CN221149957U - 一种半导体晶圆表面预处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体晶圆表面预处理装置，包括下腔体及上腔体，所述上腔体与下腔体之间形成有容纳半导体晶圆的微腔室，其特征在于：所述微腔室的底部分别设有与所述下腔体底部连通的下孔及排料孔，所述下孔的顶部设置于所述微腔室的底面中部，所述排料孔的顶部设置于所述微腔室的底部外缘处；所述微腔室的顶部设有至少一个与所述上腔体顶部连通的通气孔。本实用新型提高了半导体晶圆表面预处理效率及质量，也提高了测试效率及质量。

Description

一种半导体晶圆表面预处理装置

技术领域

本实用新型涉及一种半导体生产加工领域，尤其涉及一种半导体晶圆表面预处理装置。

背景技术

晶圆检测是半导体生产中非常关键的环节，其主要目的是确保生产出来的芯片质量合格，并提高生产效率及减少成本。晶圆检测通常分为三个方面：光学检测、电学检测和金相检测。电学检测则是用来检测晶圆电性能，包括电阻、容量、电流等各项参数。基于电学检测结果，生产商可以对晶圆进行调整，保证晶圆质量的稳定性和可靠性。

而P型外延片在用MCV测试晶圆电阻值前需要对晶圆进行预处理，以除去晶圆表面自然氧化层和相关杂质。目前P型外延片处理方式，主要是用氢氟酸液体浸泡后，将其表面需要去除的自然氧化层和相关杂质腐蚀掉，然后用水洗，将氢氟酸液体以及被腐蚀掉的相关杂质从半导体晶圆表面冲洗干净，然后将半导体晶圆表面吹干，再测试其电阻值。此工艺存在氢氟酸消耗量大，也无法保留背封，并且部分晶圆需要静置两小时，也有部分晶圆无法测试出准确数据等问题。

发明内容

本实用新型目的是提供一种半导体晶圆表面预处理装置，通过使用该装置，能够提高半导体晶圆表面预处理效率和质量，提高后续电阻值测试数据稳定性，也提高后续电阻值测试效率。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种半导体晶圆表面预处理装置，包括下腔体及上腔体，所述上腔体与下腔体之间形成有容纳半导体晶圆的微腔室，

所述微腔室的底部分别设有与所述下腔体底部连通的下孔及排料孔，所述下孔的顶部设置于所述微腔室的底面中部，所述排料孔的顶部设置于所述微腔室的底部外缘处；

所述微腔室的顶部设有至少一个与所述上腔体顶部连通的通气孔。

上述技术方案中，所述通气孔包括一上中心孔及多个上边缘孔，所述上中心孔的底部设置于所述微腔室的顶部正中心，多个所述上边缘孔环形均布于所述上中心孔的外部。

上述技术方案中，所述排料孔为多个，多个所述排料孔环形均布于所述微腔室的底部外缘处。

上述技术方案中，还设有提供氮气的氮气提供机构，所述氮气提供机构与所述通气孔相连，所述氮气提供机构提供的氮气经所述通气孔送入至所述半导体晶圆上方的微腔室内。

上述技术方案中，所述下孔包括下中心孔及多个下外缘孔，所述下中心孔的顶部设置于所述微腔室的底面正中心，所述下外缘孔环形均布于所述下中心孔的外部，且所述下外缘孔设置于所述排料孔与所述下中心孔之间。

