CN220795536U - 一种光电单元及光模块 - Google Patents
一种光电单元及光模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220795536U CN220795536U CN202322595725.7U CN202322595725U CN220795536U CN 220795536 U CN220795536 U CN 220795536U CN 202322595725 U CN202322595725 U CN 202322595725U CN 220795536 U CN220795536 U CN 220795536U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- optical
- pad
- sub
- bonding pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 137
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 48
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 27
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 19
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 28804-46-8 Chemical compound ClC1CC(C=C2)=CC=C2C(Cl)CC2=CC=C1C=C2 VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 1
- 241000482268 Zea mays subsp. mays Species 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种光电单元及光模块,该光电单元包括:芯片载板,其设置有第一焊盘区和第二焊盘区,第一焊盘区与第二焊盘区电连接;光电组件,其置于芯片载板上且具有光电芯片,光电芯片具有光信号接口和电信号接口,电信号接口与第一焊盘区经金丝连接;光纤阵列,置于芯片载板上,用于连接光信号接口;致密膜层,其采用真空气相沉积方式,形成在芯片载板、金丝、光电芯片、及光信号接口和光纤阵列之间的光路表面。本申请实现小尺寸、封装独立的光电单元,便于组装及批量化生产;且采用沉积致密膜层对光电裸芯片及光路进行隔离防护,可靠性好,拓展了耐湿热、温变、气氛等复杂工况下使用场景。
Description
技术领域
本实用新型属于光通信技术领域,具体涉及一种光电单元及光模块。
背景技术
随着光通信产品在4G、5G及云服务快速推广和深入应用,对光收发模块的需求与日剧增,市场需求也朝着不断小型化、高速率、高密度、低功耗方向发展。24、48、96甚至192通道光模块一般是将多个4路或12路光电单元通过银浆贴装到印制板上,完成金丝键合后,使用多通道N合1光纤带逐一完成耦合,装配成一体。随着通道数的增加,相应的可靠性风险随之增加,任何一路光电信号不良或失效将导致整个光模块产品的功能失效,影响整个链路的通信,只能整体报废后更换新的光模块,成本巨大。
此外,光电裸芯片耐受恶劣环境的性能较差,在光模块中需要对光电裸芯片进行封装防护,使用透镜或防护罩封装内部存在光路空腔、封装困难的问题,而金属气密封装形式,工艺复杂,物料价格成本较高,且同时气密封装金属壳体及镀层释放的氢气可引起密封腔体内裸芯片有源区的性能下降,这也是气密封装光模块目前尚未解决的问题。
有些情况下也采用塑封技术来防护,但是塑封裸芯片受潮爆米花现象严重,且体积大、质量重,占据较大空间,不符合目前小型化、高集成度的要求。
实用新型内容
