CN220731149U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置包括：显示面板，包括像素；温度传感器，感测显示面板的温度并且输出显示面板的温度作为感测温度；第一补偿部，接收在像素中感测到的栅‑源电压作为感测电压，并且利用栅‑源电压的与参考温度和感测温度之间的差值相对应的变化量来补偿感测电压；以及第二补偿部，通过将补偿后的感测电压与初始栅‑源电压进行比较来补偿待施加到像素的数据。

Description

显示装置

本申请要求于2022年7月12日递交的韩国专利申请第10-2022-0085468号的优先权以及从其获得的所有权益，其内容通过引用整体并入本文。

技术领域

在本文中描述的本公开的实施例涉及显示装置及其驱动方法。

背景技术

通常，诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航系统和智能电视的向用户提供图像的电子装置包括用于显示图像的显示装置。显示装置生成图像，并且通过其显示屏向用户提供生成的图像。

显示装置通常包括包含用于生成图像的多个像素的显示面板、用于将扫描信号施加到像素的扫描驱动器、用于将数据电压施加到像素的数据驱动器以及用于将操作电压施加到像素的电压发生器。像素可以响应于扫描信号而接收数据电压，并且然后可以通过使用数据电压和操作电压来生成图像。

实用新型内容

在显示装置中，每个像素可以包括晶体管和连接到晶体管的发光元件。随着像素的使用时间增加，晶体管可能劣化(例如，性能可能下降)。随着晶体管劣化，晶体管的电流-电压(I-V)曲线可能改变。

当晶体管劣化时，即使将相同的电压施加到晶体管，流过晶体管的电流也可能减小。此外，晶体管的I-V曲线可能根据显示面板的温度而被改变。相应地，期望根据晶体管的劣化状态和显示面板的温度来补偿施加到晶体管的数据电压。

本公开的实施例提供用于根据晶体管的劣化状态和显示面板的温度来补偿施加到晶体管的数据电压的显示装置及其驱动方法。

根据实施例，显示装置包括：显示面板，包括像素；温度传感器，感测显示面板的温度并且输出显示面板的温度作为感测温度；第一补偿部，接收在像素中感测到的栅-源电压作为感测电压，并且利用栅-源电压的与参考温度和感测温度之间的差值相对应的变化量来补偿感测电压；以及第二补偿部，通过将补偿后的感测电压与初始栅-源电压进行比较来补偿待施加到像素的数据。

根据实施例，显示装置的驱动方法包括：设置参考温度；感测包括像素的显示面板的温度作为感测温度；感测像素的栅-源电压作为感测电压；利用栅-源电压的与参考温度和感测温度之间的差值相对应的变化量来补偿感测电压；以及通过将补偿后的感测电压与初始栅-源电压进行比较来补偿待施加到像素的数据。

附图说明

通过参考附图详细描述本公开的实施例，本公开的实施例的上述和其他特征将变得明显，附图中：

图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图；

图2是图1中示出的显示装置的框图；

图3是图2中示出的显示装置的平面图；

图4是图示图3中示出的像素的等效电路的图；

图5是用于描述图4中示出的像素的操作的信号的时序图；

图6是用于描述图4中示出的像素的在显示时段中的操作的图；

图7是用于描述图4中示出的像素的在非显示时段中的操作的图；

图8是图3中图示的一个像素的截面图；

图9是设置在图8中示出的像素层上的光转换部的截面图；

图10是图3中示出的显示装置的侧视图；

图11是图2和图3中示出的时序控制器的框图；

图12是示出用于描述图11中示出的第二补偿部的操作的电流-电压(I-V)曲线的曲线图；

图13是图示晶体管的根据温度变化的I-V曲线的曲线图；

图14是图示晶体管的根据图13中的温度的栅-源电压变化的曲线图；

图15是示出用于描述图11中示出的第一补偿部在高温下的操作的I-V曲线的曲线图；

图16是示出用于描述图11中示出的第一补偿部在低温下的操作的I-V曲线的曲线图；并且

图17和图18是用于描述根据本公开的实施例的显示装置的驱动方法的流程图。

具体实施方式

现在将在下文中参考其中示出各种实施例的附图来更充分地描述本实用新型。然而，本实用新型可以采用很多不同的形式实现，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例是使得本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本实用新型的范围。

在说明书中，当一个部件(或区域、层或部分等)被称为“在”另一部件“上”、“连接到”或“耦接到”另一部件时，应当理解，前者可以直接在后者上、直接连接到或耦接到后者，并且也可以经由第三居间部件在后者上、连接到或耦接到后者。

相同的附图标记指代相同的部件。此外，在附图中，为了技术内容的描述的有效性，夸大了部件的厚度、比例和尺寸。

在本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如在本文中所使用的，“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示数量限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外明确地指示。例如，“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义，除非上下文另外明确指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”是指“和/或”。如在本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。将进一步理解，术语“包括”和/或其变型或者“包含”和/或其变型当在本说明书中使用时，指明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，可以将下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本文中的教导。

此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语来描述附图中图示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了附图中所示的方位之外，相对术语还旨在包括装置的不同方位。例如，如果附图中的一个附图中的装置被翻转，则被描述为处于其他元件的“下”侧的元件将随之被定向在其他元件的“上”侧。因此，根据图的特定方位，术语“下”可以涵盖“下”和“上”的两种方位。类似地，如果附图中的一个附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件的“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件“上方”。因此，术语“下方”或“下面”可以涵盖上方和下方的两种方位。

除非另有限定，否则本说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。此外，诸如在常用词典中定义的术语的术语应被解释为具有与相关技术的情境中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确限定。

本文参考作为理想实施例的示意图示的截面图示来描述实施例。正因如此，将预料到由于例如制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应该被解释为限于本文中所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造产生的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的尖角可以被修圆。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在图示区域的精确形状，且不旨在限制权利要求的范围。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施例。

图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图。

参考图1，显示装置DD的实施例可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。显示装置DD可以具有包括在第一方向DR1上延伸的短边以及在第二方向DR2上延伸的长边的矩形形状。然而，实施例不限于此，并且可替代地，显示装置DD可以具有诸如圆形或其他多边形的各种形状。

显示装置DD的顶表面可以被定义为显示表面DS，并且可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。由显示装置DD生成的图像可以通过显示表面DS被提供给用户。

显示表面DS可以包括显示区域DA以及在显示区域DA周围的非显示区域NDA。显示区域DA可以显示图像，并且非显示区域NDA可以不显示图像。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA，并且可以限定显示装置DD的以预定颜色印刷的边界。

