CS200913B1 - Měřící maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření - Google Patents
Měřící maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření Download PDFInfo
- Publication number
- CS200913B1 CS200913B1 CS711078A CS711078A CS200913B1 CS 200913 B1 CS200913 B1 CS 200913B1 CS 711078 A CS711078 A CS 711078A CS 711078 A CS711078 A CS 711078A CS 200913 B1 CS200913 B1 CS 200913B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- mask
- etching
- nuclear radiation
- semiconductor
- measuring
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
(54) Měřící maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření
Předmětem vynálezu je měřící maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření, která slouží současně také k měření jejich voltampérových charakteristik.
Dosud se konečná úprava povrchu polovodičových detektorů jaderného záření prováděla tak, že se polovodičový detektor pokryl maskami a na nepokryté plochy se působilo chemickými činidly, například kyselinou fluorovodíkovou, dusičnou, deionizovanou vodou, acetonem a podobně. Takto upravené detektory se zapouzdřují do kryostatu, který se po této operaci odčerpá a ponoří do nádoby s kanalným dusíkem. Je-li detektor dostatečně vychlazen, což obvykle trvá 4 až hodin, provede se vyhodnocení jeho elektrických a radiačních vlastností.
Často se stává, že konečný proces chemické úpravy není dostatečně účinný, takže vychlazený detektor má nadměrně velký klidový elektrický proud a průrazné napětí nedosahuje požadovaných hodnot, takže parametry těchto detektorů nevyhovují z hlediska povolených tolerancí nebo jsou detektory dokonce naprosto nepoužitelné. Má-li být provedena jejich regenerace, je nutno detektory ohřát na pokojovou teplotu, vyjmout je z kryostatu a provést znovu nejen závěrečné chemické opracováni, ale i celou řadu operací, které leptání předcházejí a které mohou trvat i několik dní.
Uvedené nedostatky se odstraní měřící maskou pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že sestaví ze dvou elastickýcn
200 913
200 013 těsnění se středovými otvory a přítlačných těles, rovněž opatřených středovými otvory, přičemž těmito otvory, jakož i otvory v elastických těsněních, procházejí měřící hroty, opatřené přítlačnými pružinami. Měřicí maska podle vynálezu umožňuje jednak leptání a oplachování polovodičového detektoru, jednak proměření jeho voltampérových charakteristik, aniž by bylo nutno detektor přemísťovat z leptací masky do měřicího držáku. Za použití masky podle vynálezu' lze snadno předběžně určit, zda detektor bude mít požadované vlastnosti. Vynález vychází z teoretických poznatků a z experimentálních zkušeností, které ukázaly na možnost posoudit kvalitu povrchu vychlazeného detektoru, která je závislá na kvalitě mechanického a chemického opracování, podle voltampérové charakteristiky, změřené při pokojové teplotě.
Při použití masky podle vynálezu je detektor sevřen mezi dvě elastická těsněhí, zhotovená z materiálu odolného chemickým činidlům, například kyselině dusičné, fluorovodíkové, acetonu, lihu a podobně. Tím, že měřicí hroty procházejí středovými otvory elastických těsnění a Jsou přitlačovány pružinami se dosahuje dobrého elektrického kontaktu s elektrodami polovodičového detektoru.
Příklady provedení měřicí masky jsou znázorněny na výkrese, kde značí obr.la měřicí masku pro chemické opracování a proměřování polovodičového detektoru plenární konfigurace a ochrannou drážkou, obr.lb měřicí masku pro polovodičový detektor prosté plenární konfigurace a obr.lc měřicí masku pro polovodičový detektor koaxiální konfigurace.
Detektor 14. 15. 16 Je sevřen mezi dvě elastická těsnění £, £ opatřená středovými otvory 3, £, která jsou přitlačovéna k detektoru 1£, 1£, 16 pomocí přítlačných těles 5, £ se středovými otvory 2, 8. Středovými otvory 2, 8 přítlačných těles 2> 6 a středovými otvory £, £ elastických těsnění 1, 2 procházejí měřicí hroty £, £0, které jsou přitlačovány k elektrodám polovodičového detektoru £4 pomocí přítlačných pružin 11, £2, aby byl zajištěn dobrý elektrický kontakt. Qelá soustava je sevřena svěrkou 13. která vyvozuje na elastická těsnění takový tlak, aby chemická činidla nemohla vniknout na maskovaná místa.
