CN2534707Y - 慢启动半导体激光器驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种半导体激光器的驱动电路,特别是一种慢启动半导体激光器驱动电路。慢启动半导体激光器驱动电路,它包括与基准源电连接的限流保护电路、恒流源,其特征是:在基准源的输入端并接有二极管和电容组成的慢启动电路和瞬态抑制保护器。
Description
所属领域:本实用新型涉及一种半导体激光器的驱动电路,特别是一种慢启动半导体激光器驱动电路。
背景技术:在现有半导体激光器驱动电路中,给驱动电路加上电压后,会立即驱动半导体激光器工作,在加入电压的瞬间,电流较大,瞬间电流的大变化会影响半导体激光器的使用寿命。此外,一般情况下电源电压都是由交流220V经变压整流提供给驱动电路电压,外部串入的干扰信号也会产生瞬间大电流的,这样长期工作会影响半导体激光器的使用寿命。
本实用新型的目的是设计一种不受电源电压干扰、具有慢启动效果、稳定可靠的慢启动半导体激光器的驱动电路,使激光器工作在较佳的工作状态。
本实用新型的目的是这样实现的,设计一种慢启动半导体激光器驱动电路,它包括与基准源电连接的限流保护电路、恒流源,其特征是:在基准源的输入端并接有二极管和电容组成的慢启动电路和瞬态抑制保护器。
所述的慢启动电路中的电容值在10UF~470UF左右,其最佳值在22UF~47UF。
所述的瞬态抑制保护器可以采用PSOT05LC。
所述的基准源可以是MIC5207BM5。
本实用新型的优点是:由于慢启动半导体激光器的驱动电路,在基准源的输入端并接有二极管和电容组成的慢启动电路和瞬态抑制保护器,因此,半导体激光器的驱动电路不受电源电压干扰、具有慢启动效果,使激光器不会受到每次开启电源时产生的过流冲击,延长了激光器的使用寿命。
下面结合实施例附图对本实用新型做进一步说明:
图1是本实用新型电路原理图。
图中,1、慢启动电路;2、瞬态抑制保护器;3、基准源;4、限流保护电路;5、恒流源。
参见图1所示,半导体激光器的驱动电路,它包括与基准源3相连接的限流保护电路4、恒流源5,在基准源3的输入端IN、GND之间并接有二极管D1和电容C1组成的慢启动电路1和瞬态抑制保护器2,基准源3的输入端IN同时接电源VCC。其中电容C1在10UF~470UF左右,其最佳值在22UF~47UF。瞬态抑制保护器2可以采用PSOT05LC。基准源3可以是MIC5207BM5。所述的恒流源5是由一个三极管G1、电阻R1、R4、R5、二极管D2、电容C2、C4组成。限流保护电路4是由电接在基准源3的输出端OUT上的电阻R2、RW组成,限流保护电路4的另一端接半导体激光器LD的一端,半导体激光器LD的另一端接电源负端。此外,基准源3的调节端ADJ接有并联连接的电阻R6和电容C3,并联连接的电阻R6和电容C3另一端与电源负端连接。
Claims (4)
1、慢启动半导体激光器驱动电路,它包括与基准源电连接的限流保护电路、恒流源,其特征是:在基准源的输入端并接有二极管和电容组成的慢启动电路和瞬态抑制保护器。
2、根据权利要求1所述的慢启动半导体激光器驱动电路,其特征是:所述的慢启动电路中的电容值在10UF~470UF左右,其最佳值在22UF~47UF。
3、根据权利要求1所述的慢启动半导体激光器驱动电路,其特征是:所述的瞬态抑制保护器可以采用PSOT05LC。
4、根据权利要求1所述的慢启动半导体激光器驱动电路,其特征是:所述的基准源可以是MIC5207BM5。
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CN2534707Y true CN2534707Y (zh) | 2003-02-05 |
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CN105762647A (zh) * | 2016-04-06 | 2016-07-13 | 北京航天发射技术研究所 | 一种功率可调式半导体激光恒流调制驱动电路 |
CN106020305A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-10-12 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 压控电流源电路及其方法、半导体激光器及其偏置电源 |
CN106441110A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-02-22 | 西安电子科技大学 | 基于cmos的高精度激光位移传感器系统 |
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2002
- 2002-03-18 CN CN 02224652 patent/CN2534707Y/zh not_active Expired - Fee Related
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