CN2277591Y - 电器保护装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型是一种电器保护装置,包括电源电路、电压比较电路、漏电检测电路、延时控制电路和通断控制电路,电压比较电路实时监测交流供电电压,漏电检测电路实时监测电器是否漏电,延时控制电路提供启动时延,从而可对电器提供延时启动、欠压、过压和漏电保护。
Description
本实用新型涉及一种电器保护装置,尤其是一种电器延时启动保护装置。
现有的电器延时启动保护器工作电压范围较窄、功耗较大、带负载能力较差、有工作噪声、掉电检测速度慢,且不能提供欠、过压保护。
本实用新型的目的是提供一种宽工作电压范围、低功耗、带负载能力强、无工作噪声、掉电检测速度快的电器延时启动保护装置。
本实用新型进一步的目的是提供一种带欠、过压保护及漏电保护功能的电器延时启动保护装置。
本实用新型包括:电源电路、电压比较电路、延时控制电路及通断控制电路,电源电路的输入端与市电供电线相接,其直流稳压电源输出端与电压比较电路及延时控制电路的电源输入端相接,其市电电压指示信号输出端与电压比较电路的信号输入端相接,电压比较电路的输出端与延时控制电路的信号输入端相接,延时控制电路的输出端与通断控制电路的控制信号输入端相接,通断控制电路的交流输入端与市电的一条供电线相接,其输出端与受保护电器的一个电源输入端相接。
电压比较电路实时检测市电电压,当发生掉电或欠、过压时立刻通过通断控制电路切断被保护电器的供电回路。
为实现漏电保护功能还设有漏电检测电路,其信号输入端为套在市电供电线上的绝缘耦合线圈,其输出端与延时控制电路的信号输入端相接,其电源输入端与电源电路的直流稳压电源输出端相接。当漏电检测电路检测到受保护电器发生漏电时立刻通过通断控制电路切断被保护电器的供电回路。
由于在电源电路中采用分压电容来降压,并用双向可控硅或固态继电器来构成通断控制电路,故工作电压范围宽、功耗低、带负载能力强、无工作噪声、通断转换时不产生电火花。
由于电源电路中的稳压电路采用齐纳二极管,其动态内阻小,故它与滤波电路中的滤波电容所形成的RC时间常数小,故掉电检测和欠、过压检测速度快。
由上可见,本实用新型的优点是:工作电压范围宽、功耗低、带负载能力强、无工作噪声、通断转换时不产生电火花,掉电检测和欠、过压检测速度快,电路成本低。
下面结合附图对本实用新型进行详细描述。
图1是本实用新型的电路方框图;
图2是本实用新型第一实施例的电路图;
图3是本实用新型第二实施例的电路图;
图4是本实用新型第三实施例的电路图;
图5是本实用新型第四实施例的电路图;
图6是漏电检测电路的电路图。
图1示出了本实用新型的整体技术方案。电源电路1的输入端与市电供电线相接,其直流稳压电源输出端与电压比较电路2、延时控制电路3及漏电检测电路5的电源输入端相接,其市电电压指示信号输出端与电压比较电路2的信号输入端相接,电压比较电路2的输出端与延时控制电路3的信号输入端相接,延时控制电路3的输出端与通断控制电路4的控制信号输入端相接,通断控制电路4的交流输入端与市电的一条供电线相接,其输出端与受保护电器6的一个电源输入端相接,受保护电器6的另一个电源输入端接市电的另一条供电线,漏电检测电路5的信号输入端为套在市电供电线上的绝缘耦合线圈,其输出端与延时控制电路的信号输入端相接。电源电路1完成降压、整流、滤波、稳压及市电电压信号提取功能;电压比较电路2对电源电路1提供的市电电压信号进行检测,对欠压或欠、过压进行判断,电压正常时向延时控制电路3发出延时允许信号,否则发出延时不允许信号;延时控制电路3具有延时使能、延时及延时判决功能,当供电正常时经过一定时延后命令通断控制电路4接通受保护电器6的供电回路,当欠压、过压或漏电时则不允许通断控制电路4接通受保护电器6的供电回路;通断控制电路4接收延时控制电路3的控制信号负责对受保护电器6的供电回路进行通、断控制;漏电保护电路5负责检测受保护电器6是否漏电,正常时向延时控制电路3发出延时允许信号,当检测到有漏电发生时发出延时不允许信号。
