CN221101709U - 射束整形体及中子捕获治疗系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型一方面涉及一种用于中子捕获治疗系统的射束整形体，包括：缓速体，用于将中子射束的中子减速至超热中子；包围缓速体的反射体，用于将偏离中子射束的中子反射回中子射束以提高中子射束强度；及超热中子通量增强体，用于提高中子射束中的超热中子通量，设置于缓速体中和/或反射体中和/或缓速体与反射体之间。本实用新型的另一方面涉及一种包含上述射束整形体的中子捕获治疗系统。通过在射束整形体中设置超热中子通量增强体，增加中子射束中的超热中子通量，改善中子射源的通量与品质。
Description
技术领域
本实用新型涉及辐射线照射领域，特别是涉及一种射束整形体及中子捕获治疗系统。
背景技术
随着原子科学的发展，例如钴六十、直线加速器、电子射束等放射线治疗已成为癌症治疗的主要手段之一。然而传统光子或电子治疗受到放射线本身物理条件的限制，在杀死肿瘤细胞的同时，也会对射束途径上大量的正常组织造成伤害；另外由于肿瘤细胞对放射线敏感程度的不同，传统放射治疗对于较具抗辐射性的恶性肿瘤(如：多行性胶质母细胞瘤(glioblastoma multiforme)、黑色素细胞瘤(melanoma))的治疗成效往往不佳。
为了减少肿瘤周边正常组织的辐射伤害，化学治疗(chemotherapy)中的标靶治疗概念便被应用于放射线治疗中；而针对高抗辐射性的肿瘤细胞，目前也积极发展具有高相对生物效应(relative biological effectiveness,RBE)的辐射源，如质子治疗、重粒子治疗、中子捕获治疗等。其中，中子捕获治疗便是结合上述两种概念，如硼中子捕获治疗，借由含硼药物在肿瘤细胞的特异性集聚，配合精准的中子射束调控，提供比传统放射线更好的癌症治疗选择。
硼中子捕获治疗(Boron Neutron Capture Therapy,BNCT)借由含硼药物在人体肿瘤细胞的特异性集聚，配合精准可控的中子束照射，提供比传统放射治疗更好的癌症治疗选择。在硼中子捕获治疗过程中，首先，为患者注射含硼(B-10)药物，该药物和肿瘤细胞有很强的亲和力，会选择性地聚集在肿瘤细胞内，然后对患者的肿瘤部位进行中子束照射。当中子被肿瘤细胞中的10B捕获时会发生裂变，产生α粒子和7Li粒子，释放出一种杀伤力极强的射线，该射线射程很短，只有一个肿瘤细胞的长度，从而在尽可能不损伤周围正常细胞的情况下精准地杀死肿瘤细胞。
因硼中子捕获治疗的成效取决于肿瘤细胞位置含硼药物浓度和热中子数量，故又被称为二元放射线癌症治疗(binary cancer therapy)；由此可知，除了含硼药物的开发，中子射源通量与品质的改善在硼中子捕获治疗的研究中占有重要角色。
实用新型内容
为改善中子射源的通量与品质，本实用新型的一个方面提供一种用于中子捕获治疗的射束整形体，该射束整形体包括：缓速体，用于将中子射束的中子减速至超热中子，中子射束限定射束轴线，缓速体沿着射束轴线延伸第一预设长度并且沿着射束轴线的径向方向延伸第一预设宽度；反射体，包围缓速体，用于将偏离中子射束的中子反射回中子射束以提高中子射束强度，至少部分反射体沿着射束轴线延伸第二预设长度并且在缓速体之外沿着射束轴线的径向方向延伸第二预设宽度；及超热中子通量增强体，用于提高中子射束中的超热中子通量，设置于缓速体中和/或反射体中和/或缓速体与反射体之间，超热中子通量增强体沿着射束轴线延伸第三预设长度并且沿着射束轴线的径向方向延伸第三预设宽度，其中，第三预设宽度小于第一预设宽度与第二预设宽度之和。通过在射束整形体中设置超热中子通量增强体，中子射束中的超热中子通量提高，从而改善中子射源的通量与品质。
在其中一个实施例中，射束整形体还包括：射束入口，用于带电粒子束的射入；射束出口，用于中子射束的射出；射束入口、缓速体和射束出口沿着射束轴线延伸方向设置。
在其中一个实施例中，射束整形体还包括包围反射体的辐射屏蔽体，辐射屏蔽体用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，辐射屏蔽体沿着射束轴线延伸第四预设长度并且在反射体之外沿着射束轴线的径向方向延伸第四预设宽度。
在其中一个实施例中，反射体的材料为Pb，缓速体的材料为D2O，AlF3，CaF2，Li2CO3，MgF2，Al2O3和Al、AlF3和LiF的预设比例的混合材料中的至少一种。
在其中一个实施例中，超热中子通量增强体的材料为Ni。
在其中一个实施例中，超热中子通量增强体被构造为筒状结构，该筒状结构包括与射束轴线垂直的第一侧部和第二侧部和围绕射束轴线周向封闭的第一壁和第二壁，第一侧部和第二侧部沿中子射束方向依次设置在筒状结构的两端，第一侧部设置第一中心孔，第一中心孔用于与射束入口结合，第二侧部设置第二中心孔，第二中心孔用于与射束出口结合。
在其中一个实施例中，筒状结构的超热中子通量增强体的第一侧部和/或第二侧部被构造为朝向射束轴线收缩的锥状结构，第一侧部的外轮廓的径向尺寸沿中子射束方向逐渐增大，第一中心孔的尺寸至少容纳射束入口，第二侧部的外轮廓的径向尺寸沿中子射束方向逐渐减小，第二侧部的第二中心孔的尺寸至少容纳射束出口。