针对背景技术中指出的问题,本申请提供一种光电单元,实现小尺寸、封装独立的光电单元,便于组装及批量化独立生产;且采用沉积致密膜层对光电裸芯片及光路进行隔离防护,可靠性好,拓展了耐湿热、温变、气氛等复杂工况下使用场景。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案予以实现:
本申请涉及一种光电单元,包括:
芯片载板,其正面设置有第一焊盘区和第二焊盘区,所述第一焊盘区与所述第二焊盘区电连接;
光电组件,其置于所述芯片载板上且具有光电芯片,所述光电芯片具有光信号接口和电信号接口,所述电信号接口与所述第一焊盘区经金丝键合连接;
光纤阵列,其置于所述芯片载板上,用于连接所述光信号接口;
致密膜层,其采用真空气相沉积方式,形成在所述芯片载板、金丝、光电芯片、及所述光信号接口和光纤阵列之间的光路表面。
在本申请的一些实施例中,所述光电组件包括:
陶瓷块,其粘接于所述芯片载板上设置的模块粘贴区域;
光芯片,其贴装于所述陶瓷块上,且具有所述光信号接口;
电芯片,其贴装于所述陶瓷块上,且具有形成所述电信号接口的第一焊盘,所述第一焊盘经金丝键合与所述第一焊盘区电连接,所述光芯片和所述电芯片电连接。
在本申请的一些实施例中,所述电芯片贴装于所述陶瓷块的顶表面,所述电芯片上还设置有第二焊盘;
所述光芯片贴装于所述陶瓷块的外侧面,所述光芯片还设置第三焊盘;
所述第二焊盘和第三焊盘采用90度转接方式经金丝键合电连接。
在本申请的一些实施例中,所述第一焊盘包括第一子焊盘、第二子焊盘和第三子焊盘,所述第一子焊盘、第二子焊盘和第三子焊盘的位置均与所述第二焊盘的位置不同;
所述第一焊盘区包括位置均不同的第一子焊盘区、第二子焊盘区和第三子焊盘区;
所述第一子焊盘经金丝键合电连接所述第一子焊盘区,所述第二子焊盘经金丝键合电连接所述第二子焊盘区,所述第三子焊盘经金丝键合电连接所述第三子焊盘区。
在本申请的一些实施例中,所述第一子焊盘区、第二子焊盘区和第三子焊盘区分别置于所述模块粘贴区域周边。
在本申请的一些实施例中,所述陶瓷块的顶表面上设置有限位槽,所述限位槽具有一侧内壁和底壁,所述电芯片抵靠所述一侧内壁而置于所述底壁上;
所述光芯片置于所述陶瓷块与所述一侧内壁相对的外侧面上。
在本申请的一些实施例中,在所述光纤阵列中带纤端面和所述光信号接口之间填充光学胶。
采用光学胶,填充光信号接口和带纤端面之间的空腔,对光口进行防护,并且能够在对整个光电单元进行防护前对光纤进行耦合对准固定。
该光学胶为光学匹配胶,环氧材质,对850nm的红外光透过率大于95%,例如EPOXY公司的353ND胶。
在本申请的一些实施例中,所述光纤阵列中带纤端面所在的端部表面为倾斜面。
在本申请的一些实施例中,所述带纤端面所在的端部表面从上至下距离与所述带纤端面所在水平轴线垂直的垂向面的距离依次减小。
采用此种倾斜程度的倾斜面,方便在光信号接口和带纤端面之间填充光学胶。
本申请涉及的光电单元,相比现有技术,具有如下有益效果:
(1)该光电单元布置结构紧凑,集成度高且实现小尺寸设计;
(2)能够形成独立且标准的光电单元,具有通用性,适于批量生产,方便设计及组装装配;
(3)该光电单元具有独立的光口和作为第二焊盘区的电接口,方便与外部实现光连接和电连接;
(4)能够通过沉积致密膜层对光电芯片及光路进行隔离防护,工艺简单,提高光电单元耐受恶劣环境(例如耐湿热、温变、气氛等复杂工况环境)的可靠性,且致密膜层无应力,附着于防护器件和光路表面,包裹键合点,其热膨胀系数与金丝的热膨胀系数相兼容,提高键合金丝工序的可靠性,避免金丝断线、开线、脱线等不良;
(5)致密膜层质量小,实现光电单元轻型化需求。
本申请还涉及一种光模块,包括:
主电路板;
多个如上所述的光电单元,所述多个光电单元通过所述第二焊盘区与所述主电路板电连接,所述光纤阵列用于与外部光连接器连接。
采用多个独立封装的光电单元焊接至主电路板上,能够扩展应用以完成光模块的整体装配,且相对的多个光电单元是独立的,在某一光电单元损坏时,只单独更换该光电单元即可,不耽误其他光电单元的使用,提高整个光模块的使用可靠性。
结合附图阅读本实用新型实施方式的详细描述后,本实用新型的其他特点和优点将变得更加清楚。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型所提出的光电单元的一种实施例的结构图;
图2是本实用新型所提出的光电单元的一种实施例中光电组件的结构图;
图3是本实用新型所提出的光电单元的一种实施例中光电组件的结构图,其中未示出电芯片;
图4是本实用新型所提出的光电单元的一种实施例的主视图一;
图5是本实用新型所提出的光电单元的一种实施例的主视图二;
图6是本实用新型所提出的光电单元的一种实施例与光连接器连接的结构图;
图7是本实用新型所提出的光电单元的一种实施例中芯片载板的结构图一;
图8是本实用新型所提出的光电单元的一种实施例中芯片载板的结构图二。
附图标记:
100、光电单元;110、芯片载板;111、第二焊盘区;120、光电组件;121、陶瓷块;122、电芯片;1221、第一子焊盘;1222、第二子焊盘;1223、第三子焊盘;1224、第二子焊盘;123、光芯片;1231、第三焊盘;130、光纤阵列;131、带纤;132、端部表面;140、光学胶;150、限位槽;151、一侧内壁;152、底壁;160/160'、致密膜层;170、焊锡球;180/190、金丝;
200、光连接器。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本实用新型。此外,本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
参见图1至图8,本申请提出一种光电单元100,其具有小尺寸、集成度高且具有独立的电接口和光接口,方便与外部电部件电连接且与外部光连接器200光连接;并且该整个光电单元100采用由真空气相沉积方式形成的致密膜层160进行整体防护,提高该光电单元100适应恶劣环境的能力。
参见图1和图2,该光电单元100包括芯片载板110、光电组件120、光纤阵列130和致密膜层160。
该芯片载板110采用通用的芯片载板工艺制作,该芯片载板110为板状,作为整个光电单元100的载体。
芯片载板110的材质及尺寸可有多种选择,本申请芯片载板110选用陶瓷芯片载板。
参见图1至图6,芯片载板110的正面用于支撑光电组件120,因此,该正面上设置有第一焊盘区(未示出)。
该第一焊盘区可以设置有多个焊盘,且第一焊盘区用于焊接连接光电组件120。
为了将该芯片载板110连接到外部主电路板(未示出),该芯片载板110还会设置对外电接口,在本申请的一些实施例中,该对外电接口可以设置为与第一焊盘区电气连接的第二焊盘区111,用于整个光电单元100与外部主电路板的连接。
对应地,第二焊盘区111也会有多个焊盘。
第一焊盘区和第二焊盘区111均设置在芯片载板110的正面上时(参见图1),第一焊盘区可以通过芯片载板110内部走线与第二焊盘区111电连接;第一焊盘区设置在芯片载板110的正面,而第二焊盘区111设置在芯片载板110的背面(参见图7)时,第一焊盘区可以通过层间过孔和走线与第二焊盘区111电连接。
在本申请的一些实施例中,第一焊盘区用于芯片载板110与光电组件120的连接,具体地,参见图1和图2,光电组件120包括光电芯片,光电芯片具有电信号接口和光信号接口。
其中,光电芯片包括光芯片123和电芯片122,电芯片122和光芯片123电连接,电芯片122具有电信号接口,光芯片123具有光信号接口。
第一焊盘区用于将电芯片122和芯片载板110电连接,因此,第一焊盘区可以为电芯片键合盘,采用金丝键合工艺将电芯片122的电信号接口和芯片载板110的第一焊盘区经过金丝180进行电气连接。
在本申请的一些实施例中,为了装配光电组件120,芯片载板110上表面还包括模块粘贴区域(未示出),且第一焊盘区设置在该模块粘贴区域的周边,便于采用金丝键合工艺实现电芯片122和芯片载板110经过金丝180的电气连接。
光电组件120粘贴在该模块粘贴区域处。
在本申请的一些实施例中,该模块粘贴区域为芯片载板110上的一层铜皮。
为了满足光电组件120的散热需求,模块粘贴区域可以通过若干散热孔(未示出)与芯片载板110背面的铜焊盘连接,在光电组件120工作发热时,通过散热孔及铜焊盘将热量引导至外部,实现良好散热。