图2是本实用新型第一实施例的电路图。在图中,电源电路由分压电容C0、整流电路、滤波电路、稳压电路及市电电压信号提取电路组成,整流电路为由二极管D9、D10组成的半波整流电路,滤波电路为电容C2,稳压电路为齐纳二极管RD1,市电电压信号提取电路为电阻R8,电容C0一端与市电的一条供电线相接,另一端与二极管D9正极及D10负极相接,二极管D9负极与另一条市电供电线相接作为电源地,二极管D10正极与电容C2负极及齐纳二极管RD1正极相接作为电源电路的直流稳压电源输出端(负电源),齐纳二极管RD1负极与电阻R8一端相接,电阻R8另一端接电源地。电压比较电路由三极管P2、电阻R2及二极管D6组成,三极管P2射极接电源地,基极与电源电路中齐纳二极管RD1负极相接,集电极与电阻R2一端及二极管D6负极相接,电阻R2另一端接负电源。延时控制电路中的延时使能电路为三极管P1,其射极接电源地,基极接电压比较电路中二极管D6正极,延时电路为由相串联的电阻R1和电容C1构成的RC充电回路,电阻R1一端接负电源,另一端与电容C1负极及三极管P1集电极相接,电容C1正极接电源地,延时判决电路由接成复合达林顿管形式的三极管P3、P4及电阻R3组成,复合达林顿管基极接电容C1负极,集电极接电阻R3一端,电阻R3另一端接负电源。通断控制电路由双向可控硅S1及由电阻R6和电容C4串联组成的RC回路组成,RC回路并接在可控硅S1两端,可控硅S1门极接延时控制电路中复合达林顿管射极,可控硅S1一端 (电极2)与受保护电器6的一个电源输入端相接,另一端(电极1)接电源地,RC回路的作用是为了防止可控硅两端的电压上升率过高引起误触发。发光二极管LD1、限流电阻R7及二极管D5构成通电指示电路。工作过程为:市电电压正常时,电阻R8两端有足够的压降使三极管P2导通,此时P2的射、集间电压较小使三极管P1截止,故电容C1可被充电,当经过一段时间后C1充到一定电压使可控硅S1产生门极电流从而触发其导通,接通受保护电路6的供电回路,此时通电指示电路中的发光二极管LD1发光,表示供电正常;当市电掉电或欠压时,电阻R8两端电压较小使三极管P2截止,则三极管P1导通,使电容C1两端电压受限不能进一步充电,可控硅S1无门极电流不能导通。调节电阻R8的阻值可改变欠压保护工作点。
图3是本实用新型第二实施例的电路图。在图中,电源电路中的整流电路为由二极管D1、D2、D3、D4组成的全波整流电路,其它电路元件与图2中的相同,二极管D4负极与D3正极及市电的一条供电线相接,D1正极与D4正极相接作为电源地,D2正极与D1负极及分压电容C0的一端相接,电容C0另一端接市电的另一条供电线,二极管D3负极与D2负极、电容C2正极及齐纳二极管RD1负极相接作为电源电路的直流稳压电源输出端(正电源),电容C2负极接电源地,齐纳二极管RD1正极与电阻R8一端相接,电阻R8另一端接电源地。电压比较电路由三极管N2、电阻R2及二极管D6组成,三极管N2射极接电源地,基极与电源电路中齐纳二极管RD1正极相接,集电极与电阻R2一端及二极管D6正极相接,电阻R2另一端接正电源。