CN221688531U - 采用to-247封装的光耦驱动dc/dc降压模块 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种采用TO‑247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，包括：通过TO‑247封装结构封装的光耦驱动和达林顿放大电路；发光二极管IRC信号连接感光二极管IRR，第四引脚连接发光二极管IRC的阳极，发光二极管IRC的阴极连接第五引脚；感光二极管IRR阴极通过限流电阻R1连接SiC BJT三极管Q1的基极，SiC BJT三极管Q1的集电极通过限流电阻R2连接SiC SBD二极管D2的阳极、SiC SBD二极管D1的阴极以及第一引脚，SiC BJT三极管Q1的发射极连接SiC BJT三极管Q2的基极，SiC BJT三极管Q2的集电极连接SiC SBD二极管D2的阴极，SiC BJT三极管Q2的发射极连接SiC SBD二极管D1的阳极、SiC SBD二极管D3的阴极以及第二引脚，SiC SBD二极管D3的阳极连接第三引脚。

Description

采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块

技术领域

本实用新型涉及芯片封装结构领域，具体地，涉及采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块。

背景技术

目前现有的DC/DC降压电路需要采用多个芯片，多个分立器件在PCB板级的综合寄生参数较高。因此需要提供一种能够将DC/DC降压电路进行封装的结构设计。

现有技术采用碳化硅MOSFET组成全碳化硅功率集成模块(专利文献CN116844982A公开了“一种光MOS继电器的封装方法”，该模块整体结构依托碳化硅MOSFET的特性，可实现系统整体的高功率密度设计，但是因其芯片制造难度大、成本高，导致这种结构暂时没有得到广泛的应用，并且该种模块化封装难度较大，成本高。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块。

根据本实用新型提供的一种采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，包括：通过TO-247封装结构封装的光耦驱动和达林顿放大电路；

所述光耦驱动包括：1颗发光二极管IRC和1颗感光二极管IRR；

所述发光二极管IRC信号连接所述感光二极管IRR，第四引脚连接所述发光二极管IRC的阳极，所述发光二极管IRC的阴极连接第五引脚；

所述达林顿放大电包括：SiC BJT三极管Q1、SiC BJT三极管Q2、SiC SBD二极管D1、SiC SBD二极管D2、SiC SBD二极管D3、限流电阻R1以及限流电阻R2；

所述感光二极管IRR阴极通过所述限流电阻R1连接所述SiC BJT三极管Q1的基极，所述SiC BJT三极管Q1的集电极通过所述限流电阻R2连接所述SiC SBD二极管D2的阳极、所述SiC SBD二极管D1的阴极以及第一引脚，所述SiC BJT三极管Q1的发射极连接所述SiCBJT三极管Q2的基极，所述SiC BJT三极管Q2的集电极连接所述SiC SBD二极管D2的阴极，所述SiC BJT三极管Q2的发射极连接所述SiC SBD二极管D1的阳极、所述SiC SBD二极管D3的阴极以及第二引脚，所述SiC SBD二极管D3的阳极连接第三引脚。

优选地，所述TO-247封装结构包括：陶瓷基板、覆铜电路、封装体以及引脚；

所述陶瓷基板的一侧设置所述覆铜电路并通过所述封装体封装，所述引脚连接所述覆铜电路。

优选地，所述TO-247封装结构的覆铜电路所在金属层被分割为七个区域：区域一、区域二、区域三、区域四、区域五、区域六以及区域七。

优选地，所述引脚包括了第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚以及第五引脚；

所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚分别连接至区域四、区域五以及区域六。

优选地，所述感光二极管IRR的阳极焊接在区域二，阴极通过键合线连接到区域七；

所述SiC BJT三极管Q1的集电极焊接在区域三，基极通过键合线连接到区域七，再通过焊接在区域七上的限流电阻R1与所述感光二极管IRR的阴极相连，所述SiC BJT三极管Q1的发射极通过键合线连接到区域二与感光二极管IRR的阳极相连；