在其中一个实施例中，超热中子通量增强体的厚度为1-8cm；更优选地，超热中子通量增强体的厚度为3-5cm。
在其中一个实施例中，超热中子通量增强体被构造为锥状结构，该锥状结构包括与射束轴线垂直的第一端面和第二端面和围绕射束轴线周向封闭的第三壁和第四壁，第一端面和第二端面沿中子射束方向依次设置，第一端面与第二端面均设置为开口。
在其中一个实施例中，锥状结构的超热中子通量增强体的外轮廓的径向尺寸沿中子射束方向逐渐增大，第一端面邻接于缓速体位于中子射束方向上游侧的端面，第一端面的尺寸至少容纳射束入口。
在其中一个实施例中，锥状结构的超热中子通量增强体的外轮廓的径向尺寸沿中子射束方向逐渐减小，第二端面邻接于射束整形体位于中子射束方向下游侧的端面，第二端面的尺寸至少容纳射束出口。在射束出口的位置，超热中子通量增强体设置成锥形结构，将更多的超热中子反射回中子束，从而增强超热中子束通量。
在其中一个实施例中，筒状结构或锥状结构的超热中子通量增强体的中心线与射束轴线重合。
本实用新型的另一个方面提供了一种中子捕获治疗系统，包括：带电粒子束生成部，用于产生带电粒子束；中子生成部，用于产生中子束，包括靶材和上述射束整形体；及射束传输部，将带电粒子束传输至中子生成部，所述带电粒子束与所述靶材作用产生中子束，所述中子束经所述射束整形体慢化后形成中子捕获治疗所需的超热中子束。
附图说明
图1为硼中子捕获反应示意图。
图2为本实用新型一实施例中中子捕获治疗系统的结构示意图。
图3为本实用新型一实施例中射束整形体的结构示意图，其中超热中子通量增强体为筒状结构，至少部分设置于缓速体中。
图4为本实用新型一实施例中射束整形体的尺寸示意图，其中超热中子通量增强体为筒状结构，至少部分设置于缓速体中。
图5为本实用新型一实施例中射束整形体的径向尺寸示意图，其中超热中子通量增强体为筒状结构，至少部分设置于缓速体中。
图6为本实用新型一实施例中筒状结构的超热中子通量增强层的结构示意图。
图7为本实用新型一实施例中筒状结构的超热中子通量增强层的剖面图。
图8为本实用新型一实施例中射束整形体的结构示意图，其中超热中子通量增强体为筒状结构，设置于反射体中。
图9为本实用新型一实施例中射束整形体的径向尺寸示意图，其中超热中子通量增强体为筒状结构，设置于反射体中。
图10为本实用新型一实施例中射束整形体的结构示意图，其中筒状结构的超热中子通量增强体一侧为锥状结构。
图11为本实用新型一实施例中射束整形体的结构示意图，其中筒状结构的超热中子通量增强体两侧为锥状结构。
图12为本实用新型一实施例中两侧为锥状结构的筒状结构的超热中子通量增强层的结构示意图。
图13为本实用新型一实施例中两侧为锥状结构的筒状结构的超热中子通量增强层的剖面图。
图14(a)为本实用新型一实施例中Φep随超热中子通量增强层厚度变化趋势；
图14(b)为本实用新型一实施例中Jep/Φep随超热中子通量增强层厚度变化趋势；
图14(c)为本实用新型一实施例中Df/Φep随超热中子通量增强层厚度变化趋势；
图14(d)为本实用新型一实施例中Dγ/Φep随超热中子通量增强层厚度变化趋势；
图14(e)为本实用新型一实施例中Φth/Φep随超热中子通量增强层厚度变化趋势。
图15为本实用新型一实施例中射束整形体的结构示意图，其中超热中子通量增强体为锥状结构，沿中子射束方向位于射束整形体的上游侧。
图16为本实用新型一实施例中射束整形体的尺寸示意图，其中超热中子通量增强体为锥状结构，沿中子射束方向位于射束整形体的上游侧。
图17为本实用新型一实施例中射束整形体的径向尺寸示意图，其中超热中子通量增强体为锥状结构，沿中子射束方向位于射束整形体的上游侧。
图18为本实用新型一实施例中锥状结构的超热中子通量增强层的结构示意图。
图19为本实用新型一实施例中锥状结构的超热中子通量增强层的剖面图。
图20为本实用新型一实施例中射束整形体的结构示意图，其中超热中子通量增强体为锥状结构，沿中子射束方向位于射束整形体的下游侧。
图21为本实用新型一实施例中射束整形体的结构示意图，其中超热中子通量增强体为锥状结构，沿中子射束方向分别位于射束整形体的上游侧和下游侧。
附图标记说明：
100、中子束捕获治疗系统；11、带电粒子生成部；111、离子源；112、加速器；12、射束传输部；13、中子束生成部；131、射束整形体；1311、射束入口；1312、缓速体；1313、反射体；1314、射束出口；1315、辐射屏蔽体；1316、超热中子通量增强体；1316a、第一侧部；1316b、第二侧部；1316c、第一壁；1316d、第二壁；1316e、第一端面；1316f、第二端面；1316g、第三壁；1316h、第四壁；132、准直器；133、靶材；200、被照射体；20、治疗台；M、患处部位；L1、第一预设长度；L2、第二预设长度；L3、第三预设长度；L4、第四预设长度；D1、第一预设宽度；D2、第二预设宽度；D3、第三预设宽度；D4、第四预设宽度；X、射束轴线。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