显示装置DD可以用于诸如电视机、监视器或户外广告牌的大型电子装置。可替代地，显示装置DD可以用于诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航系统、游戏机、智能电话、平板电脑或相机的中小型电子装置。然而，以上示例仅作为实施例提供，并且将理解，显示装置DD可以应用于任何其他电子装置，而不脱离本文中的教导。

图2是图1中示出的显示装置的框图。

参考图2，显示装置DD的实施例可以包括显示面板DP、扫描驱动器SDV、数据驱动器DDV和时序控制器T-CON。显示面板DP可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm以及多条数据线DL1至DLn。“m”和“n”中的每一个是大于0的自然数。

扫描线SL1至SLm可以在第二方向DR2上延伸以连接到像素PX和扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第一方向DR1上延伸以连接到像素PX和数据驱动器DDV。

第一电压ELVDD以及具有比第一电压ELVDD的电平低的电平的第二电压ELVSS可以被施加到显示面板DP。第一电压ELVDD和第二电压ELVSS可以被施加到像素PX。

时序控制器T-CON可以从外部(例如，系统板)接收图像信号RGB和控制信号CS。时序控制器T-CON可以通过将图像信号RGB的数据格式转换为适合于数据驱动器DDV的接口规范，来生成图像数据DATA的块(或部分)。时序控制器T-CON可以向数据驱动器DDV提供数据格式被转换后的图像数据DATA的块。

时序控制器T-CON可以响应于从外部提供的控制信号CS而生成并输出第一控制信号CS1和第二控制信号CS2。第一控制信号CS1可以被定义为扫描控制信号，并且第二控制信号CS2可以被定义为数据控制信号。第一控制信号CS1可以被提供给扫描驱动器SDV。第二控制信号CS2可以被提供给数据驱动器DDV。

扫描驱动器SDV可以响应于第一控制信号CS1而生成多个扫描信号。扫描信号可以通过扫描线SL1至SLm被施加到像素PX。数据驱动器DDV可以响应于第二控制信号CS2而生成与图像数据DATA的块相对应的多个数据电压。数据电压可以通过数据线DL1至DLn被施加到像素PX。

像素PX可以响应于扫描信号而接收数据电压。像素PX可以通过发射与数据电压相对应的亮度的光来显示图像。

在像素PX中感测栅-源电压Vgs，并且感测到的栅-源电压Vgs可以通过数据驱动器DDV被提供给时序控制器T-CON。时序控制器T-CON可以基于感测到的栅-源电压Vgs补偿施加到像素PX的图像数据DATA。在下文中，将详细描述显示装置DD的实施例的构造和操作。

图3是图2中示出的显示装置的平面图。

下文中，将省略图3中的与图2中的部件相同的部件的任何重复的详细描述，以避免重复。

参考图3，显示装置DD的实施例可以包括显示面板DP、扫描驱动器SDV、数据驱动器DDV、多个柔性电路板FPCB、时序控制器T-CON、印刷电路板PCB和多个温度传感器TS。

显示面板DP可以包括显示区域DA以及围绕显示区域DA的非显示区域NDA。显示面板DP可以具有矩形形状，该矩形形状具有在第二方向DR2上延伸的长边以及在第一方向DR1上延伸的短边。然而，显示面板DP的形状不限于此。

根据本公开的实施例的显示面板DP可以是发光显示面板，但是不特别限于此。在实施例中，例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或无机发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可以包括有机发光材料。无机发光显示面板的发射层可以包括量子点或量子棒等。在下文中，将详细描述显示面板DP是有机发光显示面板的实施例。

像素PX可以位于显示区域DA中。扫描驱动器SDV可以布置在与显示面板DP的短边中的一条邻近的非显示区域NDA中。可以提供多个数据驱动器DDV。数据驱动器DDV可以与显示面板DP的被定义为显示面板DP的长边中的一条的上侧邻近布置。

印刷电路板PCB可以与显示面板DP的上侧邻近布置。印刷电路板PCB可以通过柔性电路板FPCB连接到显示面板DP。柔性电路板FPCB可以连接到显示面板DP的上侧以及印刷电路板PCB。数据驱动器DDV以集成电路芯片的形式被制造，并且可以分别安装在柔性电路板FPCB上。

数据线DL1至DLn可以延伸到柔性电路板FPCB，以连接到数据驱动器DDV。在图3中，为了便于图示，仅示出了分别布置在最左侧和最右侧并且连接到数据驱动器DDV的两条数据线DL1和DLn。然而，多条数据线可以连接到数据驱动器DDV中的每一个。

时序控制器T-CON可以以集成电路芯片的形式被制造，并且安装在印刷电路板PCB上。温度传感器TS可以设置在印刷电路板PCB上。温度传感器TS可以感测显示面板DP的温度。

为了便于图示，在图3中仅示出了两个温度传感器TS。然而，温度传感器TS的数量不限于此。在实施例中，例如，至少一个温度传感器TS可以设置在印刷电路板PCB上。

图4是图示图3中示出的像素的等效电路的图。

图4图示了连接到第i扫描线SLi和第j数据线DLj的像素PXij的实施例。“i”和“j”中的每一个是大于0的自然数。

参考图4，像素PXij可以连接到第i扫描线SLi、第j数据线DLj、第i感测扫描线SSi和第j感测线SSLj。上述扫描线SL1至SLm可以包括图4中图示的第i扫描线SLi和第i感测扫描线SSi。上述数据线DL1至DLn可以包括第j数据线DLj和第j感测线SSLj。

像素PXij可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、发光元件(或发光器件)OLED和电容器CAP。第一晶体管T1可以被定义为(或被称为)驱动晶体管，第二晶体管T2可以被定义为开关晶体管，并且第三晶体管T3可以被定义为感测晶体管。

在实施例中，晶体管T1至T3可以是N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，但是不限于此。在可替代的实施例中，例如，晶体管T1至T3可以是P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。晶体管T1至T3中的每一个可以包括源电极、漏电极和栅电极。在下文中，为了便于描述，源电极和漏电极中的一个被定义为第一电极，并且源电极和漏电极中的另一个被定义为第二电极。此外，栅电极被定义为控制电极。

第一晶体管T1可以包括接收第一电压ELVDD的第一电极、连接到发光元件OLED的阳极的第二电极和连接到节点Na的控制电极。第一晶体管T1可以基于栅-源电压值控制流过发光元件OLED的电流的量。

