CN104953575A - 高速公路卡口专用防雷器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高速公路卡口专用防雷器，包括高速公路卡口自动出卡刷卡票箱、电动道闸机、高速公路卡口管理电脑、出入口监控抓拍摄像机、视频采集卡、无线读卡器，其特征在于集成高速公路卡口刷卡票箱、高速公路卡口电脑的、电动道闸机、无线读卡器、视频采集卡、出入口监控抓拍摄像机的电源、RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、抓拍摄像机BNC接口于一体，电路紧凑体积小，防雷器采用多级防雷电路，电源与信号接地隔离，具有抗冲击电压高，浪涌残压输出低，信号衰减低，适合高速公路卡口野外恶劣环境下使用。
Description
技术领域
本发明涉及一种防雷器，具体是一种具有多种不同数据接口的高速公路卡口专用防雷器，包含RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、BNC接口的雷电防护专用防雷器。
背景技术
高速公路卡口遍布全国各地，高速公路穿洲过省，地理环境复杂，高速公路卡口的各种弱电设备，极容易受到雷电的伤害，随着气象环境条件的恶化，弱电设备对雷电防护等级要求越来越高，市面上有着各种不同端口的防雷器，但对象领域可能都不相同，要实现对高速公路卡口整套强弱电的防护，需在各个设备上安装多个防雷模块，显然安装不方便并且占用地方，维护成本较高；重要的是：这些产品并没有根据高速公路卡口弱电设备实际使用的恶劣环境条件进行针对性设计，抗冲击电压较低，防护效果不太理想，防雷产品设计缺乏针对性，防雷等级也较低，整体成本也较高，高速公路卡口防雷设备市场急需要一种针对性防雷产品，具有全面的防护能力，安装及维护简单，价格低廉，适合高速公路卡口野外恶劣环境下使用，本发明能够较好的满足这些需求。
发明内容
本发明要解决的技术问题就在于:针对现有技术存在的上述问题，本发明提供一种同时具有电源、RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、视频采集卡及抓拍摄像机BNC接口的专用防雷器，其能有效保护高速公路卡口的各个设备免受雷电影响。
为实现上述目的，本发明具有电源、RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、视频采集卡及抓拍摄像机BNC接口、无线读卡器Wiegand维根接口，上述各个接口及电路统一集中在一个防雷电路里，整合在一张电路板上电路结构图4。
DC220V市电电源线入口分别串接保险丝FUSE1及FUSE2，两电源线之间并接双向高速大容量的硅二极管D1组成第一级浪涌保护，零线N串接单向高速大容量的硅二极管D3进行接地，浪涌瞬时高压的电流经地极泄放，金属氧化物压敏電阻MOV1与MOV2之间串接三极陶瓷放电管GDT1组成第二级浪涌保护，GDT1串接单向高速大容量的硅二极管D4接地，将残压降低，金属氧化物压敏電阻MOV3与MOV4之间串接三极陶瓷放电管GDT2组成第三级浪涌保护，GDT2串接单向高速大容量的硅二极管D5接地，将残压再进一步降低；火线L串接单向高速大容量的硅二极管D6进行接地 , 消除其他感生高频串扰信号，出口处两电源线之间并接双向高速大容量的硅二极管D2组成第四级浪涌保护，将电压限制在合理水平。
DC24V电源线之间输入端口并接双向高速大容量的硅二极管D7组成第一级浪涌防护，GDT3采用陶瓷放电管形成第二级浪涌防护，目的就是要将比较大的浪涌信号进行有效降低；采用三极陶瓷放电管GDT4形成第三级浪涌防护，将残压进一步降低， D11实行第四级浪涌防护，目的是将电压控制在理想范围，采用PTC1及PTC2进行第五级防护，防止意外短路保护，正、负极线之间以及三极管GDT4分别采用单向高速大容量的硅二极管串联D8、D9、D10进行接地，泄放浪涌电流，消除其他感生高频串扰信号，保证电源的纯净度。
DC12V电源线之间输入端口并接双向高速大容量的硅二极管D12组成第一级浪涌防护；其特征在于， DC12V电源线之间输入端口DGT5采用陶瓷放电管形成第二级浪涌防护；其特征在于, DC12V电源线之间输入端口采用三极陶瓷放电管GDT6形成第三级浪涌防护；其特征在于，输出端口采用D16进行第四级防护，其特征在于，输出端口采用PTC3及PTC4进行第五级防护；其特征在于，正负极电源线以及三极放电管GDT6分别采用单向高速大容量的硅二极管串联D13、D14、D15进行接地。
RJ45网络接口发送端口TX+、TX-信号线之间并接陶瓷放电管GDT7组成第一级差模电路形式浪涌防护，发送端口TX+、TX-信号线之间并接三极陶瓷放电管GDT8组成共模电路形式第二级浪涌防护，并且GDT8串接高速单向硅二极管D17接地，使得进入的浪涌电流强度能够有效的衰减；采用玻璃放电管GPPTVS1进行第三级防护，将浪涌电流限制在一个较低的水平，热敏电阻PTC5、PTC6进行第四级浪涌保护；玻璃放电管GPPTVS1与GDT8之间有电阻R1、R2耦合，热敏电阻PTC5、PTC6耦合TVS阵列1进行第五级防护， TVS阵列1采用单向高速大容量的硅二极管D19串联接地，避免泄放电流倒流。RX+、RX-信号线之间并接陶瓷放电管GDT9组成第一级浪涌防护，发送端口RX+、RX-信号线之间并接三极陶瓷放电管GDT10组成第二级浪涌防护，并且GDT10串接高速单向硅二极管D18接地，使得进入的浪涌电流强度能够有效的衰减；采用玻璃放电管GPPTVS2进行第三级防护，将浪涌电流限制在一个较低的水平，热敏电阻PTC7、PTC8进行第四级浪涌保护；玻璃放电管GPPTVS2与GDT10之间有电阻R3、R4耦合，热敏电阻PTC7、PTC8耦合TVS阵列1进行第五级防护， TVS阵列1采用单向高速大容量的硅二极管D19串联接地，避免泄放电流倒流。
RS-232接口收发输入端口TXD、RXD、GND之间分并接陶瓷放电管 GDT11、GDT12、 GDT13组成差模电路形式第一级浪涌防护，收发输入端信号线TXD、RXD、GND信号线分别串接高速单向硅二极管D20、D21、D23、D24依次分别组成单向接地阵列，消除其他感生串扰信号；TXD与RXD，RXD与GND之间分别并接三极陶瓷放电管GDT14、GDT15组成第三级浪涌防护，将浪涌瞬时高压的电流经地极以及回路泄放，共模与差模电路形式均连接有浪涌瞬时高压的电流泄放电路；GDT14、GDT15分别串接高速单向硅二极管D22、D25接地，防止排放电流倒流；收发输入端分别并接GPP玻璃放电管GPPTVS3、GPPTVS4,进行第四级防护，将浪涌电流控制在一个较低的范围，收发输入端分别串接PTC热敏电阻PTC9、PTC10、PTC11、进行第五级浪涌保护并与TVS阵列2耦合进行第六级防护，TVS阵列2采用单向高速大容量的硅二极管D26串联接地，防止排放电流倒流。
RS-485接口不同信号线之间陶瓷放电管GDT16、GDT17采用共模与差模电路形式，分别组成第一级及第二级浪涌防护，浪涌瞬时高压的电流经地极以及回路泄放，D27与D28共模组成电路形式组成三级浪涌电流泄放电路，GDT17采用单向高速大容量的硅二极管串联D29接地，防止排泄电流回流； GPP玻璃放电管GPPTVS5进行第三级浪涌防护，将电流控制在较低的水平；信号线分别串接采用PTC热敏电阻PTC12、PTC13进行第四级浪涌防保护，同时耦合TVS阵列3组成第五级防护，接地采用单向高速大容量的硅二极管D30串联接地，防止排放电流倒流。
Wiegand维根接口不同信号线之间陶瓷放电管GDT18、GDT19采用共模与差模电路形式，分别组成第一级及第二级浪涌防护，浪涌瞬时高压的电流经地极以及回路泄放，D31与D32共模组成电路形式组成三级浪涌电流泄放电路，GDT19采用单向高速大容量的硅二极管串联D33接地，防止排泄电流回流； GPP玻璃放电管GPPTVS6进行第三级浪涌防护，将电流控制在较低的水平；信号线分别串接采用PTC热敏电阻PTC14、PTC15进行第四级浪涌防保护，同时耦合TTS阵列4组成第五级防护，接地采用单向高速大容量的硅二极管D34串联接地，防止排放电流倒流。
摄像机BNC接口不同信号线之间陶瓷放电管GDT20、GDT21采用共模与差模电路形式，分别组成第一级及第二级浪涌防护，浪涌瞬时高压的电流经地极以及回路泄放，D35与D36共模组成电路形式组成三级浪涌电流泄放电路，GDT21采用单向高速大容量的硅二极管串联接地，防止排泄电流回流； GPP玻璃放电管GPPTVS7进行第三级浪涌防护，将电流控制在较低的水平；信号线分别串接采用PTC热敏电阻PTC16、PTC17进行第四级浪涌防保护，同时耦合TTS阵列5组成第五级防护，接地采用单向高速大容量的硅二极管D38串联接地，防止排放电流倒流。
防雷器电路的 RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、抓拍摄像机BNC接口视频采集卡BNC接口的接地首先与等电位体连接，再与单向高速大容量的硅二极管D39串联接地，使电源接地与信号接地进行隔离，电源电路直接接地，防止排放电流倒流及其他感生信号产生干扰，电路图3。
使用本发明使高速公路卡口专用防雷器结构简单，多端口防雷集于一体，电源与信号接地隔离，衰减小，抗冲击电压高，防雷效果好，成本更低。
面将结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。
附图说明
图1为本发明电路是电源保护原理图，其中包含AC220V、DC24V、DC12V的防护电路原理图。
图2为本发明电路是信号保护原理图，其中包含RJ45、RS-232、RS-485、wiegand、BNC的信号防护电路原理图。
图3为本发明电路是信号保护电路接地与电源保护电路接地原理图。
图4为本发明电路保护电路的结构图。
具体实施方式
本实施例为本发明优选实施方式，其他凡其原理和基本结构与本实施例相同或相近似的，无论是部分或全部电路均在本发明范围内。
本实施例包括壳体、输入端和输出端，其中，壳体内设置有电路板，电路板上有RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、BNC接口的防雷电路于一体，图4是系统结构图。
本实施例中，图1中，DC220V市电电源线入口分别串接保险丝FUSE1及FUSE2；两电源线之间并接双向高速大容量的硅二极管D1组成第一级浪涌保护，火线L串接单向高速大容量的硅二极管D3进行接地，浪涌瞬时高压的电流经地极泄放，金属氧化物压敏電阻MOV1与MOV2之间串接三极陶瓷放电管GDT1组成第二级浪涌保护，GDT1串接单向高速大容量的硅二极管D4接地，将残压降低，金属氧化物压敏電阻MOV3与MOV4之间串接三极陶瓷放电管GDT2组成第三级浪涌保护，GDT2串接单向高速大容量的硅二极管D5接地，将残压再进一步降低；零线N串接单向高速大容量的硅二极管D6进行接地 , 消除其他感生高频串扰信号，出口处两电源线之间并接双向高速大容量的硅二极管D2组成第四级浪涌保护，将电压限制在合理水平。
本实施例中，图1中，DC24V电源线之间输入端口并接双向高速大容量的硅二极管D7组成第一级浪涌防护，DGT3采用陶瓷放电管形成第二级浪涌防护，目的就是要将比较大的浪涌信号进行有效降低；采用三极陶瓷放电管GDT4形成第三级浪涌防护，将残压进一步降低， D11实行第四级浪涌防护，目的是将电压控制在理想范围，采用PTC1及PTC2进行第五级防护，防止意外短路保护，正、负极线路之间以及三极管GDT4分别采用单向高速大容量的硅二极管串联D8、D9、D10进行接地，泄放浪涌电流，消除其他感生高频串扰信号，保证电源的纯净度。
本实施例中，图1中,DC12V电源线之间输入端口并接双向高速大容量的硅二极管D12组成第一级浪涌防护；其特征在于， DC12V电源线之间输入端口DGT5采用陶瓷放电管形成第二级浪涌防护；其特征在于, DC12V电源线之间输入端口采用三极陶瓷放电管GDT6形成第三级浪涌防护；其特征在于，输出端口采用D16进行第四级防护，其特征在于，输出端口采用PTC3及PTC4进行第五级防护；其特征在于，正负极电源线以及三极放电管GDT6分别采用单向高速大容量的硅二极管串联D13、D14、D15进行接地，电路结构图4。
