CN220709588U - 一种可调线性稳压集成电路及其静电保护电路 - Google Patents

Abstract

一种可调线性稳压集成电路及其静电保护电路，属于半导体集成电路领域。包括启动偏置电路模块、放大补偿输出电路模块、温度保护模块、电流保护电路模块、电压保护电路模块、静电保护模块。启动偏置电路模块正端与电源端连接，负端与输出端连接；温度保护模块、电流保护电路模块的负端与基准端连接，放大补偿输出电路模块的电压取样端通过可调取样网络与输出端连接；偏置电流输出端分别与各电路模块对应的偏置电流输入端连接；温度保护模块、电流保护电路模块的输出端与放大补偿输出电路模块相应的端口连接，放大补偿输出电路模块的基准电压输出端通过可调取样网络接地。解决了现有产品体积大、元器件种类数量繁多的问题。广泛应用于复杂环境中。

Description

一种可调线性稳压集成电路及其静电保护电路

技术领域

本实用新型属于半导体集成电路领域，进一步来说涉及半导体线性集成电路领域，具体来说，涉及一种可调线性稳压集成电路及其静电保护电路。

背景技术

传统线性稳压电路的工作压差较大，通常为1.5-2.5V，其在应用中功耗较大，需要增加较大面积的散热板，才能保证器件正常工作，其应用也受到了一定限制。然而固定输出的稳压电路，其电路中的分压电阻被集成到芯片内部，无法满足一些应用中需要对输出电压进行可变调整的情况，因此对此做出改进，发明一种输出电压可调的线性稳压器，将电路的分压电阻分离出来通过外接的方式实现输出电压的可调，在应用中操作简单，灵活方便。输出可调的线性稳压器的最大的特点在于具有稳定的安全工作区和具有较强的电源纹波抑制能力。电路设计中采用NPN调整管使环路具有较大的增益，可以对输入和输出的偏差进行精确和及时的调整来保证输出的稳定，较大的环路增益也使整个电路具有较强的电源纹波抑制能力。另外，通过外接电阻即可改变输出电压，大大减小了电路的体积，这一特点也使该类电路得到广泛的应用。该电路进行了全工艺角仿真验证，工艺一致性强，是一种具有完整且多功能保护电路的集成稳压电路以及配套电路的结构。

有鉴于此，特提出本实用新型。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是：解决现有线性稳压电路体积大、结构复杂、元器件种类数量繁多的问题。

本实用新型的发明构思是：设计一种线性稳压集成电路，基准电源及输出电源可根据需求进行调节，以恒流源偏置电路、电流放大基准调整电路、补偿电路、输出与调整电路为主线，对过温、过流、过压、静电防护等保护电路模块进行设计，各种电路模块既可以单独工作，又可以进行部分修改以适应其他电路，以实现整体电路功能，电路中采用的所有有源器件全为同种有源器件，如全部为晶体管、场效应管、MOS管或IGBT管，电路中采用的所有电阻的可以为外延层电阻、基区电阻、集电极电阻、发射极电阻等，元器件一致性强，大大降低电路中元器件的种类以及工艺结构的复杂性，降低芯片面积及功耗，工艺阶段性成品率高，成本低，可靠性高。

为此，本实用新型提供一种可调线性稳压集成电路，如图1所示。包括：启动偏置电路模块、放大补偿输出电路模块、温度保护模块、电流保护电路模块和电压保护电路模块。

所述启动偏置电路模块：包括启动电路和偏置电路。启动电路接受外部电压后为偏置电路提供信号，使得偏置电路开始工作，偏置电路模块通过多个镜像电流源，镜像复制相同的或者一定比例的电流，为后续其他电路模块提供工作电流。

所述放大补偿输出电路模块包括放大电路、基准电路、补偿电路和输出电路。放大补偿输出电路模块接受偏置电路的信号，从而开始放大信号以及稳定输出，补偿电路用于监视放大电流，一旦被监视的电流过大或者过小时，即可以通过补偿电路对其进行方向调整。基准电路产生基准电源，通过基准电压输出端可调取样网络对基准电压进行调整和控制。输出电路对基准电压进行功率放大，通过电压输出端可调取样网络对输出电压进行调整和控制。

