CN2927321Y - 一种大功率半导体发光部件 - Google Patents

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朱建钦
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Abstract

本实用新型公开了一种具有主动散热的大功率LED发光部件，包括至少一个以上的大功率LED发光体、半导体电子制冷片、壳体。将至少一个以上的大功率LED发光体设在半导体电子制冷片的吸热面上，通过半导体电子制冷片将大功率LED发光体发光时产生的热量主动消散，消散的热量经铝或其它热传导系数较高的材料制成的壳体传导到外部环境，使发光效率及使用寿命提高。

Description

一种大功率半导体发光部件
技术领域
本实用新型涉及一种大功率半导体发光部件，尤其是指一种具有主动热消散功能的大功率LED发光部件。
背景技术
目前，大功率LED发光部件可应用于装饰、照明等领域，使用较为广泛。大功率LED发光部件为了要达到较为理想的发光效率及使用寿命，必须采用适当的散热设计，来控制半导体发光芯片的工作温度。常见的散热方式均采用被动传导散热，主要是在LED发光部件周边设置铝或铜等金属散热片，辅以有助于降低热阻的硅油等等，将LED发出的热量被动传导并散发出去。上述的被动传导散热方式存在的缺点有：由于半导体发光芯片和金属散热片的接触面积很小，只是半导体发光芯片的截面积，一般接触面积均小于3平方毫米，因此，半导体发光芯片与金属散热片之间的热阻很难通过被动传导散热的方式进行有效的降低，导致半导体发光芯片的结温无法得到实际的降低或保持，成为阻碍半导体发光芯片市场化应用的门槛，实有必要进一步的改进。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种大功率半导体发光部件，它采用了主动式热量吸收装置，利用主动散热来降低大功率发光芯片的结温度，提高发光效率及使用寿命。
为了达到上述目的，本实用新型由以下的技术方案来实现。
一种大功率半导体发光部件，包括至少一个以上的大功率LED发光体、半导体电子制冷片、壳体，其特征在于：将至少一个以上的大功率LED发光体设在半导体电子制冷片的吸热面上；在壳体上设有放置半导体制冷片的开口凹槽，将带有大功率LED发光体的半导体电子制冷片设于凹槽内，半导体电子制冷片通过一个与凹槽结合的可取卸压抵件固定，固定后的半导体电子制冷片散热面底部与凹槽底面形成热接触。
所述的壳体采用铝或其它热传导系数较高的材料制作。
所述的压抵件采用不导热或热阻较大的材料制作。
所述的开口凹槽在开口处设有螺纹或其他可以扣禁压抵的装置，压抵件的周面设有螺纹与开口处螺纹互相连接。
所述的压抵件可采用活动扣方式与凹槽结合。
所述的壳体凹槽开口处可设一透明盖或其他二次光学装置。
本实用新型的有益效果在于，将至少一个以上的大功率LED设在半导体电子制冷片的吸热面上，通过半导体电子制冷片将大功率LED发光体发光时产生的热量主动消散出去，消散的热量经铝或其它热传导系数较高的材料制成的壳体传导到外部环境，并采用不导热或热阻较大压抵件固设，可保持大功率LED发光体长时间处于恒温状态下工作，提高发光效率及使用寿命。本实用新型采用一体封装，可作单独元件使用，光效可提高到110Lm/W。
附图说明
下面结合附图说明对本实用新型的具体实施方式作进一步阐述
图1为本实用新型智能大功率LED发光部件结构剖视图
具体实施方式
如图1所示的一种大功率半导体发光部件，包括至少一个以上的大功率LED发光体1、半导体电子制冷片2、壳体3，大功率LED发光体1在本实施例中采用的是一个，可视产品的具体应用来增加；壳体3采用铝或其它热传导系数较高的材料制作。其中，将大功率LED发光体1设在半导体电子制冷片2的吸热面上。半导体电子制冷片2采用现有技术，把不同极性的两种半导体材料(P型、N型)联接成电偶对，在此不在赘述。在壳体3上设有放置半导体制冷片2的开口凹槽，将带有大功率LED发光体1的半导体电子制冷片2设于凹槽内，半导体电子制冷片2通过一个与凹槽结合的可取卸压抵件31固定，固定后的半导体电子制冷片2散热面底部与凹槽底面形成热接触。其中的压抵件31采用不导热或热阻较大的材料制作，可保持大功率LED发光体1处于恒温状态工作。本实施例在开口凹槽在开口处设有螺纹，压抵件31的周面设有螺纹与开口处螺纹互相螺设，压抵件31也可以采用其它可以扣禁压抵的活动扣方式与凹槽结合。压抵件31的作用在于固定半导体电子制冷片2，使半导体电子制冷片2的散热面底部能够与壳体3的凹槽底面紧密形成热接触。同时也可以在壳体凹槽开口处可设一透明盖或其他二次光学装置，本实施例附图1中未给出。

Claims (6)

1、一种大功率半导体发光部件，包括至少一个以上的大功率LED发光体、半导体电子制冷片、壳体，其特征在于：将至少一个以上的大功率LED发光体设在半导体电子制冷片的吸热面上；在壳体上设有放置半导体制冷片的开口凹槽，将带有大功率LED发光体的半导体电子制冷片设于凹槽内，半导体电子制冷片通过一个与凹槽结合的可取卸压抵件固定，固定后的半导体电子制冷片散热面底部与凹槽底面形成热接触。
2、如权利要求1所述的大功率半导体发光部件，其特征在于：壳体采用铝或其它热传导系数较高的材料制作。
3、如权利要求1所述的大功率半导体发光部件，其特征在于：压抵件采用不导热或热阻较大的材料制作。
4、如权利要求1所述的大功率半导体发光部件，其特征在于：开口凹槽在开口处设有螺纹或其他可以扣禁压抵的装置，压抵件的周面设有螺纹与开口处螺纹互相连接。
5、如权利要求1所述的大功率半导体发光部件，其特征在于：压抵件可采用活动扣方式与凹槽结合。
6、如权利要求1所述的大功率半导体发光部件，其特征在于：壳体凹槽开口处可设一透明盖或其他二次光学装置。
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