CN2716980Y - 高压脉冲频率充退磁机 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种高压脉冲频率充退磁机的结构改良。包括电容充电单元，与电容充电单元相连的电源装置，电容充电单元通过充退磁控制单元与线包相连，其特征在于所述的电容充电单元系由无极性的高压脉冲电容组成；所述的充退磁控制单元由可控硅以及与之相并联的保护电路组成。因此，本实用新型具有如下优点：1.设计合理，结构简单，线路布局科学；2.电容的工作电压高，充退磁效果好，具有高压保护功能；3.制作成本低廉，性能稳定，使用寿命长。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种磁性材料加工设备，尤其是涉及一种高压脉冲频率充退磁机的结构改良。
背景技术
在没有退磁机以前，磁性材料的退磁过程相当麻烦。待退磁的磁性材料都要放到煤窑内，用高温进行退磁，然后做废品处理。为此，人们进行了长期的探索，研制成功了具有退磁功能的退磁机。退磁机使得磁性材料的退磁相当方便，但是其功能非常单一，无法实现充磁的功能。中国专利文献公布了一种充退磁器(申请号：88203419.7)，在同一设备中同时实现了充退磁。但是其结构相当复杂，造价高，工作可靠性也较差。其电容控制单元的电容的工作电压较低，且控制单元一般采用PC机，因而成本高。另外，由于其退磁线包的绕制方式的原因，其退磁的效果也不甚理想。
发明内容
本实用新型主要是解决现有技术所存在的结构复杂，电容的的耐高压能力不强，制作成本高，工作稳定性不甚理想等的技术问题。
本实用新型同时还解决了现有技术所存在的功能单一，退磁效果不好，操作过程复杂等的技术问题。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：包括电容充电单元，与电容充电单元相连的电源装置，电容充电单元通过充退磁控制单元与线包相连，其特征在于所述的电容充电单元系由无极性的高压脉冲电容组成；所述的充退磁控制单元由可控硅以及与之相并联的保护电路组成。本实用新型采用工作电压较高的电容，有效地提高了充退磁的效果。同时，在可控硅上连接保护电路，使得在出现过高电压时对设备起到保护作用，提高设备运行的可靠性。
作为优选，所述的充退磁控制单元包括可控硅SCR1，与之相连的保护电路A；可控硅SCR2，与之相连的保护电路B；所述的可控硅SCR1和可控硅SCR2相互并联，且通过开关与导通电源U相连。
为了提高充退磁的效果，防止退磁不净，作为优选，所述线包的绕线对称折叠，绕线的中点设于线包的内层，其一端顺时针绕制，另一端逆时针绕制。绕制时，将绕线对折，将其对折点放置在最内层，然后将其两端分别朝相反方向绕制。这样可以有效提高绕线的对称性，从而提高充退磁的效果，使得退磁完全。
作为优选，所述的高压脉冲电容为铂式电容，其大小为200微法～1500微法，工作电压为1000V～1500V。
为了提高设备运行的可靠性，作为优选，所述的电容充电单元与时间控制单元相连；所述的电源装置和电容充电单元间设有桥式整流单元；所述的桥式整流单元上设有过压保护电路。
作为优选，所述的保护电路A包括电容C1以及与之串连的电阻R1，可控硅SCR1的引脚1与电容C1的一端相连，其引脚3与电阻R1相连；所述的保护电路B包括电容C2以及与之串连的电阻R2；可控硅SCR2的引脚6与电容C2的一端相连，其引脚5与电阻R2相连。由于可控硅过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。可控硅有一个重要特性参数—断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下，使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了可控硅的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。在可控硅处于阻断状态下，因各层相距很近，其结面相当于一个电容。当可控硅阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容，这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅在关断时，阳极电压上升速度太快，则电容的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，可控硅误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到可控硅上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，在实际可控硅电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容串联电阻可起阻尼作用，它可以防止过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。同时，避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅。
作为优选，所述的可控硅SCR1的引脚2与二极管D1的正极相连，所述二极管D1的负极通过开关K1与导通电源U相连；所述的可控硅SCR2的引脚4与二极管D2的正极相连，所述二极管D2的负极通过开关K2与导通电源U相连。
此外，作为优选，所述的电容C1和电容C2的电容值大致相等；所述的电阻R1和电阻R2的阻值大致相等；所述的开关K1和开关K2均为小型继电器；导通电源U为3V的直流电源。采用继电器作为控制开关，有效地降低了生产成本。
因此，本实用新型具有如下优点：1、设计合理，结构简单，线路布局科学；2、电容的工作电压高，充退磁效果好，具有高压保护功能；3、制作成本低廉，性能稳定，使用寿命长。
附图说明
附图1是本实用新型的一种结构框图；
附图2是本实用新型的一种充退磁控制单元的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：高压脉冲频率充退磁机，包括电容充电单元1，与电容充电单元1相连的电源装置5，电容充电单元1通过充退磁控制单元2与线包3相连。所述的电容充电单元1与时间控制单元4相连；所述的电源装置5和电容充电单元1间设有桥式整流单元6；所述的桥式整流单元6上设有过压保护电路7。电容充电单元1系由无极性的高压脉冲电容组成；所述的高压脉冲电容为铂式电容，其大小为1000微法，工作电压为1500V。充退磁控制单元2由可控硅以及之相并联的保护电路组成。包括可控硅SCR1，与之相连的保护电路A；可控硅SCR2，与之相连的保护电路B；所述的可控硅SCR1和可控硅SCR2相互并联，且通过开关与导通电源U相连。所述的保护电路A包括电容C1以及与之串连的电阻R1，可控硅SCR1的引脚1与电容C1的一端相连，其引脚3与电阻R1相连；保护电路B包括电容C2以及与之串连的电阻R2；可控硅SCR2的引脚6与电容C2的一端相连，其引脚5与电阻R2相连。可控硅SCR1的引脚2与二极管D1的正极相连，所述二极管D1的负极通过开关K1与导通电源U相连；所述的可控硅SCR2的引脚4与二极管D2的正极相连，所述二极管D2的负极通过开关K2与导通电源U相连。这里的电容C1和电容C2的电容值大致相等；所述的电阻R1和电阻R2的阻值大致相等；所述的开关K1和开关K2均为小型继电器；导通电源U为3V的直流电源。线包3的绕线对称折叠，绕线的中点设于线包的内层，其一端顺时针绕制，另一端逆时针绕制。