若第一焊盘区设置在芯片载板110的正面且第二焊盘区111设置在芯片载板110的背面(参见图7)时,如上所述的芯片载板110背面的铜焊盘可以为第二焊盘区111。
且为了方便第二焊盘区111与外部主电路板的电气连接,参见图8,可以在第二焊盘区111植低温焊锡球170。
采用低温焊锡SnBi焊球,熔点138℃,防止焊锡球170时对光电单元100内部器件产生影响。
在本申请的一些实施例中,第一焊盘区包括第一子焊盘区、第二子焊盘区和第三子焊盘区,第一子焊盘区、第二子焊盘区和第三子焊盘区均位于模块粘贴区域的四周。
设置多个子焊盘区的目的在于方便布置电芯片122和芯片载板110之间的电气连线。
第一子焊盘区、第二子焊盘区和第三子焊盘区的位置可以根据电芯片122和芯片载板110之间的电气接口的位置不同而设置,以方便电气连接。
当然,第一焊盘区中的子焊盘区的数量也不局限三个,根据需求设置,在此不做限制。
且该模块粘贴区域也为了限位光电组件120所在位置,以方便光电组件120的装配。
在本申请的一些实施例中,光电组件120经微组装工艺装配到芯片载板110上。
在本申请的一些实施例中,参见图2,光电组件120包括陶瓷块121、光芯片123和电芯片122,其中光芯片123和电芯片122分别贴装于陶瓷块121上。
为了实现电芯片122和第一焊盘区的连接,在电芯片122上还设置有第一焊盘和第二焊盘1224,第一焊盘用于与芯片载板110上的第一焊盘区经金丝180电气连接。
光芯片123上也具有第三焊盘1231,第二焊盘1224和第三焊盘1231也经金丝190电气连接。
在装配时,首先将光芯片123和电芯片122按如上所述的贴装在陶瓷块121上,然后金丝190连接光芯片123和电芯片122,之后再把整个陶瓷块121例如通过导电银浆粘贴至芯片载板110的模块粘贴区域,然后再通过金丝180将电芯片122和芯片载板110电气连接。
为了方便光芯片123的光信号接口和光纤阵列130的装配、以及电芯片122和第一焊盘区111的电气连接,参见图2,将光芯片123贴装于陶瓷块121的外侧面,将电芯片122贴装于陶瓷块121的顶表面上。
由于光芯片123贴装于陶瓷块121的外侧面,电芯片122贴装于陶瓷块121的顶表面,因此,第二焊盘1224和第三焊盘1231采用90度转接的方式经金丝键合电气连接,至此,完成了光电组件120的微组装工序。
为了方便电芯片122和芯片载板110之间的电气连接,对应第一焊盘区的第一子焊盘区、第二子焊盘区和第三子焊盘区,第一焊盘也对应包括第一子焊盘1221、第二子焊盘1222和第三子焊盘1223,第一子焊盘区、第二子焊盘区和第三子焊盘区的位置分别对应第一子焊盘1221、第二子焊盘1222和第三子焊盘1223的位置进行布置。
第一子焊盘1221经金丝180电气连接第一子焊盘区,第二子焊盘1222经金丝180电气连接第二子焊盘区,第三子焊盘1223经金丝180电气连接第三子焊盘区,实现电芯片122和芯片载板110之间的电气连接。
如上,完成光电组件120的电路连接。
在本申请的一些实施例中,为了定位电芯片122在陶瓷块121上的位置,参见图2和图3,在陶瓷块121的顶表面上开设有限位槽150,该限位槽150具有一侧内壁151和底壁152。
在本申请中,该限位槽150为L型限位槽。
电芯片122一侧抵靠该限位槽150的一侧内壁151置于底壁152上,光芯片123置于陶瓷块121与该一侧内壁151相对的外侧壁上。
电芯片122的第三焊盘1231设置在电芯片122靠近该一侧内壁151的一侧的上表面上。
如此,方便实现电芯片122和光芯片123经金丝190进行电气连接。
在本申请的一些实施例中,参见图1、图4和图5,光纤阵列130用于连接光电组件120的光信号接口,用于输出光电单元100产生的光信号。
光纤阵列130中带纤131与光电组件120的光信号接口连接,实现光信号传输。
在本申请的一些实施例中,采用现有成熟的光纤阵列130对准光信号接口进行有源耦合,监控耦合测试指标,例如,光信号和电响应信号的强度达到最优时,实现光路的耦合固定,完成光纤阵列130与光芯片123之间光路的对准连接。