上述技术方案中，还设有与所述下孔连接的流体提供机构，所述流体提供机构提供的流体经所述下孔送入至所述半导体晶圆下方的微腔室内。

上述技术方案中，所述流体提供机构包括提供液态流体的液态流体提供机构及提供气态流体的气态流体提供机构；

和/或，所述液态流体提供机构提供的液态流体对所述半导体晶圆的底面进行腐蚀或清洗；

和/或，所述气态流体提供机构提供的气态流体对所述半导体晶圆的底面进行干燥。

上述技术方案中，还设有与所述排料孔连接的负压排料机构，所述负压排料机构将所述微腔室内的液态流体或气态流体吸出。

上述技术方案中，所述下腔体的外缘处还设有将所述微腔室密封的密封圈。

本实用新型还提供了一种半导体晶圆表面预处理工艺，其步骤为：

①将半导体晶圆放置于上腔体与下腔体之间的微腔室内，半导体晶圆的外缘处与微腔室的外缘处之间具有间距；

②从通气孔以一定的压力将氮气送入至半导体晶圆上方的微腔室内；

再将液态流体经过下孔以一定的压力送入至半导体晶圆下方的微腔室内；

在将液态流体送入所述半导体晶圆下方时，会通过液态流体推动半导体晶圆脱离微腔室底面，使得半导体晶圆与微腔室的内壁不接触，且所述通气孔送出的氮气使液态流体只与半导体晶圆的底面接触，并经过液态流体对半导体晶圆的底面进行腐蚀及清洗；

在液态流体对半导体晶圆的底面腐蚀及清洗完成之后，排料孔将微腔室内的液态流体全部排出；

③然后再将气态流体经过下孔送入到半导体晶圆底部的微腔室内，经过气态流体对半导体晶圆的底面进行干燥，在干燥的过程中，排料孔会将气态流体排出，直至完成半导体晶圆底部的干燥；

④半导体晶圆底面干燥完成之后，将半导体晶圆从微腔室取出，完成半导体晶圆表面的预处理。

上述技术方案中，所述步骤②中，所述液态流体分别为腐蚀液和清洗液；

先经过腐蚀液对半导体晶圆的底面进行腐蚀，并经过排料孔将腐蚀液排出之后，再经过清洗液对半导体晶圆的底面进行清洗，将残留在半导体晶圆底面的氢氟酸清洗，通过排料孔将清洗液排出。

上述技术方案中，所述腐蚀液为氢氟酸，所述氢氟酸的浓度为20％；

所述清洗液为纯水。

上述技术方案中，所述步骤②中，包括如下步骤：

a、半导体晶圆底部的腐蚀：腐蚀液从下孔送入至半导体晶圆底部的微腔室内，经过腐蚀液对半导体晶圆的底面进行腐蚀，达到预定时间之后，排料孔将微腔室底部的腐蚀液以及半导体晶圆上面腐蚀出来的杂物排出；

所述步骤a重复至少3次；

b、半导体晶圆底部的清洗：在步骤a中将半导体晶圆腐蚀完成之后，然后将清洗液送入至半导体晶圆底部的微腔室，通过清洗液将半导体晶圆底面进行清洗，将残留在半导体晶圆底面的氢氟酸清洗，并通过排料孔将清洗液排出；

所述步骤b重复至少6次。

上述技术方案中，所述腐蚀液放置于存液瓶内，通过氮气送入至存液瓶，并通过氮气将腐蚀液从存液瓶内压入至微腔室内。

上述技术方案中，所述步骤②中，所述排料孔经过负压将液态流体从微腔室内吸出；

所述步骤③中，所述气态流体为氮气，所述排料孔经负压将气态流体从微腔室内吸出。

上述技术方案中，所述步骤②中，通气孔预先将氮气将微腔室充满，然后再将液态流体从下孔内送入至微腔室内；

所述液态流体从下孔内进入至微腔室时，液态流体从微腔室的下孔处朝外扩散，所述液态流体会先与半导体晶圆的底面中部接触，然后沿着所述半导体晶圆的底面中部朝向所述半导体晶圆的外缘处流动，最后再从排料孔排出；

所述步骤③中，所述气态流体的流动轨迹与所述液态流体的流动轨迹相同。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1.本实用新型中通过微腔室容纳半导体晶圆，通过下孔送入流体至微腔室内，利用通气孔送入氮气至微腔室内，通过氮气与流体的压力，使得半导体晶圆悬空在微腔室内，并且使得流体只和半导体晶圆的底面接触，使得流体只能够对半导体晶圆的底面进行腐蚀、清洗、干燥的预处理，这样能够提高半导体晶圆表面预处理效率和质量，使得半导体晶圆无需静置即可直接测量，并且还不损伤不损伤半导体晶圆背封，能够提高测量效率和质量，；

