CS202197B1 - Způsob přípravy dopovaných krystalů a zařízení k jeho provádění - Google Patents
Způsob přípravy dopovaných krystalů a zařízení k jeho provádění Download PDFInfo
- Publication number
- CS202197B1 CS202197B1 CS23378A CS23378A CS202197B1 CS 202197 B1 CS202197 B1 CS 202197B1 CS 23378 A CS23378 A CS 23378A CS 23378 A CS23378 A CS 23378A CS 202197 B1 CS202197 B1 CS 202197B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- space
- gas
- gas phase
- gallium
- reaction
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 53
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 18
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims description 16
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002716 delivery method Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu přípravy dopovaných krystalů, například kysličníku zinečnatého dopovaného galiem anebo indiem syntézou z plynné fáze, který řeší kinetiku odděleného přivádění složek v plynné fázi, jejich míchání a slučování za současného růstu krystalů, jehož způsob umožňuje řídit chemické složení a fyzikálně krystalografické vlastnosti vzniklých krystalů.
Dále se vynález týká zařízení pro přípravu dopovaných krystalů, sestávajícího nejméně z prostoru pro reakci složek v plynné fázi a alespoň jednoho prostoru pro převádění výchozích složek do plynného stavu s prostředky pro regulovatelné vyhřívání, prostor pro reakci složek v plynné fázi je opatřen otvorem pro přívod plynu a otvorem pro odvod plynu. Prostor pro převádění výchozích složek do plynného stavu, případně prostory pro převádění výchozích složek do plynného stavu mají otvor pro přívod plynné složky, nádoby na výchozí suroviny, přičemž vzájemné propojení prostoru pro reakci složek v plynné fázi s prostorem nebo prostory pro převádění výchozích složek do plynného stavu je uskutečněno otvorem anebo tryskou anebo jejich soustavou. Prostory pro převádění výchozích složek do plynného stavu jsou propojeny s prostorem pro předehřívání přiváděných plynů a jsou válcovitého tvaru, uspořádány za sebou, vzájemně propojeny, mají společný přívod plynu a ústí do společné trysky anebo jejich soustavy.
V současném stavu techniky je znám způsob přípravy dopovaných krystalů reakcí v plynné fázi tak zvanou transportní reakcí u epitaxních vrstev polovodičových sloučenin. Zde se jedná převážně o princip termického rozkladu těkavé nestabilní sloučeniny za vzniku žádané krystalické pevné fáze.
Je znám i způsob výroby monokrystalů kysličníku zinečnatého s definovanými cizími přísadami popisovaný autory G. Bogner a E. Mollwo „Uber die Herstellung von Zinkoxydeinkristallen mít definierten Zusátzen“ J. Phys. Chem. Solíds Pergamon Press 1958, Vol. 6 str. 136—143. Tento způsob i jiné známé způsoby přípravy dopovaných krystalů z plynné fáze povětšině sledují přípravu co možno největších dopovaných monokrystalů a jsou jednoúčelově zaměřeny. Další známé způsoby vycházejí z „čistých“ krystalů připravených reakcí v plynné fázi, do kterých se dodatečně zavádějí dopující příměsi difúzí v pevné fázi za zvýšené teploty.
Od známých způsobů se nárokovaný způsob přípravy dopovaných krystalů liší povahou reakce výchozích plynných látek, to je syntézou. Uskutečňování je analogické známému „způsobu otevřené trubice“ (opentubesystem) co do způsobu přivádění složek. Rozdíl způsobu přípravy dopovaných krystalů podle předmětu vynálezu je v tom,
202 197 že se hlavní reagující složky přivádějí odděleně, těsně před anebo po přivedení do prostoru pro reakci složek v plynné fázi se míchají anebo slučují, přičemž množství dopující látky v krystalu se pohybuje v intervalu od 0,01 až 1,0 mol. Cílem způsobu podle vynálezu je růst velkého množství drobných, dobře vyvinutých krystalů, tvořící polykrystalický agregát.