第二晶体管T2可以包括连接到第j数据线DLj的第一电极、连接到节点Na的第二电极和连接到第i扫描线SLi的控制电极。第二晶体管T2可以响应于从第i扫描线SLi接收的扫描信号而被导通，并且可以将从第j数据线DLj提供的数据电压供应给电容器CAP。电容器CAP可以充入数据电压。

电容器CAP可以包括连接到节点Na的第一电极和连接到发光元件OLED的阳极的第二电极。

第三晶体管T3可以包括连接到第j感测线SSLj的第一电极、连接到发光元件OLED的阳极的第二电极和连接到第i感测扫描线SSi的控制电极。

发光元件OLED可以包括连接到第一晶体管T1的第二电极的阳极和用于接收第二电压ELVSS的阴极。发光元件OLED可以生成与从第一晶体管T1供应的电流的量相对应的光。

图5是用于描述图4中示出的像素的操作的信号的时序图。图6是用于描述图4中示出的像素的在显示时段中的操作的图。图7是用于描述图4中示出的像素的在非显示时段中的操作的图。

参考图5和图6，显示面板DP可以在显示时段DSP和非显示时段NDSP中操作。在显示时段DSP中，显示面板DP可以显示图像。在非显示时段NDSP中，显示面板DP可以不显示图像。在非显示时段NDSP中，显示面板DP可以以黑色模式被驱动。

扫描信号SG1可以被施加到第i扫描线SLi，并且感测扫描信号SG2可以被施加到第i感测扫描线SSi。扫描信号SG1和感测扫描信号SG2可以是彼此相同时序的信号。为了便于描述，图示了扫描信号SG1和感测扫描信号SG2具有一个信号时序。在下文中，激活的信号可以被定义为具有高电平的信号。

在显示时段DSP的编程时段期间，激活的扫描信号SG1可以被施加到第二晶体管T2，并且激活的感测扫描信号SG2可以被施加到第三晶体管T3。第二晶体管T2和第三晶体管T3可以分别响应于扫描信号SG1和感测扫描信号SG2而被导通。

数据电压Vd可以通过第j数据线DLj以及由此导通的第二晶体管T2被施加到第一晶体管T1的控制电极。参考电压Vr可以通过第j感测线SSLj以及由此导通的第三晶体管T3被施加到第一晶体管T1的第二电极。在下文中，节点Na被定义为第一节点，并且第一晶体管T1、发光元件OLED的阳极、电容器CAP与第三晶体管T3之间的接触点被定义为第二节点Nb。

第一节点Na与第二节点Nb之间的电压可以被设置为数据电压Vd与参考电压Vr之间的差。与数据电压Vd和参考电压Vr之间的差相对应的电荷可以被充在电容器CAP中。

在编程时段期间，第一节点Na与第二节点Nb之间的电压可以被设置为与所需的像素电流匹配。第一节点Na与第二节点Nb之间的电压可以被定义为第一晶体管T1的栅-源电压。

在显示时段DSP中，在编程时段之后的发射时段期间，扫描信号SG1和感测扫描信号SG2被去激活，并且因此第二晶体管T2和第三晶体管T3可以被截止。第一节点Na与第二节点Nb之间的电压可以被电容器CAP保持。

因为第一节点Na与第二节点Nb之间的电压大于第一晶体管T1的阈值电压，所以像素电流在发射时段期间可以流到第一晶体管T1中。在发射时段期间，在保持第一节点Na与第二节点Nb之间的电压的同时，第一节点Na的电位和第二节点Nb的电位可以通过像素电流而升高。当第二节点Nb的电位升高到发光元件OLED的操作点电平时，发光元件OLED可以发光。

参考图5和图7，在非显示时段NDSP中，显示面板DP的像素PXij可以在感测模式下被驱动。在非显示时段NDSP期间，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以分别响应于激活的扫描信号SG1和激活的感测扫描信号SG2而被导通。

感测数据电压Vs可以通过第j数据线DLj以及由此导通的第二晶体管T2被施加到第一晶体管T1的控制电极。参考电压Vr可以通过第j感测线SSLj以及由此导通的第三晶体管T3被施加到第一晶体管T1的第二电极。相应地，第一节点Na与第二节点Nb之间的电压可以被设置为与所需的感测像素电流匹配。

连接到数据线DLj和感测线SSLj的数据驱动器DDV可以根据感测数据电压Vs和参考电压Vr来感测第一晶体管T1的栅-源电压Vgs。感测到的栅-源电压Vgs可以通过数据驱动器DDV被提供给时序控制器T-CON。

栅-源电压Vgs可以被定义为栅阈值电压，并且可以被表示为Vgs(th)。在下文中，栅-源电压的附图标记“Vgs”可以被解释为与Vgs(th)具有相同的含义。

像素PXij的驱动特性可以通过栅-源电压Vgs来感测。在实施例中，例如，随着驱动时间增加，第一晶体管T1的驱动特性可能劣化。由于第一晶体管T1的驱动特性劣化，第一晶体管T1的电流-电压(I-V)曲线(即，Ids-Vgs曲线)可能改变。相应地，第一晶体管T1的驱动特性可以通过感测到的栅-源电压Vgs来感测。

已经描述了栅-源电压Vgs的感测，但是可以在像素PXij中感测电流。在实施例中，例如，流过第一晶体管T1的感测像素电流可以通过第三晶体管T3和第j感测线SSLj被提供给数据驱动器DDV。

图8是图3中图示的一个像素的截面图。

参考图8，像素PX的实施例可以包括晶体管TR和发光元件OLED。晶体管TR可以是图4中图示的第一晶体管T1。发光元件OLED可以包括第一电极AE(或阳极)、第二电极CE(或阴极)、空穴控制层HCL、电子控制层ECL和发光层EML。晶体管TR和发光元件OLED可以设置在第一基板SUB1上。

像素PX中的每一个的平面区域可以包括发射区域PA以及在发射区域PA周围的非发射区域NPA。发光元件OLED可以位于发射区域PA中。

缓冲层BFL可以设置在第一基板SUB1上，并且缓冲层BFL可以是无机层。半导体图案可以设置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括多晶硅、非晶硅或金属氧化物。