所述过温电路保护模块接受偏置电路配置的信号后开启，通过监视的电流实时检测整体电路的温度，其中的晶体管为设置的负温度系数，一旦温度高到设定的程度，晶体管导通，即将电流全部引入地端，保护整体电路不受超温所影响。

所述电流保护电路模块和电压保护电路模块。用于实时检测电路的电流、电压以及功率，一旦电流超过设定值，或电压过大时，电流将全部从保护电路流出到地端，使得大电流不往补偿电路以及输出电路经过，保护电路。

所述启动偏置电路模块的正端与输入电压VIN端连接，负端与基准电源VOUT2端连接；温度保护模块、电流保护电路模块、电压保护电路模块的负端与基准电源VOUT2端连接；电压保护电路模块电源端与输入电压VIN端连接，电压取样端通过输出电压可调取样网络与输出电压VOUT端连接；偏置电流输出端分别与放大补偿输出电路模块、温度保护模块、电流保护电路模块、电压保护电路模块相应的偏置电流输入端连接；温度保护模块、电流保护电路模块的输出端与放大补偿输出电路模块相应的端口连接，放大补偿输出电路模块的基准电压输出端通过可调取样网络接地。

本集成电路结构的工作方式是：在电源端给出信号，开启电路模块开始工作，提供信号给偏置电路模块，偏置电路提供电流给放大电路模块、补偿电路模块、输出模块、温度保护模块、电压保护模块及电流保护模块。放大模块为电流放大模块，对输入电流进行放大，补偿电路模块对放大后的电流进行控制，最后通过输出模块进行稳定。通过调整放大模块、输出模块分压采样网络的可调电阻阻值，使得分压采样网络采样电阻上的电压稳定为固定值，固定数值可调。此外电压保护模块、电流保护模块、温度保护模块和静电保护模块全程监管上述开启电路模块、偏置电路模块、放大电路模块、补偿电路模块及输出电路模块的工作情况。

本实用新型各种电路模块均可以单独工作，各种保护电路模块可以进行部分修改以适应其他电路。各电路模块互相协调和统一来实现电路功能，最后组合而成成为一个可以面对多种电子方面的复杂环境并稳定工作，实现了一种具有高稳定性稳压集成电路的结构。

本实用新型的有源器件全为同种有源器件，全为晶体管或全为场效应管或全为MOS，一致性强，工艺阶段成品率高。

本实用新型所述稳压电路结构简洁，拥有多种保护电路保证电路的稳定性，适合在复杂环境中使用，如高空或宇航环境等。

附图说明

图1为电路原理模块结构框图示意图。

图2为整体电路原理结构示意图。

图3为启动偏置电路模块结构示意图。

图4为放大补偿输出电路模块结构示意图。

图5为温度保护（过温保护）电路模块结构示意图。

图6为电流保护（过流保护）电路模块结构示意图。

图7为电压保护（过压保护）电路模块结构示意图。

图8为静电保护模块结构示意图。

具体实施方式

实施例一：

如图1-7所示，所述一种可调线性稳压集成电路的具体实施方式如下：

1、启动偏置电路模块

如图3所示，所述启动偏置电路模块包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、R9、R10，稳压二极管Z1，PNP晶体管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5，NPN晶体管Q10、Q11。

所述R1、R2、R3、R4、R5、R6的一端与输入电压VIN端连接，R1的另一端与R8的一端、Z1的阴极连接，R2的另一端与Q1的发射极连接，R3的另一端与Q2的发射极连接，R4的另一端与Q3的发射极连接，R5的另一端与Q4的发射极连接，R6的另一端与Q5的发射极连接，Q1的集电极与Q10的集电极、Q1、Q2、Q3、Q4、Q5的基极连接，Q10的基极与Q11的基极、R8的另一端、Q2的集电极、R10的一端连接，Q10的发射极R9的一端连接，Z1的阳极与R9的另一端、Q11的发射极、VOUT2端连接，Q3、Q4、Q5的集电极分别输出偏置电流I3、I4、I5。

