CS196953B1 - Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého - Google Patents

Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého Download PDF

Info

Publication number
CS196953B1
CS196953B1 CS12378A CS12378A CS196953B1 CS 196953 B1 CS196953 B1 CS 196953B1 CS 12378 A CS12378 A CS 12378A CS 12378 A CS12378 A CS 12378A CS 196953 B1 CS196953 B1 CS 196953B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
mixture
pure
preparation
layers
silane
Prior art date
Application number
CS12378A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Gurovic
Jaromir Valicek
Pavel Tesarik
Original Assignee
Jan Gurovic
Jaromir Valicek
Pavel Tesarik
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jan Gurovic, Jaromir Valicek, Pavel Tesarik filed Critical Jan Gurovic
Priority to CS12378A priority Critical patent/CS196953B1/cs
Publication of CS196953B1 publication Critical patent/CS196953B1/cs

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

(54) Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého
Vynález se týká způsobu přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého za použití směsi plynů silanu a kysličníků dusíku,které jsou namíchány v jedné tlakové láhvi.
V polovodičové technice se používá vrstev kysličníku křemičitého,které se kromě jiných způsobů vytvářejí chemickou reakcí z plynné fáze.Takovou reakcí je například oxidace silanu kysličníkem dusným v inertní atmosféře.Tyto vrstvy se potom v technologických operacích při přípravě polovodičových součástek používají bu5 čisté,nebo je dotují fosforem,borem nebo arzenem.
K dotaci těchto vrstev se proto také používá fosfinů,diboranu nebo arzinu.Tyto hybridy proti jiným dotujícím příměsím mají tu výhodu,že jsou stejně jako silan plynné látky a mohou se libovolně se sílaném míchat.
Vytváření vrstev kysličníku křemičitého se dosud provádí tak,že se do reakční kolony přivádějí odděleně jednotlivé reakční složky: silan s nosným plynem a oxidační látka,například kyslík,kysličník uhličitý nebo kysličníky dusíku.V případě,že se nanáší dotovaný kysličník křemičitý,přidává 8e k uvedeným složkám ještě dotující příměs,kterou v tomto případě může být diboran,arzin,fosfín nebo stibin ve směsi s nosným plynem.
Tento způsob vytváření kysličníkových vrstev má řadu nevýhod z hlediska vlastností nanášených vrstev.Protože se zde dávkují do zařízení plyny nebo plynné směsi,musí se k zajištění dobré kvality nanášené kysličníkové vrstvy tyto plyny před vstupem do reakční kolony dobře vzájemně promíchat,což se setkává někdy se značnými potížemi.Vlivem špatně promíchaných plynů ne196 953
196 9S3
reproluKoviWcft niltMůIromí toho můíi naatat BíeiSaaRá eňiiei eíiuu iiysliSafiu (H áuetlyie přímo v přívodním potrubí,čímž se vytváří práškový kysličník křemičitý,znehodnocující připravované vzorky.Rovněž manipulace β větším počtem tlakových láhví je obtížná.
V posledních letech se tyto těžkosti technologického rázu začaly odstraňovat přípravou směsi sílánu s kysličníkem uhličitým nebo β kyslíkem,které jsou namíchány do jedné tlakové láhve. Využití těchto směsí znamená určité zjednodušení,avšak použití reakce silanu s kysličníkem uhličitým a kyslíkem má určité omezení.Směs s kysličníkem uhličitým dovoluje připravovat vrstvy až při teplotě vyšší než 600° C.Naproti tomu směs s kyslíkem má omezené použití při vytváření neateohiometriokýoh vrstev kysličníku křemičitého.
Shora uvedené nevýhody jsou odstraněny způsobem přípravy směsí plynů podle vynálezu,jehož podstata spočívá v tom,že směs plynů namíchaných v jedné tlakové láhvi obsahující silan o koncentraci do 3% a kysličník dusný nebo dusnatý,přípádně jejich směs o koncentraci do 6# v nosném plynu,se vede na vyhřátou podložku.
Nový a vyšší účinek způsobu přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého podle vynálezu proti dosud známým postupům spočívá v tom,že se zjednoduší technologický proces a odstraní manipulace s velkým počtem tlakových láhví, zvýší reprodukovatelnost výsledků minimálně na dvojnásobek a zvýší reprodukovatelnoet výsledků a sníží spotřeba elektrické energie potřebné k provedení technologického procesu.
Dobře promíchané plyny,k čemuž dochází v tlakové láhvi,snižují počet defektů ve vytvořené kysličníkové vrstvě a spotřebu silanu potřebného k vytvoření této vrstvy na jednom substrátu.
K přípravě čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého se používá směsi plynů jako silanu s kysličníkem dusným nebo dusnatým,také silan s kysličníkem dusným nebo duanatým a a dotační příměsí (sfosfinem,diboranem,arsinem),připravených o přesném složení v jedné tlakové láhvi.Bylo zjištěno,že silan io koncentrace 3% lze udržet v jedné tlakové láhvi v rozmezí tlaku 0,1 MPa až 15 MPa s kysličníkem dueným nebo dusnatým o koncentraci až objemová) v pří tomnosti dusíku,argonu,helia tvořících ochrannou atmosféru,aniž by navzájem zreagovaly.Tato směs je stálá i když navíc obsahuje některou z dotačních příměsi (fosfin,diboran,arsin) do kon centrace 3#·Plyny,které tvoří ochrannou atmosféru,mohou obsahovat i příměsi,jako kysličník uhličitý, vodík, aniž by došlo k reakci uvnitř láhve mezi jednotlivými komponenty.
Přípravu kysličníku křemičitého vrstev čistých nebo dotovaných za použití popsaných směsí lze provést podle následujícího příkladu.Vzorky,na kterýoh se vrstva vytváří,se vloží do reakč ní kolony.Při vytváření za atmosferického tlaku se komora proplachuje nosným plynem argonem nebo dusíkem.Po propláchnutí,které trvá 5 až 15 minut se vzorky v téže atmosféře vyhřejí na teplotu 400 až 500° C a po dosažení této teploty se k nosnému plynu začne přidávat reakční směs připravená v jedné tlakové láhvi o přesně definovaném složení.Přívodem této směsi do komory se začne na vzorcích vytvářet požadovaná vrstva kysličníku křemičitého.Po nanesení potřebné tloušťky se zastaví přívod reakční směsi,komorou se nechá protékat nosný plyn a vzorky se pak ochladí na pokojovou teplotu.
Při vvtváření vrst»v vo j-- < - 196 953 komory nejdříve reakční prostor evakuuje například na tlak 0,1 Pa a po dosažení tohoto tlaku se vzorky vyhřejí na 750 až 900° C.Při této teplotě se přivede do reakční komory směs plynů připravená v jedné tlakové láhvi.Po vytvoření potřebné tloušíky se zastaví přívod směsi,reakční komora se znovu evakuuje a pak se vzorky zchladí na pokojovou teplotu.

