CN221747171U - 一种半导体制造用湿法氧化装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体制造用湿法氧化装置，涉及半导体技术领域，具体为包括工作架和安装架，所述工作架的上表面与安装架固定连接，所述工作架的上表面转动连接有转盘，所述转盘的上表面固定连接有固定杆，所述固定杆的一侧固定连接有固定架，所述转盘的上表面开设有放置槽，所述放置槽的上表面设置有反应盒，所述安装架的上表面固定安装有第一电机，所述第一电机的输出端固定连接有螺纹杆。该半导体制造用湿法氧化装置，可以通过固定架、外壳、移动板、固定杆、限位板、弹簧、连接板和防护板之间的配合设置，再将反应盒安装到固定架内之后，通过弹簧的弹性带动防护板对反应盒进行加持固定，从而起到了固定的作用。

Description

一种半导体制造用湿法氧化装置

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种半导体制造用湿法氧化装置。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。

在中国实用新型专利申请公开说明书CN202020611027.5中公开一种半导体制造用湿法氧化装置，目前市场现有的半导体制造用湿法氧化装置在使用过程中存在一些缺陷，装置在使用时，大多只可以支持少量的半导体进行单独操作，工作效率低，而且在对装置不能进行固定和取出，因此需要一种半导体制造用湿法氧化装置。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种半导体制造用湿法氧化装置，解决了上述背景技术中提出的问题。

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种半导体制造用湿法氧化装置，包括工作架和安装架，所述工作架的上表面与安装架固定连接，所述工作架的上表面转动连接有转盘，所述转盘的上表面固定连接有固定杆，所述固定杆的一侧固定连接有固定架，所述转盘的上表面开设有放置槽，所述放置槽的上表面设置有反应盒，所述安装架的上表面固定安装有第一电机，所述第一电机的输出端固定连接有螺纹杆，所述螺纹杆的外表面螺纹连接有螺纹板，所述螺纹板的一侧与安装架滑动连接。

可选的，所述螺纹板的一侧固定连接放置架，所述放置架的一侧固定安装有CCD成像装置。

可选的，所述工作架的下表面固定安装有第二电机，所述第二电机的输出端固定连接有安装环，所述转盘的下表面固定连接有安装杆。

可选的，所述安装杆的外表面固定连接有连接环，所述连接环的外表面套接有皮带。

可选的，所述皮带远离连接环的一端与安装环传动连接，所述工作架的上表面开设有圆形槽，所述圆形槽的内壁滑动连接有滑动块，所述滑动块的上表面与转盘固定连接。

可选的，所述固定架的内壁开设有凹槽，所述凹槽的内壁固定连接有外壳，所述外壳的内壁开设有滑槽，所述滑槽的内壁滑动连接有滑块。

可选的，所述滑块的下表面固定连接有移动板，所述移动板的一侧固定连接有固定杆，所述固定杆的外表面滑动连接有限位板。

可选的，所述限位板的一侧固定连接有弹簧，所述弹簧的一侧固定连接有连接板，所述连接板的一侧固定连接有防护板。

本实用新型提供了一种半导体制造用湿法氧化装置，具备以下有益效果：

1、该半导体制造用湿法氧化装置，通过工作架的设置，使该装置具备了效率高的效果，通过工作架和转盘的配合设置，在使用的过程中可以通过转盘、固定架、反应盒、第一电机、螺纹杆、螺纹板、放置架、CCD成像装置、第二电机、安装杆和皮带之间的配合设置，装置在进行使用时，通过第一电机和CCD成像装置使装置进行升降便于提供信息，然后通过第二电机带动转盘进行转动，对装置进行转动扩大了半导体的制造规模，可以进行不间断操作，提高了生产效率，节省了制造时，从而起到了效率高的作用，达到了效率高的目的。

2、该半导体制造用湿法氧化装置，通过工作架的设置，使该装置具备了稳固的效果，通过固定架和放置槽的配合设置，在使用的过程中可以固定架、外壳、移动板、固定杆、限位板、弹簧、连接板和防护板之间的配合设置，再将反应盒安装到固定架内之后，通过弹簧的弹性带动防护板对反应盒进行加持固定，从而起到了固定的作用，达到了固定的目的。

附图说明

图1为本实用新型立体的结构示意图；

图2为本实用新型主视剖面的结构示意图；

图3为本实用新型图2中A处放大的结构示意图；

图4为本实用新型俯视剖面的结构示意图；

图5为本实用新型图4中B处放大的结构示意图。

图中：1、工作架；2、安装架；3、转盘；4、固定杆；5、固定架；6、放置槽；7、反应盒；8、第一电机；9、螺纹杆；10、螺纹板；11、放置架；12、CCD成像装置；13、第二电机；14、安装杆；15、皮带；16、圆形槽；17、滑动块；18、外壳；19、滑槽；20、滑块；21、移动板；22、活动杆；23、限位板；24、弹簧；25、连接板；26、防护板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例