所述晶体管从Q11开始启动，与Q10、Q1、Q2、Q3、Q4、Q5构成镜像电流镜。

所述R2、R3、R4、R5、R6分别为晶体管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5提供静态工作点。

2、放大补偿输出电路模块

如图4所示，所述放大补偿输出电路模块包括NPN晶体管Q9、Q12、Q13、Q17、Q18、Q28、Q29，PNP晶体管Q6、Q7、Q8、Q14、Q15、Q16，电阻R11、R12、R13、R21、R22、R7、R23、R26、Rx、Ry，电容C1、C2，二极管D1。

所述Q13的集电极与Q6及Q7发射极、R7的一端、Q8的发射极、Q9的集电极、输入电源VIN端连接，Q12的集电极与对应的偏置电流端、Q15及Q16的发射极、Q6的集电极、Q28的基极、R21的一端连接，Q12的基极与Q13的发射极、R11的一端连接，Q14的发射极与对应的偏置电流端、Q13的基极连接，Q14的基极与C1的一端、C2的一端、Q15及Q17的集电极连接，C2的另一端与Rx的一端、R26的一端、Ry的一端连接，Ry的另一端接地，Q17的发射极与Rx的另一端、R12的一端连接，R12的另一端与Q18的发射极连接，Q18的集电极与Q16的集电极、Q15及Q16的基极连接，Q28的集电极与Q7的集电极、Q6及Q7基极连接，Q28的发射极与R22的一端连接，R22的另一端与Q29的发射极、D1的阴极、R23的一端连接，Q29的集电极与R7的另一端、Q8的基极连接，8的集电极与Q9的基极、D1在阳极连接，Q9的发射极通过R25与VOUT端连接，Q12的发射极与R11的另一端、Q14的集电极、C1的另一端、R26的另一端、Q17及Q18的基极、R23的另一端、VOUT2端连接。

所述晶体管Q12、Q13、Q14组成三级射极跟随放大电路。

所述晶体管Q15、Q16、Q17、Q18与电阻R12、Rx组成能隙基准电压电路。

所述电容C1、C2为系统稳定性补偿电容，所述电阻R26为输出电压采样电阻。

所述Q6、Q7组成比例镜像电流镜，Q6集电极电流为Q7集电极电流的1-500倍。

3、温度保护电路模块

如图5所示，所述温度保护模块包括NPN晶体管Q20、Q22，PNP晶体管Q19、Q21，电阻R13、R14、R15、R16。

所述Q19及Q21的发射极与对应的偏置电流端、R13的一端连接，Q19的基极与Q20的基极连接，Q20集电极与Q21的基极、R13的另一端连接，Q20发射极与R14的一端连接，Q21的集电极与Q22的基极、R15的一端连接，Q22的集电极与对应的偏置电流端连接，Q22的发射极与R16的一端连接，Q19集电极与R14的另一端、R15的另一端、R16的一端、vout2端连接。

所述Q22为负温度系数晶体管，用于检测整体电路温度。

所述的过温电路保护模块的输出端为放大补偿输出模块中的补偿电路和输出电路。

4、电流保护电路模块

如图6所示，所述电流保护模块包括NPN晶体管Q23、Q24、Q25，电阻R17、R18、R19、R20，补偿电容C3。

所述Q23的集电极与对应的偏置电流端、R17的一端、R20的一端连接，Q23的发射极与Q24的发射极、VOUT2端连接，Q23的基极与Q24的集电极、R17的另一端、C3的一端连接，Q24的基极与、C3的另一端、R18的一端连接，Q25的集电极与R18的另一端、R19的一端连接，Q25的基极与R19的另一端、R20的另一端连接，Q25的发射极与VOUT端连接。

所述电流保护模块监视I3电流支路。

所述电流保护模块拥有三个支路同时分流：I3——晶体管Q23——Vout2；I3——电阻R17——晶体管Q24——Vout2；I3——电阻R20——电阻R19——晶体管Q25——Vout。