半导体图案可以被掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。半导体图案可以包括高掺杂区域和轻掺杂区域。高掺杂区域的电导率可以大于轻掺杂区域的电导率。高掺杂区域可以基本上作为晶体管TR的源电极或漏电极操作。轻掺杂区域可以基本上与晶体管TR的有源区(或沟道)相对应。

晶体管TR的源区S、有源区A和漏区D可以由半导体图案形成(或由半导体图案的各部分限定)。第一绝缘层INS1可以设置在半导体图案上。晶体管TR的栅极G可以设置在第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2可以设置在栅极G上。第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上。

连接电极CNE可以将晶体管TR连接到发光元件OLED。连接电极CNE可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层INS3上，并且可以通过限定在第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3中的第一接触孔CH1连接到漏区D。

第四绝缘层INS4可以设置在第一连接电极CNE1上。第五绝缘层INS5可以设置在第四绝缘层INS4上。第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层INS5上。第二连接电极CNE2可以通过限定在第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5中的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE1。

第六绝缘层INS6可以设置在第二连接电极CNE2上。从缓冲层BFL到第六绝缘层INS6的层可以被定义为电路元件层DP-CL。第一绝缘层INS1至第六绝缘层INS6可以是无机层或有机层。

第一电极AE可以设置在第六绝缘层INS6上。第一电极AE可以通过限定在第六绝缘层INS6中的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE2。其中限定有用于暴露第一电极AE的预定部分的开口PX_OP的像素限定层PDL可以设置在第一电极AE和第六绝缘层INS6上。

空穴控制层HCL可以设置在第一电极AE和像素限定层PDL上。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层和空穴注入层。

发光层EML可以设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以设置在与开口PX_OP相对应的区域中。发光层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发光层EML可以生成蓝光。

电子控制层ECL可以设置在发光层EML和空穴控制层HCL上。电子控制层ECL可以包括电子传输层和电子注入层。空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以公共地设置在发射区域PA和非发射区域NPA中。

第二电极CE可以设置在电子控制层ECL上。第二电极CE可以公共地设置在各像素PX中。发光元件OLED设置在其中的层可以被定义为显示元件层DP-OLED。电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED可以被定义为像素层PXL。

薄膜封装层TFE可以设置在第二电极CE上以覆盖像素PX。薄膜封装层TFE可以包括设置在第二电极CE上的第一封装层EN1、设置在第一封装层EN1上的第二封装层EN2和设置在第二封装层EN2上的第三封装层EN3。第一封装层EN1和第三封装层EN3中的每一个可以包括无机绝缘层并且可以保护像素PX免受湿气/氧气的影响。第二封装层EN2包括有机绝缘层并且可以保护像素PX免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。

第一电压ELVDD可以通过晶体管TR被施加到第一电极AE，并且第二电压ELVSS可以被施加到第二电极CE。可以通过耦合注入发光层EML中的空穴和电子来形成激子。随着激子跃迁到基态，发光元件OLED可以发光。

图9是设置在图8中示出的像素层上的光转换部的截面图。

图9图示了第一发射区域PA1、第二发射区域PA2和第三发射区域PA3。图8中示出的发射区域PA可以是第一发射区域PA1、第二发射区域PA2和第三发射区域PA3中的一个。此外，为了便于图示和描述，在图9中，省略了图8中示出的晶体管TR和发光元件OLED的截面结构，并且像素层PXL被图示为单个层。

参考图9，显示装置DD可以包括设置在薄膜封装层TFE上的光转换部LCP。光转换部LCP可以通过粘合层ADH附着在薄膜封装层TFE上。

第一发射区域PA1、第二发射区域PA2和第三发射区域PA3之间的区域可以被定义为非发射区域NPA。第一发射区域PA1、第二发射区域PA2和第三发射区域PA3可以生成第一光L1。这里，第一光L1可以是蓝光。

光转换部LCP可以包括第二基板SUB2、第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2、透光层LTL、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3、黑矩阵BM、侧壁层SW以及第一绝缘层LC-IL1和第二绝缘层LC-IL2。第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2、透光层LTL、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3、黑矩阵BM和侧壁层SW可以介于第二基板SUB2与薄膜封装层TFE之间。

第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3以及黑矩阵BM可以设置在第二基板SUB2下方。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以分别与第一发射区域PA1、第二发射区域PA2和第三发射区域PA3重叠。黑矩阵BM可以与非发射区域NPA重叠。

第一滤色器CF1可以与第一发射区域PA1重叠，第二滤色器CF2可以与第二发射区域PA2重叠，并且第三滤色器CF3可以与第三发射区域PA3重叠。第一滤色器CF1可以包括红色滤色器。第二滤色器CF2可以包括绿色滤色器。第三滤色器CF3可以包括蓝色滤色器。

第一绝缘层LC-IL1可以设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及黑矩阵BM下方。侧壁层SW可以设置在第一绝缘层LC-IL1下方。

第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及透光层LTL设置在其中的开口OP可以由侧壁层SW限定。开口OP可以与第一发射区域PA1、第二发射区域PA2和第三发射区域PA3重叠。侧壁层SW可以与非发射区域NPA重叠。侧壁层SW可以具有黑颜色，但是侧壁层SW的颜色不限于此。

第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及透光层LTL可以设置在第一绝缘层LC-IL1下方。第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及透光层LTL可以设置在开口OP中。

第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及透光层LTL可以分别与第一发射区域PA1、第二发射区域PA2和第三发射区域PA3重叠。第一量子点层QDL1可以与第一发射区域PA1重叠，第二量子点层QDL2可以与第二发射区域PA2重叠，并且透光层LTL可以与第三发射区域PA3重叠。

在第一发射区域PA1、第二发射区域PA2和第三发射区域PA3中生成的第一光L1可以分别被提供给第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及透光层LTL。在第一发射区域PA1中生成的第一光L1可以被提供给第一量子点层QDL1，并且在第二发射区域PA2中生成的第一光L1可以被提供给第二量子点层QDL2。在第三发射区域PA3中生成的第一光L1可以被提供给透光层LTL。

第一量子点层QDL1可以将第一光L1转换成第二光L2。第二量子点层QDL2可以将第一光L1转换成第三光L3。第二光L2可以是红光，并且第三光L3可以是绿光。第一量子点层QDL1可以包括第一量子点(未示出)。第二量子点层QDL2可以包括第二量子点(未示出)。透光层LTL可以包括用于散射光的光散射颗粒(未示出)。