2.本实用新型中通过氢氟酸对半导体晶圆的底面进行快速的腐蚀，利用纯水对被腐蚀之后的半导体晶圆底面进行快速的清洗，再通过氮气对清洗之后的半导体晶圆进行快速干燥，提高半导体晶圆表面的预处理效率和质量；

3.本实用新型中利用流体对半导体晶圆底面预处理的时候，流体从半导体晶圆的底面中心至其边缘进行预处理，这样能够实现半导体晶圆表面的稳定预处理，还能够将微腔室也完全干燥，提高其预处理质量，也保证预处理装置的洁净度；

4.本实用新型中氢氟酸送入到微腔室内，氢氟酸消耗量比较低，从而能够降低半导体晶圆表面的预处理成本。

附图说明

图1是本实用新型实施例一中的结构示意图；

图2是图1的局部放大图；

图3是本实用新型实施例一中下腔体的顶面结构示意图；

图4是本实用新型实施例一中上腔体的底面结构示意图。

其中：1、上腔体；2、下腔体；3、半导体晶圆；4、微腔室；5、下孔；6、排料孔；7、通气孔；8、上中心孔；9、上边缘孔；10、下中心孔；11、下外缘孔；12、密封圈。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例一：参见图1～4所示，一种半导体晶圆表面预处理装置，包括下腔体1及上腔体2，所述上腔体1与下腔体2之间形成有容纳半导体晶圆3的微腔室4，

所述微腔室4的底部分别设有与所述下腔体2底部连通的下孔5及排料孔6，所述下孔5的顶部设置于所述微腔室4的底面中部，所述排料孔6的顶部设置于所述微腔室4的底部外缘处；其中，下孔及排料孔还可以和下腔体的外侧壁连通，只需要下孔及排料孔能够将微腔室底部与外部连通即可。

所述微腔室4的顶部设有至少一个与所述上腔体1顶部连通的通气孔7。其中，通气孔还可以和上腔体的外侧壁连通，只需要通气孔能够将微腔室顶部和外部连通即可。

在本实用新型中，还设有提供氮气的氮气提供机构，所述氮气提供机构与所述通气孔相连，所述氮气提供机构提供的氮气经所述通气孔送入至所述半导体晶圆上方的微腔室内。还设有与所述下孔连接的流体提供机构，所述流体提供机构提供的流体经所述下孔送入至所述半导体晶圆下方的微腔室内。

所述流体提供机构包括提供液态流体的液态流体提供机构及提供气态流体的气态流体提供机构；所述液态流体提供机构提供的液态流体对所述半导体晶圆的底面进行腐蚀或清洗；所述气态流体提供机构提供的气态流体对所述半导体晶圆的底面进行干燥。

本实用新型还提供了一种半导体晶圆表面预处理工艺，其步骤为：

①将半导体晶圆放置于上腔体与下腔体之间的微腔室内，半导体晶圆的外缘处与微腔室的外缘处之间具有间距；

其中，上腔体与下腔体为分体结构，上腔体可相对于下腔体在打开位置和关闭位置之间移动，在上腔体相对于下腔体位于关闭位置使，上腔体与下腔体之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于微腔室内，在上腔体相对于下腔体位于打开位置时，半导体晶圆能够被取出或者放入。其中，半导体晶圆的外径会略小于微腔室的直径，因此，半导体晶圆放置于微腔室内的时候，半导体晶圆的外表面和微腔室外缘处的内壁之间具有间距，此时，半导体晶圆收到自身重力影响，其放置于微腔室的底面上。其中，所述下腔体的外缘处还设有将所述微腔室密封的密封圈12。这样上腔体和下腔体处在关闭位置的时候，微腔室为密封腔室。