所述的电流保护模块的输出端为放大补偿输出模块中的补偿电路和输出电路。

5、电压保护电路模块

如图7所示，所述电压保护模块包括稳压管Z2、Z3，电阻R24、R25、Rz，NPN晶体管Q26、Q27，其上接电源，下通过电阻R25连接到VOUT端。

所述Z2的阴极与VIN端连接，Z2的阳极通过R24与Z3的阴极连接，Z3的阳极与Rz的一端连接，Rz的一端与R25的一端连接，R25的另一端与VOUT端连接，Q27的集电极与对应的偏置电流端连接，Q27的基极与Z3的阳极、Q26的发射连接，Q26的基极及集电极与电流保护电路模块对应的工作电压偏置点连接。

所述稳压管Z2、Z3为稳压管组，所述稳压管组包含1-1000个稳压管。

所述稳压管Z2、Z3和电阻R24的位置没有限定。

实施例二：

如图8所示，在实施例一的基础上，增加如下静电保护模块：

所述静电保护模块与稳压集成电路的输入端、输出端、基准电压端、接地端连接，对各端口进行静电保护，当电路未工作时，稳压集成电路就有可能遇到瞬时大电压高达几千伏的静电，此时，本静电保护模块开始工作，将静电吸收。

所述静电保护模块由NPN晶体管Q30、Q32、Q34，PNP晶体管Q31、Q33组成。

所述晶体管Q34的集电极与Q30的集电极、Q31的发射极及基极、VIN端连接，Q31的集电极与Q32的集电极、VOUT端连接，Q32的发射极及基极与Q33的发射极及基极、Q30的发射极及基极、VOUT2端连接，Q34的发射极及基极与、Q33的集电极、接地端连接。

所述晶体管Q30、Q31、Q32、Q33、Q34的基极与发射极短接，且两两反接，形成两组双向抗静电二极管。

所述静电保护模块与图2所示完整电路图独立，与图8电路图中相应的电路端口相连。

以上电路所述晶体管的极性都可根据实际情况改变，如NPN管变成PNP管，NPN管变成NMOS管，PNP管变成PMOS管，或变成IGBT等有源器件。

以上电路所述电阻的类型不限，可以为外延层电阻，基区电阻，集电极电阻，发射极电阻等。

所述一种可调线性稳压集成电路的工作原理如下：

如图3所示，所述启动偏置电路模块的启动电路接受外部电压后在电阻R1上有电流通过，为偏置电路提供信号，使得偏置电路开始工作。所述偏置电路模块通过多个镜像电流源，镜像复制相同的或者一定比例的电流，为后续其他电路模块提供信号。

所述启动偏置电路包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、R9、R10，稳压二极管Z1，晶体管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q10、Q11。当电源开启时，该开启电路的R1、R8、R10有电流流过，因此使得Q11晶体管开启，从而使得偏置电路受到开启电路的信号从而启动。偏置电路由Q11开始启动，Q10加上R9与Q11构成镜像电流源，Q10上流过的电流与Q11镜像复制从而一样或者一定比例的电流，同理Q1与Q10形成镜像电流源，Q2与Q1组成镜像电流源，Q3与Q2组成镜像电流源，Q4与Q3组成镜像电流源，Q5与Q4组成镜像电流源，Q3、Q4、Q5产生的电流为下级电路模块提供信号，电阻R2、R3、R4、R5、R6分别为晶体管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5起到稳定静态工作点的作用。稳压管Z1反向接在电阻R1下端，使得启动电流往Q11流动。

如图4所示，所述放大补偿输出电路模块接受偏置电路的信号，从而开始放大信号以及稳定输出，补偿电路用于监视放大电流，一旦放大电流所经电路I3过大或者过小，即可以通过补偿电路对其进行方向调整。

便于理解，因放大补偿电路不能单独工作，因此将启动偏置电路一起画出。放大电路由能隙基准电压电路和三个射极跟随器（或电流放大器）组成，晶体管Q15、Q16、Q17、Q18以及电阻RX、R12组成能隙基准电压电路，可以实现固定输出，且不会受到温度的影响；晶体管Q12、Q13、Q14为三级射极跟随放大电路，Q14上方链接偏置电路中的电流源Q4，因此形成了以电流源为有源负载的电路，大大地增强该晶体管的放大能力，晶体管Q13上接电源，下接电阻R11，Q12上接偏置电路中的电流源Q3，下接Vout2，该三级射极跟随放大电路设计为Q12、Q14由偏置电路启动，而中间级Q13如果也为偏置电路所启动，其偏置电路所受的电流压力太大，不能稳定电路，因此中间级Q13直接从电源吸取电流。补偿电容C1上链接晶体管Q14的基极下接基准电路负端，补偿电容C2上连接晶体管Q15与Q17的集电极，下连接R26、Rx、Ry。电阻R26为电压钳位电阻，Rx、Ry为输出电压采样电阻，Rx、Ry的电阻值可调，通过选择合适的Rx、Ry值，可以使得Ry上稳定的电压可调。