中子捕获治疗作为一种有效的治疗癌症的手段，近年来其应用逐渐增加，其中以硼中子捕获治疗最为常见，供应硼中子捕获治疗的中子可以由核反应堆或加速器供应。本实用新型的实施例以加速器硼中子捕获治疗为例，加速器硼中子捕获治疗的基本组件通常包括用于对带电粒子(如质子、氘核等)进行加速的加速器、靶材与热移除系统和射束整形体，其中加速带电粒子与金属靶材作用产生中子，依据所需的中子产率与能量、可提供的加速带电粒子能量与电流大小、金属靶材的物化性等特性来挑选合适的核反应，常被讨论的核反应有7Li(p,n)7Be及9Be(p,n)9B，这两种反应皆为吸热反应。两种核反应的能量阈值分别为1.881MeV和2.055MeV，由于硼中子捕获治疗的理想中子源为keV能量等级的超热中子，理论上若使用能量仅稍高于阈值的质子轰击金属锂靶材，可产生相对低能的中子，不须太多的缓速处理便可用于临床，然而锂金属(Li)和铍金属(Be)两种靶材与阈值能量的质子作用截面不高，为产生足够大的中子通量，通常选用较高能量的质子来引发核反应。
硼中子捕获治疗(Boron Neutron Capture Therapy,BNCT)是利用含硼(10B)药物对热中子具有高捕获截面的特性，借由10B(n,α)7Li中子捕获及核分裂反应产生4He和7Li两个重荷电粒子。参照图1，其示出了硼中子捕获反应的示意图；下述方程式为10B(n,α)7Li中子捕获核反应方程式，
两荷电粒子的平均能量约为2.33MeV，具有高线性转移、短射程特征，α粒子的线性能量转移与射程分别为150keV/μm、8μm，而7Li重荷粒子则为175keV/μm、5μm，两粒子的总射程约相当于一个细胞大小，因此对于生物体造成的辐射伤害能局限在细胞层级，当含硼药物选择性地聚集在肿瘤细胞中，搭配适当的中子射源，便能在不对正常组织造成太大伤害的前提下，达到局部杀死肿瘤细胞的目的。
无论硼中子捕获治疗的中子源来自核反应堆还是来自加速器,带电粒子与靶材的核反应产生的皆为混合辐射场，即射束包含了低能至高能的中子、光子；对于深部肿瘤的硼中子捕获治疗，除了超热中子外，其余的辐射线含量越多，造成正常组织非选择性剂量沉积的比例越大，因此这些会造成不必要剂量的辐射应尽量降低。
国际原子能机构(IAEA)针对临床硼中子捕获治疗用的中子源，给定了五项空气射束品质因素建议，此五项建议可用于比较不同中子源的优劣，并供以作为挑选中子产生途径、设计射束整形体时的参考依据。这五项建议分别如下：
超热中子射束通量Epithermal neutron flux>1×109n/cm2s
快中子污染Fast neutron contamination<2×10-13Gy-cm2/n
光子污染Photon contamination<2×10-13Gy-cm2/n
热中子与超热中子通量比值thermal to epithermal neutron flux ratio<0.05
中子电流与通量比值epithermal neutron current to flux ratio>0.7
注：超热中子能区在0.5eV到10keV之间，热中子能区小于0.5eV，快中子能区大于10keV。
不同的领域对于超热中子能区可以有不同的划分标准，比如还可以设定超热中子能区在0.5eV-40keV之间，热中子能区小于0.5eV，快中子能区大于40keV。
1、超热中子射束通量Φep：
中子射束通量和肿瘤中含硼药物浓度共同决定了临床治疗时间。若肿瘤含硼药物浓度够高，对于中子射束通量的要求便可降低；反之，若肿瘤中含硼药物浓度低，则需要高通量的超热中子来给予肿瘤足够的剂量。IAEA对于超热中子射束通量的要求为每秒每平方厘米的超热中子个数大于109，此通量下的中子射束对于目前的含硼药物而言可大致控制治疗时间在一小时内，短的治疗时间除了对病人定位和舒适度有优势外，也可较有效利用含硼药物在肿瘤内有限的滞留时间。
2、快中子污染Df/Φep：
由于快中子会造成不必要的正常组织剂量，因此视之为污染，此剂量大小和中子能量呈正相关，因此在中子射束设计上应尽量减少快中子的含量。快中子污染定义为单位超热中子通量伴随的快中子剂量，IAEA对快中子污染的建议为小于2×10-13Gy-cm2/n。
3、光子污染(γ射线污染)Dγ/Φep：
γ射线属于强贯穿辐射，会非选择性地造成射束路径上所有组织的剂量沉积，因此降低γ射线含量也是中子束设计的必要要求，γ射线污染定义为单位超热中子通量伴随的γ射线剂量，IAEA对γ射线污染的建议为小于2×10-13Gy-cm2/n。
4、热中子与超热中子通量比值Φth/Φep：
由于热中子衰减速度快、穿透能力差，进入人体后大部分能量沉积在皮肤组织，除黑色素细胞瘤等表皮肿瘤需用热中子作为硼中子捕获治疗的中子源外，针对脑瘤等深层肿瘤应降低热中子含量。IAEA对热中子与超热中子通量比值建议为小于0.05。
5、中子电流与通量比值Jep/Φep：
中子电流与通量比值代表了射束的方向性，比值越大表示中子射束前向性佳，高前向性的中子束可减少因中子发散造成的周围正常组织剂量，另外也提高了可治疗深度和摆位姿势弹性。IAEA对中子电流与通量比值建议为大于0.7。
采用MCNP软件(是由美国洛斯阿拉莫斯国家实验室(Los Alamos NationalLaboratory)开发的基于蒙特卡罗方法的用于计算三维复杂几何结构中的中子、光子、带电粒子或者耦合中子/光子/带电粒子输运问题的通用软件包)对本实用新型实施例中的空气中中子射束品质进行计算。