Měřicí maska nodle vynálezu se používá k chemickému Opracování povrchu polovodičových detektorů jaderného záření plenární konfigurace s ochrannou drážkou, prosté plenární konfigurecs, detektorů kosxiálních a detektorů speciálních, u kterých lze použít elastických těsnění k maskování povrchů, které nemají být leptány.
Claims (2)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU1. Měřicí maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření, vyznačená tím, že sestává ze dvou elastických těsnění /1, 2/ sa středovými otvory /3, 4/ a přítlačných těles /5, 6/ rovněž opatřených středovými otvory /7, 8/, přičemž těmito středovými otvory /7, 8/ a také středovými otvory /3, 4/ v elastických těsněních /1, 2/ procházejí měřicí hroty /9, 10/, opatřené přítlačnými pružinami /11, 12/.
- 2. Měřicí maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření podle bodu 1, vyznačená tím, že měřicí hroty /9, 10/ a přítlačné pružiny /11, 12/ jsou součástí vnějSíeh kontaktních kleštin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS711078A CS200913B1 (cs) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | Měřící maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS711078A CS200913B1 (cs) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | Měřící maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS200913B1 true CS200913B1 (cs) | 1980-10-31 |
Family
ID=5419623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS711078A CS200913B1 (cs) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | Měřící maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS200913B1 (cs) |
-
1978
- 1978-10-31 CS CS711078A patent/CS200913B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CS200913B1 (cs) | Měřící maska pro leptání polovodičových detektorů jaderného záření | |
| Jensen | Component failures based on flaw distributions | |
| Dutton et al. | The determination of attachment and ionization coefficients in air | |
| EP0152904A3 (en) | Method and device for the testing of, and/or the measuring at electrically conductive test pieces | |
| Joshi et al. | A Light Effect in Chlorine under Electric Discharge: Influence of the Intensity and Frequency | |
| Nakahara et al. | Electrical conductivity of cytochrome c anhydrous film | |
| VandeVoorde et al. | Structure in the flicker-noise power spectrum of n-InSb | |
| Suita et al. | Dielectric Breakdown and Pulse Conduction of Silver Halide Crystals | |
| US5996399A (en) | Method of using a test liquid for checking the efficiency of electrical power station components | |
| JPS57115843A (en) | Testing device for wafer | |
| Kehl et al. | Dielectric Properties of the Semiconducting Single Crystalline Complex (N‐Methyl‐Phenothiazine) 2·(Iodine2) 3 | |
| Balogh et al. | Measurement of polypropylene rope electrical strength | |
| SU1249629A1 (ru) | Способ сборки предохранителей с плавкой вставкой | |
| Guarin et al. | Contact resistance degradation in z-axis connectors operated at burn-in temperatures | |
| RU1623502C (ru) | Способ испытания на надежность полупроводниковых приборов с мдп-структурой | |
| DE3235656C1 (de) | Verfahren zum Dichtheitsprüfen von gekapselten Relaiskontakten | |
| HAI et al. | Development of a partial-discharge detection system for traveling-wave-tube testing[Interim Report] | |
| SU754265A1 (ru) | Электролит для коррозионных испытаний | |
| Tomlins | A method to quantify the surface insulation resistance performance of conformal coatings exposed to different temperature/humidity conditions | |
| DICKHAUT et al. | Long-term dormant storage of microelectronic components[Interim Report, 8 Aug. 1977- 28 Feb. 1978] | |
| SU589563A1 (ru) | Способ механических испытаний металлических образцов | |
| Agatonovic et al. | Component Thermal Loads Evaluation and Life Analysis for High Temperature Application.(Retroactive Coverage) | |
| Sim | A Note on Surface Recombination Velocity and Photoconductive Decays | |
| LINDER | Electronic components(quality control and reliability assessment) | |
| JPH09512099A (ja) | 発電所の電気部品の機能性の点検方法及び試験液 |