所述补偿电路为晶体管Q6、Q7、Q26、Q27以及电阻R21、R22组成，Q6与Q7组成比例镜像电流源，流过Q6的电流比Q7的大几倍至上百倍，电阻R21与晶体管Q26的基级相连电压位一致，因此通过控制R21的电阻值大小，即可完成对I3电流的补偿，当I3电流很小不能使得放大电路正常工作时，调整电阻R21的数值，使得晶体管Q26的Ib增大，因Ic为βIb，因此Q7电流增大，Q6电流也几十上百倍增大，从而增大I3的电流，反之当I3电流很大时，通过调整R21阻值从而对电流I3进行负向补偿。

所述晶体管Q8、Q9，二极管D1，以及电阻R23、R25组成输出电路模块，可以通过调节晶体管Q8、Q9来决定整体电路最后的稳压数值。输出电路中：二极管D1正极方向接在晶体管Q9基极，提高晶体管Q9的基极电压，使得晶体管Q9常态开启，从而让晶体管Q8，Q9作为达林顿复合管一直正常工作。晶体管Q27和电阻R7连接晶体管Q8的基极，为晶体管Q8提供偏置。

如图5所示，所述温度保护电路模块接受偏置电路Q5的信号开启，通过电流I3实时检测整体电路的温度，其中的晶体管为设置的负温度系数，一旦温度高到一定程度，比如155℃，晶体管导通，即将电流全部引入地端，保护整体电路不受超温所影响。

为方便看图，图中画入了所述偏置电路一部分、补偿电路以及输出电路。所述温度保护电路由晶体管Q19、Q20、Q21、Q22,电阻R13、R14、R15、R16组成。晶体管Q19、Q21和电阻R13同时受到偏置电路中晶体管Q5产生的电流I5控制，当偏置电路提供信号后，开始启动，Q19和Q20构成一个互补晶体管结构，R13为晶体管Q20起到了稳定静态工作点的作用。R14为晶体管Q20的输出电阻，加上晶体管Q21及其电阻R15，为过温保护电路最重要的晶体管Q22的基极提供信号，晶体管Q22检测I3的温度，当温度高于设定温度时，所有电流即从晶体管Q22下方的R16流走，保证了电路的稳定性。

如图6、图7所示，所述安全工作区模块（电流保护电路模块、电压保护电路模块）用于实时检测电路的电流和电压以及功率，一旦电流超过设定值，或电压过大时，或功率超过设定值时（有时电流电压未超出设定值，功率却会超出）电流将全部从对应电路流出到地端，使得大电流不往补偿电路以及输出电路经过，保护电路，该电路中通过Q27将电流保护模块和电压保护模块结合，从而可以实时监测功率，稳压集成电路中没有这个设计，只能单独监测电压和电流。

安全工作区模块包括晶体管Q23、Q24、Q25、Q26、Q27，电阻R17、R18、R19、R20、R24、R25、可变电阻RZ、补偿电容C3、稳压管Z2、Z3，稳压管Z3下方连接晶体管Q27的基极。当I3电流超过设定值时，该模块可以使得电流从晶体管Q23的集电极到发射极支路，R17到晶体管Q24集电极到发射极支路，电阻R20到电阻R19到晶体管Q25支路分别分流到VOUT2、VOUT，其中电阻R18为晶体管Q24和Q25的输入电阻，使得晶体管Q24和Q25更稳定。该种三条支路分流设计使得本模块有极强的分流能力，在大电流浪涌出现使可以保护补偿电路模块和输出电路。或者当电源电压电压过高时，因本模块与其他模块并联，电压一致，本模块设定的稳压二极管即会逐渐导通，当全体导通时，电流将直接通过该模块回路入地端，保护其他模块。再或者当功率超出设定值时，使得电流直接通过该模块回路入地端。本实用新型实现了对可变功率的检测。