此时,将光纤阵列130固定至是芯片载板110上。
在光纤阵列130与光信号接口连接的带纤131端面和光信号接口之间填充光学胶140150,以对两者之间光路空腔进行密封且对光路进行防护,防止污染光口,影响光信号传输。
在本申请的一些实施例中,光纤阵列130中带纤131端面所在的端部表面132是倾斜的。
在本申请的一些实施例中,参见图4和图5,带纤131端面所在的端部表面132从上至下距离与带纤131端面所在水平轴线垂直的垂向面的距离依次减小,如此,方便带纤131端面和光信号接口之间填充光学胶140。
在本申请的一些实施例中,带纤131端面所在的端部表面132与如上所述的垂向面之间的夹角形成例如7°到9°之间的夹角。
在本申请的一些实施例中,带纤131端面所在的端部表面132从上至下距离与带纤131端面所在水平轴线垂直的垂向面的距离依次增大,如此,在带纤131端面和光信号接口之间填充光学胶140时,需要从光电单元的侧面确认两者是否实现耦合对接。
光学胶140为光学匹配胶,环氧材质,对850nm的红外光透过率大于95%,例如EPOXY公司的353ND胶。
如上,完成光电组件120的电连接和光连接,此后,通过致密膜层160对整个光电单元100进行防护。
该致密膜层160采用真空气相沉积方式形成在芯片载板110、金丝180/190、光电芯片、及光信号接口和光纤阵列130之间的光路表面,以对芯片载板110、金丝180/190、光电芯片、及光信号接口和光纤阵列130之间的光路表面进行防护。
该致密膜层160质量轻,且附着在芯片载板110、金丝180/190、光电芯片、及光信号接口和光纤阵列130之间的光路表面,并包裹键合点,形成优良的隔离防护效果,从而提高光电单元100耐受恶劣环境(例如耐湿热、温变、气氛等复杂工况环境)的可靠性。
真空气相沉积过程不需要特殊工装,无组件尺寸限制,放在真空腔体内即可实现真空气相沉积,便于对组件进行批量沉积。
打线工艺其不可无所测试性,是整个组件中也是半导体行业中的关键工艺,塑封防护容易将金丝180/190拉断,使得金丝产生断线、开线、脱线等不良情况,皆因塑封器件与金丝180/190的热膨胀系数不匹配所致,而本申请中的致密膜层160的热膨胀系数能够与金丝的热膨胀系数相兼容,避免产生金丝断线、开线、脱线等不良情况,提高金丝180/190工序的可靠性。
在进行真空气相沉积之前,需要对芯片载板110上第一焊盘区进行遮挡防护,之后整个组件进行真空气相沉积,形成致密膜层160,气相沉积的膜层无应力、均匀、光滑且致密,沉积压力一定时控制沉积时间,达到膜层厚度要求,完成此过程。
需要说明的是,在镀膜前需要将待镀膜件烘烤除湿,且在镀膜结束后需要保压。
在本申请的一些实施例中,该致密膜层160为Parylene C膜层。
相比其他体系聚合物(例如,Parylene N、Parylene D、环氧树脂、聚氨酯等)隔离性能(例如,隔离氮气、氢气、氧气、二氧化碳、二氧化硫、水蒸气等)相比,Parylene C的性能都是优越的。
图4中虚线框示意出所形成的一种形式的致密膜层160,图5中虚线框示意出所形成的另一种形式的致密膜层160'。
在本申请中,致密膜层只要能够覆盖光电芯片、光电芯片与芯片载板110连接的键合点、光芯片123和电芯片122之间的键合点、金丝180/190、光信号接口和光纤阵列130连接的光路位置,即,包裹光路和键合点即可。
参见图4,致密膜层160能够覆盖部分芯片载板110、光电芯片、光电芯片与芯片载板110连接的键合点、光芯片123和电芯片122之间的键合点、金丝180/190、光信号接口和光纤阵列130连接的光路位置(即,通过覆盖光纤阵列130中基座涉及光路连接的部分来实现)。
参见图5,致密膜层160'能够覆盖整个芯片载板110和光纤阵列130的整个基座,相较于图4中示出的致密膜层160,图5中在工艺上更易于实现且易控制。
如此,使得制作成具有统一外形尺寸的标准光电单元100,其具有无源插拔的光口(即,光纤阵列130)和用于电气连接的电接口(即,第二焊盘区111)。