所述SiC SBD二极管D2的阴极、所述SiC BJT三极管Q2的集电极焊接在区域一，所述SiC SBD二极管D1的阴极焊接在区域四，所述SiC SBD二极管D2的阳极通过键合线与区域四相连，第一引脚的电信号一部分通过区域四传输到SiC SBD二极管D2的阳极后传输到SiCBJT三极管Q2的集电极，另一部分通过限流电阻R2传输到SiC BJT三极管Q1的集电极，SiCBJT三极管Q2的基极通过键合线连接到区域二并接收来自SiC BJT三极管Q1发射极的电信号，SiC BJT三极管Q2的发射极通过键合线与焊接在区域五的SiC SBD二极管D3的阴极和第二引脚相连，SiC BJT三极管Q2的发射极通过区域五的键合线与SiC SBD二极管D1的阳极相连；

所述SiC SBD二极管D3的阳极通过键合线与区域六上的第三引脚相连。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：

1、本申请把原来需要多个芯片的DC/DC降压电路结构集成到一个TO-247形式的功率封装内，降低了原来多个分立器件在PCB板级的综合寄生参数，减少了电磁/开关噪音，改善了EMI性能，提高了系统效率，解决了芯片与散热片/散热底板的电气绝缘问题。

2、采用TO-247封装结构即减少了单管使用数量，也提高了PCB板空间利用率，还使得整个系统的体积和重量得以优化。

3、采用光耦配合达林顿放大电路来驱动降压电路的开关器件(SiC BJT)。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为全碳化硅DC/DC降压电路；

图2为TO-247封装结构主视图；

图3为TO-247封装结构侧剖视图；

图4为封装内部结构图；

图5为引脚分布图；

图6为Si材料与SiC材料物理性能比较示意图；

图中所示：

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。

实施例1

本实施例提供了一种全碳化硅DC/DC降压电路模块，采用了SiC BJT芯片和SiCSBD芯片组成DC/DC降压电路；在电路设计上，采用光耦配合达林顿放大电路驱动降压电路的开关器件(SiC BJT)，并在模块封装上采用TO-247-5封装形式。

芯片方面：

与采用硅基模块(Si IGBT&Si FRD)相比,本实施例为碳化硅模块，得益于碳化硅自身材料的优势，使其具有比硅基低20-50倍的开关损耗以及更低的导通压降，因为开关损耗和导通压降的降低，模块整体的效率和性能得到大大提高。此外，碳化硅还具有高度稳定的晶体结构，其能带宽度可达2.2eV-3.3eV，几乎是Si材料的两倍，其载流子寿命短使其转换速度更快。综合上述优势也使得碳化硅模块可以克服硅基模块出现的众多问题，使其在电力电子中的应用更有优势。

与当前混合碳化硅基模块(Si IGBT&SiC SBD)和全碳化硅模块(SiC MOSFET&SiCSBD)相比,该款碳化硅模块的优势在于采用了SiC BJT芯片和SiC SBD芯片，既保留了全碳化硅模块耐高温、耐高压、耐高频、低损耗，抗杂讯等优势，而且该款全碳化硅模块要比使用SiC MOSFET模块更有性价比，且不存在由SiC MOS构造导致的抗杂讯差等问题，在模块应用更有优势。

电路方面：

本实施例在内部电路设计上采用光耦配合达林顿放大电路来驱动降压电路的开关器件(SiC BJT),这种设计可以有效地解决Driver对BJT芯片的电流驱动问题，并且与使用Driver控制的传统模块相比拥有更好的性价比。

本实施例采用的光电耦合架构，其应用范围包括但不限于BJT、MOSFET，IGBT等类型的裸芯片或者封装品，不限定其工艺来源和基底材料，可以是硅基或者SiC，GaN等。