参阅图2，图2示出了本实用新型一实施例中的中子捕获治疗系统的结构示意图，本实施例中的中子捕获治疗系统优选为硼中子捕获治疗系统100。中子生成部产生的中子射束N照射位于治疗台20上的被照射体200的患处部位M。中子射束N与患处部位M的含硼(B-10)药物发生如前述的硼中子捕获反应，从而消灭患处部位M的肿瘤细胞或者其他物质，达到治疗的效果。
硼中子捕获治疗系统100包括带电粒子束生成部11、射束传输部12和中子束生成部13。带电粒子束生成部11产生如质子束的带电粒子束P；射束传输部12，将带电粒子束P传输至中子束生成部13；中子束生成部13产生治疗用中子射束N并照射向治疗台20上的被照射体200。带电粒子束生成部11包括离子源111和加速器112，离子源111用于产生带电粒子，如H-、质子、氘核等；加速器112对离子源111产生的带电粒子加速以获得所需能量的带电粒子束P，如质子束。加速器112可以是直线加速器、回旋加速器、同步加速器或同步回旋加速器。中子束生成部13包括射束整形体131、准直器132和靶材133，加速器112产生的带电粒子束P经射束传输部12到达中子束生成部13，与靶材133作用产生中子，经射束整形体131和准直器132调整射束品质，形成治疗用中子射束N并照射向治疗台20上的被照射体200。
射束整形体131能够调整中子射束N的射束品质。准直器132用以汇聚中子射束N，使中子射束N在治疗过程中具有较高的靶向性。射束整形体131进一步地包括射束入口1311、缓速体1312、包围在缓速体1312外的反射体1313和射束出口1314。
硼中子捕获治疗系统100通过加速器112将由离子源111生成的带电粒子束P加速，带电粒子束P经射束入口1311进入射束整形体131中。射束入口1311一部分容纳于缓速体1312中，另一部分容纳于反射体1313中。
理想的靶材133应具备高中子产率、产生的中子能量分布接近超热中子能区、无太多强贯穿辐射产生、安全便宜易于操作且耐高温等特性，但实际上并无法找到符合所有要求的核反应。本实施例中的靶材133选用尽可能满足上述要求的材料，如Li或Be，本领域技术人员熟知的，靶材133也可以由Li、Be之外的金属材料制成，例如由Ta或W及其合金等形成。作为一种优选实施例，靶材133由锂金属制成，容纳于缓速体1312中，带电粒子束P加速至足以克服靶材133原子核库伦斥力的能量，与靶材133发生7Li(p,n)7Be核反应以产生中子，中子形成中子射束N，中子射束N限定射束轴线X。带电粒子束P与靶材133作用生成的中子由于能谱很广，除了超热中子满足治疗需要以外，需要尽可能的减少其他种类的中子及光子含量以避免对操作人员或被照射体造成伤害，因此从靶材133出来的中子需要经过缓速体1312将其中的快中子能量(＞10keV)调整到超热中子能区(0.5eV-10keV)并尽可能减少热中子(＜0.5eV)。
参阅图4，缓速体1312沿着射束轴线X延伸第一预设长度L1并且沿着射束轴线X的径向方向延伸第一预设宽度D1。缓速体1312由与快中子作用截面大、超热中子作用截面小的材料制成，本实施例中，缓速体1312由D2O，AlF3，CaF2，Li2CO3，MgF2，Al2O3和Al、AlF3和LiF的预设比例的混合材料中的至少一种制成，其中，Al、AlF3和LiF的预设比例的混合材料优选为Fluental材料。
反射体1313包围缓速体1312，并将穿过缓速体1312向四周扩散的中子反射回中子射束N以提高中子射束N强度，至少部分反射体1313沿着射束轴线X延伸第二预设长度L2并且在缓速体1312之外沿着射束轴线X的径向方向延伸第二预设宽度D2。反射体1313由中子反射能力强的材料制成，本实施例中，反射体1313由Pb制成。
本实施例中，射束整形体131还包括射束出口1314和包围反射体1313的辐射屏蔽体1315。辐射屏蔽体1315用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，辐射屏蔽体1315沿着射束轴线X延伸第四预设长度L4并且在反射体1313之外沿着射束轴线X的径向方向延伸第四预设宽度D4，并且辐射屏蔽体1315在射束出口1314处与反射体1313齐平。需要注意的是，在下文描述的其他实施例中，其他构件沿着射束轴线X延伸第三预设长度L3和沿着射束轴线X的径向方向延伸第三预设宽度D3，因此，此处的辐射屏蔽体采用第四预设长度L4和第四预设宽度D4的表述。辐射屏蔽体1315的材料包括光子屏蔽材料和中子屏蔽材料中的至少一种，可以是裁切成合适尺寸的刚性固体，如铅锑合金、铁氟龙、石墨、石蜡、PE、含碳化硼或碳酸锂或氟化锂的PE、PMMA(亚克力)、含碳化硼或碳酸锂或氟化锂的PMMA或含硼重晶石混凝土；也可以是填充在裁切成合适尺寸的刚性容器或柔性容器内的粉末，如碳化硼或碳酸锂或氟化锂的粉末；也可以是填充在裁切成合适尺寸的刚性容器或柔性容器内的液体，如溶解碳化硼或碳酸锂或氟化锂粉末的水、重水、硼酸；还可以是柔性固体，如橡胶或硅胶。本实施例中，辐射屏蔽体1315优选由不同于反射体的材料制成，如含硼重晶石混凝土。
可以理解，射束整形体131还可以有其他的构件和构造，如包括吸收热中子的热中子吸收体、射束入口不容纳在缓速体内等，只要能够获得治疗所需超热中子射束即可。
