CN220672856U - 天线元件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种天线元件，具备绝缘基材、第1面状接地导体层、第1辐射导体层和第1接地导体。第1面状接地导体层与接地电位连接，并且设置于绝缘基材。第1辐射导体层对第1高频信号进行辐射以及/或者接收，并且设置于绝缘基材，并且位于第1面状接地导体层之上。在上下方向上观察，第1辐射导体层的下主面与第1面状接地导体层的上主面重叠。第1接地导体与接地电位连接，并且设置于绝缘基材。第1接地导体的上端位于比第1辐射导体层靠上侧。在上下方向上观察，第1接地导体与第1辐射导体层分离。在上下方向上观察，在第1接地导体与第1辐射导体层之间，未设置除了传输第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体。

Description

天线元件

技术领域

本实用新型涉及具备贴片天线的天线元件。

背景技术

作为以往的涉及天线元件的发明，已知专利文献1记载的贴片天线。该贴片天线具备电介质块、接地电极、无源电极、辐射电极以及连接电极。电介质块具有具备上主面以及下主面的圆盘形状。接地电极设置在电介质块的下主面。辐射电极设置在电介质块的上主面的中央附近。无源电极设置在电介质块的上主面。在上下方向上观察，无源电极具有包围辐射电极的周围的圆环形状。连接电极设置在电介质块的侧面。连接电极将接地电极和无源电极电连接。在以上那样的贴片天线中，辐射电极进行高频信号的收发。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-97115号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

可是，在专利文献1记载的贴片天线中，存在想要使指向性进一步提高的期望。

因此，本实用新型的目的在于，提供一种能够使贴片天线的指向性提高的天线元件。

用于解决问题的技术方案

本实用新型的一个方式涉及的天线元件具备绝缘基材、第1面状接地导体层、第1辐射导体层和第1接地导体，

所述第1面状接地导体层与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1辐射导体层对第1高频信号进行辐射以及/或者接收，并且设置于所述绝缘基材，并且位于所述第1面状接地导体层之上，

在上下方向上观察，所述第1辐射导体层的下主面与所述第1面状接地导体层的上主面重叠，

所述第1接地导体与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1接地导体的上端位于比所述第1辐射导体层靠上侧，

在上下方向上观察，所述第1接地导体与所述第1辐射导体层分离，

在上下方向上观察，在所述第1接地导体与所述第1辐射导体层之间，未设置除了传输所述第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体，

所述绝缘基材具有多个绝缘体层在上下方向上层叠的构造，

所述第1接地导体包含上端接地导体层，该上端接地导体层包含所述第1接地导体的上端，

所述多个绝缘体层包含第1绝缘体层，

所述上端接地导体层和所述第1辐射导体层设置于所述第1绝缘体层，

所述第1绝缘体层在上下方向上弯曲，使得所述上端接地导体层的上端位于比所述第1辐射导体层靠上侧，

所述第1绝缘体层在上下方向上弯曲，由此所述上端接地导体层在上下方向上弯曲。

本实用新型的另一个方式涉及的天线元件具备绝缘基材、第1面状接地导体层、第1辐射导体层和第1接地导体，

所述第1面状接地导体层与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1辐射导体层对第1高频信号进行辐射以及/或者接收，并且设置于所述绝缘基材，并且位于所述第1面状接地导体层之上，

在上下方向上观察，所述第1辐射导体层的下主面与所述第1面状接地导体层的上主面重叠，

所述第1接地导体与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1接地导体的上端位于比所述第1辐射导体层靠上侧，

在上下方向上观察，所述第1接地导体与所述第1辐射导体层分离，

在上下方向上观察，在所述第1接地导体与所述第1辐射导体层之间，未设置除了传输所述第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体，

所述第1接地导体包含上端接地导体层，该上端接地导体层包含所述第1接地导体的上端，

在上下方向上观察，将从所述第1辐射导体层朝向所述上端接地导体层的方向定义为第1方向，

在上下方向上观察，将与所述第1方向正交的方向定义为第2方向，

所述第2方向上的所述上端接地导体层的长度比所述第2方向上的所述第1辐射导体层的长度长，

在上下方向上观察，将以所述第1辐射导体层为中心在顺时针方向上的所述上端接地导体层的上游端和所述第1辐射导体层连接的直线作为第1直线，

在上下方向上观察，将以所述第1辐射导体层为中心在顺时针方向上的所述上端接地导体层的下游端和所述第1辐射导体层连接的直线作为第2直线，

所述第1直线和所述第2直线所成的角度之中的位于被所述第1直线、所述第2直线以及所述上端接地导体层包围的区域内的角度为180度以上。

本实用新型的另一个方式涉及的天线元件具备绝缘基材、第1面状接地导体层、第1辐射导体层和第1接地导体，

所述第1面状接地导体层与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1辐射导体层对第1高频信号进行辐射以及/或者接收，并且设置于所述绝缘基材，并且位于所述第1面状接地导体层之上，

在上下方向上观察，所述第1辐射导体层的下主面与所述第1面状接地导体层的上主面重叠，

所述第1接地导体与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1接地导体的上端位于比所述第1辐射导体层靠上侧，

在上下方向上观察，所述第1接地导体与所述第1辐射导体层分离，

在上下方向上观察，在所述第1接地导体与所述第1辐射导体层之间，未设置除了传输所述第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体，