请参阅图1-3，本实用新型提供技术方案：一种半导体制造用湿法氧化装置，包括工作架1和安装架2，工作架1的上表面与安装架2固定连接，工作架1的上表面转动连接有转盘3，转盘3的上表面固定连接有固定杆4，固定杆4的一侧固定连接有固定架5，转盘3的上表面开设有放置槽6，放置槽6的上表面设置有反应盒7，安装架2的上表面固定安装有第一电机8，第一电机8的输出端固定连接有螺纹杆9，螺纹杆9的外表面螺纹连接有螺纹板10，螺纹板10的一侧固定连接有放置架11，放置架11的一侧固定安装有CCD成像装置12，工作架1的下表面固定安装有第二电机13，第二电机13的输出端固定连接有安装环，转盘3的下表面固定连接有安装杆14，安装杆14的外表面固定连接有连接环，连接环的外表面套接有皮带15，皮带15远离连接环的一端与安装环传动连接，工作架1的上表面开设有圆形槽16，圆形槽16的内壁滑动连接有滑动块17，滑动块17的上表面与转盘3固定连接，螺纹板10的一侧与安装架2滑动连接。

使用时该半导体制造用湿法氧化装置，通过工作架1的设置，使该装置具备了效率高的效果，通过工作架1和转盘3的配合设置，在使用的过程中可以通过转盘3、固定架5、反应盒7、第一电机8、螺纹杆9、螺纹板10、放置架11、CCD成像装置12、第二电机13、安装杆14和皮带15之间的配合设置，装置在进行使用时，通过第一电机8和CCD成像装置12使装置进行升降便于提供信息，然后通过第二电机13带动转盘3进行转动，对装置进行转动扩大了半导体的制造规模，可以进行不间断操作，提高了生产效率，节省了制造时，从而起到了效率高的作用，达到了效率高的目的。

实施例

请参阅图4-5，本实用新型提供技术方案：一种半导体制造用湿法氧化装置，包括工作架1和安装架2，工作架1的上表面与安装架2固定连接，工作架1的上表面转动连接有转盘3，转盘3的上表面固定连接有固定杆4，固定杆4的一侧固定连接有固定架5，固定架5的内壁开设有凹槽，凹槽的内壁固定连接有外壳18，外壳18的内壁开设有滑槽19，滑槽19的内壁滑动连接有滑块20，滑块20的下表面固定连接有移动板21，移动板21的一侧固定连接有活动杆22，活动杆22的外表面滑动连接有限位板23，限位板23的一侧固定连接有弹簧24，弹簧24的一侧固定连接有连接板25，连接板25的一侧固定连接有防护板26，转盘3的上表面开设有放置槽6，放置槽6的上表面设置有反应盒7，安装架2的上表面固定安装有第一电机8，第一电机8的输出端固定连接有螺纹杆9，螺纹杆9的外表面螺纹连接有螺纹板10，螺纹板10的一侧与安装架2滑动连接。

使用时该半导体制造用湿法氧化装置，通过工作架1的设置，使该装置具备了稳固的效果，通过固定架5和放置槽6的配合设置，在使用的过程中可以固定架5、外壳18、移动板21、活动杆22、限位板23、弹簧24、连接板25和防护板26之间的配合设置，再将反应盒7安装到固定架5内之后，通过弹簧24的弹性带动防护板26对反应盒7进行加持固定，从而起到了固定的作用，达到了固定的目的。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种半导体制造用湿法氧化装置，包括工作架（1）和安装架（2），其特征在于：所述工作架（1）的上表面与安装架（2）固定连接，所述工作架（1）的上表面转动连接有转盘（3），所述转盘（3）的上表面固定连接有固定杆（4），所述固定杆（4）的一侧固定连接有固定架（5），所述转盘（3）的上表面开设有放置槽（6），所述放置槽（6）的上表面设置有反应盒（7），所述安装架（2）的上表面固定安装有第一电机（8），所述第一电机（8）的输出端固定连接有螺纹杆（9），所述螺纹杆（9）的外表面螺纹连接有螺纹板（10），所述螺纹板（10）的一侧与安装架（2）滑动连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述螺纹板（10）的一侧固定连接有放置架（11），所述放置架（11）的一侧固定安装有CCD成像装置（12）。

3.根据权利要求2所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述工作架（1）的下表面固定安装有第二电机（13），所述第二电机（13）的输出端固定连接有安装环，所述转盘（3）的下表面固定连接有安装杆（14）。

4.根据权利要求3所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述安装杆（14）的外表面固定连接有连接环，所述连接环的外表面套接有皮带（15）。

5.根据权利要求4所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述皮带（15）远离连接环的一端与安装环传动连接，所述工作架（1）的上表面开设有圆形槽（16），所述圆形槽（16）的内壁滑动连接有滑动块（17），所述滑动块（17）的上表面与转盘（3）固定连接。

6.根据权利要求1所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述固定架（5）的内壁开设有凹槽，所述凹槽的内壁固定连接有外壳（18），所述外壳（18）的内壁开设有滑槽（19），所述滑槽（19）的内壁滑动连接有滑块（20）。

7.根据权利要求6所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述滑块（20）的下表面固定连接有移动板（21），所述移动板（21）的一侧固定连接有活动杆（22），所述活动杆（22）的外表面滑动连接有限位板（23）。

8.根据权利要求7所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述限位板（23）的一侧固定连接有弹簧（24），所述弹簧（24）的一侧固定连接有连接板（25），所述连接板（25）的一侧固定连接有防护板（26）。