延时控制电路中的延时使能电路为三极管N1,其射极接电源地,基极接电压比较电路中二极管D6负极,延时电路为相串联的电阻R1和电容C1,电阻R1一端接正电源,另一端与电容C1正极及三极管N1集电极相接,电容C1负极接电源地,延时判决电路由三极管P5、N5及电阻R27、R28、R29、R3组成,电阻R27一端接电容C1正极,另一端接三极管P5基极,三极管P5射极接正电源,集电极接电阻R28一端,电阻R28另一端接三极管N5基极,三极管N5射极接电源地,集电极接电阻R29一端,电阻R29另一端接电阻R3一端,电阻R3另一端接正电源。通断控制电路由晶闸管输出型光耦OPT1、电阻R4、R5、双向可控硅S1及由电阻R6和电容C4串联组成的RC回路组成,光耦OPT1正输入端接延时控制电路中电阻R29和R3的串接点,负输入端接电源地,RC回路并接在可控硅S1两端,电阻R4一端与光耦OPT1的一个输出极相接,另一端接可控硅S1一端(电极2),电阻R5一端与光耦OPT1的另一个输出极及可控硅S1的门极相接,另一端接可控硅S1的另一端(电极1),可控硅S1一端(电极2)与受保护电器的一个电源输入端相接,另一端(电极1)接市电的一条供电线,电阻R4的作用是防止流过光耦OPT1输出端的电流过大,电阻R5的作用是防止因光耦OPT1输出端有漏电流引起对可控硅S1的误触发,电阻R29的作用是使当三极管N5导通与截止时流过电阻R3的电流相差不至太大。工作过程与图2所示电路的相类,不同点在于:当电容C1两端电压较低时,三极管P5、N5导通,光耦输入端的电压较低不足以使其晶闸管输出端导通,故可控硅S1因无触发电流而不能导通;当C1充到一定电压后使三极管P5、N5截止,光耦输入端有足够的电压使其晶闸管输出端导通,从而触发可控硅S1导通。
图4是本实用新型第三实施例的电路图。在图中,电源电路中的滤波电路为由电容C2、C3和电阻R9组成的∏型CRC滤波电路,其它电路元件与图3中的相同,元件的联接方式与图3的也相似,不同之处是:电容C2正极与二极管D3、D2负极及电阻R9一端相接,负极接电源地,电阻R9另一端与电容C3正极及齐纳二极管RD1负极相接作为正电源,电容C3负极接电源地。电压比较电路由欠压检测电路和过压检测电路组成,欠压检测电路由比较器CMP1、电阻R10、R11、R15、R17、及二极管D8组成,电阻R10一端接正电源,另一端与R11一端及比较器CMP1正输入端相接,电阻R11另一端接电源地,电阻R15一端接电源电路中齐纳二极管RD1正极,另一端接比较器CMP1负输入端,上拉电阻R17一端接正电源,另一端与二极管D8正极及比较器CMP1输出端相接,电阻R10、R11构成分压电路为比较器CMP1提供比较基准;过压检测电路由比较器CMP2、电阻R12、R13、R14、R20、R16及二极管D7组成,电阻R12一端接正电源,另一端与R13一端及比较器CMP2负输入端相接,电阻R13另一端接电源地,电阻R14一端接电源电路中齐纳二极管RD1正极,另一端接比较器CMP2正输入端,上拉电阻R16一端接正电源,另一端与二极管D8正极、反馈电阻R20一端及比较器CMP2输出端相接,电阻R20另一端接比较器CMP2正输入端,二极管D7负极与D8负极及延时控制电路中三极管N1基极相接,反馈电阻R20的作用是使比较器CMP2工作于迟滞方式,电阻R12、R13构成分压电路为比较器CMP2提供比较基准。