本实施例中，图2中， RJ45网络接口发送端口TX+、TX-信号线之间并接陶瓷放电管GDT7组成第一级差模电路形式的浪涌防护，发送端口TX+、TX-信号线之间并接三极陶瓷放电管GDT8组成共模电路形式第二级浪涌防护，并且GDT8串接高速单向硅二极管D17接地，使得进入的浪涌电流强度能够有效的衰减；采用玻璃放电管GPPTVS1进行第三级防护，将浪涌电流限制在一个较低的水平，热敏电阻PTC5、PTC6进行第四级浪涌保护；玻璃放电管GPPTVS1与GDT8之间有电阻R1、R2耦合，热敏电阻PTC5、PTC6耦合TVS阵列1进行第五级防护， TVS阵列1采用单向高速大容量的硅二极管D19串联接地，避免泄放电流倒流；RJ45网络接口RX+、RX-信号线之间并接陶瓷放电管GDT9组成第一级浪涌防护，接收端口RX+、RX-信号线之间并接三极陶瓷放电管GDT10组成第二级浪涌防护，并且GDT10串接高速单向硅二极管D18接地，使得进入的浪涌电流强度能够有效的衰减；采用玻璃放电管GPPTVS2进行第三级防护，将浪涌电流限制在一个较低的水平，热敏电阻PTC7、PTC8进行第四级浪涌保护；玻璃放电管GPPTVS2与GDT10之间有电阻R3、R4耦合，热敏电阻PTC7、PTC8耦合TVS阵列2进行第五级防护， TVS阵列2采用单向高速大容量的硅二极管D19串联接地，避免泄放电流倒流。
本实施例中，图6中，RS-232接口收发输入端口TXD、RXD、GND之间分并接陶瓷放电管 GDT11、GDT12、 GDT13组成差模电路形式第一级浪涌防护，收发输入端信号线TXD、RXD、GND信号线分别串接高速单向硅二极管D20、D21、D23、D24接地组成单向接地阵列将消除其他感生串扰信号， TXD与RXD，RXD与GND之间分别并接三极陶瓷放电管GDT14、GDT15组成第三级浪涌防护，将浪涌瞬时高压的电流经地极以及回路泄放，共模与差模电路形式均连接有浪涌瞬时高压的电流泄放电路；GDT10、GDT1分别串接高速单向硅二极管D20、D25接地，防止排放电流倒流；收发输入端分别并接GPP玻璃放电管GPPTVS3、GPPTVS4,进行第四级防护，将浪涌电流控制在一个较低的范围，收发输入端分别串接PTC热敏电阻PTC9、PTC10、PTC10、进行第五级浪涌保护并与TVS阵列2耦合进行第六级防护，TVS阵列2采用单向高速大容量的硅二极管D26串联接地，防止排放电流倒流。
本实施例中，图2中，RS-485接口不同信号线之间陶瓷放电管GDT16、GDT117采用共模与差模电路形式，分别组成第一级及第二级浪涌防护，浪涌瞬时高压的电流经地极以及回路泄放，D27与D28共模组成电路形式组成三级浪涌电流泄放电路，GDT17采用单向高速大容量的硅二极管D29串联接地，防止排泄电流回流； GPP玻璃放电管GPPTVS5进行第四级浪涌防护，将电流控制在较低的水平；信号线分别串接采用PTC热敏电阻PTC12、PTC13进行第五级浪涌防保护，同时耦合TVS阵列3组成第六级防护，接地采用单向高速大容量的硅二极管D30串联接地，防止排放电流倒流。
本实施例中，图2中， Wiegand维根接口不同信号线之间陶瓷放电管GDT18、GDT19采用共模与差模电路形式，分别组成第一级及第二级浪涌防护，浪涌瞬时高压的电流经地极以及回路泄放，D31与D32共模组成电路形式组成三级浪涌电流泄放电路，GDT19采用单向高速大容量的硅二极管D33串联接地，防止排泄电流回流； GPP玻璃放电管GPPTVS6进行第四级浪涌防护，将电流控制在较低的水平；信号线分别串接采用PTC热敏电阻PTC14、PTC15进行第五级浪涌防保护，同时耦合TTS阵列4组成第六级防护，接地采用单向高速大容量的硅二极管D34串联接地，防止排放电流倒流。
本实施例中，图2中，摄像机BNC接口不同信号线之间陶瓷放电管GDT20、GDT21采用共模与差模电路形式，分别组成第一级及第二级浪涌防护，浪涌瞬时高压的电流经地极以及回路泄放，D35与D36共模组成电路形式组成三级浪涌电流泄放电路，GDT21采用单向高速大容量的硅二极管D37串联接地，防止排泄电流回流； GPP玻璃放电管GPPTVS7进行第四级浪涌防护，将电流控制在较低的水平；信号线分别串接采用PTC热敏电阻PTC16、PTC17进行第五级浪涌防保护，同时耦合TTS阵列5组成第六级防护，接地采用单向高速大容量的硅二极管D38串联接地，防止排放电流倒流。
本实施例中，图中3，防雷器电路的 RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、抓拍摄像机BNC接口视频采集卡BNC接口的接地首先与等电位体连接，再与单向高速大容量的硅二极管D39串联接地，使电源接地与信号接地进行隔离，电源电路直接接地，防止排放电流倒流及其他感生信号产生干扰。
Claims (12)
1.一种高速公路卡口专用防雷器，其包括高速公路卡口的刷卡票箱、电动道闸机、高速公路卡口管理电脑、出入口监控抓拍摄像机、视频采集卡、无线读卡器 、高速公路卡口专用防雷器；其特征在于，所述高速公路卡口专用防雷器内部具有AC220V电源接口、DC24V、DC12V电源接口、RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、抓拍摄像机BNC接口与防雷器电路组成高速公路卡口的专用防雷器；其特征在于，电路器件包括保险管FUSE、硅二极管D、陶瓷放电管GDT、金属氧化物压敏電阻MOV、正温度热敏电阻PTC、瞬态TVS阵列、半导体放电管TTS阵列、玻璃放电管GPPTVS。
2.根据权利要求1所述，所述高速公路卡口专用防雷器内部具有AC220V电源接口、DC24V、DC12V电源接口、RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、抓拍摄像机BNC接口防雷电路整合在一张电路板上，防雷电路结构在图4。
3.根据权利要求1所述，防雷电路图1，其特征在于， AC220V电源接口、DC24V、DC12V电源接口的防雷电路等电位接地，RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、抓拍摄像机BNC接口的防雷电路串接大容量单向高速二极管接地；其特征在于，所述高速公路卡口专用防雷器内部防雷电路中电源与信号之间隔离接地。
4.根据权利要求1所述，防雷电路图1，其特征在于，电源线入口分别串接保险丝FUSE1及FUSE2；两电源线之间并接双向高速大容量的硅二极管D1组成第一级浪涌保护，零线N串接单向高速大容量的硅二极管D3进行接地；其特征在于，金属氧化物压敏電阻MOV1与MOV2之间串接三极陶瓷放电管GDT1组成第二级浪涌保护，并且GDT1串接单向高速大容量的硅二极管D4接地；其特征在于，金属氧化物压敏電阻MOV3与MOV4之间串接三极陶瓷放电管GDT2组成共模第三级浪涌保护，并且GDT2串接单向高速大容量的硅二极管D5接地；其特征在于，出口火线L串接单向高速大容量的硅二极管D6进行接地 , 其特征在于,出口处两电源线之间并接双向高速大容量的硅二极管D2组成第四级浪涌保护。
5.根据权利要求1所述，防雷电路图1，其特征在于， DC24V电源线之间输入端口并接双向高速大容量的硅二极管D7组成第一级浪涌防护；其特征在于， DC24V电源线之间输入端口GDT3采用陶瓷放电管形成第二级浪涌防护；其特征在于, DC24V电源线之间输入端口采用三极陶瓷放电管GDT4形成第三级浪涌防护；其特征在于，输出端口采用D11进行第四级防护，其特征在于，输出端口采用PTC1及PTC2进行第五级防护；其特征在于，正负极电源线以及三极放电管GDT4分别采用单向高速大容量的硅二极管串联D8、D9、D10进行接地。
6.根据权利要求1所述，防雷电路图1，其特征在于， DC12V电源线之间输入端口并接双向高速大容量的硅二极管D12组成第一级浪涌防护；其特征在于， DC12V电源线之间输入端口DGT5采用陶瓷放电管形成第二级浪涌防护；其特征在于, DC12V电源线之间输入端口采用三极陶瓷放电管GDT6形成第三级浪涌防护；其特征在于，输出端口采用D16进行第四级防护，其特征在于，输出端口采用PTC3及PTC4进行第五级防护；其特征在于，正负极电源线以及三极放电管GDT6分别采用单向高速大容量的硅二极管串联D13、D14、D15进行接地。
7.根据权利要求1所述，防雷电路图2，其特征在于， RJ45网络接口发送端口TX+、TX-信号线之间并接陶瓷放电管GDT7组成第一级浪涌防护，其特征在于，发送端口TX+、TX-信号线之间并接三极陶瓷放电管GDT8组成第二级浪涌防护，并且GDT8串接高速单向硅二极管D17接地；其特征在于，采用玻璃放电管GPPTVS1进行第三级防护；其特征在于，采用PTC热敏电阻PTC5、PTC6进行第四级浪涌保护；其特征在于，玻璃放电管GPPTVS1与GDT8之间有电阻R1、R2耦合；其特征在于，采用TVS阵列1进行第五级防护；其特征在于，TVS阵列1采用单向高速大容量的硅二极管D19串联接地；RJ45网络接口接收端口RX+、RX-信号线之间并接陶瓷放电管GDT9组成第一级浪涌防护，其特征在于，接收端口RX+、RX-信号线之间并接三极陶瓷放电管GDT10组成第二级浪涌防护， GDT10串接高速单向硅二极管D18接地；其特征在于，采用玻璃放电管GPPTVS2进行第三级防护；其特征在于，玻璃放电管GPPTVS2与GDT10之间有电阻R3、R4耦合；其特征在于，采用PTC热敏电阻PTC7、PTC8进行第四级保护; 其特征在于，采用TVS阵列1进行第五级进行浪涌防护，其特征在于，TVS阵列1包含分立元件组成模块化阵列，包含TVS与二极管组成的阵列。
8.根据权利要求1所述，防雷电路图2，其特征在于， RS-232接口收发输入端口TXD、RXD、GND之间分并接陶瓷放电管 GDT11、GDT12、 GDT13组成第一级浪涌防护，其特征在于，收发输入端信号线TXD、RXD、GND信号线分别接高速单向硅二极管D20、D21、D23、D24接地组成第二级浪涌防护；其特征在于，TXD与RXD，RXD与GND之间分别并接三极陶瓷放电管GDT14、GDT15组成第三级浪涌防护，GDT14、GDT15分别串接高速单向硅二极管D22、D25接地；其特征在于，XD、RXD、GND线路上分别并接GPP玻璃放电管GPPTVS3、GPPTVS4进行第四级防护；其特征在于，收发输入端分别串接PTC热敏电阻PTC9、PTC10、PTC11进行第五级浪涌保护；其特征在于，收发端口同时接入TVS阵列2进行第六级防护，TVS阵列2采用单向高速大容量的硅二极管D26串联接地,
其特征在于，TVS阵列2包含分立元件组成模块化阵列，包含TVS与二极管组成的阵列。
9.根据权利要求1所述，防雷电路图2，其特征在于，包括RS-485接口不同信号线之间陶瓷放电管GDT16、GDT17采用共模与差模电路形式，分别组成第一级及第二级浪涌防护，GDT17采用单向高速大容量的硅二极管串联接地；其特征在于，线路分别串接D27与D28组成共模电路作为第三级浪涌防护；其特征在于，采用GPP玻璃放电管GPPTVS5进行第三级浪涌防护；其特征在于，信号线分别串接采用PTC热敏电阻PTC12、PTC13进行第四级浪涌防保护；其特征在于，采用TVS阵列3进行第五级防护，接地采用单向高速大容量的硅二极管D30串联接地。
10.根据权利要求1所述，防雷电路图2，其特征在于，包括Wiegand维根接口不同信号线之间陶瓷放电管GDT18、GDT19采用共模与差模电路形式，分别组成第一级及第二级浪涌防护，GDT 19串接D33高速硅二极管进行接地；其特征在于，线路分别串接D31与D32组成共模电路作为第三级浪涌防护；其特征在于，采用GPP玻璃放电管GPPTVS6进行第四级防护；其特征在于，采用PTC热敏电阻PTC14、PTC15第五级保护；其特征在于，采用TVS阵列4进行第六级防护，其接地采用单向高速硅二极管D34串联接地。
11.根据权利要求1所述，防雷电路图2，其特征在于，包括抓拍摄像机BNC接口不同信号线之间并接陶瓷放电管GDT20、GDT21采用共模与差模电路形式，分别组成第一级及第二级浪涌防护，GDT 21串接D37高速硅二极管进行接地其特征在于，采用GPP玻璃放电管GPPTVS7进行第三级防护；其特征在于，线路分别串接D35与D36组成共模电路作为第四级浪涌防护其特征在于，采用PTC热敏电阻PTC16、PTC17第五级保护；其特征在于，采用TVS阵列5进行第六级防护，其接地采用单向高速硅二极管D38串联接地。
12.根据权利要求1所述，防雷电路图3，其特征在于，RJ45网络接口、RS-232接口、RS-485接口、Wiegand维根接口、抓拍摄像机BNC接口、RJ45网络接口、频采集卡BNC接口的陶瓷放电管DGT、高速大容量二级管接在等电位体上，再用单向高速大容量的硅二极D39管串联接地；其特征在于，电源电路接地体直接与地极连接。
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