②从通气孔以一定的压力将氮气送入至半导体晶圆上方的微腔室内；

其中，半导体晶圆放置于微腔室内之后，通气孔、下孔以及排料孔为密闭，即微腔室为一个密闭的空间，然后氮气提供机构打开，即经过通气孔将氮气送入至微腔室内，并且使得氮气将微腔室充满，其中，氮气为保护气体，给予后续流体对半导体晶圆底面预处理给出一个合适的处理空间，以保证流体对半导体晶圆底面的预处理质量。其中，氮气提供机构可以为氮气源，氮气源经过通气孔给予微腔室送入氮气。

再将液态流体经过下孔以一定的压力送入至半导体晶圆下方的微腔室内；

在将液态流体送入所述半导体晶圆下方时，会通过液态流体推动半导体晶圆脱离微腔室底面，使得半导体晶圆与微腔室的内壁不接触，且所述通气孔送出的氮气使液态流体只与半导体晶圆的底面接触，并经过液态流体对半导体晶圆的底面进行腐蚀及清洗；

在液态流体对半导体晶圆的底面腐蚀及清洗完成之后，排料孔将微腔室内的液态流体全部排出；

其中，液态流体的流动路径或者轨迹为：所述液态流体从下孔内进入至微腔室时，液态流体从微腔室的下孔处朝外扩散，所述液态流体会先与半导体晶圆的底面中部接触，然后沿着所述半导体晶圆的底面中部朝向所述半导体晶圆的外缘处流动，最后再从排料孔排出。

在本实施例中，液态流体从下孔内进入到微腔室内，由于微腔室内充满有氮气，因此，液态流体在进入至微腔室内的时候，同时会将同体积的氮气从通气孔推离出去，然后液态流体逐渐的进入到微腔室内，在这个过程中，通气孔维持的氮气压力，使得液态流体始终处在半导体晶圆的底部，并且推动半导体晶圆朝上推动，使其脱离微腔室的底部，即半导体晶圆相当于浮空在微腔室内，这样液态流体能够完全将半导体晶圆的底面覆盖，并且由于通气孔给予微腔室内送入氮气的一定压力，且此时氮气处在半导体晶圆的上方，氮气会通过半导体晶圆边缘和微腔室边缘之间的间隙，给予液态流体压力，使得液态流体无法从这个间隙内朝上流动和半导体晶圆顶面接触，即液态流体只能够和半导体晶圆的底面接触，通过液态流体对半导体晶圆的底面进行腐蚀、清洗，从而实现对其表面的预处理，将其表面的氧化层及相关杂质给去除掉。而且，其流动方向自半导体晶圆的底面中部朝外流动，这样液态流体能够充分的、快速的、稳定的对半导体晶圆的底面进行预处理。然后再通过排料孔将液态流体从微腔室内排出去。其中，还设有与所述排料孔连接的负压排料机构，所述负压排料机构将所述微腔室内的液态流体吸出，负压排料机构采用真空发生器，优选采用CDA推动真空发生器，通过真空负压的方式，将微腔室内的液态流体抽出，实现液态流体从微腔室内排出、收集，保证微腔室内的液态流体尽可能的被排除干净，效率也高。其中，半导体晶圆的顶面为背封区域，这样液态流体不会和背封区域接触，这样能够将半导体晶圆的背封完全保留，从而能够保证后续的测试精度。

其中，会在下腔体内设置一总排料孔和多个排料孔连通，总排料孔的一端和多个排料孔连通，另一端和下腔体的外壁或者底部连通，这样负压排料机构通过一根管路和总排料孔连通，即负压排料机构能够和多个排料孔连接，通过一个负压排料机构即可对个排料孔产生负压进行排料，成本更加低廉。当然，也可以每个排料孔的底部均和下腔体的底部或侧壁连通，通过多根支管和每个排料孔连接，再通过一根总管将多根支管和负压排料机构连接，根据实际情况选择即可。