图2则为图3至图7的整体电路图，所有模块共同形成一个完整的具有多方面保护电路的稳压电路。

如图8所示，所述静电保护模块用于图2所示稳压电源电路的对应端口连接，因端口处静电可能高达几千伏，当电路未工作时，如果稳压电源电路端口遇到瞬时大电压时，所述静电保护模块开始工作，将静电吸收。

所述静电保护模块包括晶体管Q30、Q31、Q32、Q33、Q34，且互相反接，形成两组反向二极管以抗静电。

以上所述电路模块均可以单独工作，各种保护电路模块可以进行部分修改以适应其他电路。

本电路是为了保证电阻R26上的电压为固定值，一旦当外部波动使得电阻R26电压改变时，多余电流将会被放大补偿输出电路吸走，从而使得流过电阻R26的电流不变，即稳压。

以上实施例中，有源器件的晶体管可以根据实际情况改变成N管或P晶体管。此外该有源器件还能为MOS管，晶体管的集电极对应MOS管的源极，晶体管的发射极对应MOS管的漏极，晶体管的基极对应MOS管的栅极。或者另外一个优选例，有源器件还能为IGBT，晶体管的基极对应IGBT的栅极。

最后应说明的是：上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，本实用新型包括但不限于以上实施例，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。凡符合本实用新型要求的实施方案均属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种可调线性稳压集成电路，其特征在于，包括：启动偏置电路模块、放大补偿输出电路模块、温度保护模块、电流保护电路模块和电压保护电路模块；

所述电流保护电路模块和电压保护电路模块；

所述启动偏置电路模块的正端与输入电压VIN端连接，负端与基准电源VOUT2端连接；温度保护模块、电流保护电路模块、电压保护电路模块的负端与基准电源VOUT2端连接；电压保护电路模块电源端与输入电压VIN端连接，电压取样端通过输出电压可调取样网络与输出电压VOUT端连接；偏置电流输出端分别与放大补偿输出电路模块、温度保护模块、电流保护电路模块、电压保护电路模块相应的偏置电流输入端连接；温度保护模块、电流保护电路模块的输出端与放大补偿输出电路模块相应的端口连接，放大补偿输出电路模块的基准电压输出端通过可调取样网络接地。

2.如权利要求1所述的一种可调线性稳压集成电路，其特征在于：所述启动偏置电路模块包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、R9、R10，稳压二极管Z1，PNP晶体管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5，NPN晶体管Q10、Q11；

所述R1、R2、R3、R4、R5、R6的一端与输入电压VIN端连接，R1的另一端与R8的一端、Z1的阴极连接，R2的另一端与Q1的发射极连接，R3的另一端与Q2的发射极连接，R4的另一端与Q3的发射极连接，R5的另一端与Q4的发射极连接，R6的另一端与Q5的发射极连接，Q1的集电极与Q10的集电极、Q1、Q2、Q3、Q4、Q5的基极连接，Q10的基极与Q11的基极、R8的另一端、Q2的集电极、R10的一端连接，Q10的发射极R9的一端连接，Z1的阳极与R9的另一端、Q11的发射极、VOUT2端连接，Q3、Q4、Q5的集电极分别输出偏置电流I3、I4、I5；

所述晶体管从Q11开始启动，与Q10、Q1、Q2、Q3、Q4、Q5构成镜像电流镜；

所述R2、R3、R4、R5、R6分别为晶体管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5提供静态工作点。

3.如权利要求1所述的一种可调线性稳压集成电路，其特征在于：所述放大补偿输出电路模块包括NPN晶体管Q9、Q12、Q13、Q17、Q18、Q28、Q29，PNP晶体管Q6、Q7、Q8、Q14、Q15、Q16，电阻R11、R12、R13、R21、R22、R7、R23、R26、Rx、Ry，电容C1、C2，二极管D1；