Claims (2)

PŘEDMĚT VYNÁLEZU
1. Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého,vyznačující se tím,že směs plynů namíchaných v jedné tlakové láhvi obsahující silan o ko centraci do 3 objemových % a kysličník dusný nebo dusnatý,případně jejich směs o koncentraci do 6 objemových v nosném plynu,se vede na vyhřátou podložku.
2. Způsob přípravy podle bodu 1,vyznačující se tím,že uvedená směs obsahuje příměs dotujícího plynného hydridu,například diboranu,fosfinu,arzinu nebo stibinu o koncentraci do 3 objemových 1*.
CS12378A 1978-01-05 1978-01-05 Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého CS196953B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS12378A CS196953B1 (cs) 1978-01-05 1978-01-05 Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS12378A CS196953B1 (cs) 1978-01-05 1978-01-05 Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS196953B1 true CS196953B1 (cs) 1980-04-30

Family

ID=5332824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS12378A CS196953B1 (cs) 1978-01-05 1978-01-05 Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS196953B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU538152B2 (en) Chemical vapour deposition apparatus and process
JPS586300B2 (ja) アニ−リング方法
US3901746A (en) Method and device for the deposition of doped semiconductors
US4935381A (en) Process for growing GaAs epitaxial layers
EP0067165B1 (en) Improved partial vacuum boron diffusion process
CS196953B1 (cs) Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého
US3837905A (en) Thermal oxidation of silicon
JPS60150624A (ja) 半導体用低圧化学蒸着拡散ドパント源
Huffman et al. Synthesis of Phosphorus Nitrides1
US5180692A (en) Method for the manufacture of boron-containing films by CVD or epitaxial techniques using boron trifluoride
US5906861A (en) Apparatus and method for depositing borophosphosilicate glass on a substrate
US5098857A (en) Method of making semi-insulating gallium arsenide by oxygen doping in metal-organic vapor phase epitaxy
JPH0259561B2 (cs)
Landry et al. The preparation of (Al2O3) x (SiO2) y thin films using [al (OSiEt3) 3] 2 as a single‐source precursor
JP3193411B2 (ja) 化学気相析出用有機金属化合物の保存方法、および化学気相析出用の有機金属化合物溶液
JP2585029B2 (ja) シリコン窒化酸化膜の形成方法
EP0245600B1 (en) Process for the plasma synthesis of hydride compounds and apparatus for carrying out said process
JPH01312833A (ja) 気相成長装置
Liu et al. Molecular Rare-Earth Metal and Actinide Precursors for Chemical Vapor Deposition
Vogt et al. Nitridation and CVD reactions with hydazine
Pajaczkowska et al. On the chemical transport of gallium oxide in the Ga2O3/H-Cl system
EP0090817B1 (en) Thin films of compounds and alloy compounds of group iii and group v elements
GB769825A (en) Improvements in and relating to the coating of surfaces of materials with layers of gallium, germanium or indium or alloys consisting of two or all of these metals
JPH02129370A (ja) Cvd装置への液化性原料導入法
JPS59100542A (ja) 半導体装置の製造方法