CN2646926Y - 一种改进的抗浪涌保护器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种过电压保护用半导体抗浪涌器件,尤其是能适应高频、宽带通讯的半导体抗浪涌器件,其特征是固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管。实用新型半导体抗浪涌器件,不仅较已有技术可以显著降低极间电容,使之适应高频、宽带通讯要求,也可以用于低频通讯,扩大了半导体抗浪涌器件使用范围,而且放电芯片原有抗浪涌电性能基本得到保持不变,有效避免了因降低极间电容,而导致电性能的下降,使保护功能减弱的缺陷。
Description
技术领域
实用新型涉及一种过电压保护用半导体抗浪涌器件,尤其是能适应高频、宽带通讯的半导体抗浪涌器件。
背景技术
程控交换机初级保护及用户终端过电压保护用半导体抗浪涌(如防雷击、抗电力感应、对电力线碰触保护等)放电芯片,如SA系列固体放电芯片,由于抗浪涌能力的要求,芯片需保证一定的面积,所以其极间电容量通常达到或接近200pf,如此高的电容,只能被用于低频通讯。然而随着现代通讯技术的迅速发展,高频、宽带通讯越来越受到欢迎,在高频下放电芯片容抗将变小,接入电路中会导致正常信号被旁路掉,因此现有固体放电芯片难以直接应用于高频、宽带通讯保护。如果采用二个SA系列放电芯片串接,虽能可达到降低极间电容目的,但保护需二个放电芯片同时导通,这样会造成发热量增大,而使芯片耐大电流能力变差,而且二个芯片串接电性能配对匹配复杂。
发明内容
实用新型的目的在于克服上述已有技术的不足,提供一种能有效减小极间电容,使之可用于高频通讯设备保护,且基本不影响原有电气性能的半导体抗浪涌器件。
实用新型目的实现,主要改进是在放电芯片一端或二端串接有反并联二极管,做到在不降低放电芯片原有电性能如击穿电压、转折电压、耐大电流能力,使极间总电容得以下降,能做到50pf以下,使之可以用于高频、宽带通讯设备的保护。具体说,实用新型半导体抗浪涌器件,包括一片抗浪涌的固体放电芯片,其特征在于所说固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管。
实用新型采用串接二极管,可以在不影响放电芯片电性能前提下,使极间电容得到较大降低,从而满足高频、宽带通讯对保护器件的要求。二极管的反并联组合,主要是满足放电管双向保护特性要求。所说二极管可以是封装后的,也可以是未封装的二极管芯片,其中尤以后者为优,有利于封装及减小体积。
实用新型二极管的选用,只要保证二极管的正向抗浪涌电流能力能与放电芯片相匹配即可。串接反并联二极管降容,可以在放电芯片一端,也可以在二端,还可以在反并联二极管两个支路上再按极性同向多个串接,即两单路可以是两只以上二极管极性同向串接,这样可以使总电容降得更低,以适应更高频率和更宽宽带的要求。
实用新型由于在放电芯片一端或二端串接有反并联二极管,不仅可以显著降低极间电容,使之既能适应高频、宽带通讯要求,也可以用于低频通讯,而且放电芯片原有抗浪涌电性能基本维保持不变,扩大了半导体抗浪涌器件使用范围,而且为高频、宽带通讯找到了理想保护器件。
以下结合几个具体实施例,进一步说明实用新型。
附图说明
图1为实用新型第一实施例结构图。
图2为实用新型第二实施例结构图。
图3为实用新型第三实施例结构图。
具体实施方式
实施例1:参见图1,实用新型半导体抗浪涌器件,有抗浪涌的固体放电芯片1,及一端串接的反并联二极管(未封装芯片)2.1和2.2组成,通过外加电极及封装即得到可直接应用的抗浪涌器件。
实施例2:参见图2,如实施例1,在放电芯片另一端也串接有反并联二极管3。所述二极管为台面保护结构二极管。
实施例3:参见图3,如前述,在反并联二极管二个支路上,分别按极性同向串接有二只二极管芯片。
Claims (7)
1、一种半导体抗浪涌器件,包括一片抗浪涌的固体放电芯片,其特征在于所说固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管。
2、根据权利要求1所述半导体抗浪涌器件,其特征在于所说固体放电芯片二端串接有反并联二极管。
3、根据权利要求1或2所述半导体抗浪涌器件,其特征在于所说反并联二极管两个支路上有多个二极管同向串接。
4、根据权利要求3所述半导体抗浪涌器件,其特征在于所说二极管为未封装的芯片。
5、根据权利要求1或2所述半导体抗浪涌器件,其特征在于所说二极管为未封装的芯片。
6、根据权利要求1或2所述半导体抗浪涌器件,其特征在于所说二极管为台面保护结构。
7、根据权利要求4所述半导体抗浪涌器件,其特征在于所说二极管为台面保护结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN 03278784 CN2646926Y (zh) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | 一种改进的抗浪涌保护器件 |
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CN 03278784 CN2646926Y (zh) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | 一种改进的抗浪涌保护器件 |
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CN2646926Y true CN2646926Y (zh) | 2004-10-06 |
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CN 03278784 Expired - Fee Related CN2646926Y (zh) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | 一种改进的抗浪涌保护器件 |
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CN (1) | CN2646926Y (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101997308A (zh) * | 2009-08-19 | 2011-03-30 | 江苏东光微电子股份有限公司 | 低电容过电压保护模块 |
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2003
- 2003-09-24 CN CN 03278784 patent/CN2646926Y/zh not_active Expired - Fee Related
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CN101997308A (zh) * | 2009-08-19 | 2011-03-30 | 江苏东光微电子股份有限公司 | 低电容过电压保护模块 |
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