准直器132设置于射束出口1314后部或射束整形体131内部，从准直器132出来的超热中子射束向被照射体200照射。可以理解，准直器132也可以取消或由其他结构代替，中子射束从射束出口1314出来直接向被照射体200照射。
参阅图3-图20，为了进一步改善中子射源的通量与品质，射束整形体131还包括超热中子通量增强体1316，超热中子通量增强体1316设置于缓速体1312中和/或反射体1313中和/或缓速体1312与反射体1313之间。为了便于对比和表述，相同构件在本实用新型所述实施例中均采用相同的附图标记来表示。
请先参阅图3-图5，超热中子通量增强体1316沿着射束轴线X延伸第三预设长度L3并且沿着射束轴线X的径向方向延伸第三预设宽度D3，其中，第三预设宽度D3小于第一预设宽度D1和第二预设宽度D2之和。优选地，在图3-图5揭示的实施例中，第三预设宽度D3小于第一预设宽度D1。本实用新型一实施例中，超热中子通量增强体1316沿着射束轴线X的径向方向延伸第三预设宽度D3包括超热中子通量增强体的厚度。超热中子通量增强体1316由中子反射能力强的材料制成，优选地，超热中子通量增强体1316由Ni制成，包括天然镍或提纯镍。
参阅图6-图7，并结合图3-5所示，超热中子通量增强体1316被构造为筒状结构，该筒状结构包括与射束轴线X垂直的第一侧部1316a和第二侧部1316b以及围绕射束轴线X周向封闭的第一壁1316c和第二壁1316d，第一侧部1316a和第二侧部1316b沿中子射束N方向依次设置，且第一侧部1316a比第二侧部1316b更远离射束出口1314。在这些实施例中，第一侧部1316a沿射束轴线X的方向设置于缓速体1312和反射体1313之间，邻接于缓速体1312位于中子射束N上游侧的端面。第一侧部1316a设置为圆环结构，并且设置有第一中心孔，第一中心孔用于让射束入口1311贯穿通过，使得射束入口1311可容纳于缓速体1312中。第二侧部1316b设置第二中心孔，邻接于射束整形体131位于中子射束N下游侧的端面，用于与射束出口1314结合，第二中心孔的径向尺寸与第一壁1316c的外径相等时，第二侧部1316b为未设置封闭结构的敞开状态，第一壁1316c和第二壁1316d沿射束轴线X的径向方向设置，垂直于第一侧部1316a和第二侧部1316b。第一壁1316c和第二壁1316d与第一侧部1316a连接并沿射束轴线X延伸至第二侧部1316b，在这些实施例中，筒状结构的超热中子通量增强体1316的中心线与中子射束N的轴线重合，第三预设宽度D3小于第一预设宽度D1，第一壁1316c和第二壁1316d至少一部分容纳在缓速体1312内，即筒状结构的超热中子通量增强体1316至少部分设置于缓速体1312中。可以理解，中子射束N上游侧为靠近射束入口1311及靶材133的一侧，中子射束N下游侧为靠近射束出口1314的一侧。
参阅图8和图9，图8和图9示出了本实用新型一实施例中的射束整形体的不同视角的结构示意图，其中超热中子通量增强体1316为筒状结构。与图3-图7揭示的实施例不同之处在于，超热中子通量增强体1316的第一壁和第二壁至少部分设置于反射体1313中。本实施例中，筒状结构的超热中子通量增强体1316沿着射束轴线X的径向方向延伸的第三预设宽度D3大于缓速体1312沿着射束轴线X的径向方向延伸的第一预设宽度D1，小于缓速体1312沿着射束轴线X的径向方向延伸的第一预设宽度D1和部分反射体1313在缓速体1312之外沿着射束轴线X的径向方向延伸的第二预设宽度D2之和，第一壁1316c和第二壁1316d均邻接于反射体1313，即筒状结构的超热中子通量增强体1316设置于反射体1313中。
下面描述图2、图3-7及图8-9揭示的实施例在空气中表现的射束品质。表一示出了未设置超热中子通量增强体及筒状结构的超热中子通量增强体设置于不同位置时空气中射束品质因素的表现(表格中各名词的单位同上所述，在此不再赘述，下同)：
表一：筒状结构的超热中子通量增强体设置于不同位置时的射束品质
从上述表中可以得知：在射束整形体中设置筒状结构的超热中子通量增强体，可以改善中子射束品质；超热中子通量增强体设置于缓速体中时，对于超热中子通量的增加更加显著。
参阅图10-图13，本实用新型一些实施例中，筒状结构的超热中子通量增强体1316的第一侧部1316a或/和第二侧部1316b被构造为朝着射束轴线X收缩的锥状结构，第一侧部1316a的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐增大，第二侧部1316b的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐减小。第一侧部1316a的外轮廓的径向尺寸至少在中心孔的径向尺寸以上，第二侧部1316b的外轮廓的径向尺寸至少容纳射束出口1314。