因此,本申请小型化、非气密封装的光电单元100,具有独立的与外部光连接器200(参见图6,光连接器例如MT插芯)对接的无源插拔光接口、以及独立电接口,可靠性好,操作简单;且采用光学胶140,对光路及光口进行防护,同时对芯片载板110、金丝180/190、光电芯片及光路进行非气密密封,使该光电单元100适于多种恶劣环境,提高整个光电单元100的使用可靠性。
该光电单元100作为标准光电单元,制作成本低,适合大批量生产,也可方便作为独立单元装配于光模块中,便于返修更换。
本申请还还涉及一种光模块,其包括主电路板(未示出)和多个光电单元,每个光电单元可以为如上参见图1中至图8所述的光电单元100。
多个光电单元100分别通过其对应的第二焊盘区111与主电路板电连接。
由于本实施例提供的光模块包括上述实施例提供的光电单元100,因此具备与上述光电单元100相同的有益效果,在此不再赘述。
将各光电单元100通过第二焊盘区111与主电路板焊接,完成电连接,再将光纤阵列130无源对接上外部MT插芯并固定后,完成光连接,至此即可完成光模块的整体装配,大大简化了操作工艺难度,提高了生产效率。
当然,以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种光电单元,其特征在于,包括:
芯片载板,其设置有第一焊盘区和第二焊盘区,所述第一焊盘区与所述第二焊盘区电连接;
光电组件,其置于所述芯片载板上且具有光电芯片,所述光电芯片具有光信号接口和电信号接口,所述电信号接口与所述第一焊盘区经金丝键合连接;
光纤阵列,其置于所述芯片载板上,用于连接所述光信号接口;
致密膜层,其采用真空气相沉积方式,形成在所述芯片载板、金丝、光电芯片、及所述光信号接口和光纤阵列之间的光路表面。
2.根据权利要求1所述的光电单元,其特征在于,所述光电组件包括:
陶瓷块,其粘接于所述芯片载板上设置的模块粘贴区域;
光芯片,其贴装于所述陶瓷块上,且具有所述光信号接口;
电芯片,其贴装于所述陶瓷块上,且具有形成所述电信号接口的第一焊盘,所述第一焊盘经金丝键合与所述第一焊盘区电连接,所述光芯片和所述电芯片电连接。
3.根据权利要求2所述的光电单元,其特征在于,
所述电芯片贴装于所述陶瓷块的顶表面,所述电芯片上还设置有第二焊盘;
所述光芯片贴装于所述陶瓷块的外侧面,所述光芯片还设置第三焊盘;
所述第二焊盘和第三焊盘采用90度转接方式经金丝键合电连接。
4.根据权利要求3所述的光电单元,其特征在于,
所述第一焊盘包括第一子焊盘、第二子焊盘和第三子焊盘,所述第一子焊盘、第二子焊盘和第三子焊盘的位置均与所述第二焊盘的位置不同;
所述第一焊盘区包括位置均不同的第一子焊盘区、第二子焊盘区和第三子焊盘区;
所述第一子焊盘经金丝键合电连接所述第一子焊盘区,所述第二子焊盘经金丝键合电连接所述第二子焊盘区,所述第三子焊盘经金丝键合电连接所述第三子焊盘区。
5.根据权利要求4所述的光电单元,其特征在于,
所述第一子焊盘区、第二子焊盘区和第三子焊盘区分别置于所述模块粘贴区域周边。
6.根据权利要求2所述的光电单元,其特征在于,
所述陶瓷块的顶表面上设置有限位槽,所述限位槽具有一侧内壁和底壁,所述电芯片抵靠所述一侧内壁而置于所述底壁上;
所述光芯片置于所述陶瓷块与所述一侧内壁相对的外侧面上。
7.根据权利要求1所述的光电单元,其特征在于,在所述光纤阵列中带纤端面和所述光信号接口之间填充光学胶。
8.根据权利要求7所述的光电单元,其特征在于,所述光纤阵列中带纤端面所在的端部表面为倾斜面。
9.根据权利要求7所述的光电单元,其特征在于,所述带纤端面所在的端部表面从上至下距离与所述带纤端面所在水平轴线垂直的垂向面的距离依次减小。
10.一种光模块,其特征在于,包括:
主电路板;