封装方面：

本实施例模块采用TO-247-5的封装形式，但其封装形式包含不限于TO-247这种封装形式，可以根据不用的应用场景匹配合适的封装形式。结构上，将TO-247传统的一体化冲压出来的金属铜框架的散热片改成高导热系数的陶瓷基板1，陶瓷基板1单面覆金属后成为可直接键合的陶瓷(Direct Bonding Ceramic)，其中正面加工出需要的线路，芯片上表面的焊盘与陶瓷上的金属层(覆铜电路2)或者金属引脚4通过金属丝，金属条或金属带形成电气连接。

TO-247-5这种封装形式具有体型小、适配度高、功率密度高、批量生产成本低等优点，将DC/DC降压电路封入一个模块即减少了单管使用数量，也提高了PCB板空间利用率，还使得整个系统的体积和重量得以优化，使用覆铜陶瓷基板1也使得整个模块的散热效果更好。

具体地，如图1所示，本实施例包括：通过TO-247封装结构封装的光耦驱动和达林顿放大电路；所述光耦驱动包括：1颗发光二极管IRC和1颗感光二极管IRR；达林顿放大电包括：SiC BJT三极管Q1、SiC BJT三极管Q2、SiC SBD二极管D1、SiC SBD二极管D2、SiC SBD二极管D3、限流电阻R1以及限流电阻R2。

第四引脚404和第五引脚405连接外部控制电路，发光二极管IRC通过导光柱信号连接感光二极管IRR，第四引脚404连接发光二极管IRC的阳极，发光二极管IRC的阴极连接第五引脚405；感光二极管IRR阴极通过限流电阻R1连接SiC BJT三极管Q1的基极，SiC BJT三极管Q1的集电极通过限流电阻R2连接SiC SBD二极管D2的阳极、SiC SBD二极管D1的阴极以及第一引脚401，SiC BJT三极管Q1的发射极连接SiC BJT三极管Q2的基极，SiC BJT三极管Q2的集电极连接SiC SBD二极管D2的阴极，SiC BJT三极管Q2的发射极连接SiC SBD二极管D1的阳极、SiC SBD二极管D3的阴极以及第二引脚402，SiC SBD二极管D3的阳极连接第三引脚403。

如图2和图3所示，TO-247封装结构包括：陶瓷基板1、覆铜电路2、封装体3以及引脚4；陶瓷基板1的一侧设置覆铜电路2并通过封装体3封装，引脚4连接覆铜电路2。陶瓷基板1设置覆铜电路2的所在面设置线路，覆铜电路2或引脚4通过金属丝，金属条或金属带连接芯片。

如图4所示，TO-247封装结构的覆铜电路2所在金属层被分割为七个区域：区域一201、区域二202、区域三203、区域四204、区域五205、区域六206以及区域七207。

如图5所示，引脚4包括了第一引脚401、第二引脚402、第三引脚403、第四引脚404以及第五引脚405。

第一引脚401、第二引脚402、第三引脚403分别连接至区域四204、区域五205以及区域六206。感光二极管IRR的阳极焊接在区域二202，阴极通过键合线连接到区域七207；SiC BJT三极管Q1的集电极焊接在区域三203，基极通过键合线连接到区域七207，再通过焊接在区域七207上的限流电阻R1与感光二极管IRR的阴极相连，SiC BJT三极管Q1的发射极通过键合线连接到区域二202与感光二极管IRR的阳极相连；SiC SBD二极管D2的阴极、SiCBJT三极管Q2的集电极焊接在区域一201，SiC SBD二极管D1的阴极焊接在区域四204，SiCSBD二极管D2的阳极通过键合线与区域四204相连，第一引脚401的电信号一部分通过区域四204传输到SiC SBD二极管D2的阳极后传输到SiC BJT三极管Q2的集电极，另一部分通过限流电阻R2传输到SiC BJT三极管Q1的集电极，SiC BJT三极管Q2的基极通过键合线连接到区域二202并接收来自SiC BJT三极管Q1发射极的电信号，SiC BJT三极管Q2的发射极通过键合线与焊接在区域五205的SiC SBD二极管D3的阴极和第二引脚402相连，SiC BJT三极管Q2的发射极通过区域五205的键合线与SiC SBD二极管D1的阳极相连；SiC SBD二极管D3的阳极通过键合线与区域六206上的第三引脚403相连。