延时控制电路中的延时使能电路和延时电路与图3中的相同,而延时判决电路由比较器CMP3、电阻R18、R19、R29、R3组成,电阻R18一端接正电源,另一端与R19一端及比较器CMP3负输入端相接,电阻R19另一端接电源地,比较器CMP3正输入端接电容C1正极,输出端接电阻R29一端,电阻R29另一端与R3一端及通断控制电路中光耦OPT1的正输入端相接,电阻R3另一端接正电源,电阻R18、R19构成分压电路为比较器CMP3提供比较基准。通断控制电路与图3中的相同。工作过程如下:市电电压正常时,比较器CMP1和CMP2输出为低使三极管N1截止,故电容C1可被充电,当经过一段时间后C1充到一定电压使比较器CMP3输出变高,光耦输入端有足够的电压使其晶闸管输出端导通,从而触发可控硅S1导通;当市电掉电或欠压时,比较器CMP1输出为高,当市电电压过压时比较器CMP2输出为高,都会使三极管N1导通,使电容C1两端电压受限不能进一步充电,则比较器CMP3输出为低,光耦输入端的电压较低不足以使其晶闸管输出端导通,故可控硅S1因无触发电流而不能导通。调节电阻R11和R13的阻值可分别改变欠压、过压保护工作点。
图5是本实用新型第四实施例的电路图。在图中,电源电路与图2中的相类,不同之处是:滤波电路为由电容C2、C3和电阻R9组成的∏型CRC滤波电路,二极管D9的负极与电容C2、C3的正极及齐纳二极管RD1负极相接作为正电源,电容C2负极与二极管D10正极及电阻R9一端相接,电阻R9另一端与电容C3负极及电阻R8一端相接作为电源地,电阻R8另一端接齐纳二极管RD1正极。电压比较电路与图4中的基本相同,只是省掉了电阻R20。延时控制电路中的延时使能电路和延时电路与图3中的相同,而延时判决电路由比较器CMP3、电阻R18、R19、R30、R31、R32、R33、二极管D11及三极管N6组成,电阻R18一端接正电源,另一端与R19一端及比较器CMP3正输入端相接,电阻R19另一端接电源地,比较器CMP3负输入端接电容C1正极,输出端与二极管D11负极、电阻R30及R31一端相接,电阻R30另一端接正电源,电阻R31另一端接三极管N6基极,电阻R32一端接正电源,另一端接三极管N6集电极,三极管N6发射极接电源地,电阻R33一端接二极管D11正极,另一端与通断控制电路中可控硅S1门极相接,电阻R18、R19构成分压电路为比较器CMP3提供比较基准,电阻R33用以限制可控硅S1的门极触发电流大小,二极管D11用以限制可控硅S1的门极触发电流方向,电阻R30、R31为三极管N6提供基极偏置,电阻R30、R31、R32及三极管N6的作用是使当比较器CMP3输出为高和为低时流过电阻R30、R33、R32的电流之和基本相同。通断控制电路与图3中的相同。工作过程与图4所示电路的相类,不同之出为:当比较器CMP3输出为高时,三极管N6导通,有集—射电流流过电阻R32,而可控硅S1因无门极电流而截止;当比较器CMP3输出为低时,三极管N6截止,电阻R32上无电流,而可控硅S1则因有门极电流而触发导通。
图6是漏电检测电路的一种电路图。在图中,漏电检测电路由套在市电线上的绝缘耦合线圈L1、电容C5、C6、C7、C8、C9、电阻R21、R22、R23、R24、R25、R26、三极管N6、二极管D11及比较器CMP4组成,电容C5并接在线圈L1两端,线圈L1一端接电源地,另一端接电容C6负极,电容C6正极与C7正极、电阻R21一端及三极管N6基极相接,电阻R21另一端接正电源,电容C7负极接电源地,三极管N6射极接电源地,集电极与电阻R22一端及电容C8正极相接,电阻R22另一端接正电源,电容C9与电阻R23并接后一端接电源地,另一端与电容C8负极及比较器CMP4正输入端相接,电阻R25一端接正电源,另一端与电阻R24一端及比较器CMP4负输入端相接,电阻R24另一端接电源地,电阻R26一端接正电源,另一端与比较器CMP4输出端及二极管D11正极相接,二极管D11负极与延时控制电路的信号输入端(例如图3、图4、图5中三极管N1的基极)相接,电容C5、C7、C9用以滤波,电容C6、C8用以隔直,电阻R24、R25构成分压电路为比较器CMP4提供比较基准。