③然后再将气态流体经过下孔送入到半导体晶圆底部的微腔室内，经过气态流体对半导体晶圆的底面进行干燥，在干燥的过程中，排料孔会将气态流体排出，直至完成半导体晶圆底部的干燥；

其中，所述气态流体为氮气，所述排料孔经负压将气态流体从微腔室内吸出。并且，所述气态流体的流动轨迹与所述液态流体的流动轨迹相同。这样气态流体先和半导体晶圆的底面中心接触，然后沿着半导体晶圆的底面中心朝向半导体晶圆的外缘处流动，这样能够将半导体晶圆底面残留的液态流体全部吹离，并且经过负压从排料孔全部吸出。同时，在这个过程中，还会将微腔室底部残留的液态流体全部排出，这样就能够通过气态流体将半导体晶圆以及微腔室内的液态流体全部排出，使得半导体晶圆以及微腔室快速的被干燥，这样液态流体不会影响微腔室的洁净度，实现半导体晶圆和微腔室的干燥。

④半导体晶圆底面干燥完成之后，上腔体和下腔体分离，即将微腔室打开，然后将半导体晶圆从微腔室取出，完成半导体晶圆表面的预处理。

在本实用新型中，能够实现对半导体晶圆表面的快速预处理，既不会损伤半导体晶圆的背封，

参见图4所示，所述通气孔7包括一上中心孔8及多个上边缘孔9，所述上中心孔的底部设置于所述微腔室的顶部正中心，多个所述上边缘孔环形均布于所述上中心孔的外部。

在本实施例中，上边缘孔靠近上中心孔设置，上边缘孔也靠近微腔室的顶面中部设置，这样氮气从微腔室顶部进入到微腔室内的时候，从微腔室的顶面中部朝下送入，这样氮气的流动轨迹会从半导体晶圆的顶面中部朝向半导体晶圆的外缘处流动，氮气也会从微腔室的顶面中部，沿着微腔室的顶面朝向微腔室的外缘处朝向流动，使得氮气从半导体晶圆的外缘处朝下流动，进而将液态流体以及气态流体限制在半导体晶圆的下方，防止流体损伤半导体晶圆顶面的背封。在本实施例中，上边缘孔位8个，环形均布于上中心孔的外部。

参见图3所示，所述排料孔为多个，多个所述排料孔环形均布于所述微腔室的底部外缘处。

在本实施例中，排料孔设置在微腔室的底面外缘处，这样使得流体的流动轨迹，从半导体晶圆的底面中部朝向半导体底面外缘处流动，由内至外的流动方向，再从排料孔排出，为了保证流体排出的顺畅，排料孔设置为多个，环形均布在下腔体上，优选的，在本实施例中，排料孔设置为8个，环形均布在下腔体的外缘处，并且和微腔室的底面外缘处连通，这样能够保证流体排出的顺畅性，防止流体残留在微腔室内。

参见图3所示，所述下孔5包括下中心孔10及多个下外缘孔11，所述下中心孔的顶部设置于所述微腔室的底面正中心，所述下外缘孔环形均布于所述下中心孔的外部，且所述下外缘孔设置于所述排料孔与所述下中心孔之间。

其中，下外缘孔靠近下中心孔设置，这样下孔均靠近微腔室的中心处设置，使得流体进入到微腔室的流动轨迹为：由微腔室下方的中部朝向微腔室的边缘处流动，使得半导体晶圆的底面不会有残留物，从而保证流体对半导体晶圆底部的预处理稳定性和质量。

其中，所述步骤②中，所述液态流体分别为腐蚀液和清洗液；

先经过腐蚀液对半导体晶圆的底面进行腐蚀，并经过排料孔将腐蚀液排出之后，再经过清洗液对半导体晶圆的底面进行清洗，将残留在半导体晶圆底面的氢氟酸清洗，通过排料孔将清洗液排出。

