CN2659541Y - 用于衬底处理室的气体喷嘴 - Google Patents
用于衬底处理室的气体喷嘴 Download PDFInfo
- Publication number
- CN2659541Y CN2659541Y CNU032618468U CN03261846U CN2659541Y CN 2659541 Y CN2659541 Y CN 2659541Y CN U032618468 U CNU032618468 U CN U032618468U CN 03261846 U CN03261846 U CN 03261846U CN 2659541 Y CN2659541 Y CN 2659541Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- lower cover
- gas passage
- delivery nozzle
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 210000001364 upper extremity Anatomy 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45504—Laminar flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
用于衬底制造装置的气体输送喷嘴具有气体输送管。所述气体输送管包含具有不对称锥形开口的气体通道。所述的不对称锥形开口由(i)向上突入所述的气体通道中以部分地阻挡所述气体通道的下盖以及(ii)向下突入所述的气体通道并突出在所述的下盖之上的上缘所限定。
Description
技术领域
本发明一般地涉及一种用于衬底处理室的气体喷嘴，还涉及一种衬底制造装置。
背景技术
在制造电子电路如集成电路和显示器时，材料如半导体材料、电介质材料和导电材料被沉积在衬底5上并形成图案。这些材料中的一些材料通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)过程沉积，而其它的可以由衬底材料的氧化或氮化而形成。举例来说，在化学气相沉积过程中，沉积气体被引入室20中并由热能和/或射频能激发(energized)，以在衬底5上沉积成膜。在物理气相沉积中，溅射靶，以在衬底5上沉积一层靶材料。在刻蚀过程中，通过平版印刷和后续刻蚀，在衬底表面15上形成包含光刻胶或硬掩模材料的图案掩模，而衬底表面15暴露在掩模特征之间的部分被激发气体如含卤或含氧气体刻蚀。这样的沉积和刻蚀过程，以及附加的平面化过程被按顺序进行来处理衬底5，以制造集成电路和其它电子器件。
如图1(现有技术)所示，在一类传统的处理室中，气体输送管10被用于从气体输入源向室20中引入处理气体。气体输送管10一般包括一个在室20中的气体出口25，将处理气体40(可以是一种气体或预先混合好的多种气体的混合物)注射到室20的处理区中。气体输送管10穿过室20的侧壁30，并从位于衬底5外围的气体出口25向室20横向地注射气体。然而，如图所示，一部分所注射的气体40到达了室20的顶板35并在顶板的表面形成了不希望有的沉积18。这些沉积18不得不通过使室20停产并手工地将沉积物刮下或使用等离子气体清洁处理来进行清洁，这两者都增加了室停产时间，这在电路制造中是不希望出现的。
横向注射的处理气体也可能不能以与到达衬底5边缘的处理气体的相同浓度水平到达衬底5的中心部分。气体输送管10以通常不能充分均匀地覆盖衬底表面15的角浓度分布(angular density distribution)来喷射处理气体40。这可能导致在衬底表面15的中心很少有或没有沉积。因此，有时候在衬底5的中心的上方提供有第二气体输送管45，以将处理气体40导向衬底的中心部分。但是，因为为了气体输送管45穿过顶板35，特别是当必须被钻通的顶板35是由陶瓷材料制成时，附加的气体输送管45增加了室20的成本。此外，气体输送管10，45可能阻挡位于室顶板35上方的干涉仪端点探测系统(interferometric endpointdetection systems)(没有示出)的视线。另外，上方的气体输送管45可能影响可能从顶板35上方的感应天线50所施加的射频能的传输。
因此，人们希望有一种气体输送管，使室20的顶板表面上的沉积最小化，在整个衬底表面15上提供具有良好均匀性的沉积，并且不过分地提高制造室20的成本。
发明内容
用于衬底制造装置的气体输送喷嘴包括气体输送管。气体输送管中包含具有不对称锥形开口(asymmetrically tapered aperture)的气体通道。不对称锥形开口由(i)向上突入气体通道中以部分地阻挡气体通道的下盖以及(ii)向下突入气体通道并突出在下盖之上的上缘所限定。
衬底制造装置包括室，室具有衬底支架以支撑室中的衬底。气体配送器将处理气体引入室中。气体配送器包括室中的气体输送喷嘴，气体输送喷嘴包括气体输送管，气体输送管包含具有不对称锥形开口的气体通道。不对称锥形开口由(i)向上突入气体通道中以部分地阻挡气体通道的下盖以及(ii)向下突入气体通道并突出在下盖之上的上缘所限定。气体激发器激发处理气体，以处理衬底。气体排出装置从室中排出处理气体。
附图说明
图1(现有技术)是处理室中的常规的气体输送管的局部剖视的侧视图，示出了由气体输送管所提供的不理想的气流图；以及
图2是根据本发明的在衬底制造装置的处理室的实施例中的气体输送管的局部剖视的侧视图，示出了由气体输送管所提供的理想的气流图。
具体实施方式
衬底制造装置200的衬底处理室140包括改进的气体输送喷嘴110，以均匀和高效地对整个衬底145配送处理气体102，同时使在室140的顶板150上形成的过量残余沉积最少，如图2所示。在图中示出的衬底制造装置200的典型实施例包括支撑室140中的衬底的衬底支架142。气体配送器226包括处理气体输入源210，所提供的气体输入源210将用于处理衬底145的处理气体102输入到室140中。气流阀220调节从气体输入源210进入室140中的处理气体的气流。气体激发器228包括天线230或电极，天线230或电极将振荡电磁场施加到处理气体102以激发处理气体并由此处理衬底145。激发器输入电源240将交流电流输入到天线230或电极以产生振荡电磁场，所提供的控制器250调节进入室140中的处理气体的气流并控制处理气体102的激发。气体排出装置(没有示出)从室140中排出处理气体。