工作过程为:当不漏电时,线圈L1两端无感应信号,三极管N6基极无信号输入,则比较器CMP4正输入端电压为零,输出为低,给延时电路以延时允许信号;当发生漏电时,线圈L1两端将感应有交流信号,经三极管N6放大后在比较器CMP4输入端产生一定幅度的交流信号,使比较器CMP4的输出端产生高、低交替变化的方波,给延时电路以延时不允许信号。
另外,通断控制电路也可由固态继电器构成,其控制信号输入端接延时控制电路的输出端(例如图3、图4中电阻R29和R3的串接点),控制信号公共端接电源地,交流输入端接市电的一条供电线,输出端与受保护电器的一个电源输入端相接。
在市电供电回路中还可串入保险管(如图3中的PS1、PS2),用以防止负载短路或过流;在市电供电端还可并接压敏电阻(如图3中的RZ1),用以防止过高的电压损坏电路。
以上内容说明了本实用新型的构成和工作原理,不难看出,由于在电源电路中采用分压电容来降压,并用双向可控硅或固态继电器来构成通断控制电路,故工作电压范围宽、功耗低、带负载能力强、无工作噪声、通断转换时不产生电火花,且电路成本很低。
Claims (9)
1.一种电器保护装置,其特征在于包括电源电路、电压比较电路、延时控制电路及通断控制电路,电源电路的输入端与市电供电线相接,其直流稳压电源输出端与电压比较电路及延时控制电路的电源输入端相接,其市电电压指示信号输出端接电压比较电路的信号输入端,电压比较电路的输出端接延时控制电路的信号输入端,延时控制电路的输出端与通断控制电路的控制信号输入端相接,通断控制电路的交流输入端接市电的一条供电线,输出端接受保护电器的一个电源输入端。
2.根据权利要求1所述的电器保护装置,其特征在于还具有漏电检测电路,其信号输入端为套在市电供电线上的绝缘耦合线圈,其输出端接延时控制电路的信号输入端,其电源输入端接电源电路的直流稳压电源输出端。
3.根据权利要求1或2所述的电器保护装置,其特征在于:
电源电路由分压电容C0、整流电路、滤波电路、稳压电路及市电电压信号提取电路组成,电容C0一端与市电的一条供电线相接,另一端接整流电路的一个输入端,整流电路的另一个输入端接市电的另一条供电线,其输出端接滤波电路的输入端,稳压电路与市电电压信号提取电路串接在滤波电路的输出端,其串接点接电压比较电路的信号输入端,稳压电路的输入端接滤波电路的输出端,输出端作为电源电路的直流稳压电源输出端;
延时控制电路由延时使能电路、延时电路和延时判决电路组成,延时使能电路的输入端接电压比较电路的输出端,输出端与延时电路的输出端及延时判决电路的输入端相接。
4.根据权利要求3所述的电器保护装置,其特征在于:
电源电路中的整流电路为由二极管D9、D10组成的半波整流电路,滤波电路为电容C2,稳压电路为齐纳二极管RD1,市电电压信号提取电路为电阻R8,二极管D9负极与一条市电供电线相接作为电源地,正极与二极管D10负极及分压电容C0的不与市电直接相接的一端相接,二极管D10正极与电容C2负极及齐纳二极管RD1正极相接作为电源电路的直流稳压电源输出端(负电源),齐纳二极管RD1负极与电阻R8一端相接,电阻R8另一端接电源地;