所述天线元件还具备第2接地导体，

所述第2接地导体与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第2接地导体的上端位于比所述第1辐射导体层靠上侧，

在上下方向上观察，所述第2接地导体与所述第1辐射导体层分离，

在上下方向上观察，在所述第2接地导体与所述第1辐射导体层之间，未设置除了传输所述第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体，

在上下方向上观察，所述第1接地导体以及所述第2接地导体位于从所述第1辐射导体层观察不同的方向。

本实用新型的另一个方式涉及的天线元件具备绝缘基材、第1面状接地导体层、第1辐射导体层和第1接地导体，

所述第1面状接地导体层与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1辐射导体层对第1高频信号进行辐射以及/或者接收，并且设置于所述绝缘基材，并且位于所述第1面状接地导体层之上，

在上下方向上观察，所述第1辐射导体层的下主面与所述第1面状接地导体层的上主面重叠，

所述第1接地导体与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1接地导体的上端位于比所述第1辐射导体层靠上侧，

在上下方向上观察，所述第1接地导体与所述第1辐射导体层分离，

在上下方向上观察，在所述第1接地导体与所述第1辐射导体层之间，未设置除了传输所述第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体，

所述天线元件还具备第1绝缘构件，

所述第1绝缘构件设置在所述绝缘基材之上，并且在上下方向上观察与所述第1辐射导体层重叠，

所述第1绝缘构件的介电常数比所述绝缘基材的介电常数高。

实用新型效果

根据本实用新型涉及的天线元件，能够使贴片天线的指向性提高。

附图说明

图1是天线元件10的分解立体图。

图2是图1的A-A处的天线元件10的剖视图。

图3是天线元件10a的剖视图。

图4是天线元件10b的剖视图。

图5是天线元件10c的剖视图。

图6是天线元件10d的分解立体图。

图7是天线元件10e的分解立体图。

图8是天线元件10f的第1辐射导体层20、第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c以及上端接地导体层160的俯视图。

图9是天线元件10g的第1辐射导体层20、第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c以及上端接地导体层160的俯视图。

图10是天线元件10h的剖视图。

具体实施方式

(实施方式)

[天线元件10的构造]

以下，参照附图对本实用新型的一个实施方式涉及的天线元件10的构造进行说明。图1是天线元件10的分解立体图。图2是图1的A-A处的天线元件10的剖视图。

以下，将天线元件10的绝缘基材12的层叠方向定义为上下方向。此外，在上下方向上观察，天线元件10具有长方形形状。在上下方向上观察，将天线元件10的长边延伸的方向定义为左右方向。在上下方向上观察，将天线元件10的短边延伸的方向定义为前后方向。上下方向、左右方向以及前后方向相互正交。另外，本说明书中的方向的定义为一个例子。因此，天线元件10的实际使用时的方向和本说明书中的方向不需要一致。此外，在各附图中上下方向也可以颠倒。同样地，在各附图中左右方向也可以颠倒。在各附图中前后方向也可以颠倒。

以下，X为天线元件10的部件或构件。在本说明书中，在没有特别声明的情况下，关于X的各部分，如以下这样来定义。所谓X的前部，意味着X的前半部分。所谓X的后部，意味着X的后半部分。所谓X的左部，意味着X的左半部分。所谓X的右部，意味着X的右半部分。所谓X的上部，意味着X的上半部分。所谓X的下部，意味着X的下半部分。所谓X的前端，意味着X的前方向的一端。所谓X的后端，意味着X的后方向的一端。所谓X的左端，意味着X的左方向的一端。所谓X的右端，意味着X的右方向的一端。所谓X的上端，意味着X的上方向的一端。所谓X的下端，意味着X的下方向的一端。所谓X的前端部，意味着X的前端及其附近。所谓X的后端部，意味着X的后端及其附近。所谓X的左端部，意味着X的左端及其附近。所谓X的右端部，意味着X的右端及其附近。所谓X的上端部，意味着X的上端及其附近。所谓X的下端部，意味着X的下端及其附近。

天线元件10例如用于便携式电话等电子设备。如图1所示，天线元件10具备绝缘基材12、第1接地导体16、面状接地导体层18(第1面状接地导体层)、第1辐射导体层20、信号电极22以及连接部24。

绝缘基材12具有板形状。在上下方向上观察，绝缘基材12具有长方形形状。绝缘基材12具有绝缘体层14a～14e在上下方向上层叠的构造。绝缘体层14a～14e从上到下依次排列。绝缘体层14a～14e的材料是聚酰亚胺、液晶聚合物等热塑性树脂。

第1接地导体16、面状接地导体层18以及第1辐射导体层20作为贴片天线而发挥功能。面状接地导体层18设置于绝缘基材12。更详细地，面状接地导体层18设置在绝缘体层14e的下主面。由此，面状接地导体层18设置在绝缘基材12的下主面。如图1所示，在上下方向上观察，面状接地导体层18具有长方形形状。面状接地导体层18的长边在左右方向上延伸。面状接地导体层18的短边在前后方向上延伸。面状接地导体层18与接地电位连接。

