CN221043280U - 一种h4_led驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种H4_LED驱动电路，属于LED驱动技术领域。包括整流电路、功率电路、远近光信号采样电路、温度采样电路、变光MOS管驱动电路、控制电路，所述的整流电路连接功率电路，所述的功率电路与变光MOS管驱动电路和控制电路连接，所述的温度采样电路与控制电路连接，所述的远近光信号采样电路与控制电路连接；电源经过整流电路后可把正负不确定的三相输入转化为直流，为各电路提供电源，控制电路可采样功率电路中电流采样电阻两端的电压，以实现恒流控制，同时控制电路可采样远近光信号采样电路中的远近光信号电压，通过控制电路控制变光MOS管驱动电路，最终切换远近光，控制电路还可以通过温度采样电路监控灯珠温度，从而调节灯珠电流。

Description

一种H4_LED驱动电路

技术领域

本实用新型属于LED驱动技术领域，具体涉及一种H4_LED驱动电路。

背景技术

随着国民经济及生活水平的提高，汽车工业技术正飞速发展。并且随着发光二极管技术的提高，其具有发光效率高、寿命长、色彩渲染效果良好等优点，因此广泛应用与车载照明产品中。目前汽车行业中对LED控制技术的要求也越来越高，而车用LED恒流驱动是车灯控制领域的重要内容之一，因此研究LED恒流驱动技术具有十分重要的意义，且运用在车上的LED通常需要具备远近光切换功能，因此本实用新型提供一种H4_LED驱动电路来实现上述功能。

发明内容

为了克服背景技术中提到的问题，本实用新型提供一种岩棉固化炉链条自动加油装置。本实用新型可实现恒流控制，同时控制电路可采样远近光信号采样电路中的远近光信号电压，通过控制电路控制变光MOS管驱动电路，最终切换远近光，控制电路还可以通过温度采样电路监控灯珠温度，从而调节灯珠电流。

为实现上述目的，本实用新型是通过如下技术方案实现的一种H4_LED驱动电路包括整流电路1、功率电路2、远近光信号采样电路3、温度采样电路4、变光MOS管驱动电路5、控制电路6，所述的整流电路1连接功率电路2，所述的功率电路2与变光MOS管驱动电路5和控制电路6连接，所述的温度采样电路4与控制电路6连接，所述的远近光信号采样电路3与控制电路6连接。

进一步的，所述的整流电路1包括二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8，所述二极管D3的阳极连接二极管D6的阴极，所述二极管D3的阴极与二极管D4的阴极连接，所述二极管D4的阳极与二极管D7的阴极连接，所述二极管D4的阴极还与二极管D5的阴极连接，所述二极管D5的阳极与二极管D8的阴极连接，所述二极管D6的阳极、二极管D7的阳极、二极管D8的阳极共同接地，所述二极管D5的阴极连接电容E1一端，所述电容E1的另一端接地，所述二极管D3、二极管D4、二极管D5的阳极上均连接有电源输入端。

进一步的，所述的功率电路2包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、发光二极管D1、发光二极管D2、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电感L1，所述的电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4并联，所述发光二极管D1阳极连接电阻R1一端，所述发光二极管D1阴极连接MOS管Q1的漏极，所述发光二极管D2的阳极连接电阻R4一端，所述发光二极管D2的阴极连接MOS管Q2的漏极，所述的MOS管Q1和MOS管Q2的源极连接电感L1一端，所述电感L1另一端连接MOS管Q4的漏极，所述MOS管Q4的源极接地，所述MOS管Q3的漏极连接电阻R4另一端，所述电阻R4另一端连接电容E1一端，所述MOS管Q3的源极连接MOS管Q4的漏极。

进一步的，所述的远近光信号采样电路3包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R11、电阻R12、电容C6、二极管D12、二极管D13、二极管D14、二极管D15、三极管Q5，所述二极管D12的阴极连接二极管D13的阳极，所述二极管D13的阴极连接电阻R7的一端，所述电阻R7的一端连接三极管Q5的发射极，所述二极管D14的阴极连接二极管D15的阳极，所述二极管D15的阴极连接电阻R7一端，所述二极管D14的极连接二极管D12的阳极，所述二极管D12的阳极还与电阻R8一端连接，所述电阻R8和电阻R7的另一端均与三极管Q5的基极连接，所述三极管Q5的集电极与电阻R12一端连接，所述电阻R12的另一端与电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端接地，所述电容C6并联在电阻R11两端，所述二极管D12的阴极与二极管D13的阳极之间连接有电源一端，二极管D14的阴极与二极管D15的阳极之间连接有电源公共端，所述电源一端和电源公共端之间连接有电阻R6。