可以使气体输送喷嘴110定位在衬底145的侧面，以对整个衬底145的表面155引导处理气体气流。气体输送喷嘴110从侧壁180延伸出来，将处理气体横向地导向衬底145。
气体输送喷嘴110包括气体输送管165，气体输送管165包含有通过处理气体102的气体通道120。如图所示，气体通道120的终点为不对称锥形开口130。气体输送管165具有中心轴125，而不对称锥形开口130被提供在管165的末端，以限定一个偏离气体输送管165的中心轴125并围绕此轴径向不对称的开口。不对称锥形开口130以喷射流型，远离室140的顶板150而朝向衬底表面155不对称地喷射处理气体，此喷射流型减少了在顶板上的沉积物或对顶板150的刻蚀，并且提高了衬底表面155上的气体分布的均匀性。
不对称锥形开口130包括向上突入气体通道120中以部分地阻挡气体通道120的下盖170。举例来说，下盖170可以包括一个从管壁延伸到气体通道中的突起。该突起可以具有月牙形的形状，此月牙形形状限定了锥形开口130的底边。下盖170向上引导气流的下层121，增加这些下层121的速度并减小这些下层121的压力，以引导气流远离室顶板150，如图所示。气体通道120中的气流的上层和下层122，121被强制地以大致相同的压力和速度通过通道的主体部分。当下层121接近不对称锥形开口130时，它们被下盖170阻挡并被下盖170向上引导。如图所示，下盖170可以是均一地倾斜的突起，或者，突起可以是弯曲的，以更逐渐地改变所阻挡的处理气体102的速度。
不对称锥形开口130还包括向下突入气体通道120并突出在下盖170之上的上缘175。举例来说，在一个实施例中，上缘延伸超出下盖至少约1mm。当上层和下层122，121接近喷射点时，下层121从下方以高速冲击上层122，使得处理气体以高速向突出在下盖170之上的伸出的上缘175改变方向。伸出的上缘175使得处理气体被向下、远离室顶板150并朝向衬底表面155折回，因而减少了在室顶板150上的有问题的沉积，或室顶板150的刻蚀。上缘也可以包括一个从管壁向下延伸到气体通道120中的突起。此突起可以包括一个柔和的隆起，此隆起具有在中间突起的部分和在侧边下陷的部分。这使得上层122被朝向衬底的外围向下引导。由于更有效地覆盖衬底外围的上层122和更有效地覆盖衬底中心部分的下层相结合，所以气体输送喷嘴110在整个衬底表面产生了更均匀的处理气体的分布。
锥形出口130的不对称设计也允许锥形出口130将处理气体以理想的角浓度分布大致向衬底表面155引导，以大致均匀地覆盖衬底表面155。当处理气体离开不对称锥形开口130时，下盖170不对称地阻挡处理气体的流动，向内改变处在气流外部区域的下层的方向，以增加气流中心的气体浓度，如图2所示。不对称锥形开口130也给予气流浓度分布的不对称性，这补偿了对衬底145一个侧边的气体输送喷嘴110的不对称定位。不对称锥形开口130提高了喷向衬底表面155的中心的上方的中心区域185的气体浓度，改善了衬底表面155的中心部分的暴露，并由此得到了大致均匀的衬底145的涂层。在一个实施例中，成型不对称锥形开口130，以在气体输送管165的中心轴125以下输送大部分的处理气体。相反，如图1(现有技术)所示，常规的喷嘴使得处理气体向外急喷，并大致对称地喷射，导致不充分暴露衬底表面155中心部分的气流的中心缺陷部分的产生。 改进的气体输送喷嘴110以围绕气体输送喷嘴110的中心轴125径向不对称的喷流型式，从喷嘴115向衬底145喷射处理气体，防止了处理气体朝向处理室140的顶板150的有害和浪费的气流，并且提高了衬底表面155的涂层的均匀性。
不对称锥形开口130的下盖170也可以具有倾斜的外表面135，如图2所示。在处理气体102被从不对称锥形开口130喷出并随后减速以后，在靠近下盖170的外倾斜表面135的处理气体中形成了高压区域。在此区域的压缩气体施加一个力到下盖170，而下盖170在垂直并远离下盖170的方向，施加一个大小相同而方向相反的力到高压区域的气体，将处理气体以向下的角度向衬底145引导。在处理气体被从不对称锥形开口130的开口190喷出以后，下盖170的外倾斜表面135起到了处理气体的跳板的作用。举例来说，不对称锥形开口130的外倾斜表面135相对于中心轴125的角度可以小于90°，以获得大流量(mass flow)的满意的角分布。为了获得更理想的角分布，外倾斜表面135相对于中心轴125的角度甚至可以至少为约5°。
改进气体输送喷嘴110，使其以喷流型式从不对称锥形开口130向衬底145喷射处理气体，此喷射流型可防止处理气体朝向室140的顶板150的有害和浪费的气流，并可提高衬底表面155的涂层的均匀性。此气体喷嘴设计也显著地减少了室140的顶板150上的处理沉积的形成。所以，室140可以不用频繁地清洁，在清洁周期之间可以运行更长的时间。
Claims (12)
1.一种用于衬底制造装置的气体输送喷嘴，所述的气体输送喷嘴包括：
包含气体通道的气体输送管，所述气体通道具有由：
(i)向上突入所述的气体通道中以部分地阻挡所述气体通道的下盖，以及
(ii)向下突入所述的气体通道并突出在所述的下盖之上的上缘所限定的不对称锥形开口。
2.如权利要求1所述的气体输送喷嘴，其中所述的下盖包括外倾斜表面，所述的外倾斜表面相对于沿所述气体通道的所述气体输送管的中心轴的角度至少为5°。
3.如权利要求2所述的气体输送喷嘴，其中所述外倾斜表面的角度为小于90°。
4.如权利要求1所述的气体输送喷嘴，其中所述的上缘延伸超出所述的下盖至少1mm。
5.如权利要求1所述的气体输送喷嘴，其中所述的不对称锥形开口包括一个偏向所述气体输送管的所述中心轴下方的中心。
6.如权利要求1所述的气体输送喷嘴，其中所述的下盖包括具有月牙形状的突起。
7.一种衬底制造装置，包括：