工作原理：

光耦驱动电路原理，光电耦合以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，在各种电路中得到广泛的应用。输入的电信号驱动发光二极管IRC，使之发出一定波长的光，被感光二极管IRR接收并产生微小光电流进行输出，完成电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。

达林顿放大电路原理，达林顿基本电路由两个(甚至多个)三极管组成的复合结构，通过这样的结构，经第一个三极管放大的电流可以进一步被放大。此结构可提供一个比其中任意一个晶体管高得多的电流增益。同时因其具有高电流增益的特性，从而意味其可透过微控制器或传感器的少量电流运行更大的负载。

因达林顿放大原理只需少量电流即可运行，故而采用光耦电路驱动达林顿放大电路，这种设计可以有效地解决Driver对BJT芯片的电流驱动问题，并且与使用Driver控制的传统模块相比拥有更好的性价比。

实施例2

实施例2作为实施例1的优选例。

本实施例将现有的金属散热片替换为高导热陶瓷材料，这种高导热陶瓷材料包括但不限于氮化铝(ALN)、氧化铝(AL2O3)和氮化硅(Si3N4)。通过使用这些高导热陶瓷材料，可以显著提高绝缘及散热效果，从而增强器件的稳定性和可靠性。此外，本实施例还创新地采用了5腿封装的TO-247封装结构，与传统的3腿封装相比，这种5腿封装结构能够容纳更多芯片的输出管脚需求，这也意味着在相同的封装尺寸下，可以实现更高的集成度和更多的功能。本实施例通过将金属散热片替换为高导热陶瓷材料以及采用5腿封装结构，不仅提高了器件的散热性能，还增加了其集成度和功能，这将有助于推动电子设备的发展，满足日益增长的性能需求。

如图6所示，在芯片方面，碳化硅材料为大功率芯片的出现提供了契机，在碳化硅芯片导入模块的历程中，首先是将硅基二极管更换成了SiC SBD二极管出现了混合碳化硅模块，后来出现了采用SiC MOSFET芯片&SiC SBD二极管芯片的全碳化硅模块。通过采用碳化硅功率器件，因其材料高击穿场强、宽禁带、高热导率、高熔点、高电子饱和漂移速率等优异的性能，使得碳化硅PFC电路模块可以在高温、高压、高频应用环境下使用，且能够提高工作电压，减小工作电流，降低传导损失，以达到提高转换效率的效果。

本实施例采用SiC BJT三极管芯片&SiC SBD二极管芯片新型架构来替代SiCMOSFET芯片。BJT做为最早应用于电子领域的半导体器件，典型的三层式结构(集电极、基极、发射极)使其制造成本相对低。当前借助碳化硅材料制作的SiC BJT芯片，其在放大电流、开关电路以及作为电子开关等方面的表现突出，且因其制造和价格优势，使得该种架构在未来的碳化硅应用方面前景广阔。

在应用方面，当前碳化硅功率芯片在DC/DC降压电路的应用多为单管，如每组混合碳化硅DC/DC降压电路中需要1个Si IGBT和2个SiC SBD二极管；每组全碳化硅DC/DC降压电路中需要1个SiC MOSFET和1个SiC SBD二极管。而本实施例采用模块化封装，将2颗SiC BJT三极管芯片、3颗SiC SBD二极管芯片、2个电阻、1个发光二极管、1个感光二极管以TO-247-5的封装形式封成模块，其体积仅有1个单管功率器件的大小，不仅提升了功率密度，还极大的节省了PCB板的使用。在未来该款DC/DC降压电路的封装形式包含不限于TO-247这种封装形式，可以根据不用的应用场景匹配合适的封装形式。

如图1所示，本实施例电路组成的结构为：

光耦驱动由1颗发光二极管IRC和1颗感光二极管IRR组成，外部PWM控制信号通过第四引脚404在发光二极管IRC的阳极输入并再通过其阴极在第五引脚405输出，控制发光二极管IRC以光为媒介传输电信号，感光二极管IRR接收并产生微小光电流进行输出，完成“电—光—电”的转换。

