CN2208742Y - 电子回旋共振等离子体刻蚀机 - Google Patents
电子回旋共振等离子体刻蚀机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN2208742Y CN2208742Y CN 94242373 CN94242373U CN2208742Y CN 2208742 Y CN2208742 Y CN 2208742Y CN 94242373 CN94242373 CN 94242373 CN 94242373 U CN94242373 U CN 94242373U CN 2208742 Y CN2208742 Y CN 2208742Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- plasma
- vacuum
- magnetic field
- etching machine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本实用新型电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀
机涉及的是一种集成电路制作工艺中的微电子芯片
加工设备。结构具有真空室、微波系统、磁场、真空抽
放气系统、配气系统、监控系统,真空抽放气系统由机
械泵、扩散泵和相应管道、阀门组成,其特征是真空室
由等离子体发生室,等离子体约束室,处理室组成,等
离子体发生室外套有两组串接的磁场线圈,在等离子
体约束室周围均布永久磁钢,处理室内装有基片架。
Description
本实用新型电子共振(ECR)等离子刻蚀机涉及的是一种集成电路制作工艺中的微电子芯片加工设备。
现有等离子体刻蚀设备是用射频放电方法产生等离子体,用于微电子芯片刻蚀线宽一般只能达到微米以上,大面积均匀也存在问题,特别是离子损份严重,无法应用于更高集成度微电子芯片的加工。分析其中的原因为射频等离子体的运行气压高,等离子体密度较低,因而电离度很低。用于刻蚀离子刻蚀的份额相对少得多,因而各向异性和选择性不能提高,这就限制了刻蚀更细线宽的元件;射频电场具有加速离子的作用,因而射频等离子体能量分布的高能尾翼不可避免;此外两个大面积平板电极之间的射频放电不容易均匀也是显而易见的。
本实用新型的目的是针对目前等离子体刻蚀设备存在不足之处,提供一种电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀机,可以刻蚀加工更细线宽,更高集成度的微电子芯片,提高生产率和成品率,以适应对高频器件的加工,高效方便地进行离子能量刻蚀。
电子回旋共振等离子体刻蚀机是采取以下方案实现的:电子回旋共振等离子体刻蚀机主要结构包括真空室、微波系统、磁场、真空抽放气系统、配气系统、监控系统。真空室是本机的主机构件,由等离子体发生室,等离子体约室、处理室组成,其上部为等离子体发生室,中部为等离子体约束室,下部为处理室。其上方备有微波输入窗口和工作气体输入口,等离子体发生室内壁装有水冷套,等离子体约束室备有探针窗口,观察窗口,观察窗口也可供在线监测用。处理室上方装有装卸片子用的门,其下端为真空抽气口,真空室还配有规管接口和放气阀接口,真空处理室内还装有基片架。
微波系统由微波源、激励器、环形器调配器、负载、匹配器,及过渡段和相应波导组成。本系统微波源提供2450MHZ,50~600W的连续波,传输方式为TE10模,磁控管输出与负载的匹配由调配器调整和反射功率检测得到。
磁场:本实用新型等离子体发生室外套有两组串接的磁场线圈,磁场为发散形磁场位形,其中心磁感应强度为1200~1300高斯,其共振区875高斯位于等离子体发生室下口上方。在等离子体约速室周围均布若干列永久磁钢,共位形为多极场,其作用是约束等离子体。
真空抽放气系统:电子回旋共振等离子体刻蚀机配用的真空抽放气系统由机械泵、扩散泵和相应的管道、阀门组成,配有真空计。本底真空度为6.6×10-4Pa,除蝶阀手动控制外,所有的泵和阀门均为电动控制,因而操作十分方便。
配气系统:本实用新型具有三路配气、混合气和气流量监控系统,根据工艺要求三种配气可各路单独作用,亦可以同时取2~3种气体混合后输入使用,气流量可调范围大,并采用数字显示。
监控系统:监控系统由单片机组成的程序控制器控制基片架的移动,其工作方式有三种,可以手动控制操作,可以按刻蚀时间要求自动操作,还备有在线监测接口,在配上在线监测器后,可自动控制刻蚀终点。
电子回旋共振等离子体刻机是利用回旋共振微波放电产生等离子体,在发散形磁场位形下进行刻蚀,其重要的特点是既可以进行能量刻蚀,又可以进行反应刻蚀。采用本实用新型技术产品进行电子回旋共振(ECR)微波放电等离子体刻蚀,可以在低气压下形成大面积均匀、高密度等离子体,刻蚀具有高的各向异性,选择性和刻蚀速率,离子能量低,分布窄、对基片损伤很轻,因而是当今超大规模集成电路中干法刻蚀的高新技术产品。
以下将结合附图对本实用新型作进一步说明。
图1是电子回旋共振等离子体刻蚀机示意图。
图2是本实用新型真空室结构示意图。
图3是本实用新型磁场线圈结构示意图。
图4是本实用新型,等离子体约束周围分布磁钢结构示意图。
参照附图电子回旋共振等离子体刻蚀机主要结构具有真空室(4)、微波系统(1)、磁场(3)、(5),真空抽放气系统、配气系统、监控系统。真空室(4)由等离子体发生室(10)、等离子体约束室(12)、处理室(13)构成。真空室(4)上方装有微波输入窗口(2),工作气体输入口(15)用于输入反应气体(8),水冷套(9)装在等离子体发生室内壁,等离子体约束室备有两只探针窗口(16),两只观察窗口(11)。处理室(13)装有装卸片子的门(17),处理室下端设有真空抽气口(7)与真空抽放气系统相联接,真空室还配有规管接口和放气阀接口。真空处理室内还装有一个重要机构基片架(6),基片架由一个可装6只6吋片的园盘组成,园盘可沿主轴旋转,主轴与真空室(4)采取动密封结构。真空室可由不锈钢制作,微波窗口(2)采用石英玻璃,观察窗口(11)用光学玻璃,真空法兰间的密封用真空橡胶。