进一步的，所述的温度采样电路4包括电阻R5、电容C5，所述电阻R5一端连接电源，所述电阻R5另一端连接电容C5的一端，所述电容C5的另一端接地。

进一步的，所述的变光MOS管驱动电路5包括三极管Q6、三极管Q7、稳压二极管D9、稳压二极管D10、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电阻R14，所述三极管Q6的集电极连接电阻R9的一端和稳压二极管D9的阴极，所述电阻R9的另一端为电压输入端，所述三极管Q6的发射极连接稳压二极管D9的阳极和接地，所述电阻R13并联在稳压二极管D9两端，所述稳压二极管D9的阴极还连接MOS管Q1的栅极，所述三极管Q7的集电极连接电阻R10的一端和稳压二极管D10的阴极，所述电阻R10的另一端为电压输入端，所述三极管Q7的发射极连接稳压二极管D10的阳极和接地，所述电阻R10并联在稳压二极管D10两端，所述稳压二极管D10的阴极还连接MOS管Q2的栅极。

进一步的，所述的控制电路6包括单片机U1和BOF9909芯片U2，所述BOF9909芯片U2的第2脚连接电阻R1一端，所述BOF9909芯片U2的第7脚连接MOS管Q4的栅极，所述BOF9909芯片U2的第4脚连接MOS管Q3的栅极，所述BOF9909芯片U2的第5脚连接MOS管Q4的漏极，所述BOF9909芯片U2的第3脚连接电容C3一端，所述电容C3另一端连接MOS管Q4的漏极，所述BOF9909芯片U2的第8脚连接单片机U1的第1脚上，所述BOF9909芯片U2的第6脚连接单片机U1的第2脚，所述单片机U1的第3脚连接电阻R11一端，所述单片机U1的第9脚连接电阻R5另一端，所述单片机U1的第8脚连接三极管Q6的基极，所述单片机U1的第7脚连接三极管Q7的基极。

本实用新型的有益效果：

本实用新型电源经过整流电路后可把正负不确定的三相输入转化为直流，为各电路提供电源，控制电路可采样功率电路中电流采样电阻两端的电压，以实现恒流控制，同时控制电路可采样远近光信号采样电路中的远近光信号电压，通过控制电路控制变光MOS管驱动电路，最终切换远近光，控制电路还可以通过温度采样电路监控灯珠温度，从而调节灯珠电流。

附图说明

图1是本实用新型流程图。

图2是本实用新型整流和功率电路图。

图3是本实用新型远近光信号采样电路图。

图4是本实用新型温度采样电路图。

图5是本实用新型变光MOS管驱动电路图。

图6是本实用新型控制电路图。

附图标记：图中整流电路1、功率电路2、远近光信号采样电路3、温度采样电路4、变光MOS管驱动电路5、控制电路6。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案和有益效果更加清楚，下面将结合附图，对本实用新型的优选实施例进行详细的说明，以方便技术人员理解。

如图1-6，本实用新型公开了一种H4_LED驱动电路，所述的一种H4_LED驱动电路包括整流电路1、功率电路2、远近光信号采样电路3、温度采样电路4、变光MOS管驱动电路5、控制电路6，所述的整流电路1连接功率电路2，所述的功率电路2与变光MOS管驱动电路5和控制电路6连接，所述的温度采样电路4与控制电路6连接，所述的远近光信号采样电路3与控制电路6连接；电源经过整流电路后可把正负不确定的三相输入转化为直流，为各电路提供电源，控制电路可采样功率电路中电流采样电阻两端的电压，以实现恒流控制，同时控制电路可采样远近光信号采样电路中的远近光信号电压，通过控制电路控制变光MOS管驱动电路，最终切换远近光，控制电路还可以通过温度采样电路监控灯珠温度，从而调节灯珠电流。

所述的整流电路1包括二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8，所述二极管D3的阳极连接二极管D6的阴极，所述二极管D3的阴极与二极管D4的阴极连接，所述二极管D4的阳极与二极管D7的阴极连接，所述二极管D4的阴极还与二极管D5的阴极连接，所述二极管D5的阳极与二极管D8的阴极连接，所述二极管D6的阳极、二极管D7的阳极、二极管D8的阳极共同接地，所述二极管D5的阴极连接电容E1一端，所述电容E1的另一端接地，所述二极管D3、二极管D4、二极管D5的阳极上均连接有电源输入端；二极管D3、二极管D4、二极管D5的阳极上均连接有电源输入端，即图2中的D_Light、N_Light和Common输入端，二极管D3-D8组成三相整流电路，把正负不确定的三相输入转化为直流，在电容E1两端获得一个稳定的直流电压。

所述的功率电路2包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、发光二极管D1、发光二极管D2、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电感L1，所述的电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4并联，所述发光二极管D1阳极连接电阻R1一端，所述发光二极管D1阴极连接MOS管Q1的漏极，所述发光二极管D2的阳极连接电阻R4一端，所述发光二极管D2的阴极连接MOS管Q2的漏极，所述的MOS管Q1和MOS管Q2的源极连接电感L1一端，所述电感L1另一端连接MOS管Q4的漏极，所述MOS管Q4的源极接地，所述MOS管Q3的漏极连接电阻R4另一端，所述电阻R4另一端连接电容E1一端，所述MOS管Q3的源极连接MOS管Q4的漏极；并联的R1-R4为电流取样电阻，整流后的电流首先经过R1-R4，控制电路可采集R1-R4两端电压；如果当前为近光灯模式，则MOS管Q1导通，MOS管Q2关闭；如果是远光灯模式，MOS管Q1的栅极则由高电平转为矩形波，MOS管Q2也由关闭转为导通；MOS管Q3、MOS管Q4交替导通，MOS管Q4导通时，电流经MOS管Q4流回电源负极，MOS管Q3导通时，电感L1产生右正左负的感应电压，电流由电感L1右端流出，经MOS管Q3回到电感L1左端。

所述的远近光信号采样电路3包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R11、电阻R12、电容C6、二极管D12、二极管D13、二极管D14、二极管D15、三极管Q5，所述二极管D12的阴极连接二极管D13的阳极，所述二极管D13的阴极连接电阻R7的一端，所述电阻R7的一端连接三极管Q5的发射极，所述二极管D14的阴极连接二极管D15的阳极，所述二极管D15的阴极连接电阻R7一端，所述二极管D14的极连接二极管D12的阳极，所述二极管D12的阳极还与电阻R8一端连接，所述电阻R8和电阻R7的另一端均与三极管Q5的基极连接，所述三极管Q5的集电极与电阻R12一端连接，所述电阻R12的另一端与电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端接地，所述电容C6并联在电阻R11两端，所述二极管D12的阴极与二极管D13的阳极之间连接有电源一端，二极管D14的阴极与二极管D15的阳极之间连接有电源公共端，所述电源一端和电源公共端之间连接有电阻R6；所述的电源公共端为图3中的Common端，电源一端为D_Light端或N_light端，Common端为电源公共端，或为正极，或为负极，D_Light或N_light为电源另一端，极性与Common端相反，当D_Light与Common形成回路时，将开启远光灯；例如假设Common为电源公共负极，若接通D_Light，即D_Light为电源正极，则二极管D13导通，三极管Q5基极电压由电阻R7、电阻R8分压后得到，分压后的电压需足以使二极管D14导通，此时三极管Q5发射结正偏，集电结反偏，三极管Q5导通，在电阻R11一端（Distant节点）产生电压信号，若D_Light处于断开状态，则三极管Q5无法导通，电阻R11一端（Distant节点）无电压信号；通过采样电阻R11一端（Distant节点）电压判定是否开启远光灯。

所述的温度采样电路4包括电阻R5、电容C5，所述电阻R5一端连接电源，所述电阻R5另一端连接电容C5的一端，所述电容C5的另一端接地；电阻R5为上拉电阻，热敏电阻位于灯珠附近，温度升高时，电阻R5另一端（Temperature节点）电压会降低，根据电阻R5另一端（Temperature节点）电压即可获知灯珠温度。

所述的变光MOS管驱动电路5包括三极管Q6、三极管Q7、稳压二极管D9、稳压二极管D10、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电阻R14，所述三极管Q6的集电极连接电阻R9的一端和稳压二极管D9的阴极，所述电阻R9的另一端为电压输入端，所述三极管Q6的发射极连接稳压二极管D9的阳极和接地，所述电阻R13并联在稳压二极管D9两端，所述稳压二极管D9的阴极还连接MOS管Q1的栅极，所述三极管Q7的集电极连接电阻R10的一端和稳压二极管D10的阴极，所述电阻R10的另一端为电压输入端，所述三极管Q7的发射极连接稳压二极管D10的阳极和接地，所述电阻R10并联在稳压二极管D10两端，所述稳压二极管D10的阴极还连接MOS管Q2的栅极；当单片机U1第8脚或第7脚（Ctrl1节点或Ctrl2节点）为高电平时，三级管Q5或三极管Q6导通，MOS管Q1的栅极或MOS管Q2的栅极（Ctrl3节点或Ctrl4节点）为低电平，反之亦然；电阻R9和电阻R10为限流电阻，稳压二极管D9和稳压二极管D10用于钳位Ctrl3节点和Ctrl4节点处的电压，电阻R13和电阻R14为MOS管下拉电阻。

所述的控制电路6包括单片机U1和BOF9909芯片U2，所述BOF9909芯片U2的第2脚连接电阻R1一端，所述BOF9909芯片U2的第7脚连接MOS管Q4的栅极，所述BOF9909芯片U2的第4脚连接MOS管Q3的栅极，所述BOF9909芯片U2的第5脚连接MOS管Q4的漏极，所述BOF9909芯片U2的第3脚连接电容C3一端，所述电容C3另一端连接MOS管Q4的漏极，所述BOF9909芯片U2的第8脚连接单片机U1的第1脚上，所述BOF9909芯片U2的第6脚连接单片机U1的第2脚，所述单片机U1的第3脚连接电阻R11一端，所述单片机U1的第9脚连接电阻R5另一端，所述单片机U1的第8脚连接三极管Q6的基极，所述单片机U1的第7脚连接三极管Q7的基极；BOF9909芯片U2第6引脚通过接收单片机U1输出的矩形波来调整功率，并且采样电流采样电阻两端电压，以此实现恒流控制；其第8脚输出5V电压为单片机供电，单片机采样热敏电阻电压值，根据电压大小控制所输出的矩形波占空比，单片机还监控远近光变光信号，根据信号让第7、8脚输出不同的电平，用来控制变光。

工作过程：

本实用新型的工作原理为：BOF9909芯片U2第6引脚通过接收单片机U1的第2脚输出的矩形波来调整功率，并且U2第2脚可采样电流采样电阻R1-R4两端电压，以此实现恒流控制，U2第8脚输出5V电压为单片机U1供电；单片机U1采样热敏电阻电压值，即单片机U1第9脚可采样Temperature节点的电压，根据电压大小控制所输出的矩形波占空比；单片机U1的第三脚可采样远近光信号采样电路中的电阻R11一端（Distant节点）产生电压信号，根据信号让第7、8脚输出不同的电平，用来控制切换远近光。

最后说明的是，以上优选实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管通过上述优选实施例已经对本实用新型进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离本实用新型权利要求书所限定的范围。

Claims (7)

1.一种H4_LED驱动电路，其特征在于：所述的H4_LED驱动电路包括整流电路（1）、功率电路（2）、远近光信号采样电路（3）、温度采样电路（4）、变光MOS管驱动电路（5）、控制电路（6），所述的整流电路（1）连接功率电路（2），所述的功率电路（2）与变光MOS管驱动电路（5）和控制电路（6）连接，所述的温度采样电路（4）与控制电路（6）连接，所述的远近光信号采样电路（3）与控制电路（6）连接。

2.如权利要求1所述的一种H4_LED驱动电路，其特征在于：所述的整流电路（1）包括二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8，所述二极管D3的阳极连接二极管D6的阴极，所述二极管D3的阴极与二极管D4的阴极连接，所述二极管D4的阳极与二极管D7的阴极连接，所述二极管D4的阴极还与二极管D5的阴极连接，所述二极管D5的阳极与二极管D8的阴极连接，所述二极管D6的阳极、二极管D7的阳极、二极管D8的阳极共同接地，所述二极管D5的阴极连接电容E1一端，所述电容E1的另一端接地，所述二极管D3、二极管D4、二极管D5的阳极上均连接有电源输入端。