达林顿放大电路由2颗NPN型SiC BJT三极管(Q1、Q2)、3颗SiC SBD二极管(D1、D2、D3)以及2个限流电阻(R1、R2)组成。感光二极管IRR产生电信号通过限流电阻R1连接SiCBJT三极管Q1的基极，用来驱动SiC BJT三极管Q1；SiC BJT三极管Q1的集电极通过限流电阻R2连接SiC SBD二极管D2的阳极和SiC SBD二极管D1的阴极并接收来自第一引脚401的电信号；经过SiC BJT三极管Q1放大的电信号通过其发射极传输到SiC BJT三极管Q2的基极用作SiC BJT三极管Q2的驱动；SiC BJT三极管Q2的集电极连接SiC SBD二极管D2的阴极接收来自第一引脚401分流后的电信号；SiC BJT三极管Q2的发射极连接SiC SBD二极管D1的阳极、SiC SBD二极管D3的阴极，并将放大后的电信号从第二引脚402输出；SiC SBD二极管D3的阳极连接第三引脚403。

如图2至图5所示，本实施例封装组成的结构为：

本实施采用TO-247-5的封装形式，结构上采用单面覆铜陶瓷基板1可以直接键合芯片和元件。将覆铜电路2所在金属层镀在陶瓷基板的正面形成7个区域，芯片上表面的焊盘与陶瓷上的金属层或者金属引脚4通过金属丝，金属条或金属带形成电气连接，最后注塑、切筋做成成品模块。

第一引脚401、第二引脚402、第三引脚403分别点焊到覆铜电路2的区域四204、区域五205、区域六206，第四引脚404、第五引脚405向上弯折分别连接发光二极管IRC的阴极和阳极。第四引脚404、第五引脚405连接外部控制电路，第一引脚401、第二引脚402、第三引脚403通过外部串并联电阻、电感、电容等被动器件从而达到斩波降压、稳压滤波的效果。外部PWM控制信号控制发光二极管IRC产生以光为媒介的电信号，通过导光柱将信号传输。感光二极管IRR接收信号并产生微小光电流进行输出，完成电—光—电的转换。感光二极管IRR的阳极焊接在区域二202，其阴极通过键合线连接到区域七207；SiC BJT三极管Q1的集电极焊接在区域三203，其基极通过键合线连接到区域七207，再通过焊接在区域七207上的限流电阻R1与感光二极管IRR的阴极相连，其发射极通过键合线连接到区域二202与感光二极管IRR的阳极相连；SiC SBD二极管D2的阴极、SiC BJT三极管Q2的集电极焊接在区域一201，SiC SBD二极管D1的阴极焊接在区域四204，其中SiC SBD二极管D2阳极通过键合线与区域四204相连，来自第一引脚401的电信号一部分通过区域四204传输到SiC SBD二极管D2的阳极而后传输到SiC BJT三极管Q2的集电极，另一部分通过限流电阻R2传输到SiC BJT三极管Q1的集电极，SiC BJT三极管Q2的基极通过键合线连接到区域二202接收来自SiC BJT三极管Q1发射极的电信号，其发射极通过键合线与焊接在区域五的SiC SBD二极管D3阴极和第二引脚402相连，通过区域五205的键合线与SiC SBD二极管D1的阳极相连；SiC SBD二极管D3阳极通过键合线与区域六206上的第三引脚403相连。本实施例的封装形式包含不限于TO-247这种封装形式，可以根据不用的应用场景匹配合适的封装形式。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本实用新型的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (8)

1.一种采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，其特征在于，包括：通过TO-247封装结构封装的光耦驱动和达林顿放大电路；

所述光耦驱动包括：1颗发光二极管IRC和1颗感光二极管IRR；

所述发光二极管IRC信号连接所述感光二极管IRR，第四引脚(404)连接所述发光二极管IRC的阳极，所述发光二极管IRC的阴极连接第五引脚(405)；

所述达林顿放大电包括：SiC BJT三极管Q1、SiC BJT三极管Q2、SiC SBD二极管D1、SiCSBD二极管D2、SiC SBD二极管D3、限流电阻R1以及限流电阻R2；