Způsob přípravy dopovaných krystalů, to je krystalů s definovanou příměsí cizích látek, například kysličníku zinečnatého dopovaného galiem anebo indiem spočívá v tom, že do prostoru pro reakci složek v plynné fází se odděleně přivádějí kyslík a páry zinku spolu s párami galia anebo india, případně ve směsi s dusíkem nebo inertním plynem, přičemž teplota v prostoru pro převádění zinku do plynného stavu se reguluje v rozmezí od bodu tání do bodu varu zinku a teplota v prostoru nebo prostorech pro převádění galia anebo india do plynného stavu se reguluje v rozmezí od bodu tání do bodu varu galia anebo india a přiváděné množství zinku spolu s párami galia anebo india je menší než množství přiváděného kyslíku v molech a teplota v prostoru pro reakci složek v plynné fázi je nastavena na teplotu větší nebo rovnou dvěma třetinám teploty bodu sublimace kysličníku zinečnatého, přičemž poměr přiváděných pár zinku k párám galia anebo india do prostoru pro reakci složek v plynné fázi se pohybuje v poměru 99,99 až 99,00 k 0,01 až 1,00 mol. %.
Vynález se dále týká i zapřízení pro přípravu dopovaných krystalů podle nárokovaného způsobu, sestávajícího nejméně z prostoru pro reakci složek v plynné fázi a alespoň jednoho prostoru pro převádění výchozích složek do plynného stavu s prostředky pro regulovatelné vyhřívání, prostor pro reakci složek v plynné fázi je opatřen otvorem pro přívod plynu a otvorem pro odvod plynu, prostor pro převádění výchozích složek do plynného stavu má otvor pro přívod plynné složky, nádobu na výchozí surovinu, přičemž vzájemné propojení prostoru pre reakci složek v plynné fázi s prostorem pro převádění výchozích složek do plynného stavu je uskutečněno otvorem anebo tryskou anebo jejich soustavou, kde prostory pro převádění výchozích složek do plynného stavu jsou propojeny s prostorem pro předehřívání přiváděných plynů a jsou válcovitého tvaru, uspořádány za sebou, vzájemně propojeny, mají společný přívod plynu a ústí do společné trysky anebo jejich soustavy.
Oproti stávajícím způsobům přípravy dopovaných krystalů má způsob přípravy dopovaných krystalů podle vynálezu celou řadu předností. Stávající způsoby vycházejí z „čistých“ krystalů, do kterých se dodatečně zavádějí dopující příměsi. Způsob podle předmětu vynálezu přípravu dopovaných krystalů dociluje syntézou, a to v jedné operaci bez nutnosti dodatečného zahřívání na vysoké teploty, které je nutné pro difúzi v pevné fázi.
Struktura polykrystálického agregátu a velikost jednotlivých krystalů je zejména vhodná pro přípravu polykrystálického práškového luminoforu, přičemž není zapotřebí intensivnější mechanické zpracování intensivnější mechanické zpracování suroviny, jako například drcení, mletí a podobně, které přináší s sebou nebezpečí porušení krystalické mřížky luminoforu a s tím související degradaci luminiscenčních vlastností.
Zařízení pro přípravu dopovaných krystalů podle předmětu vynálezu je schematicky znázorněno na obr. 1.
Obr. 2 znázorňuje průřez prostoru pro reakci složek v plynné fázi, kde ústí trysky anebo soustavy trysek leží středově v ose válcovitého prostoru pro reakci složek v plynné fázi a zaujímá maximálně dvě třetiny plochy jeho průřezu.
Obr. 3 znázorňuje příčný průřez prostoru pro reakci složek v plynné fázi, kde ústí trysky anebo soustavy trysek leží při jeho obvodu.
Způsob přípravy dopovaných krystalů, například kysličníku zinečnatého dopovaného galiem anebo indiem, podle předmětu vynálezu se vyznačuje tím, že se do prostoru pro reakci složek v plynné fázi se odděleně přivádějí kyslík a páry zinku spolu s párami galia anebo india, případně ve směsi s dusíkem nebo inertním plynem. Teplota v prostoru pro převádění zinku do plynného stavu se reguluje v rozmezí od bodu tání do bodu varu zinku a teplota v prostoru nebo prostorech pro převádění galia anebo india do plynného stavu se reguluje v rozmezí od bodu tání galia anebo india. Přiváděné množství zinku spolu s párami galia anebo india je menší než množství přiváděného kyslíku v molech. Teplota v prostoru pro reakci složek v plynné fázi je nastavena na teplotu větší nebo rovnou dvěma třetinám teploty bodu sublimace kysličníku zinečnatého, přičemž poměr přiváděných pár zinku k párám galia anebo india do prostoru pro reakci složek v plynné fázi se pohybuje v poměru 99,99 až 99,00 k 0,01 až 1,00 mol. °/o. Rovnováha tvorby krystalu byla takto posunuta ve prospěch růstu krystalů velikosti řádově nad 1 mikrometr v okolí trysky anebo soustavy trysek a na stěnách prostoru pro reakci v plynné fázi a v neprospěch nežádoucí tvorby submikroskopických částeček, strhávaných proudem plynu jako aerosol.
