CN2690849Y

CN2690849Y - 检测传感器

Info

Publication number: CN2690849Y
Application number: CN 03237111
Authority: CN
Inventors: 河合正寿; 梶田欣
Original assignee: Sunx Ltd
Current assignee: Panasonic Industrial Devices SUNX Co Ltd
Priority date: 2002-03-29
Filing date: 2003-01-30
Publication date: 2005-04-06
Anticipated expiration: 2013-01-30
Also published as: JP2004007025A; JP4020366B2

Abstract

本实用新型涉及根据振荡电路的振荡状态的变化而工作的检测传感器。在该检测传感器中，在被输入到差动放大电路(5)的LC并联电路(1)的振幅电压为负电压时，构成差动放大电路(5)的晶体管(51)的集电极中没有电流流过。这时，电阻对(4)成为规定的分压，对应于电阻(41)的外加电压电阻(3)的外加电压被确定，由此，晶体管中通过规定的反馈电流。另一方面，振幅电压为正电压时，构成差动放大电路(5)的晶体管(51)的集电极中流过恒流(i0)，由此，电阻(41)的外加电压增大的同时，电阻(3)的外加电压也增大，晶体管(2)的反馈电流为比振幅电压为负电压时的反馈电流大的规定的反馈电流。

Description

检测传感器

技术领域

本实用新型涉及根据振荡电路的振荡状态的变化而工作的检测传感器。

背景技术

例如，作为检测金属被检测体的接近的非接触式传感器，目前采用图15所示的传感器。它是利用含有检测线圈101和电容器102的LC并联电路100，在检测线圈101流过高频电流，由该LC并联电路100振荡振幅，检测出被检测体的接近。

具体是，如图16(a)、(b)所示，被检测体位于离检测线圈101一段距离的位置上时，由于检测线圈101的磁能不能由被检测体吸收，振荡振幅处于饱和状态。而且，随着被检测体接近检测线圈101，检测线圈101的能量损失增大，振荡振幅逐渐变小。从而，根据LC并联电路100的振幅电压下降到规定值，可做出被检测体的检测。

在此，对应于从检测线圈101到被检测体之间距离的LC并联电路100的振荡振幅特性如图16(b)所示，成为与图16(a)相对称的形状是理想的，进行将该曲线修正到直线上的所谓的直线修正，将各振幅值变换到该直线上作为输出而选出。

但是，由于上述构成中由晶体管105供给的正反馈电流i20是按振荡振幅比例供给，所以，振幅特性不是如图16(b)中所示的特性，而成为所示的特性。随之，对于将该振荡振幅特性进行直线修正而言，其处理变得复杂，正确地变换为直线是困难的，所以不能进行高精度的检测。还有，由于随着振荡振幅的变大正反馈电流i20增大，因此需要扩大电源电压的范围，这也是一个问题。

还有，在上述电路构成中，由于正反馈电流i20和振荡振幅同时增大，所以与从恒流电源104流入的电流之差不固定。所以，根据电源电压的变动或晶体管的温度变化而引起的特性变化，正反馈电流i20发生变化时，其影响表现在振荡振幅中，上述的振荡振幅的特性变得更复杂，从而作直线修正更困难。

本实用新型是基于上述情况所完成的发明，其目的是提供一种检测传感器，该检测传感器不管振荡振幅变动与否可以向振荡电路供给固定的正反馈电流，并且，不受电源电压的变动或晶体管温度特性的影响。

发明内容

例如，对将本实用新型在应用于振荡电路中具有LC并联电路(检测电路)的非接触式传感器时的作用以及效果加以描述。LC并联电路中，通过射极输出器型连接的电流反馈晶体管供给电流，该电流由电流反馈晶体管的基极电位控制。上述基极电位是利用相应于2个电路要素的分压而变化的基极电压供给单元控制。还有，差动放大单元是以LC并联电路的振幅电压和基准电压的比较为基础，通过改变流过基极电压供给单元的电路要素的电流，使基极电位产生变化。因此，电流反馈晶体管控制LC并联电路中流过的反馈电流控制为，在其振幅电压高于基准电压时，比振幅电压低于基准电压时成为更大的规定电流。或者，LC并联电路中流过的反馈电流控制为，在其振幅电压低于基准电压时，比振幅电压高于基准电压时成为更大的规定电流。

由此，由于LC并联电路中可以供给规定的反馈电流，因此可以使振荡振幅特性接近理想状态。还有，由于随着振荡振幅的增大，反馈电流也不会无用地增加，所以无需要电无用地扩大电源电压的电压范围。