所述感光二极管IRR阴极通过所述限流电阻R1连接所述SiC BJT三极管Q1的基极，所述SiC BJT三极管Q1的集电极通过所述限流电阻R2连接所述SiC SBD二极管D2的阳极、所述SiC SBD二极管D1的阴极以及第一引脚(401)，所述SiC BJT三极管Q1的发射极连接所述SiCBJT三极管Q2的基极，所述SiC BJT三极管Q2的集电极连接所述SiC SBD二极管D2的阴极，所述SiC BJT三极管Q2的发射极连接所述SiC SBD二极管D1的阳极、所述SiC SBD二极管D3的阴极以及第二引脚(402)，所述SiC SBD二极管D3的阳极连接第三引脚(403)。

2.根据权利要求1所述采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，其特征在于，所述TO-247封装结构包括：陶瓷基板(1)、覆铜电路(2)、封装体(3)以及引脚(4)；

所述陶瓷基板(1)的一侧设置所述覆铜电路(2)并通过所述封装体(3)封装，所述引脚(4)连接所述覆铜电路(2)。

3.根据权利要求1所述采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，其特征在于，所述TO-247封装结构的覆铜电路(2)所在金属层被分割为七个区域：区域一(201)、区域二(202)、区域三(203)、区域四(204)、区域五(205)、区域六(206)以及区域七(207)。

4.根据权利要求3所述采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，其特征在于：所述引脚(4)包括了第一引脚(401)、第二引脚(402)、第三引脚(403)、第四引脚(404)以及第五引脚(405)；

所述第一引脚(401)、所述第二引脚(402)、所述第三引脚(403)分别连接至区域四(204)、区域五(205)以及区域六(206)。

5.根据权利要求3所述采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，其特征在于：所述感光二极管IRR的阳极焊接在区域二(202)，阴极通过键合线连接到区域七(207)；

所述SiC BJT三极管Q1的集电极焊接在区域三(203)，基极通过键合线连接到区域七(207)，再通过焊接在区域七(207)上的限流电阻R1与所述感光二极管IRR的阴极相连，所述SiC BJT三极管Q1的发射极通过键合线连接到区域二(202)与感光二极管IRR的阳极相连；

所述SiC SBD二极管D2的阴极、所述SiC BJT三极管Q2的集电极焊接在区域一(201)，所述SiC SBD二极管D1的阴极焊接在区域四(204)，所述SiC SBD二极管D2的阳极通过键合线与区域四(204)相连，第一引脚(401)的电信号一部分通过区域四(204)传输到SiC SBD二极管D2的阳极后传输到SiC BJT三极管Q2的集电极，另一部分通过限流电阻R2传输到SiC BJT三极管Q1的集电极，SiC BJT三极管Q2的基极通过键合线连接到区域二(202)并接收来自SiC BJT三极管Q1发射极的电信号，SiC BJT三极管Q2的发射极通过键合线与焊接在区域五(205)的SiC SBD二极管D3的阴极和第二引脚(402)相连，SiC BJT三极管Q2的发射极通过区域五(205)的键合线与SiC SBD二极管D1的阳极相连；

所述SiC SBD二极管D3的阳极通过键合线与区域六(206)上的第三引脚(403)相连。

6.根据权利要求1所述采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，其特征在于：所述第四引脚(404)和所述第五引脚(405)连接外部控制电路。

7.根据权利要求2所述采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，其特征在于：所述陶瓷基板(1)设置覆铜电路(2)的所在面设置线路，所述覆铜电路(2)或所述引脚(4)通过金属丝，金属条或金属带连接芯片。

8.根据权利要求1所述采用TO-247封装的光耦驱动DC/DC降压模块，其特征在于：所述发光二极管IRC通过导光柱信号连接所述感光二极管IRR。