电压比较电路由三极管P2、电阻R2及二极管D6组成,三极管P2射极接电源地,基极与电源电路中齐纳二极管RD1负极相接,集电极与电阻R2一端及二极管D6负极相接,电阻R2另一端接负电源;
延时控制电路中的延时使能电路为三极管P1,其射极接电源地,基极接电压比较电路中二极管D6正极,延时电路为相串联的电阻R1和电容C1,电阻R1一端接负电源,另一端与电容C1负极及三极管P1集电极相接,电容C1正极接电源地,延时判决电路由接成复合达林顿管形式的三极管P3、P4及电阻R3组成,复合达林顿管基极接电容C1负极,集电极接电阻R3一端,电阻R3另一端接负电源;
通断控制电路由双向可控硅及由电阻R6和电容C4串联组成的RC回路组成,RC回路并接在双向可控硅两端,双向可控硅门极接延时控制电路中复合达林顿管射极,双向可控硅一端(电极2)与受保护电器的一个电源输入端相接,另一端(电极1)接电源地。
5.根据权利要求3所述的电器保护装置,其特征在于:
电源电路中的整流电路为由二极管D1、D2、D3、D4组成的全波整流电路,滤波电路为电容C2,稳压电路为齐纳二极管RD1,市电电压信号提取电路为电阻R8,二极管D4负极与D3正极及市电的一条供电线相接,D1正极与D4正极相接作为电源地,D1负极与D2正极及分压电容C0的不与市电直接相接的一端相接,D3负极与D2负极、电容C2正极及齐纳二极管RD1负极相接作为电源电路的直流稳压电源输出端(正电源),电容C2负极接电源地,齐纳二极管RD1正极与电阻R8一端相接,电阻R8另一端接电源地;
电压比较电路由三极管N2、电阻R2及二极管D6组成,三极管N2射极接电源地,基极与电源电路中齐纳二极管RD1正极相接,集电极与电阻R2一端及二极管D6正极相接,电阻R2另一端接正电源;
延时控制电路中的延时使能电路为三极管N1,其射极接电源地,基极接电压比较电路中二极管D6负极,延时电路为相串联的电阻R1和电容C1,电阻R1一端接正电源,另一端与电容C1正极及三极管N1集电极相接,电容C1负极接电源地,延时判决电路由三极管P5、N5及电阻R27、R28、R29、R3组成,电阻R27一端接电容C1正极,另一端接三极管P5基极,三极管P5射极接正电源,集电极接电阻R28一端,电阻R28另一端接三极管N5基极,三极管N5射极接电源地,集电极接电阻R29一端,电阻R29另一端接电阻R3一端,电阻R3另一端接正电源;
通断控制电路由晶闸管输出型光耦、电阻R4、R5、双向可控硅及由电阻R6和电容C4串联组成的RC回路组成,光耦正输入端接延时控制电路中电阻R29和R3的串接点,负输入端接电源地,RC回路并接在双向可控硅两端,电阻R4一端与光耦的一个输出极相接,另一端接双向可控硅的一端(电极2),电阻R5一端与光耦的另一个输出极及双向可控硅的门极相接,另一端接双向可控硅的另一端(电极1),双向可控硅一端(电极2)与受保护电器的一个电源输入端相接,另一端(电极1)接市电的一条供电线。
6.根据权利要求3所述的电器保护装置,其特征在于:
电源电路的滤波电路为由电容C2、C3和电阻R9组成的∏型CRC滤波电路,电容C2正极与整流电路输出端及电阻R9一端相接,负极接C3负极作为电源地,电阻R9另一端与电容C3正极及稳压电路输入端相接;