第1辐射导体层20对第1高频信号进行辐射以及/或者接收。第1辐射导体层20设置于绝缘基材12。更详细地，第1辐射导体层20设置在绝缘体层14b的上主面。因此，第1辐射导体层20位于面状接地导体层18之上。在此，所谓第1辐射导体层20配置在面状接地导体层18之上，是指以下的状态。第1辐射导体层20的一部分配置在面状接地导体层18向上方向平行移动时通过的区域内。因此，第1辐射导体层20既可以落入面状接地导体层18向上方向平行移动时通过的区域内，也可以从面状接地导体层18向上方向平行移动时通过的区域突出。在上下方向上观察，第1辐射导体层20的下主面与面状接地导体层18的上主面重叠。

信号电极22设置在绝缘体层14e的下主面。在上下方向上观察，信号电极22的周围被面状接地导体层18包围。不过，信号电极22与面状接地导体层18绝缘。第1辐射导体层20所辐射以及/或者接收的第1高频信号在信号电极22进行输入输出。

连接部24将第1辐射导体层20和信号电极22电连接。更详细地，连接部24包含层间连接导体v51～v54以及连接导体层202、204。层间连接导体v51～v54分别在上下方向上贯通了绝缘体层14b～14e。连接导体层202设置在层间连接导体v51与层间连接导体v52之间。连接导体层204设置在层间连接导体v52与层间连接导体v53之间。

第1接地导体16设置于绝缘基材12。更详细地，第1接地导体16是位于比面状接地导体层18靠上侧的接地导体。第1接地导体16包含上端接地导体层160、连接导体层180a～180c、182a～182c、184a～184c、186a～186c以及层间连接导体v1～v20。上端接地导体层160是上端接地导体层160、连接导体层180a～180c、182a～182c、184a～184c、186a～186c以及层间连接导体v1～v20之中的位于最上方的导体。因此，上端接地导体层160包含第1接地导体16的上端。在本实施方式中，上端接地导体层160的上主面是第1接地导体16的上端。

上端接地导体层160设置在绝缘体层14a的上主面。在上下方向上观察，上端接地导体层160具有具备框形状的四边形形状。因此，在上下方向上观察，上端接地导体层160的外缘具有长方形形状。上端接地导体层160的长边在左右方向上延伸。上端接地导体层160的短边在前后方向上延伸。不过，在上端接地导体层160，设置有不存在导体层的区域。在上下方向上观察，第1辐射导体层20的整体与不存在导体层的区域重叠。因此，在上下方向上观察，上端接地导体层160不与第1辐射导体层20重叠。如以上那样，在上下方向上观察，上端接地导体层160具有包围第1辐射导体层20的周围的环形状。

此外，包含第1接地导体16的上端的上端接地导体层160设置在绝缘体层14a的上主面。另一方面，第1辐射导体层20设置在绝缘体层14b的上主面。因此，如图2所示，第1接地导体16的上端(上端接地导体层160的上主面)位于比第1辐射导体层20靠上侧。在本说明书中，所谓第1接地导体16的上端(上端接地导体层160的上主面)配置于比第1辐射导体层20靠上侧，是指以下的状态。第1接地导体16的上端(上端接地导体层160的上主面)配置在位于穿过第1辐射导体层20的上端且与上下方向正交的平面之上的空间。在该情况下，第1接地导体16的上端(上端接地导体层160的上主面)以及第1辐射导体层20既可以在上下方向上排列，也可以不在上下方向上排列。

层间连接导体v1～v5以及连接导体层180a～180c形成了连接部170。连接部170设置于绝缘基材12的左部。此外，在上下方向上观察，连接部170设置于第1辐射导体层20的左侧。连接部170将面状接地导体层18和上端接地导体层160电连接。更详细地，层间连接导体v1～v5分别在上下方向上贯通了绝缘体层14a～14e。连接导体层180a设置在层间连接导体v1与层间连接导体v2之间。连接导体层180b设置在层间连接导体v2与层间连接导体v3之间。连接导体层180c设置在层间连接导体v3与层间连接导体v4之间。由此，第1接地导体16与接地电位连接。

层间连接导体v6～v10以及连接导体层182a～182c形成了连接部172。连接部172设置于绝缘基材12的右部。此外，在上下方向上观察，连接部172设置于第1辐射导体层20的右侧。另外，层间连接导体v6～v10以及连接导体层182a～182c的构造与层间连接导体v1～v5以及连接导体层180a～180c的构造相同，因此省略说明。

层间连接导体v11～v15以及连接导体层184a～184c形成了连接部174。连接部174设置于绝缘基材12的前部。此外，在上下方向上观察，连接部174设置于第1辐射导体层20的前侧。另外，层间连接导体v11～v15以及连接导体层184a～184c的构造与层间连接导体v1～v5以及连接导体层180a～180c的构造相同，因此省略说明。

层间连接导体v16～v20以及连接导体层186a～186c形成了连接部176。连接部176设置于绝缘基材12的后部。此外，在上下方向上观察，连接部176设置于第1辐射导体层20的后侧。另外，层间连接导体v16～v20以及连接导体层186a～186c的构造与层间连接导体v1～v5以及连接导体层180a～180c的构造相同，因此省略说明。

面状接地导体层18、第1辐射导体层20、上端接地导体层160以及连接导体层180a～180c、182a～182c、184a～184c、186a～186c例如通过对粘附于绝缘体层14a～14e的上主面或下主面的铜箔实施图案化而形成。此外，层间连接导体v1～v20例如为通孔导体。通孔导体通过在绝缘体层14a～14e形成贯通孔，在贯通孔填充导电性膏，并使导电性膏烧结而形成。

在上下方向上观察，以上那样的第1接地导体16与第1辐射导体层20分离。即，在上下方向上观察，第1接地导体16不与第1辐射导体层20重叠。进而，在上下方向上观察，在第1接地导体16与第1辐射导体层20之间，未设置除了传输第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体。在本实施方式中，在上下方向上观察，在第1辐射导体层20与第1接地导体16之间，存在面状接地导体层18，不存在其他的导体。

[效果]

根据天线元件10，能够使贴片天线的指向性提高。更详细地，在专利文献1记载的贴片天线中，无源电极具有包围辐射电极的周围的圆环形状。无源电极的上下方向上的位置与辐射电极的上下方向上的位置相同。因此，从辐射电极观察，无源电极存在于前后左右。在该情况下，辐射电极所辐射的高频信号从辐射电极向前后方向以及左右方向的行进被无源电极阻碍。

另一方面，第1接地导体16的上端(上端接地导体层160的上主面)位于比第1辐射导体层20靠上侧。即，从第1辐射导体层20观察，第1接地导体16的上端(上端接地导体层160的上主面)位于斜上方。由此，第1辐射导体层20所辐射的高频信号从第1辐射导体层20向斜上方向的行进被第1接地导体16阻碍。因此，从天线元件10辐射的高频信号的辐射角比从专利文献1记载的贴片天线辐射的高频信号的辐射角窄。其结果是，根据天线元件10，贴片天线的指向性提高。另外，第1辐射导体层20接收高频信号的情况也与第1辐射导体层20辐射高频信号的情况同样地，贴片天线的指向性提高。

根据天线元件10，贴片天线向上方向的指向性提高。更详细地，在上下方向上观察，上端接地导体层160具有包围第1辐射导体层20的周围的环形状。由此，第1辐射导体层20所辐射的高频信号向前斜上方向、后斜上方向、左斜上方向以及右斜上方向的行进被上端接地导体层160阻碍。其结果是，贴片天线向上方向的指向性提高。

此外，在天线元件10中，在上下方向上观察，在第1接地导体16与第1辐射导体层20之间，未设置除了传输第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体。由此，第1辐射导体层20、第1接地导体16以及面状接地导体层18能够作为贴片天线而发挥功能。

(第1变形例)

以下，参照附图对第1变形例涉及的天线元件10a进行说明。图3是天线元件10a的剖视图。在图3中，示出了与图1的A-A相当的位置处的天线元件10a的剖视图。

天线元件10a与天线元件10的不同点在于，还具备第1绝缘构件50。第1绝缘构件50设置在绝缘基材12之上。在上下方向上观察，第1绝缘构件50与第1辐射导体层20重叠。更详细地，在上下方向上观察，在与被上端接地导体层160包围的区域重叠的部分，不存在绝缘体层14a。而且，在与被上端接地导体层160包围的区域重叠的部分，取代绝缘体层14a而设置有第1绝缘构件50。即，在绝缘基材12的上主面设置有凹部。第1绝缘构件50设置在凹部内。第1绝缘构件50的介电常数比绝缘基材12的介电常数高。另外，天线元件10a的其他的构造与天线元件10相同，因此省略说明。

根据天线元件10a，第1绝缘构件50的介电常数比绝缘基材12的介电常数高。进而，在上下方向上观察，第1绝缘构件50与第1辐射导体层20重叠。由此，可谋求设置了第1绝缘构件50所带来的贴片天线的天线特性的宽频带化。

(第2变形例)

以下，参照附图对第2变形例涉及的天线元件10b进行说明。图4是天线元件10b的剖视图。在图4中，示出了与图1的A-A相当的位置处的天线元件10b的剖视图。

天线元件10b与天线元件10a的不同点在于：第1绝缘构件50的形状不同；以及还具备第2绝缘构件52。在上下方向上观察，第1绝缘构件50与第1接地导体16重叠。因此，第1绝缘构件50覆盖绝缘基材12的上主面的整面。此外，第2绝缘构件52设置在第1绝缘构件50之上。第2绝缘构件52覆盖第1绝缘构件50的上主面的整面。在上下方向上观察，第2绝缘构件52与第1辐射导体层20重叠。第2绝缘构件52的介电常数比第1绝缘构件50的介电常数高。另外，天线元件10b的其他的构造与天线元件10a相同，因此省略说明。

根据天线元件10b，设置在第1辐射导体层20之上的第1绝缘构件50的介电常数以及第2绝缘构件52的介电常数随着向上方向前进而上升。由此，可进一步抑制设置了第1绝缘构件50以及第2绝缘构件52所引起的贴片天线的辐射效率的下降。

(第3变形例)

以下，参照附图对第3变形例涉及的天线元件10c进行说明。图5是天线元件10c的剖视图。在图5中，示出了与图1的A-A相当的位置处的天线元件10c的剖视图。

天线元件10c与天线元件10的不同点在于：取代信号电极22而具备信号导体层60；以及不具备层间连接导体v53、v54。

信号导体层60设置在绝缘体层14d的上主面。信号导体层60与层间连接导体v52的下端连接。信号导体层60从层间连接导体v52向右方向延伸。在信号导体层60传输第1辐射导体层20所辐射以及/或者接收的第1高频信号。

另外，连接部172为了防止与信号导体层60发生干扰而设置于信号导体层60的前侧或后侧。因此，在图5中，未图示连接部172。天线元件10c的其他的构造与天线元件10相同，因此省略说明。

此外，绝缘基材12的右部具有层叠了绝缘体层14c～14e的构造。因此，绝缘基材12的右部具有挠性。因此，能够将绝缘基材12的右部折弯来使用。

在以上那样的天线元件10c中，在上下方向上观察，在第1接地导体16与第1辐射导体层20之间，设置有传输第1高频信号的信号导体层60以及与接地电位连接的面状接地导体层18。不过，在上下方向上观察，在第1接地导体16与第1辐射导体层20之间，未设置除了传输第1高频信号的信号导体层60以及与接地电位连接的面状接地导体层18以外的导体。

(第4变形例)

以下，参照附图对第4变形例涉及的天线元件10d进行说明。图6是天线元件10d的分解立体图。

天线元件10d与天线元件10的不同在于：上端接地导体层160的形状；以及有无连接部170、174、176。更详细地，在上下方向上观察，上端接地导体层160具有长方形形状。上端接地导体层160的长边在前后方向上延伸。上端接地导体层160的短边在左右方向上延伸。在上下方向上观察，上端接地导体层160位于第1辐射导体层20的右侧。

在上下方向上观察，将从第1辐射导体层20朝向上端接地导体层160的方向定义为第1方向。在本实施方式中，第1方向是右方向。在上下方向上观察，将与第1方向正交的方向定义为第2方向。在本实施方式中，第2方向是前后方向。而且，第2方向上的上端接地导体层160的长度比第2方向上的第1辐射导体层20的长度长。在本实施方式中，前后方向上的上端接地导体层160的长度比前后方向上的第1辐射导体层20的长度长。像天线元件10d这样，在上下方向上观察，上端接地导体层160从第1辐射导体层20观察也可以仅配置于1个方向。

根据天线元件10d，在上下方向上观察，上端接地导体层160位于第1辐射导体层20的右侧。前后方向上的上端接地导体层160的长度比前后方向上的第1辐射导体层20的长度长。因此，第1辐射导体层20所辐射的高频信号从第1辐射导体层20向右斜上方向的行进被上端接地导体层160阻碍。其结果是，根据天线元件10d，贴片天线的指向性提高。

(第5变形例)

以下，参照附图对第5变形例涉及的天线元件10e进行说明。图7是天线元件10e的分解立体图。

天线元件10e与天线元件10d的不同点在于，还具备第2接地导体216。第2接地导体216设置于绝缘基材12。更详细地，在上下方向上观察，第1接地导体16以及第2接地导体216位于从第1辐射导体层20观察不同的方向。更详细地，在上下方向上观察，第1接地导体16位于第1辐射导体层20的右侧。在上下方向上观察，第2接地导体216位于第1辐射导体层20的后侧。

第2接地导体216包含上端接地导体层260、连接导体层286a～286c以及层间连接导体v216～v220。上端接地导体层260是上端接地导体层260、连接导体层286a～286c以及层间连接导体v216～v220之中的位于最上方的导体。因此，上端接地导体层260包含第2接地导体216的上端。在本实施方式中，上端接地导体层260的上主面是第2接地导体216的上端。

在上下方向上观察，上端接地导体层260具有长方形形状。上端接地导体层260的长边在左右方向上延伸。上端接地导体层260的短边在前后方向上延伸。在上下方向上观察，上端接地导体层260位于第1辐射导体层20的后侧。

此外，作为第2接地导体216的上端的上端接地导体层260设置在绝缘体层14a的上主面。另一方面，第1辐射导体层20设置在绝缘体层14b的上主面。因此，第2接地导体216的上端(上端接地导体层260的上主面)位于比第1辐射导体层20靠上侧。

层间连接导体v216～v220以及连接导体层286a～286c形成了连接部276。连接部276设置于绝缘基材12的后部。此外，在上下方向上观察，连接部276设置于第1辐射导体层20的后侧。连接部276将面状接地导体层18和上端接地导体层260电连接。不过，层间连接导体v216～v220以及连接导体层286a～286c的构造与层间连接导体v16～v20以及连接导体层186a～186c的构造相同，因此省略说明。由此，第2接地导体216与接地电位连接。

在上下方向上观察，以上那样的第2接地导体216与第1辐射导体层20分离。即，在上下方向上观察，第2接地导体216不与第1辐射导体层20重叠。进而，在上下方向上观察，在第2接地导体216与第1辐射导体层20之间，未设置除了传输第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体。在本实施方式中，在上下方向上观察，在第1辐射导体层20与第2接地导体216之间，存在面状接地导体层18，不存在其他的导体。

根据天线元件10e，在上下方向上观察，第1接地导体16以及第2接地导体216位于从第1辐射导体层20观察不同的方向。具体地，在上下方向上观察，第1接地导体16位于第1辐射导体层20的右侧。在上下方向上观察，第2接地导体216位于第1辐射导体层20的后侧。由此，第1辐射导体层20所辐射的高频信号从第1辐射导体层20向右斜上方向以及后斜上方向的行进被上端接地导体层160、260阻碍。其结果是，根据天线元件10e，贴片天线的指向性提高。

(第6变形例)

以下，参照附图对第6变形例涉及的天线元件10f进行说明。图8是天线元件10f的第1辐射导体层20、第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c以及上端接地导体层160的俯视图。

天线元件10f与天线元件10的不同在于：有无第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c；以及上端接地导体层160的形状。天线元件10f还具备第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c。

第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c分别对第2高频信号至第4高频信号进行辐射以及/或者接收。第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c设置于绝缘基材12。在本实施方式中，第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c设置在绝缘体层14b的上主面。因此，第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c位于面状接地导体层18(第2面状接地导体层；在图8中未图示)之上。由此，在上下方向上观察，第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c的下主面与面状接地导体层18(第2面状接地导体层)的上主面重叠。

此外，在上下方向上观察，第1辐射导体层20、第2辐射导体层20a以及第3辐射导体层20b从左到右依次排列为一列。在上下方向上观察，第4辐射导体层20c位于第1辐射导体层20的后侧。

在上下方向上观察，上端接地导体层160具有包围第1辐射导体层20、第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c各自的周围的多个环形状组合而成的形状。因此，在上下方向上观察，上端接地导体层160(第1接地导体16)存在于第1辐射导体层20与第2辐射导体层20a之间。在上下方向上观察，上端接地导体层160(第1接地导体16)存在于第2辐射导体层20a与第3辐射导体层20b之间。在上下方向上观察，上端接地导体层160(第1接地导体16)存在于第1辐射导体层20与第4辐射导体层20c之间。由此，能够使相邻的第1辐射导体层20、第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c间的隔离度提高。

此外，上端接地导体层160设置在绝缘体层14a的上主面。第1辐射导体层20以及第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c设置在绝缘体层14b的上主面。因此，第1接地导体16的上端(上端接地导体层160的上主面)位于比第1辐射导体层20以及第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c靠上侧。

此外，在上下方向上观察，第1接地导体16与第1辐射导体层20以及第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c分离。而且，在上下方向上观察，在第1接地导体16与第1辐射导体层20之间，未设置除了传输第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体。在上下方向上观察，在第1接地导体16与第2辐射导体层20a之间，未设置除了传输第2高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体。在上下方向上观察，在第1接地导体16与第3辐射导体层20b之间，未设置除了传输第3高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体。在上下方向上观察，在第1接地导体16与第4辐射导体层20c之间，未设置除了传输第4高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体。

(第7变形例)

以下，参照附图对第7变形例涉及的天线元件10g进行说明。图9是天线元件10g的第1辐射导体层20、第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c以及上端接地导体层160的俯视图。

天线元件10g与天线元件10f的不同在于：上端接地导体层160的形状。更详细地，在上下方向上观察，上端接地导体层160不存在于第1辐射导体层20的左侧以及前侧。在上下方向上观察，上端接地导体层160不存在于第2辐射导体层20a的前侧。在上下方向上观察，上端接地导体层160不存在于第3辐射导体层20b的前侧。在上下方向上观察，上端接地导体层160不存在于第4辐射导体层20c的左侧以及后侧。

如以上那样，在上下方向上观察，上端接地导体层160也可以不具有包围第1辐射导体层20以及第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c各自的周围的多个环形状组合而成的形状。不过，在天线元件10g中，上端接地导体层160具有以下说明的构造。在上下方向上观察，将以第1辐射导体层20为中心在顺时针方向上的上端接地导体层160的上游端tu和第1辐射导体层20连接的直线定义为第1直线L1。在上下方向上观察，将以第1辐射导体层20为中心在顺时针方向上的上端接地导体层160的下游端td和第1辐射导体层20连接的直线定义为第2直线L2。此时，第1直线L1和第2直线L2所成的角度θ为180度以上。角度θ是第1直线L1和第2直线L2所成的角度之中的位于被第1直线L1、第2直线L2以及上端接地导体层160包围的区域内的角度。因此，在上下方向上观察，上端接地导体层160存在于第1辐射导体层20的周围的一半以上。虽然省略说明，但在上下方向上观察，上端接地导体层160存在于第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c各自的周围的一半以上。由此，在天线元件10g中，能够使第1辐射导体层20以及第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c的指向性提高。

另外，在上下方向上观察，第1直线L1以及第2直线L2的一端位于第1辐射导体层20的重心。

(第8变形例)

以下，参照附图对第8变形例涉及的天线元件10h进行说明。

图10是天线元件10h的剖视图。在图10中，示出了与图1的A-A相当的位置处的天线元件10h的剖视图。

天线元件10h与天线元件10的不同点在于，第1辐射导体层20设置在绝缘体层14a的上主面。更详细地，绝缘体层14a～14e包含作为第1绝缘体层的绝缘体层14a。上端接地导体层160和第1辐射导体层20设置于绝缘体层14a(第1绝缘体层)。在本实施方式中，上端接地导体层160和第1辐射导体层20设置在绝缘体层14a(第1绝缘体层)的上主面。

在此，在绝缘基材12中，将设置有第1接地导体16的区域定义为区域A2、A3。此外，在绝缘基材12中，将设置有第1辐射导体层20的区域定义为区域A1。在天线元件10h制造时，对绝缘基材12进行压接，使得施加于区域A1的压力大于施加于区域A2、A3的压力。由此，在绝缘基材12的压接工序中，区域A1与区域A2、A3相比被更大幅地压缩。其结果是，绝缘体层14a在上下方向上弯曲。具体地，区域A1中的绝缘体层14a位于比区域A2、A3中的绝缘体层14a靠下侧。由此，绝缘体层14a(第1绝缘体层)在上下方向上弯曲，使得上端接地导体层160的上端位于比第1辐射导体层20靠上侧。此外，绝缘体层14a(第1绝缘体层)在上下方向上弯曲，由此上端接地导体层160在上下方向上弯曲。换言之，上端接地导体层160沿着绝缘体层14a(第1绝缘体层)在上下方向上弯曲的形状而在上下方向上弯曲。由此，使得在第1辐射导体层20的左右方向上除了层间连接导体之外还存在上端接地导体层160。其结果是，能够使天线元件10h的指向性提高。此外，在天线元件10h包含多个辐射导体层的情况下，能够使相邻的多个辐射导体层间的隔离度提高。

此外，天线元件10h还具备阻挡层54、粘接层56以及树脂层58。阻挡层54、粘接层56以及树脂层58从下到上依次层叠在绝缘基材12之上。阻挡层54的介电常数比绝缘基材12的介电常数高。粘接层56的介电常数比阻挡层54的介电常数高。树脂层58的介电常数比粘接层56的介电常数高。

像天线元件10h这样，也可以利用绝缘基材12的变形而使上端接地导体层160的上端位于比第1辐射导体层20靠上侧。

(其他的实施方式)

本实用新型涉及的天线元件不限于天线元件10、10a～10h，能够在其主旨的范围内变更。此外，也可以将天线元件10、10a～10h的构造任意组合。

另外，在天线元件10、10a～10h中，第1接地导体16的上端是上端接地导体层160的上表面。然而，有时在上端接地导体层160之上还设置层间连接导体。在这样的情况下，第1接地导体16的上端为层间连接导体的上端。像这样，第1接地导体16的上端也可以是上端接地导体层160以外的结构的上端。此外，有时像天线元件10h这样上端接地导体层160在上下方向上弯曲。在该情况下，第1接地导体16的上端是上端接地导体层160的上主面之中的位于最上方的部分。

另外，在天线元件10、10a～10c、10f、10h中，在上下方向上观察，上端接地导体层160也可以不具有环形状。

另外，在天线元件10d、10e中，前后方向上的上端接地导体层160的长度也可以为前后方向上的第1辐射导体层20的长度以下。

另外，在天线元件10g中，第1直线L1和第2直线L2所成的角度θ也可以小于180度。

另外，在天线元件10f、10g中，在上下方向上观察，第1接地导体16也可以不位于第1辐射导体层20与第2辐射导体层20a之间。

另外，也可以是，在天线元件10e中，例如，上端接地导体层160在上下方向上观察位于第1辐射导体层20的右侧，上端接地导体层260在上下方向上观察位于第1辐射导体层20的左侧。

另外，在天线元件10a、10b中，第1绝缘构件50的介电常数也可以为绝缘基材12的介电常数以下。此外，在天线元件10b中，第2绝缘构件52的介电常数也可以为第1绝缘构件50的介电常数以下。

另外，天线元件10f也可以除了面状接地导体层18之外还具备第2面状接地导体层。在该情况下，在上下方向上观察，第1辐射导体层20的下主面与面状接地导体层18的上主面重叠。在上下方向上观察，第2辐射导体层20a～第4辐射导体层20c的下主面与第2面状接地导体层的上主面重叠。即，第1面状接地导体层和第2面状接地导体层既可以为1个面状接地导体层，也可以为2个面状接地导体层。

附图标记说明

10、10a～10h：天线元件；

12：绝缘基材；

14a～14e：绝缘体层；

16：第1接地导体；

18：面状接地导体层；

20：第1辐射导体层；

20a：第2辐射导体层；

20b：第3辐射导体层；

20c：第4辐射导体层；

22：信号电极；

50：第1绝缘构件；

52：第2绝缘构件；

54：阻挡层；

56：粘接层；

58：树脂层；

60：信号导体层；

160、260：上端接地导体层；

24、170、172、174、176、276：连接部；

180a～180c、182a～182c、184a～184c、186a～186c、202、204、286a～286c：连接导体层；

216：第2接地导体；

A1～A3：区域；

L1：第1直线；

L2：第2直线；

td：下游端；

tu：上游端；

v1～v20、v51～v54、v216～v220：层间连接导体。

Claims (13)

1.一种天线元件，其特征在于，具备绝缘基材、第1面状接地导体层、第1辐射导体层和第1接地导体，

所述第1面状接地导体层与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1辐射导体层对第1高频信号进行辐射以及/或者接收，并且设置于所述绝缘基材，并且位于所述第1面状接地导体层之上，

在上下方向上观察，所述第1辐射导体层的下主面与所述第1面状接地导体层的上主面重叠，

所述第1接地导体与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第1接地导体的上端位于比所述第1辐射导体层靠上侧，

在上下方向上观察，所述第1接地导体与所述第1辐射导体层分离，

在上下方向上观察，在所述第1接地导体与所述第1辐射导体层之间，未设置除了传输所述第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体，

所述第1接地导体包含上端接地导体层，该上端接地导体层包含所述第1接地导体的上端，

在上下方向上观察，将从所述第1辐射导体层朝向所述上端接地导体层的方向定义为第1方向，

在上下方向上观察，将与所述第1方向正交的方向定义为第2方向，

所述第2方向上的所述上端接地导体层的长度比所述第2方向上的所述第1辐射导体层的长度长，

在上下方向上观察，将以所述第1辐射导体层为中心在顺时针方向上的所述上端接地导体层的上游端和所述第1辐射导体层连接的直线作为第1直线，

在上下方向上观察，将以所述第1辐射导体层为中心在顺时针方向上的所述上端接地导体层的下游端和所述第1辐射导体层连接的直线作为第2直线，

所述第1直线和所述第2直线所成的角度之中的位于被所述第1直线、所述第2直线以及所述上端接地导体层包围的区域内的角度为180度以上。

2.根据权利要求1所述的天线元件，其特征在于，

在上下方向上观察，所述上端接地导体层具有包围所述第1辐射导体层的周围的环形状。

3.根据权利要求1或2所述的天线元件，其特征在于，

所述天线元件还具备第2辐射导体层以及第2面状接地导体层，

所述第2辐射导体层对第2高频信号进行辐射以及/或者接收，并且设置于所述绝缘基材，并且位于所述第2面状接地导体层之上，

在上下方向上观察，所述第2辐射导体层的下主面与所述第2面状接地导体层的上主面重叠，

所述第1接地导体的上端位于比所述第2辐射导体层靠上侧，

在上下方向上观察，所述第1接地导体与所述第2辐射导体层分离，

在上下方向上观察，在所述第1接地导体与所述第2辐射导体层之间，未设置除了传输所述第2高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体，

在上下方向上观察，所述第1接地导体位于所述第1辐射导体层与所述第2辐射导体层之间。

4.根据权利要求1所述的天线元件，其特征在于，

所述天线元件还具备第2接地导体，

所述第2接地导体与接地电位连接，并且设置于所述绝缘基材，

所述第2接地导体的上端位于比所述第1辐射导体层靠上侧，

在上下方向上观察，所述第2接地导体与所述第1辐射导体层分离，

在上下方向上观察，在所述第2接地导体与所述第1辐射导体层之间，未设置除了传输所述第1高频信号的导体或与接地电位连接的导体以外的导体，

在上下方向上观察，所述第1接地导体以及所述第2接地导体位于从所述第1辐射导体层观察不同的方向。

5.根据权利要求1或2所述的天线元件，其特征在于，

所述天线元件还具备第1绝缘构件，

所述第1绝缘构件设置在所述绝缘基材之上，并且在上下方向上观察与所述第1辐射导体层重叠，

所述第1绝缘构件的介电常数比所述绝缘基材的介电常数高。

6.根据权利要求5所述的天线元件，其特征在于，

在上下方向上观察，所述第1绝缘构件与所述第1接地导体重叠。

7.根据权利要求5所述的天线元件，其特征在于，

所述天线元件还具备第2绝缘构件，

所述第2绝缘构件设置在所述第1绝缘构件之上，并且在上下方向上观察与所述第1辐射导体层重叠，

所述第2绝缘构件的介电常数比所述第1绝缘构件的介电常数高。

8.根据权利要求1或2所述的天线元件，其特征在于，

所述绝缘基材具有多个绝缘体层在上下方向上层叠的构造，

所述多个绝缘体层包含第1绝缘体层，

所述上端接地导体层和所述第1辐射导体层设置于所述第1绝缘体层，

所述第1绝缘体层在上下方向上弯曲，使得所述上端接地导体层的上端位于比所述第1辐射导体层靠上侧，

所述第1绝缘体层在上下方向上弯曲，由此所述上端接地导体层在上下方向上弯曲。

9.根据权利要求8所述的天线元件，其特征在于，

所述上端接地导体层沿着所述第1绝缘体层在上下方向上弯曲的形状而在上下方向上弯曲。

10.根据权利要求4所述的天线元件，其特征在于，

所述第2接地导体包含上端接地导体层，该上端接地导体层包含所述第2接地导体的上端，

在上下方向上观察，所述上端接地导体层具有长方形形状。

11.根据权利要求1所述的天线元件，其特征在于，

所述天线元件还具备第2辐射导体层、第3辐射导体层以及第4辐射导体层，

在上下方向上观察，所述上端接地导体层不存在于所述第1辐射导体层的左侧以及前侧，

在上下方向上观察，所述上端接地导体层不存在于所述第2辐射导体层的前侧，

在上下方向上观察，所述上端接地导体层不存在于所述第3辐射导体层的前侧，

在上下方向上观察，所述上端接地导体层不存在于所述第4辐射导体层的左侧以及后侧。

12.根据权利要求11所述的天线元件，其特征在于，

在上下方向上观察，所述上端接地导体层存在于所述第1辐射导体层的周围的一半以上，

在上下方向上观察，所述上端接地导体层存在于所述第2辐射导体层、第3辐射导体层以及第4辐射导体层各自的周围的一半以上。

13.根据权利要求1所述的天线元件，其特征在于，

在上下方向上观察，所述第1直线以及第2直线的一端位于所述第1辐射导体层的重心。