CN221201171U - 一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，包括通过环氧树脂塑料半包裹的金属引线框架、单向静电防护二极管芯片、单向降容二极管芯片和金属导线；四颗单向静电防护二极管芯片分别设置在金属引线框架的1脚和2脚的上方及3脚的下方，四颗单向降容二极管芯片分别设置在金属引线框架的1脚和2脚的下方及3脚的上方，金属引线框架的1脚和2脚上的单向静电防护二极管芯片分别与3脚上相邻的单向降容二极管芯片通过金属导线相连，金属引线框架的1脚和2脚上的单向降容二极管芯片分别与3脚上的相邻的单向静电防护二极管芯片通过金属导线相连。本实用新型结构设计合理，布线更简单，减少印刷电路板面积及贴片次数，降低了成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及的是半导体技术领域，具体涉及一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片。
背景技术
5G通信技术的落地推进各类电子产品的更新换代，电子产品内外部通信通道及其数据传输速率随之而提升，电子产品越趋小型化，功能也越来越强大，所处的电磁环境也越显复杂，高速传输信号端芯片很容易受到静电的干扰及损坏，因此有限的空间里配置相当的静电防护器件显得尤为重要。
目前在电子产品高速传输信号端多采用单通道静电防护器件进行静电防护，一旦高速传输信号端有多条信号通道时，就需要采用等同信号通道数量的静电防护器件，这样就存在以下问题：占用不少印刷电路板面积，布线相对复杂，贴片次数多，成本高。
综上所述，本实用新型设计了一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片。
实用新型内容
针对现有技术上存在的不足，本实用新型目的是在于提供一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，结构设计合理，布线更简单，减少印刷电路板面积及贴片次数，降低了成本。
为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，包括通过环氧树脂塑料半包裹的金属引线框架、单向静电防护二极管芯片、单向降容二极管芯片和金属导线；四颗单向静电防护二极管芯片分别设置在金属引线框架的1脚和2脚的上方及3脚的下方，四颗单向降容二极管芯片分别设置在金属引线框架的1脚和2脚的下方及3脚的上方，金属引线框架的1脚和2脚上的单向静电防护二极管芯片分别与3脚上相邻的单向降容二极管芯片通过金属导线相连，金属引线框架的1脚和2脚上的单向降容二极管芯片分别与3脚上的相邻的单向静电防护二极管芯片通过金属导线相连。
作为优选，所述的单向静电防护二极管芯片、单向降容二极管芯片组成四组能够实现双向双通道低电容大功率的电性特性的阵列。
作为优选，所述的金属引线框架、单向静电防护二极管芯片、单向降容二极管芯片和金属导线的外围通过环氧树脂塑料半包裹形成一个内含双向双通道低电容值大功率的静电防护芯片。
作为优选，所述的金属引线框架的1脚和2脚对称设置在环氧树脂塑料的下方两侧。
作为优选，所述的金属引线框架的3脚设置在环氧树脂塑料的上方中部。
本实用新型的有益效果：本实用新型的结构设计合理，内含两个静电防护通道，每个通道具备双向电压、超低电容值(0.8pF)、瞬态功率大等电性特性，布线更简单，有效减少印刷电路板面积，减少贴片次数，同时降低成本，符合当前新型电子产品的静电防护需求，为新型电子产品保驾护航，应用前景广阔。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本实用新型；
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的内部电路示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
参照图1-2，本具体实施方式采用以下技术方案：一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，包括通过环氧树脂塑料5半包裹的金属引线框架1、单向静电防护二极管芯片2、单向降容二极管芯片3和金属导线4；四颗单向静电防护二极管芯片2分别设置在金属引线框架1的1脚和2脚的上方及3脚的下方，四颗单向降容二极管芯片3分别设置在金属引线框架1的1脚和2脚的下方及3脚的上方；金属引线框架1的1脚和2脚上的单向静电防护二极管芯片2分别与3脚上相邻的单向降容二极管芯片3通过金属导线4相连，金属引线框架1的1脚和2脚上的单向降容二极管芯片3分别与3脚上的相邻的单向静电防护二极管芯片2通过金属导线4相连，即相应水平线上相邻的一颗单向静电防护二极管芯片2和一颗单向降容二极管芯片3通金属导线4相连，从而形成四组由一颗静电防护二极管芯片2和一颗单向降容二极管芯片3组成的阵列，实现双向双通道低电容大功率的电性特性。
值得注意的是，所述的金属引线框架1、四颗单向静电防护二极管芯片2、四颗单向降容二极管芯片3和金属导线4的外围通过环氧树脂塑料5半包裹形成一个内含双向双通道低电容值大功率的静电防护芯片。
本具体实施方式的双向双通道低电容值大功率静电防护芯片内含两个静电防护通道，每个通道具备双向电压、超低电容值(0.8pF)、瞬态功率大等电性特性；一颗芯片架构即可替代目前两颗单通信静电防护芯片，能有效减少印刷电路板的占用面积，且芯片可单点接地，布线上更加简单化，同时SMT期间可减少一次贴片次数，有效降低器件本身和贴片的成本，非常符合当前新型电子产品的静电防护需求，为新型电子产品保驾护航，应用前景广阔，实用性强。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，其特征在于，包括通过环氧树脂塑料(5)半包裹的金属引线框架(1)、单向静电防护二极管芯片(2)、单向降容二极管芯片(3)和金属导线(4)；四颗单向静电防护二极管芯片(2)分别设置在金属引线框架(1)的1脚和2脚的上方及3脚的下方，四颗单向降容二极管芯片(3)分别设置在金属引线框架(1)的1脚和2脚的下方及3脚的上方，金属引线框架(1)的1脚和2脚上的单向静电防护二极管芯片(2)分别与3脚上相邻的单向降容二极管芯片(3)通过金属导线(4)相连，金属引线框架(1)的1脚和2脚上的单向降容二极管芯片(3)分别与3脚上的相邻的单向静电防护二极管芯片(2)通过金属导线(4)相连。
2.根据权利要求1所述的一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，其特征在于，所述的单向静电防护二极管芯片(2)、单向降容二极管芯片(3)组成四组能够实现双向双通道低电容大功率的电性特性的阵列。
3.根据权利要求1所述的一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，其特征在于，所述的金属引线框架(1)、单向静电防护二极管芯片(2)、单向降容二极管芯片(3)和金属导线(4)的外围通过环氧树脂塑料(5)半包裹形成一个内含双向双通道低电容值大功率的静电防护芯片。
4.根据权利要求1所述的一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，其特征在于，所述的金属引线框架(1)的1脚和2脚对称设置在环氧树脂塑料(5)的下方两侧。
5.根据权利要求1所述的一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，其特征在于，所述的金属引线框架(1)的3脚设置在环氧树脂塑料(5)的上方中部。
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