CN2894912Y - 自动防干烧长寿命调温节能电烙铁 - Google Patents

Abstract

一种能自动识别工作和停歇两状态，并能自动转换两状态的功率和温度的电烙铁。它是在已有的烙铁心，烙铁头，手柄的基础上增加红外发射接收电路，可控硅功率调节器，功率指示电路。将红外光发射接收二极管分别安装在手柄两端的凸出部位。当人手握住电烙铁的手柄时就会阻断红外光的的传输，进而控制可控硅功率调节器调整功率。由于电烙铁停歇期间功率较低，所以节约了电能，延长了寿命。另外还可以很方便进行温度调节和低温焊接。

Description

自动防干烧长寿命调温节能电烙铁

所属技术领域

本实用新型涉及一种应用于电子行业进行锡焊的电烙铁，尤其是能自动调节工作和停歇两种状态的功率和温度的电烙铁。

背景技术

大家知道，电烙铁在进行焊接工作时，不是连续工作，总有停歇的时间，有些情况下停歇的时间比工作长得多，在此期间如果继续供电，不仅浪费大量电能，而且会降低电烙铁的寿命。如果停歇期间关掉电源，电烙铁会变冷，焊接又需要相应的加热升温，影响工作效率。其次，在焊接的时候，针对大小不同的焊点，最好能用高低不同的温度焊接，这样焊接效果更好。专利号为200310110423的《节能电烙铁》是在手柄上设置一种带半波整流的推拉开关来解决这些问题。但每次拿起或放下电烙铁时总要推动开关显得有些麻烦，况且频繁地推拉开关会加剧开关机械触点的磨损，从而影响到电烙铁的使用寿命。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种电烙铁，它不仅能象普通烙铁一样进行锡焊，而且能识别电烙铁的工作和停歇两种状态，并自动转换功率，达到节约能源，延长电烙铁寿命的目的。并且在焊接时也能很方便转换电烙铁的功率，调节烙铁的温度。

本实用新型的目的是这样实现的：本实用新型由烙铁头，烙铁心，手柄，红外光发射接收电路，可控硅功率调节器及功率指示电路组成。烙铁头，烙铁心和普通电烙铁相同.可控硅功率调节器和烙铁心串联。功率指示电路和烙铁心并联。手柄的两端各有一个凸出的部位，其内部分别隐藏红外光发射二极管和红外光接收二极管，并且红外光发射二极管的发射窗口正对红外光接收二极管的接收窗口。红外光接收二极的正负极分别和可控硅的阴极和栅极相连接。当手握手柄时，红外光的传输被阻挡，红外接收二极管因接收不到红外光而截止，可控硅被正常触发，烙铁心上得到额定功率，功率指示灯正常发光；当手松开手柄时，红外光正常传输，红外光接收二极管导通，可控硅因栅极被短路而无法导通，通过可控硅功率调节器调节，烙铁心上只能得到较低的功率，功率指示灯或熄或亮度降低。

由于采用上述方案，本实用新型能够在焊接时以较大的功率较高的温度工作，而在停歇期间能以较低功率较低温度维持，不仅自动调节了功率和温度，而且节约了能源，延长了使用寿命。另外在焊接时还可以用手指随意阻挡和开放红外光的传输，以此来调节电烙铁功率和温度。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是手柄的纵剖面构造图

图2是图1的A-A剖视图

图3是图1的B-B剖视图

图4是电烙铁第一个实施例电路原理图

图5是电烙铁第二个实施例电路原理图

在图中，1.手柄  2.手柄1前端的凸部  3.手柄1后端凸部  4.红外发射二极管  5.红外接收二极管  6.电路板

具体实施方式

在图1中，凸部2和凸部3分别是手柄1前后端凸起的部份，一端开口，内空，红外发射二极管4和红外接收二极管5分别隐藏其中。并且红外发射二极管的发射窗口正对着红外接收二极管的接收窗口。

