CN2938404Y - 一种测量pn结电流的测试装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种测量PN结电流的测试装置，P+端与电压源相连，N+端与电流测试仪器相连。有益效果是，由于检测电流端由现有技术的连接到P+变为连接到N+，使得从N+端测得的电流才是客户需要的准确的PN结电流，即i1，实质上解决了现有技术中二极管结漏电流大的缺陷。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体测量领域，尤其涉及一种测量PN结电流的测试装置。
背景技术
在先进的CMOS技术中大部分工艺都是采用双阱结构，而且P阱是通过使用N阱的反膜而形成的，也就是说，除了N阱区域之外，其他所有的区域均被P阱所覆盖。除此之外，目前未加工的晶片大多数都是以P型作为衬底，这样两种相同的材料必然导致P阱和P衬底之间出现短路。当N阱端或N+存在反向电压偏差时，在P阱端检测到的N/P阱或N阱/P阱结构二极管的电流时，会发现正是由于在P阱端测量电流，因此会发生大量结漏电流。
不洁P阱端会产生大量的结漏电流，这是因为P阱(P衬底端)会采集到许多与周边环境有关的电流源，例如：电缆电流，地面电流，天线感应衬底漏电流等，因此错误的测试方法只能使用户得到无效的结漏电流，而不准确的漏电流有时甚至是正常漏电流的3个数量级。如图1，N+端接电压源，P+端接电流测试仪器，P阱接地，N+和P+之间存在相对电压差，N+和PWell直接产生二极管结漏电流。从电流走向看，可分成两路电流i1和i2，i1从N+通过P-Well到接测试端的P+，i2从P衬底经Pwell到P+，当V为负电压时，i2的数量级足以影响IV的测量，见图1，因此这时从P+测得的并非N+和PWell的电流i1，还包括了从P衬底经Pwell到P+的电流i2，测得的即为两者之和i1+i2，测量值明显偏离太多，所以从P+端测得的电流只是一小部分电流，但对于用户来说，他们真正想测得的只是N+和PWell之间的电流。
实用新型内容
本实用新型需要解决的技术问题在于提供一种测量PN结电流的测试装置，可在测量端检测到用户所需的准确电流。
本实用新型的技术方案如下：一种测量PN结电流的测试装置，包括PN结，电压源和电流测试仪器，所述PN结为掺杂有不同浓度P掺杂和N掺杂的多种PN结，N+端和P+端之间存在电位差，P+端与电压源相连，N+端与电流测试仪器相连。
本实用新型的有益效果是，由于检测电流端由现有技术的连接到P+变为连接到N+，使得从N+端测得的电流才是客户需要的准确的PN结电流，即i1，实质上解决了现有技术中二极管结漏电流大的缺陷。
附图说明
图1为现有技术的测试装置的结构示意图；
图2为本实用新型的结构示意图；
图3为现有技术和本实用新型的IV电流电压曲线图；
图4为本实用新型实施例所举的包含N+/Pwell型PN结的测试装置的结构示意图；
图5为本实用新型实施例所举的包含Nwell/Pwell型PN结的测试装置的结构示意图；
图6为本实用新型实施例所举的包含N+/Psub型PN结的测试装置的结构示意图；
图7为本实用新型实施例所举的包含DNwell/Pwell型PN结的测试装置的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作详细说明。
如图2，为本实用新型的典型结构，即PN结是N+/Pwell型，结合补充了衬底以后的图见图4，图中衬底为P衬底(PSub)，P衬底上为PWell，N+端和P+端由电线引出，分别接至电流测试仪器和电压源。因此，从N+端检测到的电流应该如图4中的i1，而漏电流i2不可能被检测到，其IV曲线见图3中曲线2，曲线1为现有技术测得的电流值。在电压为0伏的点上，可看出，现有技术为e-11.6，本发明为e-13.8，差了2个数量级。
如图5，PN结为Nwell/Pwell型，PN结形成于Nwell和Pwell之间，从N+端检测到的电流也应该是i1。
如图6，PN结为N+/Psub型，PN结形成于N+和P衬底(Psub)之间，从N+端检测到的电流也应该是i1。
如图7，PN结为DNwell/Pwell型，PN结形成于Nwell和Pwell之间，从N+端检测到的电流也应该是i1。
本实用新型还可用于上述N+/Pwell型、Nwell/Pwell型、N+/Psub型、N+/Psub四类PN结的大型，小型和微型结构。
虽然已公开了本实用新型的优选实施例，但本领域技术人员将会意识到，在不背离权利要求书中公开的本发明的范围的情况下，任何各种修改、添加和替换均属于本实用新型的保护范围。
Claims (3)
1.一种测量PN结电流的测试装置，包括PN结，电压源和电流测试仪器，所述PN结为掺杂有不同浓度P掺杂和N掺杂的多种PN结，N+端和P+端之间存在电位差，其特征在于，P+端与电压源相连，N+端与电流测试仪器相连。
2.如权利要求1所述的测量PN结电流的测试装置，其特征在于，所述多种PN结可以为N+/Pwell型、Nwell/Pwell型、N+/Psub型、DNwell/Pwell型中任一种类型PN结。
3.如权利要求2所述的测量PN结电流的测试装置，其特征在于，所述多种PN结还可包括该四种的各自的大型、小型和微型类PN结。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 200620040258 CN2938404Y (zh) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 一种测量pn结电流的测试装置 |
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| CN 200620040258 CN2938404Y (zh) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 一种测量pn结电流的测试装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN2938404Y true CN2938404Y (zh) | 2007-08-22 |
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ID=38362430
Family Applications (1)
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| CN 200620040258 Expired - Lifetime CN2938404Y (zh) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 一种测量pn结电流的测试装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN2938404Y (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102955116A (zh) * | 2011-08-21 | 2013-03-06 | 布鲁克纳米公司 | 由电致发光半导体晶片测试预测led参数的方法和设备 |
| CN103094141A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种pn结器件铝穿通的判定方法 |
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2006
- 2006-03-16 CN CN 200620040258 patent/CN2938404Y/zh not_active Expired - Lifetime
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