第一量子点可以将具有蓝色波段的第一光L1转换成具有红色波段的第二光L2。第二量子点可以将具有蓝色波段的第一光L1转换成具有绿色波段的第三光L3。第一量子点和第二量子点可以分别散射第二光L2和第三光L3。透光层LTL可以透射第一光L1而不执行光转换操作。透光层LTL可以通过经由光散射颗粒散射第一光L1来发光。

第一量子点层QDL1可以发射第二光L2。第二量子点层QDL2可以发射第三光L3。透光层LTL可以发射第一光L1。相应地，预定图像可以由分别显示红色、绿色和蓝色的第二光L2、第三光L3和第一光L1来显示。

第一光L1的一部分可以穿过第一量子点层QDL1而不被第一量子点转换，并且然后可以被提供给第一滤色器CF1。也就是说，可能存在因为第一光L1不与第一量子点接触而因此没有被转换成第二光L2的第一光L1。第一滤色器CF1可以阻挡其他颜色的光。在第一量子点层QDL1中没有被转换的第一光L1可以被具有红色滤色器的第一滤色器CF1阻挡，并且因此不会朝向上层发射。

第一光L1的一部分可以穿过第二量子点层QDL2而不被第二量子点转换，并且然后可以被提供给第二滤色器CF2。也就是说，可能存在因为第一光L1不与第二量子点接触而因此没有被转换成第三光L3的第一光L1。第二滤色器CF2可以阻挡其他颜色的光。在第二量子点层QDL2中没有被转换的第一光L1可以被具有绿色滤色器的第二滤色器CF2阻挡，并且因此不会朝向上层发射。

外部光可能朝向显示装置DD被提供。当外部光从显示面板DP被反射并且再次被提供给外部用户时，用户可能在视觉上感知到外部光，如镜子一样。

第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止外部光的反射。在实施例中，例如，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以分别将外部光过滤成红色、绿色和蓝色。也就是说，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以分别将外部光过滤为与第二光L2、第三光L3和第一光L1的颜色相同的颜色。在这样的实施例中，反射的外部光可以不被用户感知到。

黑矩阵BM可以在非发射区域NPA中阻挡不必要的光。具有黑色的侧壁层SW也可以具有类似于黑矩阵BM的功能，并且可以在非发射区域NPA中阻挡不必要的光。

图10是图3中示出的显示装置的侧视图。

图10示出了在第二方向DR2上观察的显示装置DD的侧表面，并且省略了在图9中描述的薄膜封装层TFE和光转换部LCP。

参考图10，柔性电路板FPCB可以被弯曲，并且因此印刷电路板PCB可以设置在显示面板DP下方。相应地，时序控制器T-CON和温度传感器TS可以设置在显示面板DP下方。

像素层PXL可以设置在第一基板SUB1上。温度传感器TS可以与第一基板SUB1邻近设置。温度传感器TS可以与显示面板DP邻近设置，以感测显示面板DP的温度。

在显示面板DP的制造工艺期间，处理室中的显示面板DP的外围可以被保持在室温。相应地，显示面板DP也可以被保持在室温。在显示面板DP的制造工艺期间，显示面板DP可以在黑色模式下被驱动，并且因此显示面板DP的温度可以被测量。显示面板DP的温度可以由温度传感器TS感测。

显示面板DP的制造工艺阶段可以是对显示面板DP执行各种测试的阶段，并且可以指显示面板DP被完成为最终产品之前的阶段。在制造工艺阶段，显示面板DP的温度可以被定义为初始温度或参考温度，并且可以被存储在时序控制器T-CON中。例如，显示面板DP的参考温度可以是室温，并且室温可以是大约20摄氏度或大约25摄氏度。

可以执行各种测试。最后，被确定为正常的显示面板DP可以用于完全地制造显示装置DD。当在制造显示面板DP之后驱动显示面板DP时，显示面板DP的温度可以由温度传感器TS感测。“在制造显示面板DP之后”可以表示显示面板DP最终被确定为正常并且能够被用户使用的状态。

当在制造显示面板DP之后驱动显示面板DP时，时序控制器T-CON可以通过将参考温度与感测到的显示面板DP的温度进行比较，来补偿感测到的栅-源电压Vgs。在下文中，将详细描述此操作。

图11是图2和图3中示出的时序控制器的框图。

图11示出了与数据补偿操作相关的时序控制器的构造。

参考图11，在实施例中，时序控制器T-CON可以包括参考值存储部RSP、第一补偿部CMP1、第二补偿部CMP2和初始值存储部INP。

参考温度RT可以被存储在参考值存储部RSP中。参考温度RT可以是在上述制造工艺阶段中感测到的显示面板DP的温度，并且可以基本上与室温相对应。

温度传感器TS可以感测显示面板DP的温度，以将感测温度SNT输出到第一补偿部CMP1。在图11的实施例中，当在制造显示面板DP之后驱动显示面板DP时，由温度传感器TS感测到的感测温度SNT可以被定义为感测到的温度。

初始值存储部INP可以将第一晶体管T1的初始栅-源电压存储为初始值IV。在实施例中，例如，在显示面板DP的制造工艺期间，显示面板DP可以以黑色模式被驱动，并且第一晶体管T1的驱动特性可以通过上面参考图7描述的感测操作来感测。也就是说，初始值IV的初始栅-源电压可以被设置为第一晶体管T1的初始栅-源电压(或者由第一晶体管T1的初始栅-源电压定义或与第一晶体管T1的初始栅-源电压相对应)。

在显示面板DP的制造工艺中，第一晶体管T1的使用可以基本上与初始使用相对应，并且可以在第一晶体管T1几乎没有劣化的状态下感测第一晶体管T1的驱动特性。此感测值可以基本上与第一晶体管T1的初始I-V曲线(即，电流-电压特性曲线)相对应，并且可以被存储在初始值存储部INP中。

在制造显示面板DP之后，随着显示面板DP的使用时间增加，第一晶体管T1的驱动特性可能劣化，并且因此第一晶体管T1的I-V曲线可能被改变。存储在初始值存储部INP中的初始值IV可以是用于与改变后的第一晶体管T1的I-V曲线进行比较的参考值。在实施例中，例如，可以将初始值IV的初始栅-源电压与其驱动特性被改变的第一晶体管T1的栅-源电压进行比较。

参考图6和图11，当在制造显示面板DP之后驱动显示面板DP时，显示面板DP的像素PXij可以在显示时段DSP期间接收数据电压Vd，并且可以显示与数据电压Vd相对应的图像。