图4和图5所示的实施例电路中，除了可控硅功率调节器外，其他的电路完全相同，所以图4和图5中a，b，c点左边的电路是完全相同。它们相同的部份是：限流电阻R2和红外光发射管D1，触发电阻R3和红外接收管D2，整流二极管D6，降压电阻R5，滤波电容C1组成红外发射和接收电路。限流电阻R2和红外光发射二极管D1组成红外光发射电路。触发电阻R3和红外接收二极管组成红外接收电路。整流二极管D6，降压电阻R5，滤波电容C1构成红外发射和接收电路的直流电源。限流电阻R4和发光二极管D4组成功率指示电路，并联在烙铁心R1的两端，发光二极管D4为功率指示灯。

图4和图5不同的是：

在图4所示的实施例中，触发电阻R3，单向可控硅T，半波整流二极管D3组成可控硅功率调节器.单向可控硅T的阳极和阴极分别接半波整流二极管D3的负极和正极.红外接收二极管D2正极接单向可控硅T的阴极，负极接单可控硅T的栅极。当手握手柄时，红外光的传输被阻挡，红外光接收二极管因接收不到红外光而截止，在交流电源正半周在触发电阻R3作用下，单向可控硅T被触发导通，而在交流电源的负半周，半波整流二极管导通，烙铁心上到额定功率，发光二极管D4正常发光；当手松开手柄时，红外光正常传输，红外光接收二极管D2导通，单向可控硅T因栅极被短路而截止，半波整流二极管D3半波整流，烙铁心R1上只得到额定电压的一半，额定功率的四分之一，发光二极管D4熄灭。

在图5所示实施例中，触发电阻R3和双向可控硅T1，T2，触发二极管D5，移相电阻R6，R7，移相电容C2组成可控硅功率调节器。红外光接收二极管D2的正负极分别接双向可控硅T1的阴极和栅极，而双向可控硅T1的阳极和阴极别接移相电阻R7的两端.移相电阻R6，R7，移相电容C2组成双向可控硅T2的移相网络。当手握手柄时，红外光的传输被阻挡，红外接收二极管D2截止，双向可控硅T1在触发电阻R3的触发下导通，移相电阻R7被短路，双向可控硅T2导通角增大，烙铁心得到的功率增大，发光二极管D4正常发光。当手松开手柄时，红外光正常传输，红外光接收二极管D2导通，双向可控硅T1因栅极被短路二截止，移相电阻R7被接入移相网络中，双向可控硅T2的导通角减小，烙铁心得到功率减小，发光二极管D4微弱发光。

Claims (6)

1、一种电烙铁，由烙铁心，烙铁头，手柄和手柄内的红外光发射和接收电路，可控硅功率调节器，功率指示电路构成，其特征是：手柄两端的凸出部分内分别隐藏着红外光发射二极管和红外光接收二极管，并且红外光发射二极管的发射窗口正对着红外光接收二极管的接收窗口。

2、根据权利要求1所述的电烙铁，其特征是：手柄(1)的前端有一个凸部(2)，手柄后端有个凸部(3)，凸部(2)和凸部(3)内空，其内分别隐藏着红外光发射二极管(D1)和红外光接收二极管(D2)。

3、根据权利要求1所述的电烙铁，其特征是：限流电阻(R2)和红外光发射二极管(D1)串联组成红外发射电路，触发电阻(R3)和红外光接收二极管(D2)串联组成红外光接收电路。

4、根据权利要求1所述的电烙铁，其特征是：触发电阻(R3)，单向可控硅(T)和半波整流二极管(D3)并联组成可控硅功率调节器，并且红外接收二极管(D2)的正负极分别接单向可控硅(T)的阴极和栅极，单向可控硅的阳极和阴极(T)分别接半波整流二极管(D3)的负极和正极，功率转换电路和烙铁心串联。

5、根据权利要求1所述的电烙铁，其特征是：限流电阻(R4)和发光二极管(D4)组成功率指示电路，并联在烙铁心(R1)上。

6、根据权利要求1所述的电烙铁，其特征是：触发电阻(R2)和双向可控硅(T1)，(T2)，移相电阻(R6)，(R7)，移相电容(C2)，触发二极管(D5)组成可控硅功率调节器，红外接收二极管(D2)的正负极分别接双向可控硅(T1)的阴极和栅极，而双向可控硅(T2)阳极和阴极分别接移相电阻(R7)的两端。

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