CN220858068U - 温度补偿电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开的温度补偿电路，包括射频放大电路，所述射频放大电路包括LDMOS管，所述LDMOS管的栅极电路中设置有用于温度补偿的热敏电阻和二极管，所述二极管的阴极通过电阻R3连接LDMOS管的栅极，二极管的阳极连接电阻R5的一端、电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电源，电阻R5的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地,所述热敏电阻与电阻R5并联，LDMOS管的漏极为射频放大电路的输出端。本实用新型能够解决射频（RF）功率放大器中的温度变化对性能的影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种温度补偿电路。
背景技术
射频功率放大器（RF）是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。
在LDMOS管等射频功率放大器中，温度的变化可以使射频功率放大器增益发生变化，从而影响输出功率。
实用新型内容
为克服上述缺陷，本实用新型旨在提供一种温度补偿电路，能够解决射频（RF）功率放大器中的温度变化对性能的影响。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
温度补偿电路，包括射频放大电路，所述射频放大电路包括LDMOS管，所述LDMOS管的栅极电路中设置有用于温度补偿的热敏电阻和二极管，所述二极管的阴极通过电阻R3连接LDMOS管的栅极，二极管的阳极连接电阻R5的一端、电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电源，电阻R5的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地,所述热敏电阻与电阻R5并联，LDMOS管的漏极为射频放大电路的输出端。
优选的，所述热敏电阻为NTC型热敏电阻。
优选的，所述LDMOS管的漏极通过LC串联支路接地。
优选的，所述LC串联支路包括电感L1、电容C4、电容C5，所述电感L1的一端连接LDMOS管的漏极，电感L1的另一端连接电容C4的一端，电容C4的另一端接地，电容C5与电容C4并联。
进一步的，所述二极管的阴极通过电容接地。
优选的，所述电容为电容C1、电容C2、电容C3并联。
优选的，所述LDMOS管的源极接地。
本实用新型的原理如下：
本实用新型采用二极管、热敏电阻等非线性器件与原本的射频电路组合，当温度发射变化能够自动影响放大器栅极输入电压，从而平衡温度升高或降低导致的输出功率不一。具体的：
通过合理选择热敏电阻和二极管的参数，可以实现以下效应：
在低温环境中，热敏电阻的电阻值较高，二极管的电压降上升，从而栅极供电电路的电压较低，抵消LDMOS管在低温下的增益增加。
在高温环境中，热敏电阻的电阻值较低，二极管的电压降下降，从而栅极供电电路的电压较高，抵消LDMOS管在高温下的增益降低。
本实用新型的有益效果如下：
1、本实用新型通过热敏电阻和二极管来实现温度补偿，使得在不同温度下，放大器输出保持稳定，从而提高稳定性。
2、本实用新型的节能和效率：通过确保在不同温度条件下功率放大器的栅极供电电压稳定，可以有助于提高功率放大器的能效，减少功率损耗。
3、本实用新型的可靠性好，有助于延长设备的寿命，减少维护需求。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本实用新型进行进一步详细说明。
实施例1
本实施公开一种温度补偿电路，具体如图1所示：
包括射频放大电路，射频放大电路包括LDMOS管U1，LDMOS管U1的栅极电路中设置有用于温度补偿的热敏电阻R2和二极管D1，二极管D1的阴极通过电阻R3连接LDMOS管的栅极，二极管D1的阳极连接电阻R5的一端和电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电源，电阻R5的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地,热敏电阻R2与电阻R5并联，LDMOS管U1的漏极为射频放大电路的输出端，LDMOS管U1的源极接地。
本实施例中：
热敏电阻R2采用NTC型热敏电阻。
LDMOS管U1的漏极通过LC串联支路接地，具体的：
LC串联支路包括电感L1、电容C4、电容C5，所述电感L1的一端连接LDMOS管的漏极，电感L1的另一端连接电容C4的一端，电容C4的另一端接地，电容C5与电容C4并联。采用并联的电容C4、电容C5，便于调试。
二极管D1的阴极通过电容接地，具体的：所述电容为电容C1、电容C2、电容C3并联。并联的电容C1、电容C2、电容C3便于调试以及微调。
本实施例通过二极管、热敏电阻等非线性器件与原本的射频电路组合，当温度发射变化能够自动影响放大器栅极输入电压，从而平衡温度升高或降低导致的输出功率不一。
本实施例适用于在无线通信、雷达、卫星通信等，在上述领域中，射频功率放大器的稳定性至关重要；温度变化可能会导致输出功率波动，影响通信质量，本实施例公开的温度补偿电路可以帮助解决这一问题。
实施例2
在实施例1的基础上，本实施例公开该种温度补偿电路中各元器件的一组具体值：
电阻R1为910Ω，电阻R3为51Ω，电阻R4为1.3KΩ，热敏电阻R2为380KΩ,电感L1为33nH，电容C1为1nF，电容C2为0.1nF，电容C3为10pF，电容C4为22μF，电容C5为22μF。
电源电压采用+5V。
通过合理选择热敏电阻和二极管的参数，可以实现以下效应：
在低温环境中，热敏电阻R5的电阻值较高，二极管D1的电压降上升，从而使LDMOS管U1栅极供电电路的电压较低，抵消LDMOS管在低温下的增益增加。
在高温环境中，热敏电阻R5的电阻值较低，二极管D1的电压降下降，从而使LDMOS管U1栅极供电电路的电压较高，抵消LDMOS管在高温下的增益降低。
当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.温度补偿电路，其特征在于：包括射频放大电路，所述射频放大电路包括LDMOS管，所述LDMOS管的栅极电路中设置有用于温度补偿的热敏电阻和二极管，所述二极管的阴极通过电阻R3连接LDMOS管的栅极，二极管的阳极连接电阻R5的一端、电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电源，电阻R5的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地,所述热敏电阻与电阻R5并联，LDMOS管的漏极为射频放大电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于：所述热敏电阻为NTC型热敏电阻。
3.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于：所述LDMOS管的漏极通过LC串联支路接地。
4.根据权利要求3所述的温度补偿电路，其特征在于：所述LC串联支路包括电感L1、电容C4、电容C5，所述电感L1的一端连接LDMOS管的漏极，电感L1的另一端连接电容C4的一端，电容C4的另一端接地，电容C5与电容C4并联。
5.根据权利要求1-4任一项所述的温度补偿电路，其特征在于：所述二极管的阴极通过电容接地。
6.根据权利要求5所述的温度补偿电路，其特征在于：所述电容为电容C1、电容C2、电容C3并联。
7.根据权利要求5所述的温度补偿电路，其特征在于：所述LDMOS管的源极接地。
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- 2023-10-08 CN CN202322686494.0U patent/CN220858068U/zh active Active
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