参考图7和图11，当在制造显示面板DP之后驱动显示面板DP时，可以在非显示时段NDSP期间在像素PXij处感测栅-源电压Vgs。栅-源电压Vgs可以作为感测电压Vgs被提供给第一补偿部CMP1。感测电压Vgs可以是在第一晶体管T1处感测到的栅-源电压。

第一补偿部CMP1可以接收在像素PXij中感测到的感测电压Vgs，可以从参考值存储部RSP接收参考温度RT，并且可以从温度传感器TS接收感测温度SNT。第一补偿部CMP1可以利用栅-源电压的与参考温度RT和感测温度SNT之间的差值相对应的变化量来补偿感测电压Vgs。

第一补偿部CMP1可以包括查找表LUT。栅-源电压的与参考温度RT和感测温度SNT之间的差值相对应的变化值可以被存储在查找表LUT中。

当参考温度RT与感测温度SNT之间没有差异时，栅-源电压的变化量可以是0。随着参考温度RT与感测温度SNT之间的差值增大，栅-源电压的变化可以增大。栅-源电压的与参考温度RT和感测温度SNT之间的各种差值相对应的变化值可以被预设并存储在查找表LUT中。

第一补偿部CMP1可以通过使用查找表LUT来识别栅-源电压的与参考温度RT和感测温度SNT之间的差值相对应的变化量，并且可以基于栅-源电压的变化量(通过将栅-源电压的变化量反映到感测电压Vgs)来补偿感测电压Vgs。稍后将参考附图中示出的I-V曲线详细描述此操作。

第一补偿部CMP1可以将补偿后的感测电压Vgs’提供给第二补偿部CMP2。第二补偿部CMP2可以接收补偿后的感测电压Vgs’和初始值IV。第二补偿部CMP2可以通过将补偿后的感测电压Vgs’与初始值IV的初始栅-源电压进行比较来计算补偿值。此补偿值可以在上述非显示时段NDSP期间计算。

之后，当像素PXij在显示时段DSP期间被驱动时，第二补偿部CMP2可以基于补偿值补偿待施加到像素PXij的数据DATA’。第二补偿部CMP2可以补偿数据DATA’以输出补偿后的数据DATA。补偿后的数据DATA可以被定义为上述图像数据DATA。

实质上，图像信号RGB可以被转换为数据DATA’，数据DATA’可以被补偿，并且补偿后的数据DATA可以被提供给数据驱动器DDV。相应地，在显示时段DSP期间，可以生成通过补偿后的数据DATA补偿的数据电压，并且将其提供给像素PXij。根据像素PXij的劣化来补偿施加到像素PXij的数据电压，并且因此像素PXij可以正常显示图像。

图12是示出用于描述图11中示出的第二补偿部的操作的I-V曲线的曲线图。

参考图7、图11和图12，第一晶体管T1的初始I-V曲线I-IV在图12中以实线示出。随着第一晶体管T1的使用时间增加，第一晶体管T1的驱动特性可能劣化。在图12中，以虚线示出第一晶体管T1的驱动特性劣化时的第一晶体管T1的I-V曲线D-IV。随着第一晶体管T1的使用时间增加，初始I-V曲线I-IV可能变为劣化的I-V曲线D-IV。

纵轴是电流值“I”，并且指示第一晶体管T1的漏-源电流。横轴是电压值“V”，并且指示第一晶体管T1的栅-源电压。图12的曲线图示出了基于室温确定的情况。

根据初始I-V曲线I-IV，在驱动第一晶体管T1的初始阶段，根据第一栅-源电压Vgs1，第一漏-源电流Ids1可以流到第一晶体管T1中。然而，当第一晶体管T1劣化时，基于劣化的I-V曲线D-IV，根据第一栅-源电压Vgs1，低于第一漏-源电流Ids1的第二漏-源电流Ids2可以流到第一晶体管T1中。

由于第一晶体管T1的劣化，低电流可能被供应给发光元件OLED，并且因此图像可能不会被正常显示。期望以使得第一漏-源电流Ids1被正常施加到发光元件OLED的方式补偿施加到第一晶体管T1的数据电压Vd。

第一栅-源电压Vgs1可以是初始值IV的栅-源电压。第二栅-源电压Vgs2可以是参考图7描述的感测电压Vgs。随着第一晶体管T1的驱动特性劣化，可以在第一晶体管T1中感测第二栅-源电压Vgs2。

当显示面板DP在室温下被驱动时，参考温度RT与感测温度SNT之间的差值可以是0。相应地，在像素Pxij中感测到的感测电压Vgs可以被提供给第二补偿部CMP2，而不被第一补偿部CMP1单独补偿。也就是说，当显示面板DP在室温下被驱动时，感测电压Vgs可以不被改变，并且可以通过第一补偿部CMP1被直接提供给第二补偿部CMP2。

第二补偿部CMP2可以计算第一栅-源电压Vgs1与第二栅-源电压Vgs2之间的差值。该差值可以被定义为第一电压值ΔV1，并且第一电压值ΔV1可以被定义为上述补偿值。在非显示时段NDSP期间，第二补偿部CMP2可以计算该补偿值。

在显示时段DSP中，第二补偿部CMP2可以通过使用第一电压值ΔV1来补偿数据DATA’，以输出补偿后的数据DATA。在实施例中，例如，可以以使得与第一栅-源电压Vgs1相对应的数据DATA’被转换成与第二栅-源电压Vgs2相对应的补偿后的数据DATA的方式改变数据值。相应地，与补偿后的数据DATA相对应的补偿后的数据电压可以被施加到像素PXij。

补偿后的数据电压可以与第二栅-源电压Vgs2相对应。基于劣化的I-V曲线D-IV，根据第二栅-源电压Vgs2，第一漏-源电流Ids1可以被施加到像素PXij。相应地，像素PXij可以被正常驱动。

图13是图示晶体管的根据温度变化的I-V曲线的曲线图。图14是图示晶体管的根据图13中的温度的栅-源电压变化的曲线图。

在实施例中，图13和图14是图示一般金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的I-V曲线的曲线图。这里，室温TE3是25摄氏度，高温TE1和TE2分别是125摄氏度和75摄氏度，并且低温TE4是-25摄氏度。在图13和图14中，“V_DS”是晶体管的漏-源电压。