再次参阅图10，图10示出了本实用新型一实施例中的射束整形体的结构示意图，其中筒状结构的超热中子通量增强体1316一侧为锥状结构。需要注意的是，为了让附图更加简洁，部分与上述实施例相同描述的附图标记，在图10中并未体现，如第一预设宽度D1、第三预设宽度D3、第一侧部1316a、第二侧部1316b、第一壁1316c和第二壁1316d等，具体可参照上述实施例。下文描述其他实施例中，出现的附图标记但并未出现在相应附图中的，可以参照此处的情况。本实用新型一实施例中，筒状结构的超热中子通量增强体1316沿着射束轴线X的径向方向延伸的第三预设宽度D3小于缓速体1312沿着射束轴线X的径向方向延伸的第一预设宽度D1，第一壁1316c和第二壁1316d均至少部分容纳于缓速体1312，即超热中子通量增强体1316至少部分设置于缓速体1312中。第一侧部1316a邻接于缓速体1312位于中子射束N上游侧的端面，第二侧部1316b邻接于缓速体1312位于中子射束N下游侧的端面，第二侧部1316b的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐减小，并且外轮廓径向尺寸由第三预设宽度D3逐渐减小至射束出口1314的尺寸，即第二侧部1316b朝向射束出口1314收缩，筒状结构的超热中子通量增强体1316一侧为锥状结构。
再次参阅图11，图11示出了本实用新型一实施例中的射束整形体的结构示意图，其中筒状结构的超热中子通量增强体1316两侧为锥状结构。本实用新型一实施例中，筒状结构的超热中子通量增强体1316沿着射束轴线X的径向方向延伸的第三预设宽度D3小于缓速体1312沿着射束轴线X的径向方向延伸的第一预设宽度D1，第一壁1316c和第二壁1316d均至少部分容纳于缓速体1312，即超热中子通量增强体1316至少部分设置于缓速体1312中，第一侧部1316a邻接于缓速体1312位于中子射束N上游侧的端面，第一侧部1316a的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐增大，第一侧部1316a的外轮廓的径向尺寸由中心孔的径向尺寸逐渐增大至第三预设宽度D3，即第一侧部1316a朝向射束入口1311收缩。第二侧部1316b邻接于缓速体1312位于中子射束N下游侧的端面，第二侧部1316b的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐减小，第二侧部1316b的外轮廓的径向尺寸由第三预设宽度D3逐渐减小至射束出口1314的尺寸，即第二侧部1316b朝向射束出口1314收缩，筒状结构的超热中子通量增强体1316两侧均为锥状结构。
下面描述图2、图3、图10及图11揭示的实施例在空气中表现的射束品质。表二示出了未设置超热中子通量增强体、设置筒状(无锥状结构)超热中子通量增强体及筒状结构的超热中子通量增强体一侧或两侧为锥状结构时空气中射束品质因素的表现：
表二：筒状结构的超热中子通量增强体一侧或两侧为锥状结构时的射束品质
从上述表中可以得知：在射束整形体中设置超热中子通量增强体并且将筒状结构的超热中子通量增强体的一侧或者两侧设置为锥状结构，可以提高中子射束中的超热中子通量，改善中子射束品质。
再次参阅图11，并结合图12和图13，本实用新型一实施例中，筒状结构的超热中子通量增强体1316沿着射束轴线X的径向方向延伸的第三预设宽度D3小于缓速体1312沿着射束轴线X的径向方向延伸的第一预设宽度D1，第一壁1316c和第二壁1316d均至少部分容纳于缓速体1312，即超热中子通量增强体1316至少部分设置于缓速体1312中。第一侧部1316a邻接于缓速体1312位于中子射束N上游侧的端面，第一侧部1316a的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐增大，第一侧部1316a的外轮廓的径向尺寸由中心孔的径向尺寸逐渐增大至第三预设宽度D3，即第一侧部1316a朝向射束入口1311收缩。第二侧部1316b邻接于缓速体1312位于中子射束N下游侧的端面，第二侧部1316b的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐减小，第二侧部1316b的外轮廓的径向尺寸由第三预设宽度D3逐渐减小至射束出口1314的尺寸，即第二侧部1316b朝向射束出口1314收缩，筒状结构的超热中子通量增强体1316两侧均为锥状结构。本实施例中，超热中子通量增强体1316的厚度小于第一预设宽度D1和第二预设宽度D2之和，优选为1-5cm，进一步优选为3-5cm。
下面描述图2和图11实施例在设置不同厚度的超热中子通量增强体1316时在空气中表现的射束品质。表三示出了未设置超热中子通量增强体及超热中子通量增强体厚度不同时空气中射束品质因素的表现：
表三：超热中子通量增强体厚度不同时的射束品质
表三(续)：超热中子通量增强体厚度不同时的射束品质
从上述表中可以得知：在射束整形体中设置超热中子通量增强体并且适当增加超热中子通量增强体的厚度可以提高中子射束中的超热中子通量，改善中子射束品质。结合图14(a)-图14(e)分析可知，超热中子通量增强体的厚度在0-5cm时，随着其厚度的增加，超热中子通量也随之增大，快中子污染则有先减小后增大的趋势；其中，当超热中子通量增强体的厚度在0-1cm时，中子通量增加趋势明显，且快中子污染、热中子与超热中子的通量比值均有明显的降低趋势，超热中子通量增强体的厚度达到1cm时，与无超热中子通量增强体的射束整形体相比，射束品质得到提高显著；当超热中子通量增强体的厚度达到5cm时，超热中子通量达到最大值，超热中子通量增强体的厚度为3cm、4cm时，快中子污染最小；若继续增大超热中子通量增强体厚度，超热中子通量反而减小，同时快中子污染增加，会造成不必要的正常组织剂量，中子射束的品质下降。因此，优选超热中子通量增强体的厚度为1-8cm，更优选3-5cm，可以获得符合中子捕获治疗所需的射束品质较好的超热中子束。