室，具有衬底支架以支撑在所述的室中的衬底；
将处理气体引入所述的室中的气体配送器，所述的气体配送器包括在所述的室中的气体输送喷嘴，所述的气体输送喷嘴包括气体输送管，所述的气体输送管包含具有不对称锥形开口的气体通道，所述的不对称锥形开口由：
(i)向上突入所述的气体通道中以部分地阻挡所述气体通道的下盖，以及
(ii)向下突入所述的气体通道并突出在所述的下盖之上的上缘所限定；
激发所述处理气体以处理所述衬底的气体激发器；以及
将所述处理气体从所述的室中排出的气体排出装置。
8.如权利要求7所述的装置，其中所述的下盖包括外倾斜表面，所述的外倾斜表面相对于沿所述气体通道的所述气体输送管的中心轴的角度至少为5°。
9.如权利要求8所述的装置，其中所述外倾斜表面的角度为小于90°。
10.如权利要求7所述的装置，其中所述的上缘延伸超出所述的下盖至少1mm。
11.如权利要求7所述的装置，其中所述的不对称锥形开口包括一个偏向所述气体输送管的所述中心轴下方的中心。
12.如权利要求7所述的装置，其中所述的下盖包括具有月牙形状的突起。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/336,241 US20040129210A1 (en) | 2003-01-03 | 2003-01-03 | Gas nozzle for substrate processing chamber |
| US10/336,241 | 2003-01-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2659541Y true CN2659541Y (zh) | 2004-12-01 |
Family
ID=32680971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU032618468U Expired - Lifetime CN2659541Y (zh) | 2003-01-03 | 2003-05-15 | 用于衬底处理室的气体喷嘴 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040129210A1 (zh) |
| JP (1) | JP3097576U (zh) |
| KR (1) | KR200328488Y1 (zh) |
| CN (1) | CN2659541Y (zh) |
| TW (1) | TW573562U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8461051B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-06-11 | Iwatani Corporation | Cluster jet processing method, semiconductor element, microelectromechanical element, and optical component |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040231798A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-11-25 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
| US9499905B2 (en) | 2011-07-22 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate |
| US9941100B2 (en) * | 2011-12-16 | 2018-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle |
| US9117670B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Inject insert liner assemblies for chemical vapor deposition systems and methods of using same |
| US9328420B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-05-03 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Gas distribution plate for chemical vapor deposition systems and methods of using same |
| JP1589673S (zh) | 2017-04-14 | 2017-10-30 | ||
| TWI674926B (zh) * | 2018-01-30 | 2019-10-21 | 漢民科技股份有限公司 | 應用於化學氣相沈積系統的氣體噴頭 |
| KR102245653B1 (ko) * | 2019-12-06 | 2021-04-29 | 주식회사 와이컴 | 배치식 처리장치 및 이를 이용한 탄화규소 제품의 재생방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3995811A (en) * | 1975-05-22 | 1976-12-07 | Eutectic Corporation | Nozzle for depositing metal powder by spraying |
| US5522934A (en) * | 1994-04-26 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another |