Složení směsí pár zinku, india anebo galia přiváděných do prostoru pro reakci složek v plynné fázi je dáno poměrem tenzí pár, to je teplotami v prostorech pro převádění zinku, galia anebo india do plynného stavu. Tím se docílí výsledné krystaly kysličníku zinečnatého s obsahem 0,01 až 1,0 mól. % india anebo galia, tvořící polykrystalický agregát, složený z velkého množství drobných krystalů. ~ ; ;,:;
202 197
Zařízení pro přípravu dopovaných krystalů podle nárokovaného způsobu sestává nejméně z prostoru pro reakci složek v plynné fázi 1 a alespoň jednoho prostoru pro převádění výchozích složek do plynného stavu, v konkrétním případě na výkrese 2, 4. Prostory pro převádění výchozích složek do plynného stavu 2, 4 jsou propojeny s prostorem pro předehřívání přiváděných plynů 5 a jsou válcovitého tvaru, uspořádány za sebou, vzájemně propojeny. Vzájemné propojení prostoru pro reakci složek v. plynné fázi 1 s prostorem pro převádění výchozích složek do plynného stavu 2 je uskutečněno otvorem anebo tryskou anebo jejich soustavou 3. Prostor pro reakci složek v plynné fázi 1 je opatřen prostředky pro regulovatelné vyhřívání 6, prostor pro převádění výchozích složek do plynného stavu 2 je opatřen prostředky pro regulovatelné vyhřívání 7, prostor pro převádění výchozích složek do plynného stavu 4 je opatřen prostředky pro regulovatelné vyhřívání 8 a prostor pro předehřívání přiváděných plynů 5 je opatřen prostředky pro regulovatelné vyhřívání 9. Prostor pro reakci složek v plynné fázi 1 je opatřen otvorem pro přívod plynu 10 a otvorem pro odvod plynu 11. Prostory pro převádění výchozích složek do plynného stavu 2, 4 mají společný přívod plynu 12, oddělené nádoby na výchozí suroviny 13, 14, a ústí do společné trysky anebo jejich soustavy 3.
U zařízení podle předmětu vynálezu leží ústí trysky anebo soustavy trysek 3 v ose prostoru pro reakci složek v plynné fázi 1, nebo kolem ní a zaujímají maximálně dvě třetiny jeho plochy příčného průřezu v uspořádání například podle obr. 2.
V jiném uplatnění u zařízení podle předmětu vynálezu leží ústí trysky anebo soustavy trysek 3 při obvodu prostoru pro reakci složek v plynné fázi 1, případně kolem něho a zaujímají maximálně dvě třetiny jeho příčného průřezu, v uspořádání například podle obr. 3.
Ostí trysky anebo soustavy trysek 3 zasahuje do prostoru pro reakci složek v plynné fázi 1.