请参阅图15-图21，本实用新型一些实施例中，超热中子通量增强体1316被构造为锥状结构，该锥状结构包括与射束轴线X垂直的第一端面1316e和第二端面1316f和围绕射束轴线X周向封闭的第三壁1316g和第四壁1316h，第一端面1316e和第二端面1316f沿中子射束N方向依次设置，第三壁1316g和第四壁1316h沿射束轴线X的径向方向设置，第一端面1316e与第二端面1316f均设置为开口。
参阅图15-图19，图15-图19示出了本实用新型一实施例中的射束整形体的结构示意图，其中超热中子通量增强体1316为锥状结构，沿中子射束N方向位于射束整形体131的上游侧。本实用新型一实施例中，锥状结构的超热中子通量增强体1316的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐增大，第一端面1316e邻接于缓速体1312位于中子射束N上游侧的端面，第一端面1316e的尺寸至少容纳射束入口1311，即锥状结构的超热中子通量增强体1316设置于中子射束N的上游侧，且第一端面1316e的径向内径大于射束入口1311的径向外径。本实施例中，超热中子通量增强体1316沿着射束轴线的径向方向延伸的第三预设宽度D3小于缓速体1312沿着射束轴线的径向方向延伸的第一预设宽度D1，第三壁1316g和第四壁1316h容纳于缓速体1312，即锥状结构的超热中子通量增强体1316设置于缓速体1312中，靠近射束入口1311，锥状结构的超热中子通量增强体1316的中心线与射束轴线X重合，并且锥状结构的超热中子通量增强体1316的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向由射束入口1311的尺寸逐渐增大到第三预设宽度D3。
再次参阅图20，图20示出了本实用新型一实施例中的射束整形体的结构示意图，其中超热中子通量增强体1316为锥状结构，沿中子射束N方向位于射束整形体131的下游侧。本实用新型一实施例中，锥状结构的超热中子通量增强体1316的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐减小，第二端面1316f邻接于射束整形体100位于中子射束下游侧的端面，第二端面1316f的尺寸至少容纳射束出口1314，即锥状结构的超热中子通量增强体1316设置于中子射束N的下游侧，且第二端面1316f的径向内径大于射束出口1314的径向外径。本实施例中，超热中子通量增强体1316沿着射束轴线X的径向方向延伸的第三预设宽度D3小于缓速体1312沿着射束轴线X的径向方向延伸的第一预设宽度D1，第三壁1316g邻接于反射体1313，第四壁1316h邻接于射束出口1314。锥状结构的超热中子通量增强体1316的中心线与射束轴线X重合，并且锥状结构的超热中子通量增强体1316的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向由第三预设宽度D3逐渐减小到射束出口1314的尺寸。
再次参阅图21，图21示出了本实用新型一实施例中的射束整形体的结构示意图，其中超热中子通量增强体1316为两个锥状结构的组合，沿中子射束N方向分别位于射束整形体131的上游侧和下游侧。1316上游侧的锥状结构的超热中子通量增强体1316的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐增大，第一端面1316e邻接于缓速体1312位于中子射束N上游侧的端面，第一端面1316e的尺寸至少容纳射束入口1311。下游侧的锥状结构的超热中子通量增强体1316的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向逐渐减小，第二端面1316f邻接于射束整形体131位于中子射束下游侧的端面，第二端面1316f的尺寸至少容纳射束出口1314。本实施例中，超热中子通量增强体1316沿着射束轴线X的径向方向延伸的第三预设宽度D3小于缓速体1312沿着射束轴线X的径向方向延伸的第一预设宽度D1，并且超热中子通量增强体1316的中心线与射束轴线X重合。上游侧锥状结构的超热中子通量增强体1316的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向由射束入口1311的尺寸逐渐增大到第三预设宽度D3，下游侧的锥状结构的超热中子通量增强体1316的外轮廓的径向尺寸沿中子射束N方向由第三预设宽度D3逐渐减小到射束出口1314的尺寸。
下面描述图2和图15-21实施例在设置不同形状的超热中子通量增强体1316在空气中表现的射束品质。表四示出了未设置超热中子通量增强体及锥状结构的超热中子通量增强体设置于不同位置时空气中射束品质因素的表现：
表四：锥状结构的超热中子通量增强体设置于不同位置时的射束品质
从上述表中可以得知：在射束整形体沿中子射束N方向的下游端设置锥状结构的超热中子通量增强体，对于提高超热中子通量的效果更显著，更有利于改善中子射束品质。