而且，由于可以控制为振幅电压比基准电压更高时和低时反馈电流的差为一定，因此即使产生因电源电压的变动或温度的晶体管特性变化，也可以使振荡振幅的振幅特性保持一定。

附图说明

图1表示本实用新型的非接触式传感器；

图2表示实施例1的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图3表示LC并联电路的振幅电压的时间变化图；

图4表示实施例2的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图5表示实施例3的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图6表示实施例4的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图7表示实施例5的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图8表示实施例6的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图9表示实施例7的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图10表示实施例8的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图11表示实施例9的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图12表示实施例10的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图13表示实施例11的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图14表示实施例12的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图15现有的非接触式传感器振荡电路的电路图；

图16：

(a)表示检测体相对于检测线圈的距离和检测线圈能量损失的关系图；

(b)表示检测体相对于检测线圈的距离和LC并联电路的振荡振幅的关系图。

具体实施方式

<实施例1>

对本实用新型的检测传感器的一实施例，结合图1加以说明。

本实施例的检测传感器是由振荡电路10和选出振荡电路10的振幅电压，并由该振幅电压检测出被检测体A的判识电路20构成。在振荡电路10中设置有后述的检测线圈11(相当于检测元件)和电容器12组成的LC并联电路1(相当于检测电路)，通过使该LC并联电路1振荡，在检测线圈中交流地导通电流的同时，产生交流磁场。由此，随着被检测体A的接近，检测线圈11的磁能由被检测体A吸收，根据与此相应而减少的LC并联电路1的振幅电压，由判识电路20检测出被检测体A的接近。

图2示出振荡电路10的电路结构。在该LC并联电路1上连接有对于电源线Vcc射极输出器型连接的PNP型晶体管2的集电极，使通过电阻3从电源线Vcc流入的电流由发射极流到集电极，从而向LC并联电路供给电流。还有，晶体管2的基极连接在由相互串联连接的电阻41、42构成的电阻对4的中间连接点上。

一方面，在LC并联电路1和晶体管2的集电极的连接点上，连接着NPN型晶体管51的基极。该晶体管51和NPN型晶体管52及恒流电源53一起构成差动放大电路5，晶体管51的集电极连接在电阻对4的中间连接点上，另一方的晶体管52的基极与地线连接。由此，在LC振荡电路1的振幅电压为正电压时，晶体管51的集电极中流过电流i0(即从恒流电源53流出的电流i0)，当振幅电压为负电压时，集电极中没有电流流过。

下面，对上述构成的动作进行说明。首先，通过由晶体管2的集电极向LC并联电路1流过电流，在电容器12中聚积电荷。若电容器12的电位上升，则在检测线圈11中流通图面向下方向的电流；当电容器12充满电时，由检测线圈11中图面向下方向流过的电流，电容器12被反向充电。并且，若成为反向电位，则在检测线圈11中有图面向上的电流流过。因此，LC并联电路1的输出电压交流性地变动，随之，电流交流性地流过检测线圈11。

在此，电容器12中开始聚积电荷，LC并联电路1的电压增加，那么差动放大电路5的晶体管51的基极中有正电压输入，所以在晶体管51的集电极中流过恒流i0。该恒流i0通过电阻41流通，随之电阻对4的分压产生变化。即，电阻41的外加电压增加的同时电阻42的外加电压减小，并伴随该电阻42的外加电压的减小晶体管2的基极电位下降。随之，根据晶体管2的发射极电位下降而电阻3的外加电压增加，发射极电流增加并由集电极供给LC振荡电路1的电流增加。此时，晶体管51的集电极中流过恒流i0，因此在LC并联电路1中流过规定电流值的正反馈电流。

而且，若LC并联电路1的电容器12被反向充电，则振幅电压就逐渐地减小，不久就成为负电压。随之，由于在差动放大电路5的晶体管51的基极中有负电压输入，所以晶体管51的集电极中没有电流流过，与此同时电阻对4的分压发生变化。即，电阻41的外加电压减小的同时，电阻42的外加电压增大，并伴随着该电阻42的外加电压的增大晶体管2的基极电位升高。于是，通过晶体管2的发射极电位升高，电阻3的外加电压减小，发射极电流减小而使由集电极向LC振荡电路1供给的正反馈电流减小。

I_{1} (i_{0}) = \frac{V_{cc}}{R_{1}} - \frac{R_{3} (V_{cc} - i_{0} R_{2})}{R_{1} (R_{2} + R_{3})} - \frac{V_{BE}}{R_{1}} \cdot \cdot \cdot (1)

(Vcc：电源电压V_BE：晶体管2的基极·发射极之间的电压R1：电阻3的电阻值R2：电阻41的电阻值R3：电阻42的电阻值)

上述LC并联电路1的振幅电压为负电压时的正反馈电流为：

I_{1 (0)} = \frac{V_{cc}}{R_{1}} - \frac{R_{3} V_{cc}}{R_{1} (R_{2} + R_{3})} - \frac{V_{BE}}{R_{1}} \cdot \cdot \cdot (2)

在此，正反馈电流的振幅(上述2值的正反馈电流之差)为：

I＝I₁(i₀)-I₁₍₀₎

= \frac{i_{0} R_{2} R_{3}}{R_{1} (R_{2} + R_{3})} \cdot \cdot \cdot (3)

故，上述LC并联电路1的振幅电压V1为：

V_{1} = \frac{I_{1} (i_{0}) - I_{1 (0)}}{G} = \frac{i_{0} R_{2} R_{3}}{G R_{1} (R_{2} + R_{3})} \cdot \cdot \cdot (4)

(G：LC并联电路1的电导)

如上，根据本实施例，供给LC并联电路1的正反馈电流设定为2个值，而且，正反馈电流的振幅显然由式(3)成为一定值。由此，可使LC并联电路1的振荡振幅特性接近理想状态。还有，由于反馈电流不会随振幅电压增大，因此无需无用地扩大电源电压Vcc的范围。

还有，正反馈电流的振幅由式(3)不包含电源电压Vcc或晶体管2的基极发射极间电压V_BE项。这意味着正反馈电流的振幅与随电源电压Vcc的变动或晶体管温度的特性变化无关总为一定。故，如式(4)所示，LC并联电路1的振幅电压V1保持一定，所以可以将振荡振幅的振幅特性保持一定(参照图3)。

<实施例2>

下面，结合图4说明本实用新型的实施例2，与实施例1相同的部分标注同一符号以省略重复说明。

在本实施例的振荡电路10中，由恒流电源61和电阻62构成基极电位供给单元，同时恒流电源61连接于电源线Vcc，电阻62连接于地线。

其动作是：在LC并联电路1的振幅电压为正电压时，由于从恒流电源61向晶体管51的集电极供给电流i0，所以流过电阻62的电流是从恒流电源61的电流I2减去恒流电源53的电流i0的电流I2-i0。另一方面，当振幅电压为负电压时，从恒流电源61流出的电流I2全部供给电阻62，由此，对应于LC并联电路1的振幅电压，恒流电源61和电阻62的分压产生变动。

在此，LC并联电路1的振幅电压为正电压时的晶体管2的发射极电流Ie1为

I_{e 1} = \frac{V_{cc} - R_{3} (I_{2} - i_{0}) - V_{BE}}{R_{1}} \cdot \cdot \cdot (5)

(Vcc：电源电压 V_BE：晶体管2的基极·发射极之间电压 I2：由恒流电源61供给的电流 R1：电阻3的电阻值R3：电阻62的电阻值)

另外，LC并联电路1的振幅电压为负电压时的发射极电流Ie2为：

I e_{2} = \frac{V_{cc} - I_{2} R_{3} - V_{BE}}{R_{1}} \cdot \cdot \cdot (6)

而且，晶体管3中发射极电流和集电极电流是大致相同的电流值。因此，根据上述式(5)、(6)，供给LC并联电路1的正反馈电流的振幅(上述2个值的正反馈电流之差)为：

{Ie}_{1} - {Ie}_{2} = \frac{i_{0} R_{3}}{R_{1}} \cdot \cdot \cdot (7)

的固定值。

这种构成，也可以得到和实施例1同样的效果。

<实施例3>

如图5所示，实施例3是在实施例2中相互替换恒流电源61和电阻62的配置而构成。

LC并联电路1的振幅电压为正电压时，通过电阻62向晶体管51的集电极供给电流i0(即：恒流电源53的电流i0)，电阻62中有恒流电源61的电流I3和恒流电源53的电流i0所合成的电流I3+i0流过。另一方面，当LC振荡电路1的振幅电压为负电压时，在电阻62中流过恒流电源61的电流I3。由此，恒流电源61和电阻62的分压产生变动。

在此，LC并联电路1的振幅电压为正电压时的发射极电流Ie 1为

{Ie}_{1} = \frac{R_{2} (I_{3} + i_{0}) - V_{BE}}{R_{1}} \cdot \cdot \cdot (8)

(V_BE：晶体管2的基极·发射极之间电压 I3：恒流电源61的供给电流 R1：电阻3的电阻值 R2：电阻62的电阻值)

还有，振幅电压为负电压时的晶体管3的发射极电流Ie2为：

{Ie}_{2} = \frac{I_{3} R_{2} - V_{BE}}{R_{1}} \cdot \cdot \cdot (9)

在此，晶体管3中，发射极电流和集电极电流是大致相同的电流值。因此，根据上述式(8)、(9)，LC并联电路1中流过的正反馈电流的振幅(上述2个值的正反馈电流之差)是：

{Ie}_{1} - {Ie}_{2} = \frac{i_{0} R_{2}}{R_{1}} \cdot \cdot \cdot (10)

的固定值。

这种结构，也可以得到和实施例1同样的效果。

<实施例4>

如图6所示，在实施例4中，二极管连接的PNP型晶体管21的基极和晶体管2的基极连接形成电流镜电路，以及，在晶体管21的集电极上连接有晶体管51的集电极，在这方面与实施例1不相同。

根据这样的构成，LC并联电路1的振幅电压为正电压时，从由晶体管51的集电极流出电流i0。于是，晶体管21中流过电流i0的同时，晶体管2的集电极中也流过电流i0，所以，电流i0作为正反馈电流供给。

另一方面，振幅电压为负电压时，晶体管51的集电极中没有电流流过。因此，晶体管2，21中也没有电流流过，故在LC并联电路中没有供给正反馈电流。

这种结构，也可以得到和实施例1同样的效果。

<实施例5>

本实施例如图7所示，在实施例4中的晶体管21的集电极上连接恒流电源72的构成。

根据这样的构成，LC并联电路1的振幅电压为正电压时，在晶体管51的集电极中流过电流i0。因此，晶体管21中有恒流电源72的电流和流过晶体管51的集电极的电流i0所合成的电流I1+i0流过，在晶体管2中也流过与流过晶体管21的电流等量的电流，该电流供给LC并联电路1。

另一方面，振幅电压为负电压时，晶体管51的集电极中没有电流流过。因此，晶体管21中流过恒流电源72的电流i1，该电流i1也流过晶体管2的发射极·集电极之间。

如上所述若在晶体管21的集电极上连接恒流电源72，则晶体管21中总是流过电流，同时在晶体管2中也始终流过电流。这意味着，存在于晶体管2的基极·发射极之间的电容成分始终为充电状态，LC并联电路1的振幅电压无论变化为正负任一电压时，均可灵敏切换正反馈电流。

<实施例6>

如图8所示，本实施例是将实施例5的恒流电源72换成电阻73构成。这种结构，也可以得到和上述实施例5同样的效果。

<实施例7>

对本实用新型的非接触式传感器的实施例7，参照图9进行说明。

在本实施例中，振荡电路10内的LC并联电路1的反馈电流是由NPN型晶体管2供给，这一点上与实施例1不同。

其电路构成是，由晶体管2的发射极通过电阻3连接于电源线-Vcc，其集电极连接于LC并联电路1。另外，晶体管2的基极连接在由相互串联连接的电阻41，42所构成的电阻对4的中间连接点上。

一方面，在LC并联电路1和晶体管2的连接点上，连接着PNP型晶体管51的基极，该晶体管51和PNP型晶体管52以及恒流电源53-起构成差动放大电路5。另外，晶体管51的集电极连接在电阻对4的中间连接点上，另一方的晶体管52的基极连接于地线。由此，在LC并联电路1的振幅电压为负电压时，晶体管51的集电极中流过电流i0(即从恒流电源53处流出的电流i0)，当振幅电压为正电压时，集电极中没有电流流过。

下面，对上述构成的动作加以说明。

首先，通过电流由LC并联电路1流向晶体管2的集电极，在电容器12中聚积电荷。若电容器12的电位下降，则在检测线圈11中图面向下方向流过电流；当电容器12充满电时，通过在检测线圈11中图面向下方向流过的电流，电容器12被反向充电。并且，若成为反向电位则在检测线圈11中再次流过图面向上的电流。因此，LC并联电路1的输出电压交流性地变动，与此同时，在检测线圈11中电流交流性地流过。