在本实施例中，液态流体对半导体晶圆底面处理的时候，先通过腐蚀液将半导体晶圆底面的氧化层以及其他杂质腐蚀掉，使其从半导体晶圆的底面脱离，然后经过排料孔通过负压吸出，尽可能的将腐蚀液以及混入其内被腐蚀掉的杂物给排出，当然，腐蚀液和半导体晶圆被腐蚀掉的物质还会有部分残留在半导体晶圆底面以及微腔室的底面之间，因此，再通过清洗液将半导体底面以及微腔室底部清洗，从而将内部暂留的腐蚀液、半导体晶圆上面腐蚀掉的物质给冲洗干净，最后通过气态流体(氮气)将半导体晶圆以及微腔室内残留的纯水给吹干，实现半导体晶圆以及微腔室的快速干燥。

其中，所述腐蚀液为氢氟酸，所述氢氟酸的浓度为20％；所述清洗液为纯水。通过浓度为20％的氢氟酸对半导体晶圆的底面进行处理，再通过纯水将残留物给清洗干净，用以保证后续半导体晶圆的检测精度和质量。

其中，所述步骤②中，包括如下步骤：

a、半导体晶圆底部的腐蚀：腐蚀液从下孔送入至半导体晶圆底部的微腔室内，经过腐蚀液对半导体晶圆的底面进行腐蚀，达到预定时间之后，排料孔将微腔室底部的腐蚀液以及半导体晶圆上面腐蚀出来的杂物排出；

在本实施例中，腐蚀液(氢氟酸)只从下中心孔送入到微腔室内，即腐蚀液最初和半导体晶圆的底面正中心或者该半导体晶圆底面正中心处这一块区域处接触，然后再朝向半导体晶圆底面外缘处流动，和半导体晶圆的底面各个位置接触，通过腐蚀液将氧化层及其他杂质从半导体晶圆底面清除，这样能够最大程度的提高半导体晶圆底面氧化物、其他杂质的清理效率，并且，氢氟酸的消耗量比较少，半导体晶圆表面预处理的成本更加低廉。而且，腐蚀液只从下中心孔送入到微腔室内，这样能够尽可能的延长腐蚀液和半导体晶圆的接触时间，从而保证半导体晶圆表面的处理质量。

所述步骤a重复至少3次，本实施例中，重复3次即可；

在本实施例中，只采用氢氟酸对半导体晶圆底面腐蚀一次，难以完全将半导体晶圆的底面完全清理干净，因此，重复三次氢氟酸的送入、排出，从而能够彻底的将半导体晶圆的底面清理干净，保证清理质量，这样既能够保证清理质量，又能够减少氢氟酸的用量，尽可能的降低成本。

b、半导体晶圆底部的清洗：在步骤a中将半导体晶圆腐蚀完成之后，然后将清洗液送入至半导体晶圆底部的微腔室，通过清洗液将半导体晶圆底面进行清洗，将残留在半导体晶圆底面的氢氟酸清洗，并通过排料孔将清洗液排出；

所述步骤b重复至少6次，在本实施例中，重复6次即可。

在本实施例中，纯水的单次冲洗不够干净，因此，进行多次冲洗，以6次最佳，能够将半导体晶圆以及微腔室冲洗干净。在本实施例中，纯水从下中心孔、下边缘孔送入至微腔室内，这样冲洗效率高。

其中，所述腐蚀液放置于存液瓶内，通过氮气送入至存液瓶，并通过氮气将腐蚀液从存液瓶内压入至微腔室内。

直接将液态流体放在存液瓶内，一根管路的一端插入到液态流体内，另一端则和下孔连接，另外一根管路的一端则和氮气源连接，另一端也插入到存液瓶内，并且会处在液态流体的液面上方，这样氮气吹入到存液瓶内，通过正压将液态流体经过下孔送入到微腔室内。