Způsob přípravy dopovaných krystalů a zařízení pro přípravu krystalů podle tohoto způsobu bylo prakticky ověřeno v uspořádání obdobném na obr. 1. V křemenné trubici o vnitřním průměru 50 mm byla koncentricky upevněna další trubice o průměru 30 mm, na jednom konci vytvarovaná do obdélníkového otvoru 25X2 mm. Tento konec zasahoval 10 mm daleko do vyhřívaného prostoru pro reakci složek v plynné fázi 1 vytvořeném v první trubici o průměru 50 mm. Prostředkem pro regulovatelné vyhřívání 6 bylo nasunuté odporové topné vinutí a válcový kovový reflektor o délce 80 mm. Tři další vytápěné prostory, to je prostor pro reakci složek v plynné fázi 2 a 4 a prostor pro předehřívání přiváděných plynů 5 byly opatřeny prostředky pro regulovatelné vyhřívání 7, 8, 9 vytvořenými třemi vinutími a reflektory o délce 50 mm, nasunutými s mezerami asi 10 mm na obou koncentrických trubicích. V trubici o průměru 30 mm byly v prvém 1 druhém prostoru pro převádění výchozích složek do plynného stavu 2, 4 keramické nádobky, obsahující kovový zinek a kovové galium. Prostor pro předehřívání přiváděných plynů 5 byl vyhřátý na teplotu asi 700 °C. Mezerou mezi oběma koncentrickými trubicemi byl přiváděn přes regulační ventil a průtokoměr kyslík, do vnitřní trubice byl vháněn dusík nebo argon. Po průchodu prostorem pro reakci složek v plynné fázi 1 byl dusík nebo argon spolu s nadbytečným kyslíkem vypouštěn výstupním ventilem, který zajišťoval v zařízení přetlak asi 200 mm vodního sloupce. Při experimentu, uváděném jako příklad byl přes vsázku 5,0 g kovového zinku o čistotě 99,999 %, umístěném v prostoru pro převádění složek do plynného stavu 2 a vyhřátém na teplotu 675 °C a přes vsázku kovového galia v nadbytku, asi 1,0 g umístěného v prostoru pro převádění výchozích složek do plynného stavu 4 a vyhřátého na teplotu 1145 °C veden proud argonu rychlostí 1 1/min. ve směru: Prostor pro předehřívání přiváděných plynů 5, vyhřátý na teplotu 700 °C, přes prostor pro převádění výchozích složek do plynného stavu 4 obsahující galium a vyhřátý na teplotu 1145 °C, dále přes prostor pro převádění výchozích složek do plynného stavu 2, obsahující zinek, vyhřátý na teplotu 675 °C do prostoru pro reakci složek v plynné fází 1, vyhřátém na teplotu 965 °C. Páry kovů, umístěných v nádobách na výchozí suroviny 13, 14 byly proudem argonu strhávány do prostoru pro reakci složek v plynné fázi 1, kam byl odděleně otvorem pro přívod plynu 10 přiváděn kyslík rychlostí 25 ml/min. Po 40 minutách byl pokus ukončen, celá vsázka zinku zreagovala a v prostoru pro reakci složek v plynné fázi 1 se vytvořily shluky jehličkovitých, čistě bílých krystalů kysličníku zinečnatého, o rozměrech 10X30 až 30Χ100μΐη, menší množství tenkých („foliových“) destičkovitých krystalků a whiskerů o rozměrech až 2,5X500 ,«m. Výtěžek reakce byl asi 4,5 g kysličníku zinečnatého, určitá část velmi drobných částic kysličníku zinečnatého se usadila mimo prostor pro reakci složek v plynné fázi 1 nebo byla snesena proudem plynu, ucházejícího otvorem pro odvod plynu 6.
Získané krystalky bylo možno snadno oddělit a roztřídit podle velikosti. Materiál byl vhodný pro přípravu polykrystalických vrstev sedimentací ze suspenze. Po dalším opracování byly luminiscenční vrstvy s kysličníkem zinečnatým, připraveným podle způsobu vynálezu, vyhodnocovány podle luminiscenčního spektra a luminiscenční účinnosti při buzení alfa částicemi. Luminiscenční vlastnosti prokázaly zanedbatelný obsah škodlivých cizích příměsí a nadstechiometrického zinku a obsah dopovaného galia v požadovaném rozmezí.
202 197
PŘEDMĚT VYNALEZU
Claims (4)
- PŘEDMĚT VYNALEZU1. Způsob přípravy dopovaných krystalů, například kysličníku zinečnatého dopovaného galiaem anebo indiem, vyznačující se tím, že do prostoru pro reakci složek v plynné fázi se odděleně přivádějí kyslík a páry zinku spolu s párami galia anebo india, případně ve směsi s dusíkem nebo inertním plynem, přičemž teplota v prostoru pro převádění zinku do plynného stavu se reguluje v rozmezí od bodu tání do bodu varu zinku a teplota v prostoru nebo prostorech pro převádění galia anebo india do plynného stavu se reguluje v rozmezí od bodu tání do bodu varu galia anebo india a přiváděné množství zinku spolu s párami galia anebo india je menší než množství přiváděného kyslíku v molech a teplota v prostoru pro reakci složek v plynné fázi je nastavena na teplotu větší nebo rovnou dvěma třetinám teploty bodu sublimace kysličníku zinečnatého, přičemž poměr přiváděných pár zinku k párám galia anebo india do prostoru pro reakci složek v plynné fázi se pohybuje v poměru 99,99 až 99,00 k 0,01 až 1,00 mol. %.