| US20020179247A1 (en) * | 2001-06-04 | 2002-12-05 | Davis Matthew F. | Nozzle for introduction of reactive species in remote plasma cleaning applications |
-
2003
- 2003-01-03 US US10/336,241 patent/US20040129210A1/en not_active Abandoned
- 2003-05-01 JP JP2003002458U patent/JP3097576U/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-07 TW TW92208333U patent/TW573562U/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-07 KR KR20-2003-0014142U patent/KR200328488Y1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-05-15 CN CNU032618468U patent/CN2659541Y/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8461051B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-06-11 | Iwatani Corporation | Cluster jet processing method, semiconductor element, microelectromechanical element, and optical component |
| CN102124544B (zh) * | 2008-08-18 | 2013-11-13 | 岩谷产业株式会社 | 团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3097576U (ja) | 2004-01-29 |
| TW573562U (en) | 2004-01-21 |
| KR200328488Y1 (ko) | 2003-09-29 |
| US20040129210A1 (en) | 2004-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103430289B (zh) | 用于蚀刻sin膜的方法 | |
| CN2659541Y (zh) | 用于衬底处理室的气体喷嘴 | |
| EP1230665B1 (en) | Plasma processing system with dynamic gas distribution control | |
| TWI446399B (zh) | 在電漿處理室中處理基板之方法與電漿處理系統 | |
| US8097120B2 (en) | Process tuning gas injection from the substrate edge | |
| CN103430288B (zh) | 用于金属及金属氧化物膜的蚀刻的方法 | |
| TWI597772B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
| JP2007043149A5 (zh) | ||
| US6709699B2 (en) | Film-forming method, film-forming apparatus and liquid film drying apparatus | |
| JPH10308296A (ja) | 誘導結合式プラズマリアクタのプラズマ閉込め | |
| CN102017122A (zh) | 低轮廓性的工艺套组 | |
| CN1449572A (zh) | 转换的均匀性控制 | |
| TW201320220A (zh) | 用於處理晶圓及清潔腔室之感應電漿源 | |
| CN1316095A (zh) | 改进的固定均匀环设计 | |
| JPH0945671A (ja) | エッチング装置 | |
| CN104103484B (zh) | 气体供应装置及等离子体处理装置 | |
| EP1164628A2 (en) | Processing system and method | |
| US20160268136A1 (en) | Non-ambipolar electric pressure plasma uniformity control | |
| CN101250680A (zh) | 等离子体处理容器内部件以及等离子体处理装置 | |
| CN105529237B (zh) | 气体导流环、气体供应装置及等离子体处理装置 | |
| CN100386467C (zh) | 等离子体处理容器的再生方法、等离子体处理容器内部部件、等离子体处理容器内部部件的制造方法以及等离子体处理装置 | |
| US20100243436A1 (en) | Sputtering device with gas injection assembly | |
| KR19990087693A (ko) | 벌크물질 진공코팅 장치 | |
| WO1999045585A1 (fr) | Appareil et procede de traitement au plasma | |
| US20090311145A1 (en) | Reaction chamber structural parts with thermal spray ceramic coating and method for forming the ceramic coating thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Expiration termination date: 20130515 Granted publication date: 20041201 |