参考图13，在高于室温TE3的高温TE1和TE2下，I-V曲线可以向上移动，以高于室温TE3的I-V曲线。也就是说，随着温度升高，I-V曲线可以向上移动。在这种情况下，在相同的栅-源电压V_GS下，随着温度升高，流过晶体管的电流可增大。此外，在相同的漏极电流I_D下，随着温度升高，栅-源电压V_GS可降低。

在低于室温TE3的低温TE4下，I-V曲线可以向下移动，以低于室温TE3的I-V曲线。也就是说，随着温度降低，I-V曲线可以向下移动。在这种情况下，在相同的栅-源电压V_GS下，随着温度降低，流过晶体管的电流可减小。此外，在相同的漏极电流I_D下，随着温度降低，栅-源电压V_GS可增大。

参考图14，栅-源电压V_GS可以与温度成反比。随着温度升高，栅-源电压V_GS可降低。随着温度降低，栅-源电压V_GS可升高。

图15是示出用于描述图11中示出的第一补偿部在高温下的操作的I-V曲线的曲线图。图16是示出用于描述图11中示出的第一补偿部在低温下的操作的I-V曲线的曲线图。

参考图7、图11和图15，如上面参考图13和图14所述，即使当第一晶体管T1劣化时，I-V曲线也可根据温度而不同。下文中，在室温下处于劣化状态的I-V曲线D-IV被定义为室温I-V曲线D-IV。当显示面板DP的温度高于室温时，第一晶体管T1的I-V曲线可以从室温I-V曲线D-IV移动到高温I-V曲线H-IV。也就是说，在高于室温的温度下，I-V曲线可以向上移动。

当显示面板DP被驱动时，非显示时段NDSP中的显示面板DP可能处于高温，并且显示时段DSP中的显示面板DP可能处于室温。当在非显示时段NDSP中执行上述像素PXij的栅-源电压的感测操作时，显示面板DP的环境温度可能高。相应地，在非显示时段NDSP中，感测温度SNT可能高于室温。

在非显示时段NDSP中，根据高温I-V曲线H-IV，可在第一晶体管T1处感测到第三栅-源电压Vgs3。第三栅-源电压Vgs3可以是感测电压Vgs。

如果在第一补偿部CMP1中不执行基于温度的补偿操作，则在第二补偿部CMP2中，补偿值可被计算为第一栅-源电压Vgs1与第三栅-源电压Vgs3之间的差值。相应地，补偿值可以被计算为是第一栅-源电压Vgs1与第三栅-源电压Vgs3之间的差值的第二电压值ΔV2。

当显示面板DP在显示时段DSP中操作时，显示面板DP的温度可以是室温。相应地，第一晶体管T1的在显示时段DSP中的驱动特性可以与室温I-V曲线D-IV相对应。然而，补偿值被计算为第二电压值ΔV2。相应地，期望基于室温以第一电压值ΔV1补偿数据DATA’，但是可能以第二电压值ΔV2补偿数据DATA’。

当在室温I-V曲线D-IV中以第二电压值ΔV2补偿数据DATA’时，与第三栅-源电压Vgs3相对应的第三漏-源电流Ids3可能被施加到像素PXij。相应地，对像素PXij执行弱补偿，并且因此像素PXij可能不正常操作。在这种情况下，例如，发光元件OLED可能生成具有比正常亮度低的亮度的光。

根据本公开的实施例，第一补偿部CMP1可以计算参考温度RT与感测温度SNT之间的差值。栅-源电压的与参考温度RT和感测温度SNT之间的差值相对应的变化量可以被定义如下。

因为基于高温的补偿值是第二电压值ΔV2并且基于室温的补偿值是第一电压值ΔV1，所以仅当第一电压值ΔV1与第二电压值ΔV2之间的差值被补偿时，才可以计算出正常补偿值。相应地，期望补偿在参考温度RT下处于劣化状态的室温I-V曲线D-IV与在高温下处于劣化状态的高温I-V曲线H-IV之间的差值。

当显示面板DP被驱动时，在第一晶体管T1的劣化状态下，栅-源电压的变化量可以是参考温度RT时的第一晶体管T1的栅-源电压与高温(例如，感测温度SNT)时的第一晶体管T1的栅-源电压之间的差值。相应地，栅-源电压的变化量可以与是参考温度的室温I-V曲线D-IV的第二栅-源电压Vgs2与高温I-V曲线H-IV的第三栅-源电压Vgs3之间的差值相对应。

第一补偿部CMP1可以将被定义为第二栅-源电压Vgs2与第三栅-源电压Vgs3之间的差值的第一补偿电压值ΔVc1添加到为感测电压Vgs的第三栅-源电压Vgs3。因此，补偿后的感测电压Vgs’可以被设置为第二栅-源电压Vgs2。

补偿后的感测电压Vgs’可以被提供在第二补偿部CMP2中。第二补偿部CMP2可以基于室温执行参考图12描述的补偿操作。相应地，施加到像素PXij的数据电压Vd可以被正常补偿。

如上面参考图13和图14所述，随着温度升高，栅-源电压的变化量可以增大。相应地，在本公开的实施例中，随着感测温度SNT变得进一步高于参考温度RT，添加到感测电压Vgs的栅-源电压的变化量也可以增大。

参考图7、图11和图16，如图13和图14中所述，即使当第一晶体管T1劣化时，I-V曲线也可根据温度而不同。当显示面板DP的温度低于室温时，第一晶体管T1的I-V曲线可以从室温I-V曲线D-IV移动到低温I-V曲线L-IV。也就是说，在低于室温的温度下，I-V曲线可以向下移动。

当显示面板DP被驱动时，非显示时段NDSP中的显示面板DP可能处于低温，并且显示时段DSP中的显示面板DP可能处于室温。当在非显示时段NDSP中执行上述像素PXij的栅-源电压的感测操作时，显示面板DP的环境温度可能低。相应地，在非显示时段NDSP中，感测温度SNT可能低于室温。

在非显示时段NDSP中，根据低温I-V曲线L-IV，可在第一晶体管T1处感测到第四栅-源电压Vgs4。第四栅-源电压Vgs4可以是感测电压Vgs。

如果在第一补偿部CMP1中不执行根据温度的补偿操作，则在第二补偿部CMP2中，补偿值可以被计算为第一栅-源电压Vgs1与第四栅-源电压Vgs4之间的差值。相应地，补偿值可以被计算为是第一栅-源电压Vgs1与第四栅-源电压Vgs4之间的差值的第三电压值ΔV3。