所述Q13的集电极与Q6及Q7发射极、R7的一端、Q8的发射极、Q9的集电极、输入电源VIN端连接，Q12的集电极与对应的偏置电流端、Q15及Q16的发射极、Q6的集电极、Q28的基极、R21的一端连接，Q12的基极与Q13的发射极、R11的一端连接，Q14的发射极与对应的偏置电流端、Q13的基极连接，Q14的基极与C1的一端、C2的一端、Q15及Q17的集电极连接，C2的另一端与Rx的一端、R26的一端、Ry的一端连接，Ry的另一端接地，Q17的发射极与Rx的另一端、R12的一端连接，R12的另一端与Q18的发射极连接，Q18的集电极与Q16的集电极、Q15及Q16的基极连接，Q28的集电极与Q7的集电极、Q6及Q7基极连接，Q28的发射极与R22的一端连接，R22的另一端与Q29的发射极、D1的阴极、R23的一端连接，Q29的集电极与R7的另一端、Q8的基极连接，8的集电极与Q9的基极、D1在阳极连接，Q9的发射极通过R25与VOUT端连接，Q12的发射极与R11的另一端、Q14的集电极、C1的另一端、R26的另一端、Q17及Q18的基极、R23的另一端、VOUT2端连接；

所述晶体管Q12、Q13、Q14组成三级射极跟随放大电路；

所述晶体管Q15、Q16、Q17、Q18与电阻R12、Rx组成能隙基准电压电路；

所述电容C1、C2为系统稳定性补偿电容，所述电阻R26为输出电压采样电阻；

所述Q6、Q7组成比例镜像电流镜，Q6集电极电流为Q7集电极电流的1-500倍。

4.如权利要求1所述的一种可调线性稳压集成电路，其特征在于：所述温度保护模块包括NPN晶体管Q20、Q22，PNP晶体管Q19、Q21，电阻R13、R14、R15、R16；

所述Q19及Q21的发射极与对应的偏置电流端、R13的一端连接，Q19的基极与Q20的基极连接，Q20集电极与Q21的基极、R13的另一端连接，Q20发射极与R14的一端连接，Q21的集电极与Q22的基极、R15的一端连接，Q22的集电极与对应的偏置电流端连接，Q22的发射极与R16的一端连接，Q19集电极与R14的另一端、R15的另一端、R16的一端、vout2端连接；

所述Q22为负温度系数晶体管，用于检测整体电路温度。

5.如权利要求1所述的一种可调线性稳压集成电路，其特征在于：所述电流保护模块包括NPN晶体管Q23、Q24、Q25，电阻R17、R18、R19、R20，补偿电容C3；

所述Q23的集电极与对应的偏置电流端、R17的一端、R20的一端连接，Q23的发射极与Q24的发射极、VOUT2端连接，Q23的基极与Q24的集电极、R17的另一端、C3的一端连接，Q24的基极与、C3的另一端、R18的一端连接，Q25的集电极与R18的另一端、R19的一端连接，Q25的基极与R19的另一端、R20的另一端连接，Q25的发射极与VOUT端连接。

6.如权利要求1所述的一种可调线性稳压集成电路，其特征在于：所述电压保护模块包括稳压管Z2、Z3，电阻R24、R25、Rz，NPN晶体管Q26、Q27，其上接电源，下通过电阻R25连接到VOUT端；

所述Z2的阴极与VIN端连接，Z2的阳极通过R24与Z3的阴极连接，Z3的阳极与Rz的一端连接，Rz的一端与R25的一端连接，R25的另一端与VOUT端连接，Q27的集电极与对应的偏置电流端连接，Q27的基极与Z3的阳极、Q26的发射连接，Q26的基极及集电极与电流保护电路模块对应的工作电压偏置点连接；

所述稳压管Z2、Z3为稳压管组，所述稳压管组包含1-1000个稳压管；

所述稳压管Z2、Z3和电阻R24的位置没有限定。

7.如权利要求1所述的一种可调线性稳压集成电路，其特征在于，包括：PNP晶体管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q14、Q15、Q16、Q19、Q21，NPN晶体管Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q17、Q18、Q20、Q22、Q23、Q24、Q25、Q26、Q27、Q28、Q29，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26，可调电阻Rx、Ry、Rz，稳压二极管Z1、Z2、Z3，电容C1、C2、C3，二极管D1；

R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7的一端，Q13的集电极，Q6、Q7、Q8的发射极，Z2的阴极与输入电源VIN端连接；R1的另一端与R8的一端、Z1的阴极连接，R2的另一端与Q1的发射极连接，R3的另一端与Q2的发射极连接，R4的另一端与Q3的发射极连接，R5的另一端与Q4的发射极连接，R6的另一端与Q5的发射极连接，R7的另一端与Q8的基极、Q29的集电极连接，Q1的基极、Q1的集电极、Q10的集电极、Q3的基极、Q4的基极、Q5的基极连接，Q7的基极、Q7的集电极、Q28的集电极连接，Q28的发射极与R22的一端连接，Q29的基极与R21的另一端连接，Q29的发射极与R22的另一端、D1的阴极、R23的一端连接，Q8的基极、R7的另一端、Q29的集电极连接，Q8的集电极、Q9的基极D1的阳极连接，Z2的阳极与R24的一端连接，R24的另一端与Z3的阴极连接，R8的另一端与Q2的集电极、R10的一端、Q10及Q11的基极连接，Q10的发射极与R9的一端连接，Q11的集电极与R10的另一端、Q19和Q20的基极连接；Q12的集电极与Q3的集电极、Q15及Q16的发射极、Q22及Q23的集电极、R17的一端、R20的一端、R21的一端、Q6及Q27的集电极、Q28的基极连接；Q12的基极与Q13的发射极、R11的一端连接，Q13的基极与Q4的集电极、Q14的发射极连接，Q14的基极与C1的一端、C2的一端、Q15及Q17的集电极连接，Q17的发射极与R12的一端、Rx的一端连接，Q18的发射极与R12的另一端连接，Q18的集电极与Q16的集电极、Q15与Q16的基极连接；C2的另一端与Rx的另一端、Ry的一端、R26的一端连接，Ry的另一端接地，Q19的发射极与Q5的集电极、R13的一端、Q21的发射极连接，Q20的集电极与R13的另一端、Q21的基极连接，Q20的发射极与R14的一端连接，Q21的集电极与R15的一端、Q22的基极连接，Q22的集电极与R16的一端；Q23的基极与R17的另一端、C3的一端、Q24的集电极连接，Q24的基极与C3的另一端、R18的一端连接，Q26的集电极与R18的另一端、R19的一端、Q26的集电极连接，Q26的基极与Q25的基极、R19的另一端、R20的另一端连接；Q26的发射极与Q27的基极Z3的阳极、Rz的一端连接，Q25的发射极与Q9的发射极、Rz的另一端、R25的一端连接，R25的另一端与输出电压VOUT端连接；Z1的阳极与R9的另一端、Q11的发射极、Q12的发射极、R11的另一端、Q14的集电极、C1的另一端、Q17及Q18的基极、Q19的集电极、R14的另一端、R15的另一端、R16的另一端、Q23及Q24的发射极、Q27的发射极、R23的另一端、R26的另一端、VOUT2端连接。

8.如权利要求2-7之一所述的一种可调线性稳压集成电路，其特征在于：所述电阻的类型为外延层电阻、基区电阻、集电极电阻或发射极电阻。

9.如权利要求2-7之一所述的一种可调线性稳压集成电路，其特征在于：所述集成电路中的有源器件全为晶体管或全为场效应管或全为MOS或全为IGBT。

10.如权利要求1所述的一种可调线性稳压集成电路，其特征在于，包括静电保护模块，所述静电保护模块的相应端口与稳压集成电路相应的输入端、输出端、基准电压端、接地端连接；

所述静电保护模块由NPN晶体管Q30、Q32、Q34，PNP晶体管Q31、Q33组成；

所述晶体管Q34的集电极与Q30的集电极、Q31的发射极及基极、VIN端连接，Q31的集电极与Q32的集电极、VOUT端连接，Q32的发射极及基极与Q33的发射极及基极、Q30的发射极及基极、VOUT2端连接，Q34的发射极及基极与、Q33的集电极、接地端连接。