CN2884263Y - 在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置 - Google Patents
在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN2884263Y CN2884263Y CN 200620101708 CN200620101708U CN2884263Y CN 2884263 Y CN2884263 Y CN 2884263Y CN 200620101708 CN200620101708 CN 200620101708 CN 200620101708 U CN200620101708 U CN 200620101708U CN 2884263 Y CN2884263 Y CN 2884263Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser
- photon crystal
- beam splitter
- utility
- optical axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000005562 fading Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种利用激光多光束干涉技术在发光二极管上制作二维光子晶体覆层掩膜的优化设计的装置。本实用新型包括沿光轴依次设置的激光器、扩束滤波器、准直透镜和分束器，激光经过分束器后分成三束，对应每束激光，设置有一块反射镜，沿着通过分束器后的各束激光的光轴，放置有偏振衰减控制器。本实用新型所用的装置简单、灵活度高、成本低，生产速度快，适合于大规模制作发光二极管表面的光子晶体掩膜。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种制作光子晶体掩膜层的装置，特别是一种利用激光多光束干涉技术在发光二极管上制作二维光子晶体覆层掩膜的优化设计的装置。
背景技术
近年来在固体照明技术领域，高亮度发光二极管(LED)显示出了非常强的竞争力。与传统的照明光源相比，LED具有能耗低、尺寸小、寿命长等众多优点，产业化发展十分迅速。研究LED的关键问题是如何提高LED的发光效率，以降低能耗且提高使用寿命。在已有产业化的LED产品中，尽管LED的内部量子效率已接近100％，但是产生的大部分光子受限于全反射和横向导波的现象，被高折射率材料吸收，无法有效传递出组件，而不能对照明做贡献(抽取效率低)。因此，十分迫切地需要寻找一种有效途径，通过提高抽取效率来提高LED的发光效率。
作为现代光子学领域最重要的成就之一，光子晶体(PhotonicCrystal)可以有效地控制光的行为。光子晶体是一种人工制作的周期性结构[J.D.Joannopoulos，Photonic crystals：Molding the flow oflight，Princeton，1995]，利用介质材料如二氧化硅、硅、氮化镓等制作的二维周期性结构，也可以是在介质背景中二维周期性分布的金属柱子阵列。所述的二维周期性是指，阵列中任何相邻的三个柱子的中心的连线构成等腰直角三角形的正方晶格，或构成等边三角形的三角晶格等。最短连线的长度称为晶格常数。
在传统的LED中，引入光子晶体履层结构，利用光子晶体的禁带等特性将普通LED结构中被高折射率履层材料捕获而不能对照明做贡献的导波模的光能量尽可能地转换为泄漏模释放出来[S.Fan，P.P.Villeneuve and J.D.Joannopoluos，High extraction effeiciencyof spontaneous emission from slabs of photonic crystals，Phys.Rev.Lett.78 3294，1997]。发光二极管的制造商便有机会去操控光子的行为，可以极大提高半导体LED的发光效率，并改善光的输出特性。
目前，通常用电子束刻蚀的方法在LED上制作二维周期性的光子晶体履层掩膜，然后用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)和反应离子刻蚀(RIE)在半导体上刻蚀出光子晶体履层结构。这种掩膜的制作方法速度慢，成本高，无法满足大规模产业化的要求。
发明内容
本实用新型的目的针对目前技术的不足，提供一种能满足大规模模产业化的需求、快速、灵活、廉价、基于激光多光束干涉技术制备光子晶体履层掩膜制作的装置。
本实用新型包括沿光轴依次设置的激光器、扩束滤波器、准直透镜和分束器，激光经过分束器后分成三束，对应每束激光，设置有一块反射镜，沿着通过分束器后的各束激光的光轴，放置有偏振衰减控制器。
本实用新型在发光二极管表面制作二维光子晶体掩膜，只需要一次的曝光和显影，即可在整个芯片上形成大面积，高质量的二维光子晶体掩膜层。采用一块衍射光学器件实现分光，降低了光路结构的复杂度，提高了光路的稳定度。由反光镜分别将三束激光反射到芯片表面，使装置具有相当高的灵活性，针对不同结构的晶格常数，只需要调整反光镜的角度就可以满足生产适合不同波长高发光效率LED的二维光子晶体履层结构的要求。本实用新型所用的装置简单、灵活度高、成本低，生产速度快，适合于大规模制作发光二极管表面的光子晶体掩膜。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图；
图2为三束激光入射到光刻胶表面的示意图。
具体实施方式