当显示面板DP在显示时段DSP中操作时，显示面板DP的温度可以是室温。相应地，第一晶体管T1的在显示时段DSP中的驱动特性可以与室温I-V曲线D-IV相对应。然而，补偿值被计算为第三电压值ΔV3。相应地，期望基于室温以第一电压值ΔV1补偿数据DATA’，但是可能以第三电压值ΔV3补偿数据DATA’。

当在室温I-V曲线D-IV中以第三电压值ΔV3补偿数据DATA’时，与第四栅-源电压Vgs4相对应的第四漏-源电流Ids4可能被施加到像素PXij。相应地，对像素PXij执行过度补偿，并且因此像素PXij可能无法正常操作。在这种情况下，例如，发光元件OLED可能生成具有比正常亮度高的亮度的光。

根据本公开的实施例，第一补偿部CMP1可以计算参考温度RT与感测温度SNT之间的差值，并且可以计算栅-源电压的与参考温度RT和感测温度SNT之间的差值相对应的变化量。

因为基于低温的补偿值是第三电压值ΔV3并且基于室温的补偿值是第一电压值ΔV1，所以仅当第一电压值ΔV1与第三电压值ΔV3之间的差值被补偿时，才可以计算出正常补偿值。相应地，期望补偿在参考温度RT下处于劣化状态的室温I-V曲线D-IV与在低温下处于劣化状态的低温I-V曲线L-IV之间的差值。

当显示面板DP被驱动时，在第一晶体管T1的劣化状态下，栅-源电压的变化量可以是参考温度RT时的第一晶体管T1的栅-源电压与低温(例如，感测温度SNT)时的第一晶体管T1的栅-源电压之间的差值。相应地，栅-源电压的变化量可以与是参考温度的室温I-V曲线D-IV的第二栅-源电压Vgs2和低温I-V曲线L-IV的第四栅-源电压Vgs4之间的差值相对应。

第一补偿部CMP1可以从为感测电压Vgs的第四栅-源电压Vgs4减去被定义为第二栅-源电压Vgs2与第四栅-源电压Vgs4之间的差值的第二补偿电压值ΔVc2。因此，补偿后的感测电压Vgs’可以被设置为第二栅-源电压Vgs2。

补偿后的感测电压Vgs’可以被提供在第二补偿部CMP2中。第二补偿部CMP2可以基于室温执行参考图12描述的补偿操作。相应地，施加到像素PXij的数据电压Vd可以被正常补偿。

如上面参考图13和图14所述，随着温度降低，栅-源电压的变化量可能增大。相应地，在本公开的实施例中，随着感测温度SNT变得进一步低于参考温度RT，从感测电压Vgs减去的栅-源电压的变化量也可能增大。

图17和图18是用于描述根据本公开的实施例的显示装置的驱动方法的流程图。

参考图17和图18，在操作S100中，可以设置参考温度RT。在实施例中，如上所述，参考温度RT可以被定义为在显示面板DP的制造工艺期间显示面板DP的温度。

在操作S200中，可以由温度传感器TS感测显示面板DP的温度。在实施例中，如上所述，感测到的显示面板DP的温度可以被定义为感测温度SNT。

在操作S300中，可以感测像素PXij的第一晶体管T1的栅-源电压Vgs。在实施例中，如上所述，栅-源电压Vgs可以被定义为感测电压Vgs。

在操作S400中，可以利用栅-源电压的与参考温度RT和感测温度SNT之间的差值相对应的变化量来补偿感测电压Vgs。在实施例中，在操作S400的操作S410中，当感测温度SNT高于参考温度RT时，可以将栅-源电压的变化量添加到感测电压Vgs。在这样的实施例中，在操作S400的操作S420中，当感测温度SNT低于参考温度RT时，可以从感测电压Vgs减去栅-源电压的变化量。

在操作S500中，可以通过将补偿后的感测电压Vgs’与初始栅-源电压进行比较来补偿待施加到像素PXij的数据DATA’。

根据本公开的实施例，可以利用栅-源电压的与参考温度和显示面板的温度之间的差相对应的变化量来补偿在像素中感测到的栅-源电压，并且可以基于补偿后的栅-源电压来补偿待施加到像素的数据。相应地，可以提高显示装置的操作可靠性。

本实用新型不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例是使得本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本实用新型的构思。

尽管已经参考本实用新型的实施例具体示出和描述了本实用新型，但是本领域普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种改变，而不脱离由权利要求书限定的本实用新型的精神或范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

显示面板，包括像素；

温度传感器，感测所述显示面板的温度并且输出所述显示面板的所述温度作为感测温度；

第一补偿部，接收在所述像素中感测到的栅-源电压作为感测电压，并且利用所述栅-源电压的与参考温度和所述感测温度之间的差值相对应的变化量来补偿所述感测电压；以及

第二补偿部，通过将补偿后的感测电压与初始栅-源电压进行比较来补偿待施加到所述像素的数据。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述感测温度高于所述参考温度时，所述第一补偿部将所述栅-源电压的所述变化量添加到所述感测电压。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，随着所述感测温度变得进一步高于所述参考温度，添加到所述感测电压的所述栅-源电压的所述变化量增大。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述感测温度低于所述参考温度时，所述第一补偿部从所述感测电压减去所述栅-源电压的所述变化量。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，随着所述感测温度变得进一步低于所述参考温度，从所述感测电压减去的所述栅-源电压的所述变化量增大。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，其中，所述像素包括：

发光元件；

第一晶体管，包括连接到节点的控制电极、接收第一电压的第一电极和连接到所述发光元件的阳极的第二电极；

第二晶体管，包括连接到扫描线的控制电极、连接到数据线的第一电极和连接到所述节点的第二电极；

第三晶体管，包括连接到感测线的第一电极、连接到所述阳极的第二电极和连接到感测扫描线的控制电极；以及

电容器，包括连接到所述节点的第一电极和连接到所述阳极的第二电极。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述栅-源电压被设置为在所述第一晶体管中感测到的栅-源电压。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，当所述显示面板被驱动时，所述栅-源电压的所述变化量与所述参考温度时的所述第一晶体管的所述栅-源电压和所述感测温度时的所述第一晶体管的所述栅-源电压之间的差值相对应。

9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述初始栅-源电压被设置为所述第一晶体管的初始栅-源电压。

10.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述显示面板被交替地在显示时段和非显示时段中驱动，并且

其中，在所述非显示时段期间感测所述栅-源电压，并且在所述显示时段期间补偿所述数据。