CN201263081Y - 一种漏电断路装置 - Google Patents
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Abstract
为解决现有的漏电断路装置的电磁兼容抗干扰性能较差的技术问题，本实用新型涉及一种漏电断路装置。其包括：用于与交流电源相连的桥式整流电路、用于设置在交流电源线路中的机械脱扣开关、单向可控硅、以及由谐振电容和用于检测交流电源的第一电流互感器构成的并联谐振回路；机械脱扣开关的电磁铁线圈设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；单向可控硅的A极与K极分别接所述桥式整流电路的正极端和负极端，单向可控硅的G极与所述并联谐振回路相连；所述并联谐振回路的谐振频率为50Hz。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种漏电断路装置，尤其是一种符合GB14048.2-2001标准的30mA一种漏电断路装置。
背景技术
中国专利文献CN2354282Y公开了一种显示式家用零断漏电断路装置，由主控电路、比较电路、试验电路等组成，其主控电路及可控硅均并联有压敏电阻。
中国专利文献CN2276678Y公开了一种单相零断漏电保护器，机械脱扣开关电磁铁线圈、单向可控硅元件和二极管顺序电连接结构的漏电保护器中增加一或门电路，使或门电路中串联的二个二极管按导通方向一致与单向可控硅元件、机械脱扣开关的电磁铁线圈顺序电连接，另一个二极管的阴极与二个串联二极管之间的导线电连接，阳极与地线接线端子电连接。
上述现有技术的不足之处在于：现有的漏电断路装置的电磁兼容抗干扰性能差。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种抗干扰性能较强且不易发生误动作的漏电断路装置。
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种漏电断路装置，包括：用于与交流电源相连的桥式整流电路、用于设置在交流电源线路中的机械脱扣开关、单向可控硅、以及由谐振电容和用于检测交流电源的第一电流互感器构成的并联谐振回路；机械脱扣开关的电磁铁线圈设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；单向可控硅的A极与K极分别接所述桥式整流电路的正极端和负极端，单向可控硅的G极与所述并联谐振回路相连；所述并联谐振回路的谐振频率为50Hz。
上述技术方案中，所述并联谐振回路中第一电流互感器的电感量为不小于20H；或，所述并联谐振回路中还包括与第一电流互感器相串联的第二电流互感器；第一电流互感器与第二电流互感器的电感量之和不小于20H。
上述技术方案中，还包括与所述并联谐振回路相并联的雪崩稳压管，且雪崩稳压管的阳极与单向可控硅的G极相连。
上述技术方案中，还包括与所述单向可控硅的G极相连的低通虑波电路；低通虑波电路包括：第二电容、第三电阻、设于雪崩稳压管的阳极与单向可控硅的G极之间的磁珠；第二电容和第三电阻串联后设于雪崩稳压管的阴极与单向可控硅的G极之间。
本实用新型具有积极的效果：(1)本实用新型中，并联谐振回路的谐振频率为50Hz，与我国的市交流电源的频率相同。当交流电源发生漏电时，电流互感器获取的漏电信号也为50Hz。根据并联谐振回路的特性，当并联谐振回路处于谐振时，可使50Hz的漏电信号的触发可控硅的效能处于最佳，以最有效地触发可控硅，同时使50Hz以外的干扰信号的触发可控硅的效能较低，从而可有效抑制50Hz以外的干扰信号。因此，本实用新型的漏电断路装置抗干扰性能较强且不易发生误动作。(2)现有技术中，当漏电断路装置所在的220V市交流电的检测回路中存在一个强脉冲干扰信号(例如，250A，前沿为8微秒，后沿为20微秒的尖脉冲)往往使电流互感器发生磁饱和，从而破坏了并联谐振回路的谐振频率，因电流互感器磁饱和非线性产生的次谐波能触发可控硅，从而使现有技术的漏电断路装置误动作。而在本实用新型中，所述并联谐振回路中采用的电流互感器的电感量不小于20H；以保证所述强脉冲干扰信号(250A，前沿为8微秒，后沿为20微秒的尖脉冲)不会使电流互感器发生磁饱和，防止了次谐波触发可控硅的情况。(3)本实用新型中，并联谐振回路并联有雪崩稳压管，且雪崩稳压管的阳极与单向可控硅的G极相连。所述雪崩稳压管的正向导通电压不高于0.55V，且所述单向可控硅的触发电压不低于0.56V。当外界干扰信号入侵时，雪崩稳压管首先导通，迅速排除了干扰信号，以防止其触发可控硅，而发生误动作。(4)本实用新型中，所述单向可控硅SCR的G极相连有低通虑波电路，用于滤掉高频干扰信号，进一步保证漏电断路装置的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型的一种漏电断路装置的电原理图。
具体实施方式
(实施例1)
见图1，本实施例的一种漏电断路装置包括：用于与交流电源相连的桥式整流电路(包括二极管D1、D2、D3和D4)、用于设置在交流电源线路(即图1中的标号1和2)中的机械脱扣开关K1、单向可控硅SCR、雪崩稳压管DW、低通虑波电路、以及由谐振电容C1、用于检测交流电源的漏电信号的第一电流互感器H1和第二电流互感器H2构成的并联谐振回路。
