS204387B1 (en) Process for preparing ruby with increased content of anionic lattice vacancies
Cubicciotti THE BISMUTH-SULFUR PHASE DIAGRAM1
Finch et al. Czochralski growth of single-crystal fayalite under controlled oxygen fugacity conditions
DE1259486B (de) Szintillationskristall und Verfahren zu seiner Herstellung
Saidoh et al. Interactions of Interstitial Centers with Monovalent Impurities in KBr Crystals
US4341654A (en) Getter for melt-grown scintillator ingot
Morrison Some properties of Bi12TiO20 and the system Bi2O3-TiO2
US4586785A (en) Sodium iodide, light pipe
Reddy et al. Thermoluminescence and optical absorption studies of Z1‐centres in NaCl crystals doped with samarium
Kayal et al. Luminescence processes in CsI doped with Na+ and K+ ions
Abbas et al. Optical absorption of some gamma-irradiated lithium-boro-silicate glasses doped with some rare-earth metal oxides
Duck et al. Surface activity of zinc oxide. Examination of the effect of γ-irradiation by electron spin resonance, electrical conductivity, reflectance spectroscopy and gas adsorption
Romberger et al. Origin of the 3.0-eV emission band in KI
RU2059026C1 (ru) Сцинтилляционный материал
Sabharwal et al. Effect of non-stoichiometry on some properties of lead tungstate single crystals
Frigerio et al. The Preparation and Properties of LiPb, A Novel Material for Shields and Collimators
US4217166A (en) Process for the production of lithium fluoride detectors
RU1471546C (ru) Способ получени сцинтилл тора на основе иодида цези