使用时，将开关K1闭合，此时处于充磁开启状态；将开关K1和开关K2均闭合，此时处于退磁状态。当工作电压过高时，保护电路工作，使得可控硅不致被高压损坏。
Claims (10)
1.一种高压脉冲频率充退磁机，包括电容充电单元，与电容充电单元相连的电源装置，电容充电单元通过充退磁控制单元与线包相连，其特征在于所述的电容充电单元(1)系由无极性的高压脉冲电容组成；所述的充退磁控制单元(2)由可控硅以及与之相并联的保护电路组成。
2.根据权利要求1所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的充退磁控制单元(2)包括可控硅SCR1，与之相连的保护电路A；可控硅SCR2，与之相连的保护电路B；所述的可控硅SCR1和可控硅SCR2相互并联，且通过开关与导通电源U相连。
3.根据权利要求1所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述线包(3)的绕线对称折叠，绕线的中点设于线包的内层，其一端顺时针绕制，另一端逆时针绕制。
4.根据权利要求1或2或3所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的高压脉冲电容为铂式电容，其大小为200微法～1500微法，工作电压为1000V～1500V。
5.根据权利要求1或2或3所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的电容充电单元(1)与时间控制单元(4)相连；所述的电源装置(5)和电容充电单元(1)间设有桥式整流单元(6)；所述的桥式整流单元(6)上设有过压保护电路(7)。
6.根据权利要求4所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的电容充电单元(1)与时间控制单元(4)相连；所述的电源装置(5)和电容充电单元(1)间设有桥式整流单元(6)；所述的桥式整流单元(6)上设有过压保护电路(7)。
7.根据权利要求1或2或3或6所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的保护电路A包括电容C1以及与之串连的电阻R1，可控硅SCR1的引脚1与电容C1的一端相连，其引脚3与电阻R1相连；所述的保护电路B包括电容C2以及与之串连的电阻R2；可控硅SCR2的引脚6与电容C2的一端相连，其引脚5与电阻R2相连。
8.根据权利要求1或2或3或6所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的可控硅SCR1的引脚2与二极管D1的正极相连，所述二极管D1的负极通过开关K1与导通电源U相连；所述的可控硅SCR2的引脚4与二极管D2的正极相连，所述二极管D2的负极通过开关K2与导通电源U相连。
9.根据权利要求7所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的可控硅SCR1的引脚2与二极管D1的正极相连，所述二极管D1的负极通过开关K1与导通电源U相连；所述的可控硅SCR2的引脚4与二极管D2的正极相连，所述二极管D2的负极通过开关K2与导通电源U相连。
10.根据权利要求1或2或3或6或9所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的电容C1和电容C2的电容值大致相等；所述的电阻R1和电阻R2的阻值大致相等；所述的开关K1和开关K2均为小型继电器；导通电源U为3V的直流电源。
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| CN 200420023862 CN2716980Y (zh) | 2004-06-12 | 2004-06-12 | 高压脉冲频率充退磁机 |
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| CN2716980Y true CN2716980Y (zh) | 2005-08-10 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN 200420023862 Expired - Lifetime CN2716980Y (zh) | 2004-06-12 | 2004-06-12 | 高压脉冲频率充退磁机 |
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| CN (1) | CN2716980Y (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101106009B (zh) * | 2007-06-05 | 2011-06-22 | 薛建仁 | 一种舰用超级电容消磁机 |
| CN102403085A (zh) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 中国石油天然气集团公司 | 一种管道端口磁滞缓冲消磁控制器 |
| CN105469931A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-04-06 | 西南交通大学 | 一种含钴类硬质合金铣刀的退磁处理方法 |
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2004
- 2004-06-12 CN CN 200420023862 patent/CN2716980Y/zh not_active Expired - Lifetime
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| CN102403085A (zh) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 中国石油天然气集团公司 | 一种管道端口磁滞缓冲消磁控制器 |
| CN105469931A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-04-06 | 西南交通大学 | 一种含钴类硬质合金铣刀的退磁处理方法 |
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