参照附图本实用新型真空室(4)的等离子体发生室(10)外套有两组串接的磁场线圈(3),磁场为发散形磁场位形,磁场线圈(3)与磁场电源(18)相连。在等离子体约束室(12)周围均布有12列永久磁钢(5)其位形为变极场,其作用是约束等离子体。
参照附图1,电子回旋共振等离子体刻蚀机当微波(1)同微波窗口(2)输入真空室(4)时,磁场线圈(3)通入电源产生磁场,在满足入射的微波频率ω等于电子的回旋频率ωce=eB/mc时,微波电场加速电子,通过共振耦合机制使电子获得能量,磁撞电离和激发中性气体形成活化的等离子体,等离子体在发散形磁场中双极扩散进入刻蚀处理室,对安装在基片架上的基片进行刻蚀,微波源采用工作频率为2.45GHZ的磁控管,输出功率可达800W,微波窗口(2)材料可选石英玻璃或AL2O3陶瓷,它兼有真空密封和电气绝缘两方面的作用,真空室(4)由不锈钢制作,根据工作需要内壁可配以铝皮的衬套,工作气体(8)一般为Ar、CF4、Sf6等,工作气压在1.3×10-1Pa左右,根据刻蚀不同的材料,基片上可以加入直流偏置或射频偏置,分别由DC和RF偏置电源提供。
Claims (4)
1、一种电子回旋共振等离子体刻蚀机,具有真空室、微波系统、磁场、真空抽放气系统、配气系统、监控系统,微波系统由微波源、激励器、环行器、调配器、负载、匹配器及过渡段和相应波导组成,真空抽放系统由机械泵、扩散泵、和相应的管道阀门组成,配有真空计,监控系统由单片机组成的程序控制器,其特征是真空室由等离子体发生室、等离子体约束室、处理室组成,其上部为等离子体发生室、中部为等离子体约束室、下部为处理室,等离子体发生室外套有两组串接的磁场线圈,在等离子体约束室周围均布永久磁钢,处理室内装有基片架。
2、根据权利要求1所述的电子回旋共振等离子体刻蚀机,其特征是真空室上方装有水冷套,等离子体约束室备有探针窗口,观察窗口,处理室上方装有装饰片子用的门,其下端为真空抽气口,真空室还配有规管接口、放气阀接口。
3、根据权利要求1所述的电子回旋共振等离子体刻蚀机,其特征是等离子体发生室外套有两组串接的磁场线圈,磁场为发散形磁场位形,磁场线圈与磁场电源相连。
4、根据权利要求1所述的电子回旋共振等离子体刻蚀机,其特征是等离子体约束周围均布有12列永久磁钢,其位形为变极场。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 94242373 CN2208742Y (zh) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 电子回旋共振等离子体刻蚀机 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 94242373 CN2208742Y (zh) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 电子回旋共振等离子体刻蚀机 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN2208742Y true CN2208742Y (zh) | 1995-09-27 |
Family
ID=33848978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 94242373 Expired - Fee Related CN2208742Y (zh) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 电子回旋共振等离子体刻蚀机 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN2208742Y (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100419944C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-09-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种等离子处理线圈 |
CN101789354A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-07-28 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 带扩散解离区域的等离子体处理装置 |
CN108350569A (zh) * | 2015-10-27 | 2018-07-31 | 法国原子能及替代能源委员会 | 用于通过电子回旋加速器共振等离子体制造非晶态碳层的设备 |
CN108932983A (zh) * | 2017-05-22 | 2018-12-04 | 成都达信成科技有限公司 | 一种用于核聚变实验设备等离子体高效输运的装置 |
CN110574500A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-12-13 | 春日电机株式会社 | 静电消除装置以及等离子体发生装置 |
US10984989B2 (en) | 2018-09-12 | 2021-04-20 | Kasuga Denki, Inc. | Charge neutralizer and plasma generator |
CN113652674A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-16 | 佛山市思博睿科技有限公司 | 一种基于磁约束等离子体超双疏膜层的制备装置及方法 |
-
1994