3.如权利要求1所述的一种H4_LED驱动电路，其特征在于：所述的功率电路（2）包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、发光二极管D1、发光二极管D2、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电感L1，所述的电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4并联，所述发光二极管D1阳极连接电阻R1一端，所述发光二极管D1阴极连接MOS管Q1的漏极，所述发光二极管D2的阳极连接电阻R4一端，所述发光二极管D2的阴极连接MOS管Q2的漏极，所述的MOS管Q1和MOS管Q2的源极连接电感L1一端，所述电感L1另一端连接MOS管Q4的漏极，所述MOS管Q4的源极接地，所述MOS管Q3的漏极连接电阻R4另一端，所述电阻R4另一端连接电容E1一端，所述MOS管Q3的源极连接MOS管Q4的漏极。

4.如权利要求1所述的一种H4_LED驱动电路，其特征在于：所述的远近光信号采样电路（3）包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R11、电阻R12、电容C6、二极管D12、二极管D13、二极管D14、二极管D15、三极管Q5，所述二极管D12的阴极连接二极管D13的阳极，所述二极管D13的阴极连接电阻R7的一端，所述电阻R7的一端连接三极管Q5的发射极，所述二极管D14的阴极连接二极管D15的阳极，所述二极管D15的阴极连接电阻R7一端，所述二极管D14的阳极连接二极管D12的阳极，所述二极管D12的阳极还与电阻R8一端连接，所述电阻R8和电阻R7的另一端均与三极管Q5的基极连接，所述三极管Q5的集电极与电阻R12一端连接，所述电阻R12的另一端与电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端接地，所述电容C6并联在电阻R11两端，所述二极管D12的阴极与二极管D13的阳极之间连接有电源一端，二极管D14的阴极与二极管D15的阳极之间连接有电源公共端，所述电源一端和电源公共端之间连接有电阻R6。

5.如权利要求1所述的一种H4_LED驱动电路，其特征在于：所述的温度采样电路（4）包括电阻R5、电容C5，所述电阻R5一端连接电源，所述电阻R5另一端连接电容C5的一端，所述电容C5的另一端接地。

6.如权利要求1所述的一种H4_LED驱动电路，其特征在于：所述的变光MOS管驱动电路（5）包括三极管Q6、三极管Q7、稳压二极管D9、稳压二极管D10、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电阻R14，所述三极管Q6的集电极连接电阻R9的一端和稳压二极管D9的阴极，所述电阻R9的另一端为电压输入端，所述三极管Q6的发射极连接稳压二极管D9的阳极和接地，所述电阻R13并联在稳压二极管D9两端，所述稳压二极管D9的阴极还连接MOS管Q1的栅极，所述三极管Q7的集电极连接电阻R10的一端和稳压二极管D10的阴极，所述电阻R10的另一端为电压输入端，所述三极管Q7的发射极连接稳压二极管D10的阳极和接地，所述电阻R10并联在稳压二极管D10两端，所述稳压二极管D10的阴极还连接MOS管Q2的栅极。

7.如权利要求1所述的一种H4_LED驱动电路，其特征在于：所述的控制电路（6）包括单片机U1和BOF9909芯片U2，所述BOF9909芯片U2的第2脚连接电阻R1一端，所述BOF9909芯片U2的第7脚连接MOS管Q4的栅极，所述BOF9909芯片U2的第4脚连接MOS管Q3的栅极，所述BOF9909芯片U2的第5脚连接MOS管Q4的漏极，所述BOF9909芯片U2的第3脚连接电容C3一端，所述电容C3另一端连接MOS管Q4的漏极，所述BOF9909芯片U2的第8脚连接单片机U1的第1脚上，所述BOF9909芯片U2的第6脚连接单片机U1的第2脚，所述单片机U1的第3脚连接电阻R11一端，所述单片机U1的第9脚连接电阻R5另一端，所述单片机U1的第8脚连接三极管Q6的基极，所述单片机U1的第7脚连接三极管Q7的基极。