在此，若在电容器12中开始聚积电荷，LC并联电路1的振幅电压成为负电压，则在差动放大电路5的晶体管51的基极就同样地输入负电压，因此在晶体管51的集电极中流过电流i0。该电流i0通过电阻41流过电源线-Vcc，随之，电阻对4的分压发生变化。即，电阻41的外加电压增加，同时电阻42的外加电压减小，并伴随着该电阻41的外加电压的增加晶体管2的基极电位升高。于是，通过晶体管2的发射极电位升高，电阻3的外加电压增加，使得发射极电流增加继而从LC并联电路1向集电极流动的电流增加。这时，因为晶体管51的集电极中流过由恒流电源流出的电流i0，所以在LC并联电路中流过规定电流值的反馈电流。

而且，若LC并联电路1的电容器12反向充电，则振幅电压逐渐增大，不久就成为正电压。于是，差动放大电路5的晶体管51的基极输入正电压，所以晶体管51的集电极中没有电流流过，随之电阻对4的分压发生变化。即，电阻41的外加电压减小的同时，电阻42的外加电压增加，并伴随着该电阻41的外加电压的减小晶体管2的基极电位下降。于是，由于晶体管2的发射极电位下降，电阻3的外加电压减小，从而发射极电流减小致使流入LC振荡电路1的反馈电流减小。这时，因为在电阻41中流有规定电流，所以在LC并联电路1中流过规定电流值的反馈电流。

由此，其反馈电流在振幅电压为负电压时比振幅电压为正电压时其流量更大。

如上所述根据本实施例，供给LC并联电路1的反馈电流被设定为2个值，由此，正反馈电流的振幅成为一定值，同时LC并联电路1的振幅电压也成为固定值，所以可得到和实施例1同样的效果。

<实施例8>

实施例8如图10所示，由恒流电源61和电阻62构成基极电位供给单元，同时恒流电源61连接于地线，电阻62连接于电源线Vcc，在这方面与实施例1不同。

该动作是：在LC并联电路1的振幅电压为负电压时，在电阻62中流过由恒流电源61的电流I2和晶体管51的集电极电流i0所合成的电流I2+i0。另一方面，振幅电压为正电压时，在电阻62中只流过由恒流电源61流出的电流I2。

因此，电阻62的外加电压，在LC并联电路1的振幅电压为负电压时比正电压更高，并且，在LC并联电路1中流过2值的规定电流。由此，晶体管2的发射极电位也获得两个状态，故，反馈电流也获得两个值的状态。

如上所述在本实施例中，通过反馈电流获得两个状态，反馈电流的振幅成为一定，同时LC并联电路1的输出电压振幅也成为一定。由此，可得到和实施例7同样的效果。

<实施例9>

实施例9如图11所示，在实施例8中相互替换恒流电源61和电阻62的配置而构成。

在此，LC振荡电路1的振幅电压为负电压时，在恒流电源61中流入晶体管51的集电极电流i0，因此在电阻62中流过I3-i0的电流。另一方面，振幅电压为正电压时，在电阻62中只有由恒流电源61的电流I3流过。因此，在电阻62中，LC并联电路1的振幅电压为负电压时和正电压时，分别产生规定的外加电压，并且，该外加电压在振幅电压为负电压时比正电压时更低。与此同时，在恒流电源61中，在LC并联电路1的振幅电压为负电压时和正电压时，也分别产生规定的外加电压，并且，该外加电压在振幅电压为负电压时比正电压时更高。由此，晶体管2的发射极电位也与恒流电源61的外加电压连动，其结果反馈电流的电流值获得2个值的状态。

在本实施例中，利用反馈电流获得2个值的电流的状态，反馈电流的振幅成为一定，所以LC并联电路1的输出电压的振幅成为一定。由此，可得到和实施例7同样的效果。

<实施例10>

对本实用新型的实施例10，参照图12进行说明。本实施例的振荡电路10是将二极管连接的NPN型晶体管21的基极和晶体管2的基极连接，形成电流镜电路，另外，晶体管51的集电极连接于晶体管21的集电极，在这方面和实施例7不同。

在此，在LC并联电路1的振幅电压为负电压时，晶体管51的集电极中流过电流i0。于是晶体管21中就流过电流i0，同时晶体管20的集电极中也流过电流i0。因此，在LC并联电路1中电流i0作为反馈电流供给。