在本实施例中，液态流体提供机构为存液瓶和氮气源，氮气源经过管路和存液瓶连接，存液瓶经过管路和下孔连接，存液瓶内则存放液态流体，气态流体提供机构则为氮气源。

其中，一种方式为：存液瓶为两个，管路上面具有阀门，一个存液瓶内存放氢氟酸，另外一个存液瓶内存放纯水，通过阀门来控制各条管路的连通。预处理的时候，对应阀门打开或关闭，氮气源推动存液瓶内的氢氟酸从下孔送入到微腔室内。需要清洗的时候，对应的阀门打开或关闭，氮气源推动纯水进入到微腔室内。需要干燥的时候，对应的实用新型打开或者关闭，氮气源送入到微腔室内即可。也可以为两个存液瓶，一个存液瓶存放氢氟酸，一个存液瓶存放纯水，下孔上面则连接管路，管路上面设置接头，两个存液瓶、氮气源则通过接头和下孔上面管路的接头进行快速的切换，只要能够实现腐蚀液、清洗液、氮气经过下孔送入至微腔室的流体提供的结构即可。

在本实用新型中，通过调整各个通气孔的进气压力、时间，能够调整半导体晶圆被流体抬升的高度。

同时，本实用新型中，处在下腔体的微腔室的底面边缘处的抬起高度会降低，处在上腔体的微腔室的顶面边缘处降低其包边高度，这样能够确保氮气在对微腔室干燥的时候，气体的流向稳定，实现半导体晶圆从中心到边缘的稳定干燥，实现半导体晶圆以及微腔室完全干燥。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，比如，两者通过抵接、触接等形成机械的抵靠或抵触的连接方式，两者也可以是直接挂接或者通过中间媒介进行挂装连接等，也可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

Claims (9)

1.一种半导体晶圆表面预处理装置，包括下腔体及上腔体，所述上腔体与下腔体之间形成有容纳半导体晶圆的微腔室，其特征在于：

所述微腔室的底部分别设有与所述下腔体外表面连通的下孔及排料孔，所述下孔的顶部设置于所述微腔室的底面中部，所述排料孔的顶部设置于所述微腔室的底部外缘处；

所述微腔室的顶部设有至少一个与所述上腔体外表面连通的通气孔。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面预处理装置，其特征在于：所述通气孔包括一上中心孔及多个上边缘孔，所述上中心孔的底部设置于所述微腔室的顶部正中心，多个所述上边缘孔环形均布于所述上中心孔的外部。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面预处理装置，其特征在于：所述排料孔为多个，多个所述排料孔环形均布于所述微腔室的底部外缘处。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面预处理装置，其特征在于：还设有提供氮气的氮气提供机构，所述氮气提供机构与所述通气孔相连，所述氮气提供机构提供的氮气经所述通气孔送入至所述半导体晶圆上方的微腔室内。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面预处理装置，其特征在于：所述下孔包括下中心孔及多个下外缘孔，所述下中心孔的顶部设置于所述微腔室的底面正中心，所述下外缘孔环形均布于所述下中心孔的外部，且所述下外缘孔设置于所述排料孔与所述下中心孔之间。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面预处理装置，其特征在于：还设有与所述下孔连接的流体提供机构，所述流体提供机构提供的流体经所述下孔送入至所述半导体晶圆下方的微腔室内。

7.根据权利要求6所述的半导体晶圆表面预处理装置，其特征在于：所述流体提供机构包括提供液态流体的液态流体提供机构及提供气态流体的气态流体提供机构；

和/或，所述液态流体提供机构提供的液态流体对所述半导体晶圆的底面进行腐蚀或清洗；

和/或，所述气态流体提供机构提供的气态流体对所述半导体晶圆的底面进行干燥。

8.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面预处理装置，其特征在于：还设有与所述排料孔连接的负压排料机构，所述负压排料机构将所述微腔室内的液态流体或气态流体吸出。

9.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面预处理装置，其特征在于：所述下腔体的外缘处还设有将所述微腔室密封的密封圈。