机械脱扣开关K1的电磁铁线圈KM设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；低通虑波电路与所述单向可控硅SCR的G极相连；在30毫安的断路装置中，低通虑波电路包括：第二电容C2、第三电阻R3、设于雪崩稳压管DW的阳极与单向可控硅SCR的G极之间的磁珠L1；第二电容C2和第三电阻R3串联后设于雪崩稳压管DW的阴极与单向可控硅SCR的G极之间。低通虑波电路，用于滤掉高频干扰信号，进一步保证漏电断路装置的可靠性。
在50或70毫安的断路装置中，磁珠L1可更换为电阻，该电阻与第二电容C2串联构成低通虑波器，磁珠L1更换为电阻可降低成本且不影响低通虑波的效果。
单向可控硅SCR的A极与K极分别接所述桥式整流电路的正极端和负极端，单向可控硅SCR的G极串联磁珠L1后与所述并联谐振回路相连。
第一电流互感器H1与第二电流互感器H2的电感量之和为20H，谐振电容C1的电容量为0.5uF，因此所述并联谐振回路的谐振频率为50Hz。根据并联谐振回路的特性，当并联谐振回路发生谐振时，可使50Hz的干扰信号的触发可控硅的效能处于最佳，以最有效地触发可控硅，同时使50Hz以外的干扰信号的触发可控硅的效能较低，从而可有效抑制50Hz以外的干扰信号。因此，本实用新型的漏电断路装置抗干扰性能较强且不易发生误动作。相串联的第一电流互感器H1与第二电流互感器H2的电感量之和为20H，从而使本实施例的漏电断路装置应用于220V市交流电中时，其中的电流互感器不易发生磁饱和，防止了次谐波触发可控硅的情况。
雪崩稳压管DW与并联谐振回路相并联，且雪崩稳压管DW的阳极与单向可控硅SCR的G极相连。所述雪崩稳压管DW的正向导通电压不高于0.55V，且所述单向可控硅SCR的触发电压不低于0.56V。还包括与雪崩稳压管DW相并联的第一电阻R1和第二电阻R2；S1为实验按钮，使用时起模拟漏电的作用。实验按钮S1串联降压电阻R4后与交流电源相连。
在其他实施例中，所述并联谐振回路中仅采用一个电感量为20H或25H的电流互感器，相应的谐振电容C1的电容量为0.5uF或0.4uF。
Claims (3)
1、一种漏电断路装置，其特征在于：包括桥式整流电路、机械脱扣开关(K1)、单向可控硅(SCR)、以及由谐振电容(C1)和第一电流互感器(H1)构成的并联谐振回路；
机械脱扣开关(K1)的电磁铁线圈(KM)设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；单向可控硅(SCR)的A极与K极分别接所述桥式整流电路的正极端和负极端，单向可控硅(SCR)的G极与所述并联谐振回路相连。
2、权利要求1所述的一种漏电断路装置，其特征在于：还包括与所述并联谐振回路相并联的雪崩稳压管(DW)，且雪崩稳压管(DW)的阳极与单向可控硅(SCR)的G极相连。
3、根据权利要求2所述的一种漏电断路装置，其特征在于：还包括与所述单向可控硅(SCR)的G极相连的低通虑波电路；低通虑波电路包括：第二电容(C2)、第三电阻(R3)、设于雪崩稳压管(DW)的阳极与单向可控硅(SCR)的G极之间的磁珠(L1)；第二电容(C2)和第三电阻(R3)串联后设于雪崩稳压管(DW)的阴极与单向可控硅(SCR)的G极之间。
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| CNU2008201218846U CN201263081Y (zh) | 2008-07-29 | 2008-07-29 | 一种漏电断路装置 |
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Publications (1)
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| CN201263081Y true CN201263081Y (zh) | 2009-06-24 |
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| CN (1) | CN201263081Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103490379A (zh) * | 2013-09-24 | 2014-01-01 | 国家电网公司 | 一种具有抗干扰功能的漏电断路器 |
| CN107919661A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-17 | 浙江多格电气有限公司 | 一种模块式浪涌保护器 |
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2008
- 2008-07-29 CN CNU2008201218846U patent/CN201263081Y/zh not_active Expired - Lifetime
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Owner name: ZHEJIANG PEOPLE ELECTRICAL APPLIANCE CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: PEOPLE ELECTRICAL APPLIANCES GROUP CO., LTD. Effective date: 20140528 |
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