另一方面，振幅电压为正电压时，晶体管51的集电极没有电流流过。随之，晶体管2、21中也没有电流流过，所以不供给反馈电流。

因此，这样的结构，也可得到和实施例7相同的效果。

<实施例11>

本实用新型的实施例11如图13所示，在实施例10中，晶体管21的集电极上连接恒流电源72构成的。

使用这种构成，当LC并联电路1的振幅电压为负电压时，晶体管51的集电极上流过电流i0。由此，在晶体管21中流过恒流电源72的电流和晶体管51的集电极中的电流i0的合成电流i1+i0，在晶体管2中也流过与晶体管21中流过的电流等量的电流i1+i0，该电流被作为LC并联电路1的反馈电流供给。

另一方面，振幅电压为正电压时，晶体管51的集电极中没有电流流过。因此，晶体管21中通过恒流电源72的电流i1，该电流i1也在晶体管2的发射极·集电极之间通过。因此，在LC并联电路中i1作为反馈电流而流过。

如上所述若在晶体管21的集电极上连接恒流电源72，则在晶体管21中总是流过电流，随之，在晶体管2中也始终流过电流。这意味着，存在于晶体管2的基极·发射极之间的电容成分始终为充电状态，LC并联电路1的振幅电压无论变化为正负任一电压时，均可灵敏切换反馈电流。

<实施例12>

如图14所示，实施例12中是，将实施例11的恒流电源72换为电阻73所构成。这样的结构，也可得到和上述实施例11相同的效果。

<其他实施例>

本实用新型不局限于上述记述以及根据图面所说明的实施例，例如以下实施例也包含在本实用新型的技术范围内，而且，除下述以外也可以通过在没有超出本实用新型要点的范围内进行种种变更而实施。

Claims

1.一种检测传感器，具有配置有检测电路的振荡电路，根据对应从构成该检测电路的检测元件到被检测体的距离所产生的上述振荡电路的振荡振幅的变动，检测上述被检测体的接近，其特征在于：

上述振荡电路具有：

射极输出器型地连接于电源且向上述检测电路供给反馈电流的PNP型电流反馈晶体管；

具有相互串联连接的2个电路要素，上述电流反馈晶体管的基极连接在上述电路要素的连接点上，对应于这些电路要素的分压向上述电流反馈晶体管供给基极电位的基极电压供给单元；

上述检测电路的振幅电压和基准电压的比较为基础，通过对应于上述振幅电压改变流过上述基极电压供给单元的上述电路要素的电流，而使上述基极电位产生变化，并由此，在上述检测电路的振幅电压高于上述基准电压时，使流过上述检测电路的反馈电流，比在上述振幅电压低于上述基准电压时，成为更大的规定电流的差动放大单元。

2.一种检测传感器，具有配置有检测电路的振荡电路，根据对应从构成该检测电路的检测元件到被检测体的距离所产生的上述振荡电路的振荡振幅的变动，检测上述被检测体的接近，其特征在于：

上述振荡电路具有：

射极输出器型地连接于电源且向上述检测电路供给反馈电流的NPN型电流反馈晶体管；

上述检测电路的振幅电压和基准电压的比较为基础，通过对应于上述振幅电压改变流过上述基极电压供给单元的上述电路要素的电流，而使上述基极电位产生变化，并由此，在上述检测电路的振幅电压低于上述基准电压时，使流过上述检测电路的反馈电流，比在上述振幅电压高于上述基准电压时，成为更大的规定电流的差动放大单元。

3.根据权利要求1或2所述的检测传感器，其特征在于：构成上述基极电压供给单元的2个电路要素都为电阻元件。

4.根据权利要求1或2所述的检测传感器，其特征在于：构成上述基极电压供给单元的2个电路要素是恒流电源以及电阻元件。

5.一种检测传感器，具有配置有检测电路的振荡电路，根据对应从构成该检测电路的检测元件到被检测体的距离所产生的上述振荡电路的振荡振幅的变动，检测上述被检测体的接近，其特征在于：

上述振荡电路具有：

和上述电流反馈晶体管电流镜像连接的晶体管；

6.一种检测传感器，具有配置有检测电路的振荡电路，根据对应从构成该检测电路的检测元件到被检测体的距离所产生的上述振荡电路的振荡振幅的变动，检测上述被检测体的接近，其特征在于：

上述振荡电路具有：

和上述电流反馈晶体管电流镜像连接的晶体管；

7.根据权利要求5或6所述的检测传感器，其特征在于：上述晶体管中，恒流电源是串联连接的。