CS196953B1 - Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého - Google Patents
Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého Download PDFInfo
- Publication number
- CS196953B1 CS196953B1 CS12378A CS12378A CS196953B1 CS 196953 B1 CS196953 B1 CS 196953B1 CS 12378 A CS12378 A CS 12378A CS 12378 A CS12378 A CS 12378A CS 196953 B1 CS196953 B1 CS 196953B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- mixture
- pure
- preparation
- layers
- silane
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 7
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000074 antimony hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N stibane Chemical compound [SbH3] OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- -1 diborane Chemical compound 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
(54) Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého
Vynález se týká způsobu přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého za použití směsi plynů silanu a kysličníků dusíku,které jsou namíchány v jedné tlakové láhvi.
V polovodičové technice se používá vrstev kysličníku křemičitého,které se kromě jiných způsobů vytvářejí chemickou reakcí z plynné fáze.Takovou reakcí je například oxidace silanu kysličníkem dusným v inertní atmosféře.Tyto vrstvy se potom v technologických operacích při přípravě polovodičových součástek používají bu5 čisté,nebo je dotují fosforem,borem nebo arzenem.
K dotaci těchto vrstev se proto také používá fosfinů,diboranu nebo arzinu.Tyto hybridy proti jiným dotujícím příměsím mají tu výhodu,že jsou stejně jako silan plynné látky a mohou se libovolně se sílaném míchat.
Vytváření vrstev kysličníku křemičitého se dosud provádí tak,že se do reakční kolony přivádějí odděleně jednotlivé reakční složky: silan s nosným plynem a oxidační látka,například kyslík,kysličník uhličitý nebo kysličníky dusíku.V případě,že se nanáší dotovaný kysličník křemičitý,přidává 8e k uvedeným složkám ještě dotující příměs,kterou v tomto případě může být diboran,arzin,fosfín nebo stibin ve směsi s nosným plynem.
Tento způsob vytváření kysličníkových vrstev má řadu nevýhod z hlediska vlastností nanášených vrstev.Protože se zde dávkují do zařízení plyny nebo plynné směsi,musí se k zajištění dobré kvality nanášené kysličníkové vrstvy tyto plyny před vstupem do reakční kolony dobře vzájemně promíchat,což se setkává někdy se značnými potížemi.Vlivem špatně promíchaných plynů ne196 953
196 9S3
reproluKoviWcft niltMůIromí toho můíi naatat BíeiSaaRá eňiiei eíiuu iiysliSafiu (H áuetlyie přímo v přívodním potrubí,čímž se vytváří práškový kysličník křemičitý,znehodnocující připravované vzorky.Rovněž manipulace β větším počtem tlakových láhví je obtížná.
V posledních letech se tyto těžkosti technologického rázu začaly odstraňovat přípravou směsi sílánu s kysličníkem uhličitým nebo β kyslíkem,které jsou namíchány do jedné tlakové láhve. Využití těchto směsí znamená určité zjednodušení,avšak použití reakce silanu s kysličníkem uhličitým a kyslíkem má určité omezení.Směs s kysličníkem uhličitým dovoluje připravovat vrstvy až při teplotě vyšší než 600° C.Naproti tomu směs s kyslíkem má omezené použití při vytváření neateohiometriokýoh vrstev kysličníku křemičitého.
Shora uvedené nevýhody jsou odstraněny způsobem přípravy směsí plynů podle vynálezu,jehož podstata spočívá v tom,že směs plynů namíchaných v jedné tlakové láhvi obsahující silan o koncentraci do 3% a kysličník dusný nebo dusnatý,přípádně jejich směs o koncentraci do 6# v nosném plynu,se vede na vyhřátou podložku.
Nový a vyšší účinek způsobu přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého podle vynálezu proti dosud známým postupům spočívá v tom,že se zjednoduší technologický proces a odstraní manipulace s velkým počtem tlakových láhví, zvýší reprodukovatelnost výsledků minimálně na dvojnásobek a zvýší reprodukovatelnoet výsledků a sníží spotřeba elektrické energie potřebné k provedení technologického procesu.
Dobře promíchané plyny,k čemuž dochází v tlakové láhvi,snižují počet defektů ve vytvořené kysličníkové vrstvě a spotřebu silanu potřebného k vytvoření této vrstvy na jednom substrátu.
K přípravě čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého se používá směsi plynů jako silanu s kysličníkem dusným nebo dusnatým,také silan s kysličníkem dusným nebo duanatým a a dotační příměsí (sfosfinem,diboranem,arsinem),připravených o přesném složení v jedné tlakové láhvi.Bylo zjištěno,že silan io koncentrace 3% lze udržet v jedné tlakové láhvi v rozmezí tlaku 0,1 MPa až 15 MPa s kysličníkem dueným nebo dusnatým o koncentraci až objemová) v pří tomnosti dusíku,argonu,helia tvořících ochrannou atmosféru,aniž by navzájem zreagovaly.Tato směs je stálá i když navíc obsahuje některou z dotačních příměsi (fosfin,diboran,arsin) do kon centrace 3#·Plyny,které tvoří ochrannou atmosféru,mohou obsahovat i příměsi,jako kysličník uhličitý, vodík, aniž by došlo k reakci uvnitř láhve mezi jednotlivými komponenty.