本实用新型这些实施例中，超热中子通量增强体1316整体上为筒状结构或锥状结构或筒状加锥状的结构。超热中子通量增强体1316整体可以一体成型，也可以由多个部件分块组合，经组合后得到。超热中子通量增强体1316可以与缓速体1312及反射体1313一起组装成型，实现超热中子通量增强体1316设置于射束整形体131中；也可以在缓速体1312或反射体1313中设置容纳腔，再将超热中子通量增强体1316放置到容纳腔中，从而实现超热中子通量增强体1316设置于射束整形体131中。
本实用新型实施例中所述的“筒状”是指沿着图示方向的一侧到另一侧其外轮廓的整体趋势基本不变的结构，外轮廓的其中一条轮廓线可以是线段，如圆柱体状的对应的轮廓线，也可以是曲率较大的接近线段的圆弧，如曲率较大的球面体状的对应的轮廓线，外轮廓的整个表面可以是圆滑过渡的，也可以是非圆滑过渡的，如在圆柱体状或曲率较大的球面体状的表面做了很多凸起和凹槽。
本实用新型实施例中所述的“锥状”是指沿着图示方向的一侧到另一侧其外轮廓的整体趋势逐渐变小的结构，外轮廓的其中一条轮廓线可以是线段，如圆锥体状的对应的轮廓线，也可以是圆弧，如球面体状的对应的轮廓线，外轮廓的整个表面可以是圆滑过渡的，也可以是非圆滑过渡的，如在圆锥体状或球面体状的表面做了很多凸起和凹槽。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种射束整形体，用于中子捕获治疗系统，其特征在于，所述射束整形体包括：
缓速体，用于将中子射束的中子减速至超热中子，所述中子射束限定射束轴线，所述缓速体沿着所述射束轴线延伸第一预设长度并且沿着所述射束轴线的径向方向延伸第一预设宽度；
反射体，包围所述缓速体，用于将偏离中子射束的中子反射回中子射束以提高中子射束强度，至少部分反射体沿着所述射束轴线延伸第二预设长度并且在所述缓速体之外沿着所述射束轴线的径向方向延伸第二预设宽度；及
超热中子通量增强体，用于提高中子射束中的超热中子通量，设置于所述缓速体中和/或所述反射体中和/或所述缓速体与所述反射体之间，所述超热中子通量增强体沿着所述射束轴线延伸第三预设长度并且沿着所述射束轴线的径向方向延伸第三预设宽度，其中，所述第三预设宽度小于所述第一预设宽度与所述第二预设宽度之和；
所述射束整形体还包括：射束入口，用于带电粒子束的射入；射束出口，用于所述中子射束的射出；所述射束入口、所述缓速体和所述射束出口沿着所述射束轴线延伸方向设置。
2.根据权利要求1所述的射束整形体，其特征在于，所述射束整形体还包括包围所述反射体的辐射屏蔽体，所述辐射屏蔽体用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述辐射屏蔽体沿着所述射束轴线延伸第四预设长度并且在所述反射体之外沿着所述射束轴线的径向方向延伸第四预设宽度。
3.根据权利要求1所述的射束整形体，其特征在于，所述超热中子通量增强体的材料为Ni。
4.根据权利要求1所述的射束整形体，其特征在于，所述超热中子通量增强体为筒状结构，所述超热中子通量增强体包括与所述射束轴线垂直的第一侧部和第二侧部以及围绕所述射束轴线周向封闭的第一壁和第二壁，所述第一侧部和第二侧部沿中子射束方向依次设置在所述筒状结构的两端，所述第一侧部设置第一中心孔，所述第一中心孔用于与射束入口结合，所述第二侧部设置第二中心孔，所述第二中心孔用于与射束出口结合。
5.根据权利要求4所述的射束整形体，其特征在于，所述超热中子通量增强体的第一侧部和/或第二侧部被构造为朝向所述射束轴线收缩的锥状结构，所述第一侧部的外轮廓的径向尺寸沿所述中子射束方向逐渐增大，所述第一中心孔的尺寸至少容纳射束入口，所述第二侧部的外轮廓的径向尺寸沿所述中子射束方向逐渐减小，所述第二中心孔的尺寸至少容纳射束出口。
6.根据权利要求5所述的射束整形体，其特征在于，所述超热中子通量增强体的厚度为1-8cm。
7.根据权利要求1所述的射束整形体，其特征在于，所述超热中子通量增强体为锥状结构，所述锥状结构包括与所述射束轴线垂直的第一端面和第二端面和围绕所述射束轴线周向封闭的第三壁和第四壁，所述第一端面和第二端面沿中子射束方向依次设置，所述第一端面与第二端面均设置为开口。
8.根据权利要求7所述的射束整形体，其特征在于，所述超热中子通量增强体的外轮廓的径向尺寸沿所述中子射束方向逐渐增大，所述第一端面邻接于所述缓速体位于所述中子射束上游侧的端面，所述第一端面的尺寸至少容纳射束入口。
9.根据权利要求7所述的射束整形体，其特征在于，所述超热中子通量增强体的外轮廓的径向尺寸沿所述中子射束方向逐渐减小，所述第二端面邻接于所述射束整形体位于所述中子射束下游侧的端面，所述第二端面的尺寸至少容纳射束出口。
10.一种中子捕获治疗系统，其特征在于，包括：
带电粒子束生成部，用于产生带电粒子束；
中子束生成部，用于产生中子束，包括靶材和射束整形体；及
射束传输部，将所述带电粒子束传输至所述中子束生成部，所述带电粒子束与所述靶材作用产生中子束，所述中子束经所述射束整形体慢化后形成中子捕获治疗所需的超热中子束。
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