电压比较电路由欠压检测电路和过压检测电路组成,欠压检测电路由比较器CMP1、电阻R10、R11、R15、R17、及二极管D8组成,电阻R10一端接电源输入端,另一端与R11一端及比较器CMP1正输入端相接,电阻R11另一端接电源地,电阻R15一端接电源电路的市电电压指示信号输出端,另一端接比较器CMP1负输入端,电阻R17一端接电源输入端,另一端与二极管D8正极及比较器CMP1输出端相接;过压检测电路由比较器CMP2、电阻R12、R13、R14、R20、R16及二极管D7组成,电阻R12一端接电源输入端,另一端与R13一端及比较器CMP2负输入端相接,电阻R13另一端接电源地,电阻R14一端接电源电路的市电电压指示信号输出端,另一端接比较器CMP2正输入端,电阻R16一端接电源输入端,另一端与二极管D8正极、电阻R20一端及比较器CMP2输出端相接,电阻R20另一端接比较器CMP2正输入端,二极管D7负极与D8负极及延时控制电路的信号输入端相接;
延时控制电路中的延时判决电路由比较器CMP3、电阻R18、R19、R29、R3组成,电阻R18一端接电源输入端,另一端与R19一端及比较器CMP3负输入端相接,电阻R19另一端接电源地,比较器CMP3正输入端接延时电路的输出端,输出端接电阻R29一端,电阻R29另一端与R3一端及通断控制电路的控制信号输入端相接,电阻R3另一端接电源输入端。
7.根据权利要求2所述的电器保护装置,其特征在于:
电源电路中的整流电路为由二极管D9、D10组成的半波整流电路,滤波电路为由电容C2、C3和电阻R9组成的∏型CRC滤波电路,稳压电路为齐纳二极管RD1,市电电压信号提取电路为电阻R8,二极管D9负极与一条市电供电线、电容C2和C3的正极及齐纳二极管RD1负极相接作为电源电路的直流稳压电源输出端(正电源),正极与二极管D10负极及分压电容C0的不与市电直接相接的一端相接,二极管D10正极与电容C2负极及电阻R9一端相接,电容C3负极与电阻R9另一端相接作为电源地,电阻R8一端接齐纳二极管RD1正极,另一端接电源地;
延时控制电路中的延时判决电路由比较器CMP3、电阻R18、R19、R30、R31、R32、R33、二极管D11及三极管N6组成,电阻R18一端接正电源,另一端与R19一端及比较器CMP3正输入端相接,电阻R19另一端接电源地,比较器CMP3负输入端接延时电路的输出端,输出端与二极管D11负极、电阻R30及R31一端相接,电阻R30另一端接正电源,电阻R31另一端接三极管N6基极,电阻R32一端接正电源,另一端接三极管N6集电极,三极管N6发射极接电源地,电阻R33一端接二极管D11正极,另一端与通断控制电路的控制信号输入端相接。
8.根据权利要求3所述的电器保护装置,其特征在于:通断控制电路为固态继电器,其控制信号输入端接延时控制电路的输出端,交流输入端接市电的一条供电线,输出端与受保护电器的一个电源输入端相接。
9.根据权利要求2所述的电器保护装置,其特征在于:漏电检测电路由套在市电线上的绝缘耦合线圈L1、电容C5、C6、C7、C8、C9、电阻R21、R22、R23、R24、R25、R26、三极管N6、二极管D11及比较器CMP4组成,电容C5并接在线圈L1两端,线圈L1一端与电容C7负极及三极管N6射极相接作为电源地,另一端接电容C6负极,电容C6正极与C7正极、电阻R21一端及三极管N6基极相接,电阻R21另一端接电源输入端,集电极与电阻R22一端及电容C8正极相接,电阻R22另一端接电源输入端,电容C9与电阻R23并接后一端接电源地,另一端与电容C8负极及比较器CMP4正输入端相接,电阻R25一端接电源输入端,另一端与电阻R24一端及比较器CMP4负输入端相接,电阻R24另一端接电源地,电阻R26一端接电源输入端,另一端与比较器CMP4输出端及二极管D11正极相接,二极管D11负极与延时控制电路的信号输入端相接。
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