Přípravu kysličníku křemičitého vrstev čistých nebo dotovaných za použití popsaných směsí lze provést podle následujícího příkladu.Vzorky,na kterýoh se vrstva vytváří,se vloží do reakč ní kolony.Při vytváření za atmosferického tlaku se komora proplachuje nosným plynem argonem nebo dusíkem.Po propláchnutí,které trvá 5 až 15 minut se vzorky v téže atmosféře vyhřejí na teplotu 400 až 500° C a po dosažení této teploty se k nosnému plynu začne přidávat reakční směs připravená v jedné tlakové láhvi o přesně definovaném složení.Přívodem této směsi do komory se začne na vzorcích vytvářet požadovaná vrstva kysličníku křemičitého.Po nanesení potřebné tloušťky se zastaví přívod reakční směsi,komorou se nechá protékat nosný plyn a vzorky se pak ochladí na pokojovou teplotu.
Při vvtváření vrst»v vo j-- < - 196 953 komory nejdříve reakční prostor evakuuje například na tlak 0,1 Pa a po dosažení tohoto tlaku se vzorky vyhřejí na 750 až 900° C.Při této teplotě se přivede do reakční komory směs plynů připravená v jedné tlakové láhvi.Po vytvoření potřebné tloušíky se zastaví přívod směsi,reakční komora se znovu evakuuje a pak se vzorky zchladí na pokojovou teplotu.
Claims (2)
1. Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého,vyznačující se tím,že směs plynů namíchaných v jedné tlakové láhvi obsahující silan o ko centraci do 3 objemových % a kysličník dusný nebo dusnatý,případně jejich směs o koncentraci do 6 objemových v nosném plynu,se vede na vyhřátou podložku.
2. Způsob přípravy podle bodu 1,vyznačující se tím,že uvedená směs obsahuje příměs dotujícího plynného hydridu,například diboranu,fosfinu,arzinu nebo stibinu o koncentraci do 3 objemových 1*.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS12378A CS196953B1 (cs) | 1978-01-05 | 1978-01-05 | Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS12378A CS196953B1 (cs) | 1978-01-05 | 1978-01-05 | Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS196953B1 true CS196953B1 (cs) | 1980-04-30 |
Family
ID=5332824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS12378A CS196953B1 (cs) | 1978-01-05 | 1978-01-05 | Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS196953B1 (cs) |
-
1978
- 1978-01-05 CS CS12378A patent/CS196953B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU538152B2 (en) | Chemical vapour deposition apparatus and process | |
| JPS586300B2 (ja) | アニ−リング方法 | |
| US3901746A (en) | Method and device for the deposition of doped semiconductors | |
| US4935381A (en) | Process for growing GaAs epitaxial layers | |
| EP0067165B1 (en) | Improved partial vacuum boron diffusion process | |
| CS196953B1 (cs) | Způsob přípravy čistých a dotovaných vrstev kysličníku křemičitého | |
| US3837905A (en) | Thermal oxidation of silicon | |
| JPS60150624A (ja) | 半導体用低圧化学蒸着拡散ドパント源 | |
| Huffman et al. | Synthesis of Phosphorus Nitrides1 | |
| US5180692A (en) | Method for the manufacture of boron-containing films by CVD or epitaxial techniques using boron trifluoride | |
| US5906861A (en) | Apparatus and method for depositing borophosphosilicate glass on a substrate | |
| US5098857A (en) | Method of making semi-insulating gallium arsenide by oxygen doping in metal-organic vapor phase epitaxy | |
| JPH0259561B2 (cs) | ||
| Landry et al. | The preparation of (Al2O3) x (SiO2) y thin films using [al (OSiEt3) 3] 2 as a single‐source precursor | |
| JP3193411B2 (ja) | 化学気相析出用有機金属化合物の保存方法、および化学気相析出用の有機金属化合物溶液 | |
| JP2585029B2 (ja) | シリコン窒化酸化膜の形成方法 | |
| EP0245600B1 (en) | Process for the plasma synthesis of hydride compounds and apparatus for carrying out said process | |
| JPH01312833A (ja) | 気相成長装置 | |
| Liu et al. | Molecular Rare-Earth Metal and Actinide Precursors for Chemical Vapor Deposition | |
| Vogt et al. | Nitridation and CVD reactions with hydazine | |
| Pajaczkowska et al. | On the chemical transport of gallium oxide in the Ga2O3/H-Cl system | |
| EP0090817B1 (en) | Thin films of compounds and alloy compounds of group iii and group v elements | |
| GB769825A (en) | Improvements in and relating to the coating of surfaces of materials with layers of gallium, germanium or indium or alloys consisting of two or all of these metals | |
| JPH02129370A (ja) | Cvd装置への液化性原料導入法 | |
| JPS59100542A (ja) | 半導体装置の製造方法 |