如图1所示，该装置设有激光器1，扩束滤波器2设于激光器1的输出光轴上，用于对激光器1射出的光扩束与滤波；准直透镜3设于扩束滤波器2的输出光轴上，用于准直扩束后的激光，形成平行光束；衍射分光器4将入射的平行光束分成三束；每一束激光经过偏振衰减控制器5，在计算机数值模拟优化设计的基础上，调整每一束激光的强度与偏振态，然后由反光镜6根据设计的要求，以一定的角度将激光束反射到涂于发光二极管芯片8表面的光刻胶层7上，合理的控制曝光强度与曝光时间，在光刻胶层7上形成干涉图样。显影后，可以将干涉图样记录到光刻胶层7上，形成可以制作二维周期性光子晶体履层的掩膜层。如图2所示，经过反射镜反射后，三束激光入射到光刻胶层表面。干涉图样的晶格点阵是由反射后的三束激光的极角θ和方位角φm决定。干涉图样的对比度和各个单元的光斑图样由三束激光的强度和偏振态共同决定。所用的激光器1的波长对应于所采用的光刻胶的吸收波长。
Claims (1)
1、在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置，包括沿光轴依次设置的激光器、扩束滤波器、准直透镜和分束器，其特征在于对应经过分束器后的三束激光位置分别设置有反射镜，沿着通过分束器后的各束激光的光轴，放置有偏振衰减控制器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200620101708 CN2884263Y (zh) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | 在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200620101708 CN2884263Y (zh) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | 在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2884263Y true CN2884263Y (zh) | 2007-03-28 |
Family
ID=37957322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200620101708 Expired - Fee Related CN2884263Y (zh) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | 在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN2884263Y (zh) |
-
2006
- 2006-03-15 CN CN 200620101708 patent/CN2884263Y/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7148747B2 (ja) | Ｌｅｄからの発光をコリメートするためのナノ構造化されたメタマテリアルおよびメタサーフェス | |
| CN108291983A (zh) | 准直超透镜和融合准直超透镜的技术 | |
| CN101572286B (zh) | 偏振出光发光二极管 | |
| CN1818798B (zh) | 在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的方法和装置 | |
| CN101257077B (zh) | 具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件 | |
| EP2947484B1 (en) | A light emitting device | |
| US20160218260A1 (en) | A light emitting device | |
| KR20170012429A (ko) | 플라즈몬 조명 장치에서의 광자 이미터의 공간 포지셔닝 | |
| CN1688032A (zh) | 在发光二极管中制备光子晶体的方法及其装置 | |
| CN110289345A (zh) | 一种定向发射且可调控的极化激元发光器件及其制造方法 | |
| WO2015129219A1 (ja) | 発光素子および発光装置 | |
| TWI406101B (zh) | ２光束干涉曝光裝置、２光束干涉曝光方法、半導體發光元件的製造方法、及半導體發光元件 | |
| CN108680978A (zh) | 基于两个单脊光栅的5×5点阵衍射光栅 | |
| EP1785755B1 (en) | Waveguide and device including the same | |
| EP3227599B1 (en) | Laser based lighting system and method | |
| CN2884263Y (zh) | 在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置 | |
| CN102263183A (zh) | 一种偏振出光发光二极管 | |
| Wang et al. | Design of photonic crystals for light‐emitting diodes | |
| CN101369712B (zh) | 具有高偏振转换特性的半导体激光器件 | |
| CN110661172A (zh) | 一种表面发射的dfb半导体激光器阵列及制作方法 | |
| JP2003014915A (ja) | Ｄａｍｍａｎｎ型グレーティングをつけた光学素子 | |
| CN106340807A (zh) | 一种用于绿光标线仪的808nm半导体激光器结构 | |
| CN208253445U (zh) | 一种激光传导装置 | |
| CN112670381B (zh) | 具有表面非周期光栅图案的发光二极管及其制备方法 | |
| JP6875331B2 (ja) | 光均一性を向上できる中空ナノ構造の二次光学レンズの製作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070328 |