- 2. Zařízení pro přípravu krystalů podle způsobu v bodě 1, sestávající nejméně z prostoru pro reakci složek v plynné fázi a alespoň jednoho prostoru pro převádění výchozích složek do plynného stavu s prostředky pro regulovatelné vyhřívání, prostor pro reakci složek v plynné fázi je opatřen otvorem pro přívod plynu a otvorem pro odvod plynu, prostor pro převádění výchozích složek do plynného stavu má otvor pro přívod plynné složky, nádobu na výchozí surovinu, přičemž vzájemné propojení prostoru pro reakci složek v plynné fázi s prostorem pro převádění výchozích složek do plynného stavu je uskutečněno otvorem anebo tryskou anebo jejich soustavou, vyznačující se tím, že prostory pro převádění výchozích složek do plynného stavu (2,4) jsou propojeny s prostorem pro předehřívání přiváděných plynů (5) a jsou válcovitého tvaru, uspořádány za sebou, vzájemně propojeny, mají společný přívod plynu (12) a ústí do společné trysky anebo jejich soustavy (3).
- 3 výkresy202 197
- 6· 1372 8495
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS23378A CS202197B1 (cs) | 1978-01-12 | 1978-01-12 | Způsob přípravy dopovaných krystalů a zařízení k jeho provádění |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS23378A CS202197B1 (cs) | 1978-01-12 | 1978-01-12 | Způsob přípravy dopovaných krystalů a zařízení k jeho provádění |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS202197B1 true CS202197B1 (cs) | 1980-12-31 |
Family
ID=5334091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS23378A CS202197B1 (cs) | 1978-01-12 | 1978-01-12 | Způsob přípravy dopovaných krystalů a zařízení k jeho provádění |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS202197B1 (cs) |
-
1978
- 1978-01-12 CS CS23378A patent/CS202197B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5288326A (en) | Apparatus for continuous growth of SiC single crystal from SiC synthesized in a vapor phase without using graphite crucible | |
| US5368825A (en) | Apparatus for the flame preparation of ceramic powders | |
| US4122155A (en) | Preparation of silicon nitride powder | |
| EP3656741A1 (en) | Method for producing high-bulk-density molybdenum oxychloride | |
| Li et al. | Synthesis of monocrystalline composite oxides La1− xSrxFe1− yCoyO3 with the perovskite structure using polyethylene glycol-gel method | |
| US4409193A (en) | Process for preparing cubic boron nitride | |
| US5338523A (en) | Method of making transition metal carbide and boride powders | |
| Jovanovic et al. | Effects of hydrogen and temperature on the kinetics of the fluidized‐bed nitridation of silicon | |
| US4346068A (en) | Process for preparing high-purity α-type silicon nitride | |
| US5693305A (en) | Method for synthesizing aluminum nitride whiskers | |
| CS202197B1 (cs) | Způsob přípravy dopovaných krystalů a zařízení k jeho provádění | |
| WO1990007022A1 (en) | Production method of zinc oxide whisker | |
| US5110575A (en) | Process for producing sinterable crystalline aluminum nitride powder | |
| KR101694256B1 (ko) | 금속불화물계 형광체의 연속 제조방법 | |
| CN102417168B (zh) | 一种生产氮化钙粉体的方法 | |
| JPS61222911A (ja) | 燐化化合物の合成方法 | |
| Pavlović et al. | Chemical vapor deposition of boron nitride using premixed borontrichloride and ammonia | |
| CS200627B1 (cs) | Zpftpeb přípravy krystalů a zařízení k jeho provádění | |
| CN117023588B (zh) | 一种控制碳化硼长晶环境的制备系统 | |
| KR100386967B1 (ko) | 전이금속 촉매를 이용한 질화갈륨 분말의 제조방법 | |
| CN118772427B (zh) | 一种以工业氢氧化镁为原料制备棒状Mg-MOF-74材料方法 | |
| JPS5938164B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素の製造法 | |
| CN111847519B (zh) | 一种铁钛酸铋氧化物单晶颗粒的制备方法 | |
| JPS6168310A (ja) | シリコン切粉を原料とする高純度窒化けい素の製造方法 | |
| US3947549A (en) | Preparation of indium phosphide |