- 1994-08-09 CN CN 94242373 patent/CN2208742Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100419944C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-09-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种等离子处理线圈 |
CN101789354A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-07-28 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 带扩散解离区域的等离子体处理装置 |
CN101789354B (zh) * | 2010-02-11 | 2012-07-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 带扩散解离区域的等离子体处理装置 |
CN108350569A (zh) * | 2015-10-27 | 2018-07-31 | 法国原子能及替代能源委员会 | 用于通过电子回旋加速器共振等离子体制造非晶态碳层的设备 |
CN108932983A (zh) * | 2017-05-22 | 2018-12-04 | 成都达信成科技有限公司 | 一种用于核聚变实验设备等离子体高效输运的装置 |
CN110574500A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-12-13 | 春日电机株式会社 | 静电消除装置以及等离子体发生装置 |
CN110574500B (zh) * | 2018-09-12 | 2020-09-29 | 春日电机株式会社 | 静电消除装置以及等离子体发生装置 |
US10984989B2 (en) | 2018-09-12 | 2021-04-20 | Kasuga Denki, Inc. | Charge neutralizer and plasma generator |
CN113652674A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-16 | 佛山市思博睿科技有限公司 | 一种基于磁约束等离子体超双疏膜层的制备装置及方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4630566A (en) | Microwave or UHF plasma improved apparatus | |
CN2907173Y (zh) | 大面积并联高密度感应耦合等离子体源 | |
CN103695868B (zh) | 远程磁镜场约束线形等离子体增强化学气相沉积系统 | |
US8652953B2 (en) | Plasma doping method with gate shutter | |
CN2208742Y (zh) | 电子回旋共振等离子体刻蚀机 | |
CN1028588C (zh) | 微波等离子体的产生方法和装置 | |
CN209676566U (zh) | 微波天线调控磁增强线形等离子体源发生装置 | |
Pearton et al. | Measurement of electron densities in electron cyclotron resonance plasmas for etching of III‐V semiconductors | |
CN114959631A (zh) | 一种双端馈入微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置 | |
CN2404215Y (zh) | 非晶硅薄膜太阳能电池制作装置 | |
CN201114975Y (zh) | 用于电子回旋共振等离子体源的谐振腔体装置 | |
US20030080091A1 (en) | Method of processing a sample surface having a masking material and an anti-reflective film using a plasma | |
US20230260756A1 (en) | Multi-port Phase Compensation Nested Microwave-plasma Apparatus for Diamond Film Deposition | |
CN104733275B (zh) | 等离子体工艺设备 | |
CN115442951A (zh) | 基于波导缝隙馈电多模腔的双频微波低气压等离子源 | |
CN212688178U (zh) | 一种微波屏蔽管磁场增强平板pecvd设备 | |
CN209522922U (zh) | 微波等离子体化学气相沉积装置 | |
CN117702092B (zh) | 一种双椭球腔式微波等离子体化学气相沉积装置 | |
CN214321176U (zh) | 一种大面积均匀微波等离子体清洗机 | |
JPS6267822A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS5867870A (ja) | 磁界圧着マグネトロン形高速プラズマエッチングおよび反応性イオンエッチング装置 | |
CN219610349U (zh) | 一种微波批量等离子晶圆去胶系统 | |
CN1099221C (zh) | 一种提高离子源束流强度的方法 | |
CN118028972B (zh) | 一种tm多模微波等离子体化学气相沉积装置 | |
CN118398469B (zh) | 射频耦合离子束辐照装置及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |