CN220776398U - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，包括：基板，包括沟槽；电容器，布置在基板上、在沟槽中；底部金属层，布置在基板上并且与电容器间隔开；以及薄膜晶体管，布置在底部金属层上，其中，电容器包括第一金属层、第二金属层和无机绝缘层，第一金属层与底部金属层布置在同一层中，第二金属层布置在第一金属层上，并且无机绝缘层布置在第一金属层与第二金属层之间。

Description

显示装置
本申请要求于2022年9月28日提交的韩国专利申请第10-2022-0123476号的优先权以及由此产生的所有权益，其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
诸如有机发光显示装置和液晶显示装置等的显示装置可以包括包含薄膜晶体管(TFT)、电容器和多条布线的阵列基板。阵列基板通常包括TFT、电容器和布线等的精细图案。包括这样的阵列基板的显示装置可以基于TFT、电容器和布线之间的复杂连接来操作。
实用新型内容
近来，随着对紧凑和高分辨率显示装置的需求增加，期望包括在这样的显示装置中的TFT、电容器和布线之间的有效空间设置、其中的连接结构的改善、其驱动方法的改善以及图像质量的改善。
一个或多个实施例包括一种具有改善的晶体管特性和确保的电容器容量的显示装置。然而，这样的技术问题是示例，并且本公开不限于此。
根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：基板，包括沟槽；电容器，布置在基板上、在沟槽中；底部金属层，布置在基板上并且与电容器间隔开；以及薄膜晶体管，布置在底部金属层上，其中，电容器包括第一金属层、第二金属层和无机绝缘层，第一金属层与底部金属层布置在同一层中，第二金属层布置在第一金属层上，并且无机绝缘层布置在第一金属层与第二金属层之间。
在实施例中，电容器的一部分可以具有与沟槽的形状相对应的形状。
在实施例中，第二金属层可以包括钛(Ti)。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：填充层，布置在第二金属层上并且填充第二金属层上的与沟槽相对应的区。
在实施例中，填充层可以包括旋涂玻璃(SOG)材料。
在实施例中，沟槽在平面图中可以具有椭圆形形状。
在实施例中，沟槽可以被提供为多个以包括多个沟槽。
在实施例中，多个沟槽中的每一个沟槽在平面图中可以具有椭圆形形状，并且多个沟槽在平面图中可以彼此分开。
在实施例中，第二金属层可以通过接触孔连接到布置在薄膜晶体管上的连接电极层。
在实施例中，连接电极层可以包括数据线，并且第二金属层可以电连接到数据线。
在实施例中，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体。
根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：基板，包括沟槽；电容器，在基板上，其中，电容器包括沿着沟槽的形状顺序地布置在基板上的第一金属层、无机绝缘层和第二金属层；以及填充层，布置在第二金属层上并且填充第二金属层上的与沟槽相对应的区，其中，填充层包括旋涂玻璃(SOG)材料。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：薄膜晶体管，布置在基板上。
在实施例中，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：底部金属层，布置在基板与薄膜晶体管之间。
在实施例中，第一金属层可以与底部金属层布置在同一层中。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：连接电极层，布置在第二金属层和薄膜晶体管上，其中，连接电极层可以电连接到第二金属层。
在实施例中，第二金属层可以包括与连接电极层的材料相同的材料。
在实施例中，沟槽可以被提供为多个以包括多个沟槽。
在实施例中，多个沟槽中的每一个沟槽在平面图中可以具有椭圆形形状，并且多个沟槽在平面图中可以彼此分开。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：像素电极，布置在连接电极层上；像素限定层，布置在像素电极上，其中，开口可以通过像素限定层被限定以暴露像素电极的一部分；中间层，填充开口；以及对电极，布置在中间层上。
附图说明
从结合附图的以下描述中，本公开的某些实施例的以上和其他特征将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的一部分的示意性平面图；
图2A和图2B是根据实施例的显示装置的像素的等效电路图；
图3是根据实施例的显示装置的示意性截面图；
图4是根据可替代的实施例的显示装置的示意性截面图；并且
图5A和图5B是根据实施例的显示装置的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更全面地描述本实用新型，在附图中示出各种实施例。然而，本实用新型可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本实用新型的范围。
由于本公开允许各种改变和众多实施例，因此某些实施例将在附图中被图示并且在书面的描述中被描述。本公开的效果和特征以及用于实现它们的方法将参照以下参照附图详细地描述的实施例来阐明。然而，本公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式来实施。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分，而不脱离本文的教导。
在本文中使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并且不旨在进行限制。如在本文中所使用的，“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外明确指示。例如，“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义，除非上下文另外明确指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”是指“和/或”。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”或“选自a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变体。
将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”或“包含”及其变体指定所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
将进一步理解的是，当层、区或元件被称为在另一层、区或元件“上”时，它可以直接或间接在另一层、区或元件上。即，例如，可以存在居间层、区或元件。
此外，诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语在本文中可以用于描述如各图中所图示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了各图中描绘的定向之外，相对术语还旨在涵盖设备的不同定向。例如，如果在各图中的一幅图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件“下”侧的元件将随之被定向在其他元件的“上”侧。因此，取决于图的特定定向，术语“下”可以涵盖“下”和“上”的定向两者。类似地，如果在各图中的一幅图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件“下面”或“下方”的元件将随之被定向在其他元件“上面”。因此，术语“下面”或“下方”可以涵盖上面和下面的定向两者。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上被解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
在本说明书中，“A和/或B”是指A或B或者A和B。
为了便于解释，附图中的元件的尺寸可能被夸大或缩小。作为示例，为了便于描述而任意地表示附图中所示的每个元件的尺寸和厚度，并且因此，本公开不必限于此。
在可以不同地实现某个实施例的情况下，可以以与描述的顺序不同的顺序执行特定的工艺顺序。作为示例，连续描述的两个工艺可以基本上同时执行或者以相反的顺序执行。
将理解的是，当层、区或元件被称为“连接到”另一层、区或元件时，它可以“直接连接到”另一层、区或元件，或者可以“间接连接到”另一层、区或元件而其他层、区或元件插入在它们之间。例如，将理解的是，当层、区或元件被称为“电连接”到另一层、区或元件时，它可以“直接电连接”到另一层、区或元件，或者可以“间接电连接”到另一层、区或元件而其他层、区或元件插入在它们之间。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制性)，如在本文中所使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并且是指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以是指在一个或多个标准偏差之内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％之内。
除非另外限定，否则在本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如那些在常用词典中限定的术语应被解释为具有与其在相关技术和本公开的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。
在本文中参照是理想化实施例的示意性图示的截面图示来描述实施例。因此，预期了例如由于制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，在本文中描述的实施例不应被解释为限于如在本文中所图示的区的特定形状，而要包括由于例如制造导致的形状的偏差。例如，图示或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，被图示的尖角可以被倒圆。因此，各图中图示的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示区的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
显示装置是被配置成显示图像的装置，并且可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、量子点发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器或等离子体显示器等。
在下文中，将参照附图描述实施例，在附图中，相同的附图标记始终指代相同的元件，并且省略了其任何重复的详细描述。在下文中，为了便于描述，将详细地描述显示装置是有机发光显示装置的实施例，但是根据实施例的显示装置不限于此，并且可替代地，显示装置可以是本领域已知的各种类型的显示装置中的另一种类型。
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1，在实施例中，显示装置的基板100可以被划分成显示区域DA和在显示区域DA周围的外围区域PA。显示装置可以被配置成通过使用从设置在显示区域DA中的多个像素P发射的光来显示图像。
每个像素P包括诸如有机发光二极管的显示元件并且可以被配置成发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在实施例中，每个像素P可以连接到包括薄膜晶体管(TFT)或电容器等的像素电路。像素电路可以连接到扫描线SL、与扫描线SL交叉的数据线DL和驱动电压线PL。扫描线SL可以在第一方向(或x方向)上延伸，并且数据线DL和驱动电压线PL可以在与第一方向交叉的第二方向(或y方向)上延伸。
当像素电路被驱动时，每个像素P可以被配置成发光，并且显示区域DA可以被配置成使用从像素P发射的光来显示预设图像。在这样的实施例中，如上所述，像素P可以被限定为配置成发射具有红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光的发射区域。
外围区域PA是没有设置像素P的区域并且可以是不显示图像的区域。印刷电路板和端子部分等可以设置在外围区域PA中，其中，印刷电路板包括内置驱动电路部分、电源线和配置成驱动像素P的驱动电路部分，并且驱动器集成电路(IC)连接到端子部分。
图2A和图2B是根据实施例的显示装置的像素的等效电路图。
参照图2A，在实施例中，每个像素P可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光元件OLED，其中，像素电路PC连接到扫描线SL和数据线DL。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且被配置成响应于扫描信号Sn而将数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1，其中，数据信号Dm通过数据线DL输入，并且扫描信号Sn通过扫描线SL输入。
电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且被配置成存储与从开关薄膜晶体管T2传送的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和电容器Cst，并且被配置成基于存储在电容器Cst中的电压来控制驱动电流，使得驱动电流可以从驱动电压线PL流到有机发光元件OLED。有机发光元件OLED可以连接到低于第一电源电压ELVDD的第二电源电压ELVSS。有机发光元件OLED可以被配置成发射具有与驱动电流相对应的预设亮度的光。
图2A示出像素电路PC包括两个薄膜晶体管和单个电容器的实施例，但是实施例不限于此。
参照图2B，在可替代的实施例中，每个像素P可以包括有机发光元件OLED和驱动有机发光元件OLED的像素电路PC，其中，像素电路PC包括多个薄膜晶体管。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、感测薄膜晶体管T3和电容器Cst。
扫描线SL可以连接到开关薄膜晶体管T2的栅电极G2，数据线DL可以连接到开关薄膜晶体管T2的源电极S2，并且电容器Cst的第一电极CE1可以连接到开关薄膜晶体管T2的漏电极D2。
相应地，开关薄膜晶体管T2可以被配置成响应于来自每个像素P的扫描线SL的扫描信号Sn而将数据线DL的数据电压供应到第一节点N。
驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1可以连接到第一节点N，驱动薄膜晶体管T1的源电极S1可以连接到配置成传送第一电源电压ELVDD的第一电源电压线PL1，并且驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1可以连接到有机发光元件OLED的阳极电极。
相应地，驱动薄膜晶体管T1可以被配置成基于其自身的源-栅电压(即，施加在第一电源电压ELVDD与第一节点N之间的电压)来调节流过有机发光元件OLED的电流量。
感测控制线SSL连接到感测薄膜晶体管T3的栅电极G3，感测薄膜晶体管T3的源电极S3连接到第二节点S，并且感测薄膜晶体管T3的漏电极D3连接到参考电压线RL。在可替代的实施例中，感测薄膜晶体管T3可以由扫描线SL而不是感测控制线SSL控制。
感测薄膜晶体管T3可以感测有机发光元件OLED的阳极电极的电位。感测薄膜晶体管T3可以被配置成响应于来自感测控制线SSL的感测信号SSn而将预充电电压从参考电压线RL供应到第二节点S，或者在感测时段期间将有机发光元件OLED的阳极电极的电压供应到参考电压线RL。
电容器Cst的第一电极CE1连接到第一节点N，并且电容器Cst的第二电极CE2连接到第二节点S。电容器Cst被充入分别供应到第一节点N和第二节点S的电压之间的电压差，并且被配置成将该电压差作为驱动薄膜晶体管T1的驱动电压供应。在实施例中，例如，电容器Cst可以被充入分别供应到第一节点N和第二节点S的数据电压Dm和预充电电压之间的电压差。
偏置电极BSM可以形成为与驱动薄膜晶体管T1相对应并且连接到感测薄膜晶体管T3的源电极S3。因为偏置电极BSM接收与感测薄膜晶体管T3的源电极S3的电位联动的电压，所以驱动薄膜晶体管T1可以被稳定。在可替代的实施例中，偏置电极BSM可以不连接到感测薄膜晶体管T3的源电极S3，而是连接到单独的偏置线。
有机发光元件OLED的对电极(例如，阴极)被配置成接收第二电源电压ELVSS。有机发光元件OLED可以被配置成通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流来发光。
图2B示出信号线(即，扫描线SL、感测控制线SSL和数据线DL)、参考电压线RL、第一电源线PL1和第二电源线PL2被提供到每个像素P的实施例，但是实施例不限于此。在可替代的实施例中，例如，信号线(即，扫描线SL、感测控制线SSL和数据线DL)中的至少一条和/或参考电压线RL、第一电源线PL1和第二电源线PL2可以由邻近的像素P共享。
薄膜晶体管的数量、电容器的数量和像素电路PC的电路设计不限于参照图2A和图2B描述的那些，并且薄膜晶体管的数量、电容器的数量和像素电路PC的电路设计可以进行各种改变或修改。
图3是根据实施例的显示装置的示意性截面图。
参照图3，根据实施例的显示装置可以包括包含沟槽TR的基板100、电容器Cst、驱动薄膜晶体管T1、连接电极层CM、有机发光元件OLED和薄膜封装层400。
基板100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属或者柔性或可弯曲材料。在基板100是柔性或可弯曲的实施例中，基板100可以包括包含聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。基板100可以具有单层结构或多层结构(其中的每一层包括选自上述材料中的至少一种)，并且在基板100具有多层结构的实施例中可以进一步包括无机层。在实施例中，例如，基板100可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
基板100可以包括沟槽TR。沟槽TR可以是在深度方向上从基板100的上表面凹进的区。沟槽TR的宽度可以在基板100的深度方向上减小，即，随着远离基板100的顶表面(或最上表面)而减少。沟槽TR可以通过光刻工艺在基板100上形成光刻胶图案并且然后通过使用光刻胶图案作为掩模的蚀刻工艺对基板100进行图案化来形成。
沟槽TR的深度TH可以是基板100的厚度的约10％或更小。沟槽TR的深度TH可以在约0.5微米(μm)至约2.5μm的范围内。沟槽TR可以与下面描述的电容器Cst重叠。
第一缓冲层111可以增加基板100的上表面的平坦度(或者在基板100上提供平坦的或平面化的上表面)，并且包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOx，其可以是ZnO和/或ZnO2)。第一缓冲层111可以沿着基板100的沟槽TR的形状设置。第一缓冲层111的一部分可以布置在沟槽TR内部。即，第一缓冲层111可以与沟槽TR重叠。可替代地，取决于基板100的种类和工艺条件，可以省略第一缓冲层111。
阻挡层(未示出)可以进一步布置在基板100与第一缓冲层111之间。阻挡层可以防止或减少杂质从基板100等渗透到半导体层A1。阻挡层可以包括无机材料、有机材料或有机/无机复合材料，并且具有单层结构或多层结构(其中的每一层包括选自无机材料和有机材料中的至少一种，其中，无机材料可以包括氧化物或氮化物)。
底部金属层BML和第一金属层ML1可以布置在第一缓冲层111上。底部金属层BML和第一金属层ML1可以包括遮光材料。底部金属层BML和第一金属层ML1可以包括选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。在实施例中，底部金属层BML可以具有钼单层、钼层和钛层堆叠的双层结构或者钛层、铝层和钛层堆叠的三层结构。
底部金属层BML可以设置成与驱动薄膜晶体管T1相对应。电压可以被施加到底部金属层BML。在实施例中，底部金属层BML可以用作图2B的偏置电极BMS。在这样的实施例中，例如，底部金属层BML可以连接到感测薄膜晶体管T3(参见图2B)的源电极S3(参见图2B)，并且源电极S3的电压可以被施加到底部金属层BML。另外，底部金属层BML可以防止外部光到达半导体层A1。相应地，驱动薄膜晶体管T1的特性可以被稳定。
第一金属层ML1可以与底部金属层BML布置在同一层中(或直接布置在同一层)。第一金属层ML1可以沿着基板100的沟槽TR的形状设置。第一金属层ML1的一部分可以布置在沟槽TR内部。即，第一金属层ML1可以与沟槽TR重叠。第一金属层ML1可以是电容器Cst的第一电极CE1。
第二缓冲层112可以覆盖底部金属层BML和第一金属层ML1，并且完全形成在基板100上(或者遍及基板100的整个上表面布置)。第二缓冲层112可以沿着基板100的沟槽TR的形状设置。第二缓冲层112的一部分可以布置在沟槽TR内部。即，第二缓冲层112可以与沟槽TR重叠。第二缓冲层112可以是无机绝缘层IIL并且可以用作电容器Cst的介电层。
第二缓冲层112可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOx，其可以是ZnO和/或ZnO2)。
半导体层A1和第二金属层ML2可以布置在第二缓冲层112上。
在实施例中，半导体层A1可以包括非晶硅或多晶硅。在可替代的实施例中，半导体层A1可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。在另一可替代的实施例中，半导体层A1可以包括Zn-氧化物类材料并且包括Zn-氧化物、In-Zn氧化物和Ga-In-Zn氧化物。在另一可替代的实施例中，半导体层A1可以包括在ZnO中包含诸如铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。半导体层A1可以包括沟道区、漏区和源区，其中，漏区和源区分别在沟道区的两个相反侧。半导体层A1可以具有单层结构或多层结构。
第二金属层ML2可以沿着沟槽TR的形状设置。第二金属层ML2的一部分可以布置在沟槽TR内部。即，第二金属层ML2可以与沟槽TR重叠。第二金属层ML2可以是电容器CST的第二电极CE2。第二金属层ML2可以通过接触孔CNT3连接到连接电极层CM。第二金属层ML2可以连接到数据线DL。
第二金属层ML2可以包括具有高导电性的材料。第二金属层ML2可以包括与下面描述的连接电极层CM的金属相同的金属。相应地，第二金属层ML2可以确保高接触电阻和可加工性。在实施例中，例如，第二金属层ML2可以包括钛(Ti)。在第二金属层ML2包括钛(Ti)的实施例中，可以改善粘合性。
填充层FL可以布置在第二金属层ML2上。填充层FL可以填充第二金属层ML2上的与沟槽TR相对应的区。填充层FL可以平坦化当布置在基板100上的第一缓冲层111、第一金属层ML1、第二缓冲层112和第二金属层ML2以沟槽TR的形式被提供时生成的不平整。
填充层FL可以包括旋涂玻璃(SOG)材料。SOG是具有混合笼网结构的有机材料和无机材料的复合材料，并且是在约400℃或更高的温度下通过退火转换成SiO2的材料。填充层FL可以通过旋涂形成。在填充层FL包括SOG材料的情况下，可以改善高温耐热性。
另外，与使用化学机械抛光(CMP)以平坦化由沟槽TR形成的不平整相比，通过采用通过涂覆和烘烤相对简单地形成层的SOG材料可以简化工艺。
在实施例中，SOG材料可以包括二氧化硅和有机材料。在这样的实施例中，有机材料可以是硅氧烷类化合物或光敏聚酰亚胺(PSPI)。可替代地，SOG材料可以包括硅酸盐、硅氧烷、甲基倍半硅氧烷(MSQ)、氢倍半硅氧烷(HSQ)、全氢聚硅氮烷((SiH2NH)n)、聚硅氮烷或其混合物。
栅电极G1可以布置在半导体层A1上而栅绝缘层113在栅电极G1与半导体层A1之间，以至少部分地与半导体层A1重叠。栅电极G1可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的至少一种，并且可以具有单层结构或多层结构。在实施例中，例如，栅电极G1可以包括单个Mo层。
可以提供层间绝缘层115以覆盖栅电极G1。层间绝缘层115可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOx，其可以是ZnO和/或ZnO2)。
连接电极层CM可以布置在层间绝缘层115上。连接电极层CM可以包括源电极S1、漏电极D1和数据线DL。源电极S1和漏电极D1可以分别通过接触孔CNT1和CNT2连接到半导体层A1的源区和漏区。连接电极层CM可以通过接触孔CNT3连接到第二金属层ML2。包括在连接电极层CM中的数据线DL可以电连接到第二金属层ML2。
连接电极层CM可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且具有单层结构或多层结构(其中的每一层包括选自上述材料中的至少一种)。在实施例中，例如，连接电极层CM可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。在这样的实施例中，因为通过接触孔CNT3连接到连接电极层CM的第二金属层ML2包括与连接电极层CM的材料相同的材料的钛(Ti)，所以可以确保高接触电阻和可加工性，并且可以改善粘合性。
参照图3，根据实施例的显示装置可以包括包含沟槽TR的基板100、布置在基板100上的电容器Cst、底部金属层BML以及布置在底部金属层BML上的薄膜晶体管T1。薄膜晶体管T1可以包括源电极S1、半导体层A1、漏电极D1和栅电极G1。
电容器Cst可以包括第一金属层ML1、第二金属层ML2和无机绝缘层IIL，其中，第一金属层ML1沿着沟槽TR的形状布置在基板100上，第二金属层ML2沿着沟槽TR的形状布置在第一金属层ML1上，并且无机绝缘层IIL布置在第二金属层ML2与第一金属层ML1之间。第一金属层ML1可以与底部金属层BML布置在同一层中(或直接布置在同一层)。
在实施例中，如图3中所示，无机绝缘层IIL可以是第二缓冲层112的一部分，或者与第二缓冲层112一体地形成为单个整体且不可分割的部分，但是不限于此。可替代地，无机绝缘层IIL可以是与第二缓冲层112分开提供的层。无机绝缘层IIL可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。
第一金属层ML1可以与第二金属层ML2重叠。第一金属层ML1可以是电容器Cst的第一电极CE1，并且第二金属层ML2可以是电容器Cst的第二电极CE2。第一金属层ML1和第二金属层ML2可以构成电容而无机绝缘层IIL在第一金属层ML1与第二金属层ML2之间。在这样的实施例中，无机绝缘层IIL可以用作电容器Cst的介电层。
在这样的实施例中，因为第一金属层ML1和第二金属层ML2沿着沟槽TR的形状布置，所以可以增加电容器Cst的表面积。
在这样的实施例中，因为第一金属层ML1和第二金属层ML2沿着由沟槽TR形成的不平整被三维地提供，所以与一般二维结构的情况相比，可以增加电容器Cst的表面积。参照图3，在电容器Cst形成在第一区域CA1中的情况下，与第一金属层ML1和第二金属层ML2平行于基板100二维地布置的情况相比，当第一金属层ML1和第二金属层ML2沿着沟槽TR的形状布置时，电容器Cst的表面积可以更宽。相应地，在这样的实施例中，可以增加电容器Cst的电容。
即，因为根据实施例的显示装置包括与第一金属层ML1和第二金属层ML2重叠的沟槽TR，所以电容器Cst的电容可以取决于沟槽TR的深度TH而增加。另外，增加了第一金属层ML1的截面积并且可以减小第一金属层ML1的电阻。
在这样的实施例中，因为电容器Cst通过使用与是布置在显示装置的最下部的金属层的底部金属层BML相同的层形成，所以可以减少通过其他布线设计电容器Cst的位置的限制。
平坦化层118可以布置在连接电极层CM上，并且有机发光元件OLED可以布置在平坦化层118上。
平坦化层118可以提供平坦的上表面并且具有单层结构或多层结构(其中的每一层包括有机材料)。平坦化层118可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物。
有机发光元件OLED布置在平坦化层118上、在基板100的显示区域DA中。有机发光元件OLED包括像素电极310、中间层320和对电极330，其中，中间层320包括有机发射层。
像素电极310可以是(半)透光电极或反射电极。在实施例中，像素电极310可以包括反射层和在反射层上的透明或半透明电极层，其中，反射层包括选自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物中的至少一种。透明或半透明电极层可以包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、锌氧化物(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。在实施例中，例如，像素电极310可以包括ITO/Ag/ITO。
像素限定层119可以布置在平坦化层118上。像素限定层119可以利用穿过其限定的开口而限定像素的发射区域以与显示区域DA中的每个子像素相对应(即，利用穿过其限定的开口OP而限定像素的发射区域以至少暴露像素电极310的中心部分)。另外，像素限定层119可以通过增加每个像素电极310的边缘与遍及像素电极310的对电极330之间的距离来防止在每个像素电极310的边缘处发生电弧等。
像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等的有机绝缘材料，并且可以通过使用旋涂等来形成。
有机发光元件OLED的中间层320可以包括有机发射层。有机发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。有机发射层可以包括聚合物有机材料或低分子量有机材料。功能层可以选择性地进一步设置在有机发射层之下和有机发射层上，功能层包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。中间层320可以布置成与多个像素电极310相对应。然而，本实施例不限于此。中间层320可以包括是遍及多个像素电极310的单个整体且不可分割的主体的层。然而，可以进行各种修改。
对电极330可以是透光电极或反射电极。在实施例中，对电极330可以是透明或半透明电极，并且可以包括：包含Li、Ca、Al、Ag、Mg或其化合物(例如，LiF)并且具有小功函数的薄金属膜，或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。另外，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物(TCO)层可以进一步设置在薄金属膜上。对电极330可以遍及显示区域DA和外围区域PA设置，并且布置在中间层320和像素限定层119上。对电极330可以形成为遍及多个有机发光元件的单个整体且不可分割的主体以与多个像素电极310相对应。
用于防止掩模压印的间隔件119s可以进一步布置在像素限定层119上。间隔件119s可以与像素限定层119一体地形成。在实施例中，例如，间隔件119s和像素限定层119可以在使用半色调掩模工艺的同一工艺期间同时形成。
因为有机发光元件OLED可能易于被外部湿气或氧气等损坏，所以有机发光元件OLED可以通过被薄膜封装层400覆盖来保护。薄膜封装层400可以覆盖显示区域DA并且延伸到显示区域DA的外部。薄膜封装层400包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在实施例中，例如，薄膜封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可以覆盖对电极330并且包括硅氧化物、硅氮化物和/或硅三氧基氮化物。尽管未示出，但是当需要时，诸如封盖层的其他层可以布置在第一无机封装层410与对电极330之间。因为第一无机封装层410沿着在其之下的结构形成，所以其上表面是不平坦的。有机封装层420可以覆盖第一无机封装层410，并且与第一无机封装层410不同，有机封装层420的上表面可以是近似平坦的。具体地，有机封装层420的与显示区域DA相对应的部分的上表面可以是近似平坦的。有机封装层420可以包括选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种材料。第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420，并且包括硅氧化物、硅氮化物和/或硅三氧基氮化物。
即使当薄膜封装层400内部发生裂缝时，薄膜封装层400也可以通过上述多层结构防止裂缝连接在第一无机封装层410与有机封装层420之间或者有机封装层420与第二无机封装层430之间。在这样的实施例中，可以有效地防止或基本上减少外部湿气或氧气穿透显示区域DA的路径的形成。
图4是根据可替代的实施例的显示装置的示意性截面图。在图4中，与图3的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且因此，省略了其任何重复的详细描述。
参照图4，根据实施例的显示装置可以包括包含沟槽TR的基板100、布置在沟槽TR内部的电容器Cst、与电容器Cst分开的底部金属层BML以及布置在底部金属层BML上的薄膜晶体管T1。电容器Cst可以包括第一金属层ML1、无机绝缘层IIL和第二金属层ML2，其中，第一金属层ML1与底部金属层BML布置在同一层中(或直接布置在同一层)，并且无机绝缘层IIL和第二金属层ML2与第一金属层ML1重叠。
根据实施例，基板100可以包括多个沟槽TR。第一金属层ML1和第二金属层ML2可以沿着沟槽TR的形状设置。第一金属层ML1和第二金属层ML2可以设置在沟槽TR内部。
无机绝缘层IIL可以布置在第一金属层ML1与第二金属层ML2之间。与第一金属层ML1和第二金属层ML2相同，无机绝缘层IIL可以沿着多个沟槽TR的形状布置。无机绝缘层IIL可以布置在沟槽TR内部。在实施例中，如图4中所示，无机绝缘层IIL可以是第二缓冲层112的一部分，但是不限于此。可替代地，无机绝缘层IIL可以是与第二缓冲层112分开提供的层。无机绝缘层IIL可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。
第一金属层ML1和第二金属层ML2可以彼此重叠并且构成电容。在这样的实施例中，第一金属层ML1与第二金属层ML2之间的无机绝缘层IIL可以用作介电层。
参照图4，第一金属层ML1和第二金属层ML2可以沿着多个沟槽TR的形状布置以增加表面积。在这样的实施例中，即使在沟槽TR的深度TH与图3的实施例中所示的沟槽TR的深度TH相同的情况下，表面积也随着多个沟槽TR被提供而进一步增加。在这样的实施例中，即使在图3的第一区域CA1是与图4的第二区域CA2相同的区域的情况下(即，当同一区域中的沟槽TR的数量增加时)，其表面积也可以进一步增加。
在实施例中，可以进一步提供布置在第二金属层ML2上并且填充与沟槽TR相对应的区的填充层FL。填充层FL可以被配置成填充多个沟槽TR。填充层FL可以包括SOG材料。
图5A和图5B是根据实施例的显示装置的平面图。沟槽TR可以在平面图中或当在基板100的厚度方向上观看时被以椭圆形形状提供。图5A和图5B示出在包括多个沟槽TR的实施例中的平面，其中，每个沟槽TR具有椭圆形平面形状。图5A和图5B中的多个椭圆形形状可以彼此分开。在图5A和图5B中，椭圆形形状的内部表示包括SOG材料的填充层FL，并且椭圆形形状的外部表示第二金属层ML2。
如图5A和图5B中所示，在同一区中沟槽TR被以椭圆形而非圆形提供的实施例中，沟槽TR可以由于椭圆形的具有长轴与短轴之间的长度差的特性而更密集地设置。具体地，与图5A相比，在如图5B中所示的平面图中，在沟槽TR被以压缩椭圆形提供的实施例中，沟槽TR可以更密集地设置。比图5A的椭圆形压缩更多的椭圆形是指图5B的椭圆形在短轴方向上被挤压的形状。这可以是指椭圆形的短轴的长度进一步减少的形状。
在实施例中，因为沟槽TR在平面图中被以椭圆形形状提供，所以可以增加包括第一金属层ML1和第二金属层ML2的电容器Cst的表面积。相应地，可以进一步增加电容。可替代地，沟槽TR可以在平面图中被以诸如圆形或多边形而不是椭圆形的形状提供。
根据实施例的显示装置可以通过包括基板100以及沿着沟槽TR的形状顺序地布置的第一金属层ML1、无机绝缘层IIL和第二金属层ML2来包括电容器的增加的电容，其中，基板100包括沟槽TR。在这样的实施例中，可以通过提供多个沟槽TR或者在平面图中以椭圆形形状提供沟槽TR的形状来最大化电容的增加。因为第一金属层ML1与是最下金属层的底部金属层BML布置在同一层中，所以可以减少电容器的设计的限制。
根据实施例，可以提供充分确保电容器的电容并且防止图像质量劣化的显示装置。
本实用新型不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本实用新型的构思。
虽然已经参照本实用新型的实施例具体地示出和描述了本实用新型，但是本领域普通技术人员将理解的是，可以在形式和细节上对其进行各种改变，而不脱离由权利要求书所限定的本实用新型的精神或范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括沟槽；
电容器，布置在所述基板上、在所述沟槽中；
底部金属层，布置在所述基板上并且与所述电容器间隔开；以及
薄膜晶体管，布置在所述底部金属层上，
其中，所述电容器包括第一金属层、第二金属层和无机绝缘层，
所述第一金属层与所述底部金属层布置在同一层中，
所述第二金属层布置在所述第一金属层上，并且
所述无机绝缘层布置在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电容器的一部分具有与所述沟槽的形状相对应的形状。
3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
填充层，布置在所述第二金属层上并且填充所述第二金属层上的与所述沟槽相对应的区。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽在平面图中具有椭圆形形状。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，所述沟槽被提供为多个以包括多个沟槽。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述多个沟槽中的每一个沟槽在平面图中具有椭圆形形状，并且
所述多个沟槽在所述平面图中彼此分开。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二金属层通过接触孔连接到布置在所述薄膜晶体管上的连接电极层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述连接电极层包括数据线，并且
所述第二金属层电连接到所述数据线。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体。
10.根据权利要求8所述的显示装置，进一步包括：
像素电极，布置在所述连接电极层上；
像素限定层，布置在所述像素电极上，其中，开口通过所述像素限定层被限定以暴露所述像素电极的一部分；
中间层，填充所述开口；以及
对电极，布置在所述中间层上。
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