CN2390228Y - 双向可控硅新型调控器 - Google Patents

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Abstract

一种双向可控硅新型调控器装置,由调控电路,消滞后电路、脉冲形成门控电路连结组成。其前端调控电路由光电二极D1和光敏电阻MG与限流电阻R1串连组成;其后级调控电路由W与R4串连组成,并联后经抗干扰电容C1滤波经接点③、④输入至消滞后电路中的PNP型三极管BG1和NPN型三极管BG2的基极,经消滞后处理的调控信号加至电容C2移相,当电容C2上移相电压充至双向触发二极管BD导通门限后,在电阻R2两端形成触发控制脉冲电压,用以控制双向可控硅的导通角,以达调节控制之目的。

Description

双向可控硅新型调控器
本实用新型涉及一种双向可控硅调节控制电路装置。
目前，如岑贤鸿、袁光明在《实用双向硅应用500例》中所述，已有多种双向可控硅调节控制电路装置。但在实用中，其接口电路输出线性差，至使可控硅输出负载特性差，性价比低，总之其电路结构上还存在着不同方面、不同程度的不足之处。
本实用新型目的是提供一种结构简单、使用接口方便灵活、线性良好、输出负载特性好，性价比较高的双向可控硅新型调节控制器件装置。它可方便的实现双向可控硅摇控、手控信号的接口输入及器件集成化、模块化技术。
本实用新型目的是这样实现的：本设计由调控电路，消滞后电路、脉冲形成门控电路组成，在调控电路中，其前端调控电路由光电二极管D1和光敏电阻MG及限流电阻R1串连组成；其后级调控电路由电位器W，电阻R4串连组成，两调控电路并联后经抗干扰电容G1滤波、经光敏电阻MG、三级管BG1、BG2、电位器W、电容C1的公共接点③和电阻R4、R1、双向硅BG3阳极、压敏电阻Ry、电容C4、负载RL的公共接点④，输入至消滞后电路中的PNP型和NPN型三极管BG1、BG2的基极，经消滞后处理。经消滞后电路处理的调控信号经电容C2移相、又经双向触发管DB门限控制后在电阻R2上形成触发脉冲信号，加至双向可控硅BG3的控制结上，控制可控硅的异通角以达调节控制之目的。
由于采用上述方案，本实用新型有如下优点：
1、具有线性良好和方便的光偶隔商接口电路，可方便的实现各类信号的摇控调节、手动调节和无极调节。
2、良好的输出特性
(1)调节线性良好，无滞后现象；全工作范围内调节输出平滑无寄生之谐振现象。
(2)对负载适应性强，输出电压可调范围宽(在220伏标准电压工作时输出为0～213伏可调)。
3、性价比高、电路简洁、易制易产且性能可靠。
附图1为电原理图。附图2为本实用新型应用电原理框图。对其电原理作如下解析：
图1中从由接点①、②输入的前端调控电压，经光电二极管D1转换为光控信号，并偶合给光敏电阻MG，再进行转换还原成电压调控信号。光敏电阻MG和限流电阻R1串连后再与W、R4串连组成的后级调控电路并联接于调控输入端③、④。当调节手动无极调控电位器W或是当接点①、②输入调控信号时，光电二极管D1发光强度随信号变化而变化，因此光敏电阻阻值也变化，则后级调控输入点③的信号电压亦随之变化。此信号电压加至滞后消除电路中PNP型三极管和NPN型三极管BG1、BG2的基极。经由三极管BG1、BG2、二级管D1、D2和抗干扰电容C1组成的滞后消除电路处理的调控信号电压由三极管BG1、BG2发射极输出，再加至电容C2进行移相，当电容C2上电压充至双向触发二极管DB的触发门限电压时，双向触发管DB导通，在电阻R2两端形成触发控制电压，经接点⑦送入双向可控硅控制极，以控制双向硅BG3的导通角；同时，二极管D2、D3为消滞后电路三极管BG1、BG2的同步供电二极管。以保证可控硅工作在过零点与电网同步。本电路中：接点④与双向硅阳极连接，为输出负载连接点。接点⑤与双向硅阴极连接，为负载及后级接地公共连接端。接点⑥为三极管BG1、BG2发射极、电容C2和双向触发管DB的连接端。本电路中：电容C1、C3为谐波抑制吸收抗干抗元件；电容C4、电阻R3串连后与压敏电阻Ry并联接于双向可控硅阳极和阴极以保护双向可控硅。
附图2为本双向可控硅新型调控器应用接线电连接原理图。其中(1)为前端调控信号源。(2)是双向可控硅新型调控器装置，RL是其所控制的负载。K为电源开关。接点A和B为交流220伏电输入端。接点①、②为本实用新型调控输入端；接点④、⑤为本实用新型负载连接端。

Claims (2)

1、一种双向可控硅新型调控器电路装置，由调控电路、消滞后电路、脉冲形成门控电路连结组成；其特征是：由发光二极管D1，光敏电阻MG和限流电阻R1串连所组成的光偶隔离前端调控电路与电位器W和限流电阻R4串连所组成的后级调控电路相并联，经抗干扰电容C1滤波后，将调控信号送至接点③、④输入消滞后电路中。
2、根据权利要求1所述的双向可控硅新型调控器，其特征是：接点③为光敏电阻MG、电位器W，滤波电容C1和三极管BG1、BG2基极的公共输入接点；接点④为可控硅负载RL、可控硅BG3阳极及保护电容C4、压敏电阻Ry的一端的公共接点。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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