多个如权利要求1至9中任一项所述的光电单元,所述多个光电单元通过所述第二焊盘区与所述主电路板电连接,所述光纤阵列用于与外部光连接器连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322595725.7U CN220795536U (zh) | 2023-09-22 | 2023-09-22 | 一种光电单元及光模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322595725.7U CN220795536U (zh) | 2023-09-22 | 2023-09-22 | 一种光电单元及光模块 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220795536U true CN220795536U (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=90656982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202322595725.7U Active CN220795536U (zh) | 2023-09-22 | 2023-09-22 | 一种光电单元及光模块 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN220795536U (zh) |
-
2023
- 2023-09-22 CN CN202322595725.7U patent/CN220795536U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4873615A (en) | Semiconductor chip carrier system | |
EP1022822B1 (en) | Optical module | |
TWI303724B (en) | Opto-electronic module form factor having adjustable optical plane height | |
US6320257B1 (en) | Chip packaging technique | |
US10205298B2 (en) | Packaging structure for four-channel integrated tunable laser array chip | |
KR20030018642A (ko) | 스택 칩 모듈 | |
CN107340574A (zh) | 一种多通道并行光接收组件 | |
CN113534366A (zh) | 高密cpo硅光引擎 | |
KR101964853B1 (ko) | 광 인터페이스를 가지는 반도체 칩 패키지 | |
CN215297764U (zh) | 高密cpo硅光引擎 | |
CN220795536U (zh) | 一种光电单元及光模块 | |
CN113985540A (zh) | 一种800g光模块及其制备方法 | |
CN207051545U (zh) | 一种多通道并行光接收组件 | |
CN210866221U (zh) | 一种陶瓷光电耦合器 | |
CN105431006A (zh) | 一种低成本的光电模块 | |
GB2196178A (en) | Semiconductor chip carrier system | |
CN220455568U (zh) | 一种并行光电单元及光模块 | |
CN214254422U (zh) | 一种阵列化混合集成光电转换组件的封装结构 | |
CN215494242U (zh) | 一种含有光纤阵列的光电器件 | |
CN111416269B (zh) | 一种光发射装置 | |
CN219737843U (zh) | 一种高气密性微型高传输封装光模块 | |
WO2024001486A1 (zh) | 用于光通讯的光器件和光模块 | |
KR20180046912A (ko) | 광 인터페이스를 가지는 반도체 칩 패키지 | |
CN221528949U (zh) | 一种多通道光电转换模块的气密性封装结构 | |
CN219737826U (zh) | 周期极化铌酸锂波导器件的气密封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |